Расчет системы импульсно-фазового управления

Размещено на http://www.allbest.ru/

12

Введение

Система импульсно - фазового управления (СИФУ) предназначена для формирования в определенный момент времени и при определенных условиях управляющего сигнала заданных параметров и подача его на тиристоры преобразователя любого типа. СИФУ совместно с преобразователем решает комплекс задач, связанных с формированием и регулированием его выходного напряжения.

СИФУт в сравнении с амплитудным и фазовым, обладает целым рядом достоинств, и поэтому нашло наибольшее применение.

Общие требования, предъявляемые к СИФУ преобразователем:

1. Надежное отпирание тиристоров силовой схемы во всех режимах ее работы.

2. Плавное (в необходимом диапазоне) регулирование угла б подачи управляющих импульсов на тиристоры.

3. Высокая помехоустойчивость и надежность.

Исходные данные для расчета.

Коэффициент нелинейности выходного напряжения ГПН К_Н = 0,045.

Опорное напряжение компаратора U_ОП = 4,5 В.

Напряжение на нагрузке U_Н = 400В.

Ток нагрузки I_Н = 80 А.

Частота напряжения коммутируемой тиристором сети f =50 Гц.

Угол регулирования б = 20⁰ - 80⁰.

Тип управляемого вентиля оптотиристор.

1. Краткое описание работы СИФУ

Структурная схема системы импульсно-фазового управления приведена на рис.1. На схеме приняты следующие обозначения:

БС. - блок синхронизации;

ГПН. - генератор пилообразного напряжения;

КН. - компаратор напряжения;

ФУС - формирователь управляющего сигнала;

U_СИ. - напряжение синхроимпульса;

U_ОП. - опорное напряжение;

U_ГПН. - выходное напряжение ГПН;

В данной системе принят вертикальный способ формирования управляющего сигнала. Сущность его поясняется на рис.2. Генератор пилообразного напряжения (ГПН) генерирует напряжение пилообразной формы (U_ГПН.) определенных параметров. С выхода ГПН напряжение подается на один из двух входов компаратора напряжения (КН.); на другой вход подается постоянное напряжение, называемое опорным (U_ОП.), уровень которого может задаваться (регулироваться) вручную или автоматически. Компаратор предназначен для сравнения величин двух входных напряжений, причем, в момент их равенства (ф_Р) происходит дискретное изменение уровня выходного напряжения компаратора, т.е. на выходе КН. при его работе может быть напряжение одного из двух уровней: высокого или низкого. Как правило, уровни эти стандартны, причём, один из них (высокий) соответствует логической “1” другой (низкий) логическому “0”. При изменении величины опорного напряжения, например, до U_{ОП 1} или U_{ОП 2} меняется положение рабочей точки (Р) компаратора (1 или 2 соответственно) и, следовательно, момент (ф₁ или ф₂) равенства входных напряжений, определяющий в свою очередь момент перепада напряжения на выходе компаратора, т. е. фазу напряжения соответствующего логического уровня. Для однозначности указанной зависимости необходимо стабилизировать начальный момент (ф_Н) генерирования пилообразного напряжения. Это достигается применением блока синхронизации БС, который в заданный момент времени (ф_Н) вырабатывает синхроимпульс (СИ), запускающий ГПН. Фаза напряжения синхроимпульса U_СИ жестко синхронизирована с начальной фазой напряжения сети, коммутируемого оптотиристором. Таким образом, изменение величины U_ОП приводит к изменению фазы перепада выходного напряжения компаратора относительно начальной фазы коммутируемого напряжения, что в свою очередь обеспечивает регулирование угла отпирания оптотиристора.

Формирователь управляющего сигнала ФУС необходим для генерирования управляющего сигнала требуемых параметров и даёт возможность реализовать гальваническую развязку системы управления и силовой цепи оптотиристора.

Все блоки СИФУ питаются от специального источника питания.

2. Расчет системы управления

2.1 Блок синхронизации

Блок синхронизации (БС) должен выдавать опорный сигнал (синхроимпульс) соответствующих параметров, запускающий генератор пилообразного напряжения (ГПН). Появление опорного сигнала должно быть в момент перехода величины напряжения сети через нуль от отрицательного к положительному значению. Фронт опорного сигнала (синхроимпульса) должен быть крутым, обеспечивая надежное функционирование последующих блоков СИФУ.

