Газочувствительность полупроводниковых оксидов металлов как результат химических превращений и химических реакций на каталитически активных поверхностях

Ключевые задачи по проблемам хемосорбции молекул кислорода и воды на поверхности полупроводниковых оксидов металлов (ПОМ), их каталитической активности. Механизмы взаимодействия газов с ПОМ. Проблемы сенсорной диагностики, которые требуют решения.

Рубрика Физика и энергетика
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 02.03.2018
Размер файла 4,3 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

3.4 Критерии выбора оптимальной структуры ПОМ для регистрации газов в воздухе.

Нами были приняты пять, наиболее объективных, с нашей точки зрения, критерия отбора структуры ПОМ для регистрации конкретного газа в воздухе.

1. Минимальная зависимость сопротивления Rg от влажности газовой среды. Поэтому первым объективным критерием является величина среднеквадратичного отклонения cреднеарифметических значения сопротивления структуры sdRma/Rma, вычисленная для широкого интервала влажности 0-100% RH или 10-100% RH, и зависимость этой величины от концентрации анализируемого газа. Такие данные в качестве иллюстрации представлены на рис.3.7, а методика их вычисления описана выше.

2. Существование простой (желательно, линейной) по типу эмпирической зависимости между среднеарифметическим сопротивлением структуры Rma, определённом в наиболее широком диапазоне влажности газовой среды, и концентрацией газа (по типу уравнения (3.3)), справедливой для наиболее широкого диапазона концентраций и с наименьшей погрешностью аппроксимации.

3. Абсолютная величина сопротивления образцов ПОМ не должна превышать в чистом воздухе R0 ? 1-3 мОм, а в газовой смеси Rg ? 50 - 100 кОм.

4. Высокое быстродействие, определяющее способность структур реагировать на мгновенный выброс газа, а также форма ответного импульса проводимости у (t) или сопротивления Rg (t), близкая к типу у2 (t) (см. рис.3.8).

5. Стабильность и воспроизводимость показаний (сопротивления Rg) образцов ПОМ в газовой смеси воздуха с анализируемым газом при постоянной концентрации газа и влажности газовой среды в процессе проведения длительных испытаний.

Глава 4. Проводимость ПОМ в сухом и влажном воздухе. Состав "кислородно-гидроксильного" слоя.

Из обзора литературы следует, что ПОМ являются катализаторами хемосорбционных и диссоциативных процессов для окружающей воздушной среды. Представлены доказательства диссоциации молекул кислорода и воды на поверхности ПОМ и существования на ней хемосорбированных отрицательно заряженных ионов кислорода в формах О2?, О? и О2 - и гидроксильных групп ОНЇ, иначе говоря, существование так называемого "кислородно-гидроксильного" слоя. Это приводит к возникновению акцепторного уровня в запрещенной зоне полупроводника, смещению уровня Ферми в направлении зоны проводимости и, как следствие, отрицательному заряжению поверхности ПОМ. Проводимость ПОМ при адсорбции кислорода из-за поглощения его ионами свободных электронов из зоны проводимости полупроводника уменьшается. Одновременно показано, насколько велико противоречие в литературных данных по температурным границам существования форм хемосорбированных ионов кислорода.

Экспериментальных исследований по хемосорбции молекул кислорода проведено много, но, как было отмечено, полученные данные весьма противоречивы. Результаты исследований газочувствительности к самим парам воды в литературе отсутствуют. Уточнение экспериментальных данных по границам существования хемосорбированных ионов кислорода и гидроксильных групп ОНЇ позволило бы получить важную информацию по составу и свойствам "кислородно-гидроксильного" слоя, играющего основную роль при хемосорбционных и каталитических процессах на поверхности ПОМ.

