Defect concentration in clusters, created by fast-pile neutrons in n-Si (FZ, Cz)

Calculation of the concentration of defects on the doping level for the average cluster in n-Si. It is shown that the concentration of defects for the average cluster is in inverse proportion to the square of the radius of the cluster model Gossick's.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык английский
Дата добавления 11.11.2013
Размер файла 200,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.


Подобные документы

Работа, которую точно примут
Сколько стоит?

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.