Одним из существенных требований к блоку БС является обеспечение гальванической развязки цепей управления СИФУ от питающей сети. Наиболее распространенным является трансформаторный способ разделения цепей со стороны входа БС.

На рис.3 приведена принципиальная схема блока синхронизации.

Выбор трансформатора Т.

Исходя из данных выбираем унифицированный трансформатор ТПП для питания устройств на полупроводниковых приборах с частотой питающей сети 50 Гц. Из справочника выбираем трансформатор серии ТПП 208 127/220 В 50 Гц со следующими характеристиками:

Мощность, В . А, Тип и размер сердечника	Ток вторичной обмотки, А	Напряжение вторичных обмоток, В	Допустимый ток вторичных обмоток, А
		11-12, 13-14	15-16, 17-18	19-20,21-22
1,65 ШЛ12*16	0,030/0,017	10,0	10,0	2,6	0,037

Обозначение магнитопровода	А, мм	A1, мм	B, мм	H, мм	L, мм	d, мм	Масса, г Не более
ШЛ 12*16	25	35	58	59	58	М3	410

рис. 4 Электрическая схема трансформатора.

Так как напряжение сети 200 В, то выбирается один трансформатор ТПП 208 127/220 В 50 Гц. При этом используется вторичная обмотка 15-16, коэффициент трансформации K при этом равен:

,

следовательно, напряжение на вторичной обмотке

В.

2.2 Выбор операционного усилителя DA1

Для схемы БС подойдет практически любой операционный усилитель. Выбираем операционный усилитель типа: К140УД5Б. Операционный усилитель средней точности с защитой входа от перенапряжения, а выхода - от короткого замыкания в нагрузке.

Электрические параметры:

K 1000

+U_вых,В 6,5

-U_вых,В -4,5

I_пот,мА 12

U_см,мВ ±5

I_вх,мкА 10

ДI_вх,мкА ±5

R_вх,кОм 3

R_вых,кОм 1

ДU_см/ДT, мкВ/⁰С 30

f₁,МГц 8

+U_п,В 6-15

-U_п,В (-15)-(-6)

U_дф,В ±3

U_сф,В ±3

R_н,кОм 5

Чертеж корпуса и основные размеры даны в приложении.

Сопротивление Rн равно 5 кОм. Выбираем из стандартного ряда Е24 R2 = 5,1 кОм.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R2 = 0,062 Вт.

Тип резистора МЛТ.

Резистор Rн: МЛТ - 0,062 - 5,1К ± 5%

Выбор диодов VD1, VD2.

рис. 5 Схема включения операционного усилителя.

Выбираем любые германиевые маломощные диоды.

Необходимо соблюдение условия:

I_пр.VD=100*I_вх^оу<I_{пр.VD справоч}

имеем

500*10^-6А<I_{пр.VD справоч}

Выбираем маломощные диоды марки кд520А.

Электрические параметры:

Тип элемента	Iпр max, A	Iпр и max, A	Іобр max, мкА	Uобр max, B	Uпр max, B	Iпр, мкА	Сд, пФ	Т, оС
Кд 520А	0,02	0,05	1	15	1	1	3	-60…+70

Выбор R1C1 - фильтра.

Составим уравнение по второму закону Кирхгофа:

U₂ = R1 •У I_Д + U_{ПР Д}

Из него выразим

R1 = (U₂ - U_{ПР Д})/У I_Д, где

U₂ -напряжение на вторичной обмотке трансформатора снятое с выводов 15 - 16.

U₂ = 10 В.

УI_Д - ток протекающий по цепи: R1 - VD1.

Зададимся значением

УI_Д =2 I_пр.VD = 2*0,02 = 0,04 A,

где I_пр.VD прямой ток через диод. U_{ПР Д} - прямое напряжение на диоде VD1 при протекании через него тока I_пр.VD. U_{ПР Д} = 1 В.

Таким образом R1 = (10 - 1)/0,03 = 300 Ом.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) R1 = 300 Ом.