Объективная картина о температурных границах формирования хемосорбированных ионов кислорода и гидроксильных групп может быть получена только с учетом данных о проводимости собственного полупроводника. Наиболее обстоятельные исследования проводимости чистой SnO2 в атмосфере азота выполнены только Фонстадом и Редикером еще в 1971г. Из работы следует, что при комнатной температуре проводимость SnO2 может изменяться от 0.25 до 40 (Ом•см) - 1 в зависимости от плотности свободных зарядов (электронов) от 1016 до 2.5•1018 см-3, соответственно. Показано, что проводимость SnO2 и подвижность электронов для плотности электронов 8•1016 см-3 уменьшается с температурой вплоть до температур 4000С. Для плотности электронов 0.8•1016 см-3 те же исследования проведены только до комнатных температур. При температурах выше 4000С данные для проводимости, а также для плотности электронов и их подвижности в литературе отсутствуют. В реальных условиях ПОМ, в том числе и SnO2, не могут рассматриваться как чистые или собственные полупроводники, поскольку они постоянно находятся в контакте с окружающей воздушной средой, оказывающей существенное влияние на электронные состояния поверхности и, следовательно, на проводимость.

В данной Главе представлены результаты исследований проводимости шести структур ПОМ: чистой SnO2 и SnO2 с каталитическими добавками 3% Pd, 3% La2O3, 1% Sb2O5 + 3% La2O3, 1% Pt + 3% Pd и 3% Pd с каталитическим слоем из Al2O3, в чистом азоте и сухом воздухе в диапазоне температур от комнатной до 6500С. Проведены также экспериментальные исследования чувствительности тех же структур ПОМ (кроме структуры SnO2 + 1% Pt + 3% Pd) к парам воды в воздухе в диапазоне концентраций Н2О от 0 до 2.88 об %. (0 - 100 % RH) и температур 200 - 6000С.

4.1 Проводимость ПОМ в азоте и сухом воздухе. Кислородная составляющая КГС.

При нахождении образцов ПОМ в инертной атмосфере, например, в среде чистого азота, или вакууме на их поверхности существуют только вакансии кислорода VO, сосредоточенные на обрывах периодичности кристаллической решетки SnO2 на поверхностных ионах Sn4+. Проводимость ПОМ в этом состоянии определяется только концентрацией собственных электронов в зоне проводимости полупроводника, которая зависит от температуры. При нахождении ПОМ в атмосфере сухого воздуха происходит формирование "кислородной" составляющей КГС. За полный процесс формирования ионов О? и О2 - каждая молекула кислорода оккупирует два иона Sn4+, а зона проводимости ПОМ обедняется на два и четыре электрона, соответственно. В результате проводимость ПОМ в сухом воздухе должна понизиться по сравнению с проводимостью чистого ПОМ, а ее величина будет определяться концентрацией свободных электронов в обедненной зоне проводимости полупроводника, температурой и формой хемосорбированного иона кислорода

4.1.1 Методика проведения исследований.

Исследование проводимости образцов ПОМ в азоте и сухом воздухе проводилось на модификации ГДУ для нерастворимых в воде газов, изображенной на рис.3.1 Удаление с поверхности ионов кислорода, молекул воды и гидроксильных групп в первом случае и молекул воды и гидроксильных групп во втором достигалось в процессе специальной длительной температурной тренировки образцов ПОМ в постоянном потоке азота марки ОСЧ или сухого воздуха с расходом 1 см3/сек. За критерий очистки поверхности была выбрана стабилизация проводимости при комнатной температуре на характерном для каждого типа ПОМ уровне.

Рис.4.1 Диаграммы проводимости чистой SnO2 в азоте и сухом воздухе при изменении температуры нагрева.

Измерения проводимости в среде азота и сухого воздуха проводились при последовательном нагреве образцов ПОМ от комнатной температуры до температур 650°С с интервалом 50°С. Время нахождения образцов при каждой температуре составляла от 50 до 70 мин. Результатом исследований в азоте марки ОСЧ и сухом воздухе были диаграммы удельной проводимости у (t, Т), изображенные для чистой SnO2 на рис.4.1 Для остальных структур ПОМ были получены аналогичные зависимости. Удельная проводимость у в (Ом•см) - 1 рассчитывалась по измеренным величинам сопротивления образцов ПОМ с учетом геометрических размеров газочувствительного слоя ЧИПа, которые были равны 0.1•0.04•0.003 см.

