Исследование биполярных транзисторов
Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 29.06.2014 |
| Размер файла | 497,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И. Носова
Лабораторная работа
по дисциплине: Физические основы электротехники
на тему: Исследование биполярных транзисторов
Выполнил:
Ишмурзин Д.А.
Проверил:
Вечеркин М.В.
Магнитогорск, 2013 год
Цель работы: изучение статических вольтамперных характеристик и определение параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Паспортные данные транзистора:
Наименование транзистора: MPS8598;
Тип материала: Si;
Полярность: PNP;
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 mW;
Максимальное напряжение коллектор - база (Ucb max): 60V;
Максимальное допустимое напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 60V;
Максимальное допустимое напряжение эмиттер - база (Ueb max): 5V;
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic max): 500 mA;
Предельная температура PN - перехода (Tj), град: 150°C;
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz;
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 8;
Статический коэффициент передачи тока (Hfe): 100 MIN.
Для наглядности, результаты измерений лучше представить в табличной форме.
Далее, стоит прибегнуть к графическому подтверждению измерений результатов.
Построим схему включения транзистора.
Результаты измерения.
Рассмотрим снятие семейства выходных статических характеристик транзистора в табличной форме.
Рассмотрим снятие семейства выходных статических характеристик транзистора в графическом виде.
Расчетные данные:
Iбп = 0.5 мА;
Uбэп = 0,774 В;
Iкп = 0.075 А;
Uкэп = 15 В;
Ек = 25 В.
Расчет:
Rэ = 0.1 Ч Ек ч Iкп = 33.3 Ом
Iд = 10 Ч Iбп = 5 мА
R2 = (Iкп Ч Rэ + Uбэп) ч Iд = 654.8 Ом
R1 = (Ек - Uбэп - Iкп Ч Rэ) ч (Iд + Iбп) = 3095 Ом
Rк = (Ек - Uкэп - Iкп Ч Rэ) ч Iкп = 100 Ом
Рассмотрим схему исследования биполярного транзистора.
Рассмотрим зависимости коэффициента усиления схемы от сигнала.
Для наглядности стоит построить осциллограмму усилительного каскада, наглядно демонстрирующую коэффициенты усиления схемы от получаемого сигнала.
Построим графического воспроизведения коэффициентов усиления схемы от сигнала.
Согласно поставленной цели лабораторной работы, необходимо выяснить, являются ли значения коэффициента усиления прямо пропорциональными частоте и во сколько раз.
Для этого нужно исследовать работу каскада.
Исследование работы каскада при частоте 1000 Гц.
Построим для 50 мВ.
Построим для 0,2 В.
Построим для 1 В.
вольтамперный полупроводниковый ток
Вывод
В данной лабораторной работе исследовали схему подключения биполярного транзистора с общим эмиттером, экспериментальным путем нашли значения входных и выходных напряжений.
Выяснили, что значения коэффициента усиления изменяются прямо пропорционально частоте в десятки раз.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011Использование биполярных транзисторов. Назначение элементов в схемах усилителей с общим эмиттером и коллектором. Температурная стабилизация и форма кривой выходного напряжения. Расчет коэффициентов усиления по току, напряжению и входному сопротивлению.
контрольная работа [2,1 M], добавлен 15.02.2011Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.
лабораторная работа [39,8 K], добавлен 12.01.2010Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.
дипломная работа [3,5 M], добавлен 29.12.2014Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Основные этапы проектирования электрического двигателя: расчет параметров якоря и магнитной системы машины постоянного тока, щеточно-коллекторного узла и обмотки добавочного полюса. Определение потери мощности, вентиляционных и тепловых характеристик.
курсовая работа [411,3 K], добавлен 11.06.2011Расчет каскада транзисторного усилителя напряжения, разработка его принципиальной схемы. Коэффициент усиления каскада по напряжению. Определение амплитуды тока коллектора транзистора и значения сопротивления. Выбор типа транзистора и режима его работы.
контрольная работа [843,5 K], добавлен 25.04.2013Выбор главных размеров и расчет параметров якоря. Магнитная система машин постоянного тока. Определение размагничивающего действия поперечной реакции якоря. Расчет системы возбуждения и определение потерь мощности. Тепловой и вентиляционный расчет.
курсовая работа [538,3 K], добавлен 30.04.2012Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.
курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015Построение схем с диодом из библиотеки SimElectronics и электрическим диодом из библиотеки Simscape и графиков зависимости тока от напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов различными методами при 2-х разных температурах.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 08.07.2012Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009Исследование вольтамперных характеристик диодов, снятие характеристик при различных значениях напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов, функции первой и второй степени, экспоненты. Исходный код программы и полученные данные.
лабораторная работа [1,6 M], добавлен 24.07.2012Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
контрольная работа [2,9 M], добавлен 22.10.2009Определение и обоснование геометрических размеров проектируемого электромагнита. Расчет параметров магнитной цепи, коэффициента возврата. Расчет статических и динамической тяговых характеристик, а также времени срабатывания устройства и обмотки.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 14.12.2014Графоаналитическое исследование режима работы в классе A. Определение параметров транзисторного усилительного каскада в схеме с общим эмиттером, с одним питанием, с автоматическим смещением и с эмиттерной температурой стабилизацией рабочего режима.
задача [795,6 K], добавлен 18.11.2013Определение мощности электрокалорифера. Осуществление теплового расчета нагревательных элементов. Выбор вентилятора и определение мощности электродвигателя для его привода. Расчет конструктивных параметров нагревательного устройства и сети подключения.
курсовая работа [597,3 K], добавлен 17.01.2012Определение длительности витка и тени на расчетном витке. Расчет количества фотопреобразователей в секции. Определение размеров и вольтамперных характеристик батареи. Расчет системы электропитания для спутника, предназначенного для наблюдения за Солнцем.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 21.05.2015