Р_R1 = I_пр.VD ² • R1=0,015² • 300 = 0,07 Вт

Из стандартного ряда мощностей P_R1 = 0,125 Вт.

Тип резистора МЛТ.

Резистор R1: МЛТ - 0,125 - 300Е ± 5%

Значение емкости С1 можно вычислить из соотношения R1 • С1 = ф, где ф - постоянная времени фильтра.ф = 0,0005 с. Таким образом,

С1 = ф / R1 = 0,0005 / 300 = 1,67 мкФ

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) С1 = 1,8 мкФ

Напряжение на конденсаторе равно

U_C = (1,3 - 1,5)•U₂, то есть U_C = 12,5 В.

Конденсатор выбираем по значению емкости и минимального напряжения на нем.

Тип конденсатора К50-16

Конденсатор С1: K50 - 16 -1,8 мкФ -16В ± 5%.

2.3 Генератор пилообразного напряжения

импульсный фазовый трансформатор электрический напряжение

Выбор схемы ГПН зависит от целого комплекса предъявляемых к нему требований. К ним относятся:

а) Основные электрические параметры генерируемых импульсов:

К_Н - коэффициент нелинейности прямого хода пилообразного импульса;

U_max - амплитуда пилообразного импульса;

ф_пр - время прямого хода;

ф_обр - время обратного хода;

б) условия запуска и генерирования;

в) требования к элементной базе.

На Рис.6. изображена схема ГПН компенсационного типа. Отличительной особенностью этой схемы является генерирование пилообразного импульса положительной полярности, у которого время прямого хода равно длительности входного управляющего прямоугольного импульса отрицательной полярности, т.е. .



Рис.6. Схема ГПН компенсационного типа.

Описание работы схемы:

При подаче управляющего импульса ключевой транзистор VT1 запирается и конденсатор С4 начинает заряжаться через резистор R5. В результате на выходе эмиттерного повторителя, собранного на транзисторе VT2, возрастает напряжение U_ГПН. Сумма напряжений U_ГПН и предварительно заряженного конденсатора С3 до величины ? Е превысит величину Е, коммутирующий диод VD4 запрется и отключит контур формирования выходного напряжения от источника Е. Последний начинает питаться от заряженного конденсатора С3. Так как алгебраическая сумма напряжений в контуре формирования практически не меняется, создаются условия возрастания напряжения U_ГПН по закону близкому к линейному.

Расчет схемы:

Е1 = 12 В, U_ВХ = 6,5 В, К_Н = 0,045, f = 50 Гц, I_ВХ = 10 мА.

Выбор транзисторов VT1 и VT2.

Выбираем биполярные транзисторы (VT1 и VT2) средней мощности типа n-p-n, серии КТ315Г.

Электрические параметры:

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при U_КЭ = 10 В, I_Э = 1 мА ….50 … 350

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при U_КЭ = 10 В, I_Э = 1 мА, не менее 250 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи ф_К при U_КБ = 10В, I_Э=5 мА, не более 500 пс

Граничное напряжение при I_Э = 5 мА, не менее 25 В

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при I_К = 20 мА, I_Б = 2 мА, не более 0,4 В

Напряжение насыщения база - эмиттер при I_К = 20 мА, I_Б = 2 мА, не более 1 В

Обратный ток коллектора при U_КБ = 10 В, не более 1 мкА

Обратный ток коллектор - эммитер при R_БЭ=10 кОм, U_КЭ=U_{КЭ,МАКС}, не более 1 мкА

Обратный ток эмиттера при U_ЭБ=5 В, не более 50 мкА

Рассчитаем сопротивление резистора R3:

По второму закону Кирхгофа:

=> ,

где U_БЭ1 = 1,2 В, так как В (по справочнику), а приблизительно на 20%.

R3 = = 530 Ом.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) R3 = 560 Ом.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R3 = 0,062 Вт.

Резистор R3: МЛТ - 0,062 - 560Е ± 5%.

Рассчитаем емкость конденсатора С2:

Из соотношения: , где

с,

а h_11Э1 - входное сопротивление транзистора при неизменном выходном напряжении.