На рис.4.2 и 4.3 показаны зависимости проводимости исследованных ПОМ от температуры в среде азота и сухого воздуха в координатах [lgу - T]. Оба рисунка наглядно иллюстрируют экстремальный характер зависимости у (Т) и определяющую роль в проводимости ПОМ в сухом воздухе свободных электронов собственного полупроводника. Минимум проводимости, как видно из графиков, наблюдается в сухом воздухе в области температур 300 - 4000С для чистой SnO2 и 280 - 3500С - для остальных ПОМ. Графики иллюстрируют также роль каталитических добавок в порошок SnO2. Все добавки относятся к классу акцепторных, понижающих количество свободных электронов в зоне проводимости ПОМ. При этом отчетливо прослеживается закономерность: чем ниже валентность акцептора, тем ниже проводимость ПОМ.

Кроме того, наблюдается определенная закономерность смещения температуры минимума проводимости в область меньших значений с понижением валентности металла. Следует также обратить внимание на начальные ветви кривых lgу (T) на рис.4.2 для легированных ПОМ в области температур до 100 - 150°С, которые характеризуют примесную проводимость полупроводников. Вместе с тем, отсутствие подобной ветви у чистой SnO2 свидетельствует о ее достаточно высокой чистоте.

4.1.2 Интерпретация результатов исследований. Концентрация хемосорбированных ионов кислорода в КГС.

Рассмотрим полученные закономерности проводимости ПОМ аналитически, исходя из известной формулы для проводимости электронного полупроводника

у = ме•е•ne, (4.1)

где у проводимость ПОМ в (Ом•см) - 1, ме - подвижность электронов в см2•В-1•с-1, е - заряд электрона равный 1.6•10-19 А•с и ne - число или концентрация электронов в зоне проводимости ПОМ. Если обозначить за nеN2 количество электронов собственного полупроводника в атмосфере азота и за nеAir - количество электронов в сухом воздухе, то убыль количества электронов в сухом воздухе за счет образования хемосорбированных ионов кислорода ДnО и изменение проводимости ПОМ ДуО в сухом воздухе по отношению к собственному полупроводнику составит

ДnО = nеN2 - nеAir и ДуО = уN2 - уAir (4.2)

На рис.4.4 изображены зависимости проводимости чистой SnO2 в азоте и сухом воздухе, а также вычисленное по формуле (4.2) изменение проводимости, вызванное хемосорбцией молекул кислорода. Там же показан отрезок зависимости проводимости для чистой SnO2 в азоте, заимствованный из упомянутой выше работы Фонстада [139], при концентрации электронов 0.8•1016 см-3 при комнатной температуре. Из графика уN2 (Т) видно, что наблюдается хорошее совпадение наших данных с данными этой работы. График ДуО (Т) на рис.4.4 позволяет сделать несколько заключений.

Рис.4.2 Проводимость исследованных ПОМ в азоте в зависимости от температуры.

Рис.4.3 Проводимость исследованных ПОМ в сухом воздухе в зависимости от температуры

Во-первых, отчетливо видно, что хемосорбированные ионы кислорода в области температур 250 - 5500С захватывают практически все свободные электроны из зоны проводимости собственного полупроводника. Далее, наблюдаемые два максимума на указанной зависимости при 200 и 550-6000С должны принадлежать двум разным формам хемосорбированного кислорода: О? и О2-, соответственно. При температуре 4000С в минимуме кривой ДуО (Т) проводимость определяется обоими формами хемосорбированного кислорода при тенденции снижения концентрации ионов О? и возрастания концентрации ионов О2-. Начальный спадающий отрезок кривой, вероятнее всего, связан с молекулярной формой хемосорбированного кислорода О2?. Наконец, несмотря на отток электронов из зоны проводимости ПОМ на ионы кислорода О2 - и, казалось бы, ожидаемое при этом общее понижение проводимости ПОМ при температурах выше 400 - 4500С, проводимость его, тем не менее, возрастает. Это еще раз свидетельствует об определяющей роли в проводимости ПОМ в сухом воздухе собственных электронов полупроводника.

