Полупроводниковые диоды
Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | лабораторная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 25.06.2015 |
Размер файла | 547,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Размещено на http://www.allbest.ru/
Полупроводниковые диоды
1. Цель работы и краткая программа измерений
полупроводниковый стабилитрон диод
Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
2. Схема измерительной цепи
G1 - источник питания 1-15 В; R1 - потенциометр 0-100 Ом;
R2 - балластный резистор 0-1 кОм; PA - цифровой амперметр;
VD - исследуемый стабилитрон; PV - цифровые вольтметры.
3. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора
Номера контактов |
Наименование Прибора |
Основной тип пробоя |
Uпр.max [В] |
Iпр.max [мА] |
Iобр.max [мкА] |
Uобр.max [В] |
|
1-5 |
Д210 |
Кремниевый |
1.0 |
100 |
50 |
500 |
|
1-7 |
Д7Ж |
Германиевый |
0.5 |
300 |
100 |
400 |
4. Необходимые расчеты
Снятые данные
Измерения при комнатной температуре (18 С0) |
||||
Прямое напряжение |
||||
Д7Ж |
Д210 |
|||
U [В] |
I [мА] |
U [В] |
I [мА] |
|
0,07 |
0,01 |
0,50 |
0,10 |
|
0,08 |
0,02 |
0,60 |
0,60 |
|
0,150 |
0,900 |
0,700 |
3,100 |
|
0,200 |
2,300 |
0,800 |
19,700 |
|
0,250 |
5,400 |
0,820 |
30,600 |
|
0,300 |
13,400 |
0,900 |
88,700 |
|
0,350 |
30,300 |
0,910 |
103,500 |
|
0,400 |
61,300 |
|||
0,440 |
107,800 |
|||
Обратное напряжение |
||||
-U [В] |
-I [мкА] |
-U [В] |
-I [мкА] |
|
0,00 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
|
0,20 |
0,02 |
0,20 |
0,00 |
|
0,80 |
0,02 |
0,80 |
0,00 |
|
4,00 |
0,02 |
4,00 |
0,00 |
|
5,00 |
0,02 |
5,00 |
0,00 |
|
9,00 |
0,02 |
9,00 |
0,00 |
|
10,000 |
0,02 |
10,000 |
0,00 |
Измерения при температуре 60 С0 |
||||
Прямое напряжение |
||||
U [В] |
I [мА] |
U [В] |
I [мА] |
|
0,02 |
0,01 |
0,02 |
0,00 |
|
0,10 |
1,00 |
0,10 |
0,00 |
|
0,200 |
10,000 |
0,200 |
0,00 |
|
0,250 |
14,500 |
0,250 |
0,00 |
|
0,300 |
28,500 |
0,300 |
0,00 |
|
0,350 |
55,100 |
0,350 |
0,00 |
|
0,360 |
70,000 |
0,360 |
0,00 |
|
Обратное напряжение |
||||
-U [В] |
-I [мкА] |
-U [В] |
-I [мкА] |
|
0,20 |
0,16 |
0,20 |
0,00 |
|
3,00 |
0,17 |
3,00 |
0,00 |
|
5,00 |
0,17 |
5,00 |
0,00 |
|
7,00 |
0,18 |
7,00 |
0,00 |
|
10,00 |
0,19 |
10,00 |
0,00 |
Диод Д210
Обратную ветвь диода рисовать бессмысленно, так как в диапазоне наших измерений ток диода настолько мал, что ввиду точности используемого оборудования его измерение не представляется возможным.
Подобная разница в прямых и обратных ветвях кремниевого и германиевого диода обусловлена различием ширины запрещенной зоны у этих элементов. У кремниевого диода ширина запрещенной зоны, исходя из электрических измерений равняется 1,21 эВ, однако у германия величина запрещенной зоны составляет лишь 0,785 эВ, исходя из тех же электрических измерений.
Диод Д7Ж
Прямая ветвь
Обратная ветвь
Расчет дифференциального сопротивления диода Д7Ж
Измерения при комнатной температуре (18 С0) |
||||||||
U [В] |
U |
I |
r [Ом] |
|||||
0,115 |
0,07 |
0,88 |
79,545 |
|||||
0,175 |
0,05 |
1,4 |
35,714 |
|||||
0,225 |
0,05 |
3,1 |
16,129 |
|||||
0,275 |
0,05 |
8 |
6,250 |
|||||
0,325 |
0,05 |
16,9 |
2,959 |
|||||
0,375 |
0,05 |
31 |
1,613 |
|||||
0,42 |
0,04 |
46,5 |
0,860 |
|||||
Измерения при температуре 60 С0 |
||||||||
U [В] |
U |
I |
r [Ом] |
U [В] |
U |
I |
r [кОм] |
|
0,060 |
0,080 |
0,990 |
80,808 |
-1,600 |
-2,800 |
-0,005 |
560,000 |
|
0,150 |
0,100 |
9,000 |
11,111 |
-4,000 |
-2,000 |
-0,007 |
285,714 |
|
0,225 |
0,050 |
4,500 |
11,111 |
-6,000 |
-2,000 |
-0,008 |
250,000 |
|
0,275 |
0,050 |
14,000 |
3,571 |
-8,500 |
-3,000 |
-0,014 |
214,286 |
|
0,325 |
0,050 |
26,600 |
1,880 |
|||||
0,355 |
0,010 |
14,900 |
0,671 |
При прямом напряжении
При обратном напряжении
Проверяем экспоненциальную зависимость I(U)
U [В] |
ln(Iпр) |
|
0,07 |
-11,5129 |
|
0,08 |
-10,8198 |
|
0,150 |
-7,01312 |
|
0,200 |
-6,07485 |
|
0,250 |
-5,22136 |
|
0,300 |
-4,3125 |
|
0,350 |
-3,49661 |
|
0,400 |
-2,79198 |
|
0,440 |
-2,22748 |
Полученная зависимость подтверждает правильность снятых данных. На участке [0,20; 0,45] В зависимость имеет линейный характер, что соответствует экспоненциальному отражению прямого напряжения в прямой ток.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.