Ом,

мА - по справочнику.

мкФ.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) С2 = 33 мкФ. Из условия В. Конденсатор выбираем по значению емкости и минимального напряжения на нем.

Конденсатор С2: K52 - 1 - 33 мкФ - 3В± 5%.

Рассчитаем сопротивление резистора R4:

По первому закону Кирхгофа:

мА

По второму закону Кирхгофа:

В.

Ом.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) R4 = 1,5 кОм.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R4 = 0,125 Вт

Резистор R4: МЛТ - 0,125 - 1,5к ± 5%.

Выбор диодов VD4.

Выбираем маломощные диоды марки кд520А

Рассчитаем сопротивление резистора R5:

мА - по справочнику. Токами через С3 и С4 пренебрегаем. По первому закону Кирхгофа:

мА

Принимаем амплитуду пилообразного импульса

В.

В - по справочнику.

По второму закону Кирхгофа:

В.

Ом.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) R5 = 75 Ом.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R4 = 0,062 Вт.

Тип резистора МЛТ

Резистор R5: МЛТ - 0,062 - 75Е ± 5%.

Рассчитаем емкость конденсатора С4:

Из условия:

, где

с

находим:

мкФ.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) С4 = 470 мкФ.

Напряжение равно:

В.

Тип конденсатора К52 - 1.

Конденсатор С4: K52 - 1Б - 470 мкФ - 16В ± 5%.

По условию необходимо, чтобы > U_ОП, тогда:

В.

Следовательно, мы действительно имеем> U_ОП (6,8 В > 3,5 В).

, где В, а

Ом - по справочнику, мА, тогда В.

В.

Рассчитаем сопротивление резистора R6:

По формуле:

Ом.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) R6 = 15 Ом.

Мощность, рассеиваемая резистором, рассчитаем из динамического режима:

, где мА;

мА.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R6 = 0,125 Вт

Резистор R6: МЛТ - 0,125 - 15Е5%.

Рассчитаем емкость конденсатора С3:

Из соотношения:

,

где по справочнику - => ; , то подставив в формулу все известные нам значения мы получим:

=> мкФ.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) С3 = 10000 мкФ.

Напряжение заряженного конденсатора С3 равно приблизительно Е1, то есть В.

Конденсатор С3: К50 - 22 - 10000 мкФ - 16В± 5%.

Длительность обратного хода

Длительность обратного хода ориентировочно определяется по формуле:

,

где - коэффициент передачи по току транзистора VT1, а определяется из соотношения .

- по справочнику, тогда Ом, принимаем Ом.

с.

Определим паузу между запускающими импульсами:

 с.

Условие выполняется.

2.4 Компаратор

Компаратор предназначен для преобразования пороговых (аналоговых) сигналов в цифровую форму. На выходе компаратора формируются сигналы «1», если разность входных сигналов больше напряжения срабатывания; или «0», если разность входных сигналов меньше напряжения срабатывания компаратора. В нашем случае на один из входов КН подается пилообразное напряжение, а на другой подаётся опорное напряжение. Основная задача КН заключается в получении заданного угла отпирания тиристора (б = 20є - 80є) это обеспечивается изменением уровня опорного напряжения с помощью делителя напряжения R7,R8,R9. Принципиальная схема компаратора напряжения приведена на рис.7. В качестве компаратора используем предыдущую микросхему (К140УД5Б), имеющие электрические параметры приведенные ниже:

K 1000

+U_вых,В 6,5

-U_вых,В -4,5

I_пот,мА 12

U_см,мВ ±5

I_вх,мкА 10

ДI_вх,мкА ±5

R_вх,кОм 3

R_вых,кОм 1

ДU_см/ДT, мкВ/⁰С 30

f₁,МГц 8

+U_п,В 6-15

-U_п,В (-15)-(-6)

U_дф,В ±3

U_сф,В ±3

R_н,кОм 5

рис.7. Схема компаратора напряжения.

Сопротивление R10 принимается таким же, как и при расчете блока синхронизации, т.е.

Резистор R10: МЛТ - 0,062 - 5,1К ± 5%.

Ток I_d должен быть на порядок больше входного тока операционного усилителя DA2, т. е.