Данные по изменению проводимости в сухом воздухе (рис.4.3) позволяют, используя уравнение (4.1), оценить количество электронов ДnО, захваченных хемосорбированными ионами кислорода, и количество этих ионов NO на поверхности:

ДnО = ДуО/1.6•ме•10-19-3 и NO = ДnО/е см-3, (4.3)

где е - заряд иона кислорода. Для оценки величин подвижности электронов при их плотности 0.8•1016 см-3 в области исследованных нами температур (выше комнатной) мы вынуждены были прибегнуть к графической экстраполяции зависимости ме (Т) из упомянутой выше работы.

Рис.4.4 Проводимость чистой SnO2 в азоте и сухом воздухе в зависимости от температуры.

Рис.4.5 Концентрация хемосорбированных ионов кислорода О? и О2 - в КГС и вызванное ими изменение концентрации электронов в зоне проводимости SnO2.

При этом использовались закономерности зависимости ме (Т) до температур 400°С, полученные для SnO2 с плотностью электронов 8•1016 см-3. Результаты вычислений убыли свободных электронов ДnО из зоны проводимости и концентрации ионов кислорода NO на поверхности SnO2 представлены на рис.4.5 в зависимости от температуры. Графики на рисунке наглядно подтверждают все предположения и утверждения, высказанные выше.

4.2 Проводимость ПОМ во влажном воздухе. Гидроксильная составляющая КГС.

4.2.1 Методика проведения исследований чувствительности ПОМ к парам воды.

Для исследования газочувствительности ПОМ к парам воды была использована специальная модификация ГДУ, состоящая из двух линий, по которым подавался метрологически аттестованный воздух. По одной из линий поток воздуха перед поступлением в измерительную камеру с образцами ПОМ проходил через увлажнитель, после выхода из которого воздушный поток обогащался парами воды с парциальным давлением в пределах от 0 мм. Hg до давления насыщенных паров при комнатной температуре. Парциальное давление паров воды в потоке и, следовательно, концентрация Н2О в воздухе рассчитывались по значениям влажности с учётом величин атмосферного давления и комнатной температуры. Импульсы концентрации паров воды формировались с помощью ЭПГП, в зависимости от положения золотника которого в измерительную камеру с образцами ПОМ поступали сухой или влажный воздух.

Исследования концентрационной зависимости проводимости исследованных структур ПОМ проводились в диапазоне температур от 200 до 6000С с интервалом 500С при концентрациях паров Н2О, соответствующих влажности воздуха 10, 40, 70 и 98-100% RH. Длительности импульса концентрации Н2О были равны 1 часу, а времени продувки камеры сухим воздухом - 45 мин. Весь цикл измерений был проведён при комнатной температуре 22 20С и атмосферном давлении 750 5 мм. Hg. С учетом переменных условий окружающей среды для каждого указанного выше значения влажности были получены следующие усредненные значения концентрации паров Н2О: С1 = 0.275 ± 0.008, С2 = 1.1 ± 0.043, С3 = 2.09 ± 0.027 и С4 = 2.88 ± 0.037 об %. Для исключения возможной нестабильности сопротивления, которая наблюдается при включениях нагрева образцов ПОМ, все измерения концентрационной зависимости проводились без выключения питания в течение всего периода исследований.