дипломная работа [3,5 M], добавлен 29.12.2014Классификация диодов в зависимости от технологии изготовления: плоскостные, точечные, микросплавные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные. Виды диодов по функциональному назначению. Основные параметры, схемы включения и вольт-амперные характеристики.
курсовая работа [909,2 K], добавлен 22.01.2015Характеристики полупроводниковых материалов и источников излучения. Соединение источника с волокном. Конструкции одномодовых лазеров, особенности РБО-лазеров. Расчет параметров многомодового лазера с резонатором Фабри-Перо. Светоизлучающие диоды (СИД).
реферат [561,8 K], добавлен 11.06.2011Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 04.05.2011Исследование классификации, структуры и вольтамперной характеристики тиристора, полупроводникового прибора, выполненного на основе монокристалла полупроводника. Изучение принципа работы, таблеточной и штыревой конструкции корпусов тиристорных устройств.
курсовая работа [790,5 K], добавлен 15.12.2011Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016Изучение принципов работы оборудования гидроэлектростанции. Выбор типа турбины и определение ее параметров. Расчет спиральной камеры. Выбор гидрогенератора и трансформатора. Определение грузоподъемности кранов, параметров маслонапорной установки.
курсовая работа [76,3 K], добавлен 18.07.2014Понятие диодов как электровакуумных (полупроводниковых) приборов. Устройство диода, его основные свойства. Критерии классификации диодов и их характеристика. Соблюдение правильной полярности при подключении диода в электрическую цепь. Маркировка диодов.
презентация [388,6 K], добавлен 05.10.2015Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.
презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014Рассмотрение разных вариантов схем источника опорного напряжения, равного ширине запрещённой зоны. Выбор конструкции, расчёт реакции на изменение температуры и напряжения питания. Изучение основ измерения параметров устройств при технологическом уходе.
диссертация [2,2 M], добавлен 07.09.2015Общие сведения о проводниковых материалах. Электрическое сопротивление проводников. Параметры и использование стабилитронов. Полупроводниковые приборы. Основные определения и классификация диэлектриков. Характеристики электроизоляционных материалов.
реферат [207,6 K], добавлен 27.02.2009Структура и специфика использования приборов тлеющего разряда. Понятие, а также функциональные возможности стабилитронов. Вентили тлеющего разряда. Конструкции тиратронов. Особенности использования несамостоятельных разрядов в технологических лазерах.
контрольная работа [285,4 K], добавлен 11.08.2014Вольтамперная характеристика фотоэлемента. Анализ изменения эффективности различных типов полупроводниковых преобразователей солнечной энергии. Изучение параметров органических и гибридных фотоэлементов. Концепция объемного и планарного гетеро-перехода.
презентация [2,0 M], добавлен 25.11.2014Определение параметров силового полупроводникового ключа. Характеристики ключей и режим работы схемы. Расчет предельных характеристик полупроводниковых ключей. Исследование процесса формирования потерь в силовых ключах. Допустимые режимы работы ключей.
конспект урока [1,4 M], добавлен 26.03.2019Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.
контрольная работа [233,1 K], добавлен 25.07.2013Расчёт трансформатора и параметров интегрального стабилизатора напряжения. Принципиальная электрическая схема блока питания. Расчет параметров неуправляемого выпрямителя и сглаживающего фильтра. Подбор выпрямительных диодов, выбор размеров магнитопровода.
курсовая работа [151,6 K], добавлен 14.12.2013Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015Приведение переменных и параметров рабочего механизма к валу исполнительного двигателя. Основные характеристики и параметры электропривода. Силовые полупроводниковые преобразователи, принцип их действия и структура. Схемы двигателей постоянного тока.
дипломная работа [1,0 M], добавлен 30.04.2011Расчет теплофизических параметров теплоносителя и рабочего тела. Определение основных геометрических параметров трубного пучка. Вычисление толщины деталей парогенератора, обеспечивающей условия прочности. Анализ мощности главного циркуляционного насоса.
курсовая работа [336,5 K], добавлен 10.11.2012Расчёт электромагнита электрического аппарата. Выбор его параметров и безразмерных коэффициентов. Конструктивные параметры магнитопровода. Разработка конструкции электромагнита. Определение основных параметров, теплового режима и весовых показателей.
реферат [1,6 M], добавлен 04.09.2012