I_d = 10 • I_{ВХ DA2} => I_d = 10 • 1010^-6 А = 10010^-6 А.

Сопротивление R9 определим по формуле:

,

где U_b - напряжение при угле регулирования .

U_b = 1,B (значение напряжения в точке b нашли по графику на рис.8.) Тогда Ом. Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) R9 = 10 кОм.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R9 = 0,062 Вт

Резистор R9: МЛТ - 0,062- 10К5%.

Сопротивление R8 определим по формуле:

, где ,

а напряжение соответствует углу регулирования и равно = 3,57 B (по графику на рис.8.). В.

Ом. Выбираем из стандартного ряда Е24 R8 = 20 кОм.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R8 = 0,062 Вт.

Для обеспечения регулирования угла отпирания, выбираем непроволочный переменный резистор марки СП.

Резистор R8: СП8- 0,062 - 20К5%.

Сопротивление R7 определим по формуле:

,

,

где U_ОП = 4,5 В

В.

Ом. Выбираем из стандартного ряда Е24 R7 = 10 кОм.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R7 = 0,062 Вт

Резистор R7: МЛТ - 0,062 - 10К5%.

2.5 Формирователь управляющего сигнала

В качестве формирователей управляющего сигнала для оптотиристора можно применить разнообразные электронные устройства, удовлетворяющие следующим основным требованиям:

1. обеспечивать гальваническую развязку цепи управления системы формирования управляющего сигнала;

2. сформированный сигнал должен быть импульсным.

Помимо этих требований оптотиристоры не являются источниками электромагнитных полей и не реагируют на их помехи.

Принципиальная схема такого устройства приведена на рис.9.

рис.9. Схема формирователя управляющего сигнала.

Данная схема состоит из RC - цепочки (С5, R11) определяющая длительность входного импульса, транзисторного ключа (VT3), которые служат для увеличения мощности, подводимой к оптотиристору (U) и диода (VD5).

Расчет этого блока начнем с RC - цепочки.

, где В,

Ом, а значением сопротивления R11 зададимся равным 1 кОм.

В.

мА.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R11 = 0,062 Вт.

Резистор R11: МЛТ - 0,062 - 1к ± 5%.

Асцилограмма напряжения R11, C5

Емкость конденсатора С5 определим из соотношения:

,

где мс - длительность входного импульса после RC - цепочки, которую определили по рис.10.

 мкФ.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±5%) С5 = 1.8 мкФ.

В.

Конденсатор С5: К52 - 1 - 1.8 мкФ - 10В ± 5 %.

3. Выбор оптотиристора

3.1 Выбор управляемого вентиля - оптотиристора

По максимально действующему току в цепи нагрузки выбираем тиристор марки ТО142 - 80.

Электрические параметры:

Импульсное напряжение в открытом состоянии

при Iос. и = 3,14•Iос.ср.max, tи = 10мс 1,75В

Отпирающее импульсное напряжение управления

при U_ЗС = 12В не более 2,5 В

Не отпирающее постоянное напряжение управления

при U_{ЗС, И} = U_{ЗС, П} , Т_П = 100 ⁰С не более 0,9 В

Отпирающий импульсный ток управления

при U_ЗС = 12В не более 150 мА

Электрическая прочность изоляции между силовыми и

управляющими цепями 3,0 кВ

Тепловое сопротивление переход - корпус не более 0,3 єС/Вт

Предельные эксплуатационные параметры.

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии 63 А

Макс. допустимый действующий ток в открытом состоянии 98 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при f = 1 - 5 Гц, U_{ЗС, И} = 0,67•U_{ЗС, П}, I_{У, ПР, И} = 0,5 А, Тн = 100єС, t_У =50 мкс 40 А/мкс

Температура перехода -40 ч +100 ⁰С

Температура корпуса -40 ч +100 ⁰С

Указания по монтажу: Чистота обработки контактной поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайки выводов управления паяльником мощностью 50 - 60 Вт при температуре припоя до 220 ⁰С не должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 10 Н•м.

3.2 Выбор и расчет охладителя

Для данного оптотиристора рекомендуется охладитель серии О241-80.