Результатом исследований концентрационных зависимостей структур ПОМ во влажном воздухе были диаграммы у (С,t) (аналогичные диаграмме на рис.3.2). Диаграммы у (C,t) были получены для каждого исследованного типа ПОМ, однако, в дальнейшем результаты измерений будут представлены только для чистой SnO2. Зависимости проводимости ПОМ на основе чистой SnО2 от температуры нагрева и концентрации паров Н2О (влажности) изображены на рис.4.6 Там же показана зависимость у (T) для чистой SnO2 в среде азота. График наглядно демонстрирует экстремальный характер зависимости у (T) в сухом (см. также рис.4.3) и влажном воздухе и тенденцию повышения проводимости с ростом влажности воздуха. Из графиков видно, что положение минимума зависимости у (T) не зависит от концентрации Н2О, и для указанной структуры оно наблюдается при температуре ? 3500С.

Рис.4.6 Проводимость чистой SnO2 в сухом и влажном воздухе в зависимости от температуры.

Рис.4.7 Чувствительность (отклик) исследованных ПОМ к парам воды в воздухе при её концентрации 2.9 % об в зависимости от температуры.

Проводимость ПОМ особенно резко изменяется в интервале концентраций от 0 до С1 или от 0 до 10% RH. Далее с ростом концентрации Н2О тенденция увеличения проводимости замедляется, а при С ? С2 проводимость практически стабилизируется. Такая же закономерность отмечается и у остальных структур ПОМ. Минимумы зависимостей у (T) во влажном воздухе для ПОМ на основе структур с каталитическими добавками 3% Pd, 3 % La2O3, 1% Sb2O5 + 3% La2O3 и 3% Pd с каталитическим слоем из Al2O3 достигаются в интервале температур 300 - 370, 250 - 400, 300 - 400 и 300 - 3500С, соответственно.

На рис.4.7 представлены температурные зависимости чувствительности (отклика) S (T) структур ПОМ к парам воды при их концентрации 2.9 % об. Как видно из графиков, чувствительность всех структур ПОМ к парам воды имеет отчетливо выраженные максимумы, а наименьшей чувствительностью при температурах выше 4500С к парам воды обладают структуры SnO2 + 1% Pt + 3% Pd, SnO2 + 1% Sb2O5 + 3% La2O3, SnO2 + 3% La2O3. При 6000С чувствительность для всех структур практически одинакова и находится на сравнительно высоком уровне 1.7 - 1.9

4.2.2 Интерпретация результатов исследований. Концентрация хемосорбированных гидроксильных групп в КГС.

Термическая диссоциация молекул воды на каталитически активной поверхности ПОМ по данным химической литературы может проходить с образованием молекул водорода, которые диссоциируют на два атома, и кислорода:

Н2О > Н2 + 1/2·О2 ^ и Н2 > 2·Н (4.4)

Как было установлено в разделе 4.1, кислородная составляющая КГС состоит их двух форм хемосорбированного кислорода: О? в области температур от комнатной до 350 - 4000С превалирует ион О?, а в диапазоне температур (350-400) - 6500С - ион О2-. По нашим соображениям формирование иона О? может закончится при 400 - 5000С, а ион О2 - начинает формироваться при температурах 250 - 3000С. Атомы водорода взаимодействуют с обоими формами хемосорбированного кислорода О? и О2 - с образованием гидроксильных групп:

2·Н + 2·О? > 2·ОНЇ ne = 0 Т = Тком - (400-500) 0С (4.5)

2·Н + 2·О2 - > 2·ОНЇ + 2·еЇ ne = + 2·еЇ Т > 250 - 3000C (4.6)

Как следует из уравнений (4.5) и (4.6), в обоих случаях вместо двух ионов кислорода возникают две гидроксильные группы. Реакция (4.6) сопровождается повышением проводимости ПОМ, в то время как в результате реакции (4.5) проводимость ПОМ не должна изменяться.

Несмотря на то, что в реакции атомов водорода (4.5) дополнительные электроны в зону проводимости ПОМ не поступают, проводимость его в области температур от 200 до 350 - 4000С, тем не менее, возрастает (рис.4.6), а чувствительность к парам воды имеет наибольшие значения (рис.4.7). Это может означать, что в указанной области температур действует иной механизм увеличения проводимости, чем простое высвобождение электронов в результате химических реакций. Известно, что молекулы воды обладают сильной полярностью, которая способствует усилению их адсорбции на поверхности, особенно при невысоких температурах, а затем и их хемосорбции на ионах кислорода. Сильная полярность молекул воды может способствовать понижению высоты энергетического межзеренного барьера Шоттке Vs, что подтверждается литературными данными. Высота барьера пропорциональна поверхностному заряду, и даже небольшое его изменение может привести к заметному изменению проводимости ПОМ. Резюмируя, можно сказать, что в области температур ниже 350 - 4000С, где превалирует в КГС ион кислорода О?, увеличение проводимости ПОМ при адсорбции молекул воды происходит благодаря их сильной полярности и снижения при этом высоты энергетического межзеренного барьера. При температурах выше 250 - 3000С, когда начинается формирование иона О2-, свой вклад в увеличение проводимости ПОМ постепенно начинают вносить дополнительные электроны за счет реакции (4.6), который должен возрастать с ростом температуры. В обеих областях температуры концентрация гидроксильных групп будет определяться концентрацией электронов в зоне проводимости ПОМ, а значит его проводимостью.

Для определения концентрации групп ОН? произведем вычисления, аналогичные тем, которые были сделаны для ионов кислорода в разделе 4.1.2 Если обозначить за nе0 количество электронов в сухом воздухе и nеШ - количество электронов во влажном воздухе с влажностью Ш, то приращение количества электронов за счет образования гидроксильных групп при увлажнении воздуха ДnОН и изменение проводимости ПОМ ДуОН во влажном воздухе будут равны

ДnОН = nеШ - nе0 и ДуОН = уШ - у0 (4.7)

Рис.4.8 Изменение проводимости исследованных ПОМ, вызванное 100% влажностью в зависимости от температуры.

Рис.4.9 Концентрация гидроксильных групп в КГС исследованных ПОМ при влажности 100% RH в зависимости от температуры.

Вычисленные значения изменения проводимости для всех исследованных ПОМ при увлажнении воздуха до 100 % RH показаны на рис.4.8 в зависимости от температуры. Из рисунка видно, что зависимости ДуОН (Т) в целом повторяют закономерности проводимости в сухом и влажном воздухе, однако, имеют менее резкие минимумы и меньшую крутизну ветвей. Из рис.4.6 видно, что формы зависимости у (T,RH) в сухом и влажном воздухе практически эквидистантны. Это может свидетельствовать о том, что адсорбция Н2О с образованием гидроксильных групп происходит со слабо изменяющейся интенсивностью на фоне переменной концентрации хемосорбированных ионов кислорода О? и О2 - (рис.4.5). Отсюда следует важный вывод о том, что процесс диссоциации молекул воды с образованием ионов ОН? должен происходить в широком интервале температур, по крайней мере, до 600 - 6500С. Вероятно, по этой причине ПОМ сохраняют при таких температурах высокую чувствительность к парам Н2О. Данные по изменению проводимости во влажном воздухе позволяют, используя уравнение (4.1), оценить количество гидроксильных групп в КГС, по крайней мере, в области существования в КГС ионов кислорода О2-. Как можно видеть из уравнения (4.6), образование каждой группы ОН? должно сопровождаться высвобождением в зону проводимости ПОМ одного электрона, т.е. ne = NOH. Используя это равенство и формулы (4.1) и (4.7), получаем следующее выражение для NOH

NOH = ДуОН/1.6•ме•10-19-3 (4.8)

Результаты вычислений концентрации NOH при влажности воздуха 100% RH представлены на рис.4.9 в зависимости от температуры. Графики на рисунке наглядно подтверждают все предположения и утверждения, высказанные выше.

4.2.3 Зависимость количества гидроксильных групп в КГС от влажности воздуха.