Параметры охладителя:

Масса не более 420 г.

Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя - охлаждающая среда при мощности отводимого тепла 30 Вт не более:

при естественном охлаждении 2,1 ⁰С/Вт

при принудительном охлаждении (скорость охлаждающего воздуха в межреберном пространстве 6 м/с) 0,67 ⁰С/Вт

Тепловое сопротивление контакта корпус прибора - охладитель не более 0,15 ⁰С/Вт

Суммарная площадь охладителя не менее мм² 25000

Максимальная температура перехода 110 ⁰С

Рассеиваемая мощность тиристора 115 Вт

Проверка охладителя:

Суммарное тепловое сопротивление системы «тиристор-охладитель» равно:

,

все эти данные берем из справочных данных охладителя и тиристора.

⁰С/Вт.

Определим необходимую площадь охладителя:

S = мм².

Необходимая площадь охладителя меньше, чем площадь охладителя О241-80, следовательно, можно применять рекомендованный охладитель марки О241-80, так как он удовлетворяет всем необходимым параметрам работы тиристора.

Выбор транзистора VT3.

Выбор транзистора ведется исходя из величины скважности импульса, а так же тока и напряжения необходимые для управления тиристором.

Так как при б=0 величина скважности импульса Q = 2, то

мА.

мВт.

Учитывая специфику работы транзистора и мощность выходного сигнала, выберем транзистор малой мощности типа n - p - n.

КТ206А

Электрические параметры:

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база КТ206А 20В

Пост. напряжение коллектор-эмиттер при RБО<3кОм: КТ206А 20В

Постоянное напряжение эмиттер-база 20В

Постоянный ток колектора 20мА

Постоянная рассеиваемая мощность колектора

При Т = 213-328 К 15мВт

При Т = 358К 5мВт

Температура перехода от 213

Температура окружающей среды от 213 до 358 К

Условие выполняется так, как 0,03<0,4.

Определим сопротивление резистора R12 по формуле:

,

где В для тока коллектора транзистора (тока управления оптотиристора).

Ом. Выбираем из стандартного ряда Е24 ±5%

R12 = 910 Ом.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R12 = 0,062 Вт

Резистор R12: МЛТ - 0,062 - 560Е ± 5%.

Определим сопротивления резисторов R13 по формуле:

,

где Е = 12 В , В для тока коллектора транзистора (тока управления оптотиристора), U_ср = 2,9 В - по справочным данным оптотиристора и из рис. 10.

Ом. Выбираем из стандартного ряда Е24 ±5%

R13 = 56 Ом.

4. Эскизы выбранных элементов конструкции

· Трансформатор ТПП 208 127/220 В 50 Гц.

· Операционный усилитель К140УД1В.

· Резисторы МЛТ.

Номинальная мощность, Вт	Диапазон номинальных сопротивлений, Ом	Размеры, мм	Масса, г., не болем
		D	L	l	d
0,125	8,3…3х106	2,2	5,0	20	0,6	0,15
1	1,0…10х106	6,0	13,0	25	0,8	2,0

Переменный резистор

Тип резисторов	СП5-2ВБ
Размер, мм	А В Н h N	10 - 6,3 4 2,5
Масса, г, не более	1,8
Номинальная мощность рассеяния, Вт	0,5
Диапазон сопротивлений, Ом	3,3-22х107

· Конденсаторы: К50 - 16, К52 - 1, К50 - 22.

Размеры, мм	Масса, г, не более
D	H	A	d
4	13	2	0,5	0,8



Номинальное напряжение, В	Размеры, мм	Масса, г, не более
	D	L	D
3	4,5	17,5	0,6	7,5
10	6	20	0,6	-
16	6	20	0,6	5

Номинальное напряжение, В	Номинальная емкость, мкФ	Размеры, мм	Масса, г, не более
		D	H	A
16	1000	21	40	7	22
	2200	24	40	10	30
	3300		50		36
	4700	25	60		45
	6800		70		58
	10000	30	80	13	85

· Диод ГД402А.

· Транзисторы: КТ315Г, КТ815А.

· Тиристор ТО142 - 80.

· Охладитель О241-80.

Размещено на Allbest.ru

...