В предыдущем разделе было получено выражение (4.8) для количества электронов в зоне проводимости ПОМ, находящегося в окружающем влажном воздухе при неизменной влажности, в данном случае 100% RH. В состоянии динамического равновесия с влажным воздухом при произвольной влажности Ш концентрация хемосорбированных ионов кислорода и гидроксильных групп должна быть пропорциональна концентрации кислорода и воды в воздухе. Опуская расчеты, представим окончательное выражение для концентрации гидроксильных групп в зависимости от изменения проводимости ДуШ в относительном выражении от влажности:

NOН? (Ш,T) = А (Т,Ш) + В (Т) • (ДуШ/Ду100), (4.9)

где А (Т,Ш) и В (Т) - функции температуры, влажности, а Ду100 - максимальное изменение проводимости при 100 % RH.

Графики на рис.4.10 демонстрируют резкое изменение проводимости, а, следовательно, согласно уравнению (4.9) и резкое возрастание количества хемосорбированных гидроксильных групп в диапазоне влажности 0 - 10 % RH. Количество NOН? при 10 % RH достигает ? 40 - 70 % от максимального значения при 100% RH практически во всем исследованном диапазоне температур. Указанные закономерности можно интерпретировать, на наш взгляд, только сильной полярностью молекул воды, которая способствует усилению их адсорбции на поверхности и снижению при этом высоты энергетического межзеренного барьера.

4.3 Состав кислородно-гидроксильного слоя.

Наиболее полное представление о составе и закономерностях КГС можно получить только при отображении обеих составляющих КГС на одном графике в зависимости от температуры и влажности воздуха. Такие обобщенные зависимости концентрации ионов кислорода О? и О2 - и гидроксильных групп ОН? от температуры изображены на рис.4.11 для чистой SnO2 при трех значениях влажности - 0, 10 и 100% RH.

Основываясь на интерпретации процессов хемосорбции молекул кислорода и воды и рис.4.11, можно сделать несколько важных выводов, по крайней мере, для области температур выше 350 - 4000С, с которых набирает рост зависимость NO2- (T) и в которой состоятельна реакция (4.6). В этой области температур в соответствии с реакцией (4.6) общее количество активных центров (ионов Sn4+), занятых ионами О2 - и группами ОН?, будет неизменным и будет перераспределяться между указанными ионами с изменением влажности. Легко проверить также, что суммарное изменение проводимости ПОМ в реальном влажном воздухе, вызванное хемосорбцией ионов кислорода О2 - и гидроксильных групп ОН?, неизменно и равно изменению проводимости ПОМ, вызванное хемосорбцией ионов кислорода О2 - в сухом воздухе.

Рис.4.10. Изменение проводимости ПОМ на основе чистой SnO2 в зависимости от температуры и влажности воздуха.

Рис.4.11. Концентрация хемосорбиро-ванных ионов кислорода О? и О2 - и групп ОН? в КГС в зависимости от температуры и влажности воздуха.

Это означает, что при увеличении влажности воздуха и температуры ПОМ в КГС все более будут превалировать гидроксильные группы и реакции продуктов диссоциации газов с ними. Этим можно объяснить снижение чувствительности ПОМ к газам во влажном воздухе, поскольку количество электронов, выделяющихся в реакциях газов с гидроксилами всегда меньше, чем в реакциях с ионами О2-. Только в случае взаимодействия ПОМ с водородом (см. Главу 8) количество электронов, высвобождающихся в зону проводимости ПОМ в результате реакций с обоими ионами одинаково и равно двум. Поэтому сопротивление SnO2, как было показано при иллюстрации методики обработки опытных данных в разделе 3.2 Главы 3, практически не зависит от влажности воздуха в диапазоне от 0 до 100% RH. Для других газов влияние влажности на показания ПОМ вследствие специфики их реакций с ПОМ будет более заметным. Но об этом более подробно написано в Главах 5 и 8.

Глава 5. Газочувствительные характеристики и влияние влажности на показания исследованных ПОМ.

В Главах 5, 6, 7, 8 и 9 диссертации изложены результаты проведенных исследований по газочувствительности структур ПОМ к CO, H2, CH4, NH3 и NO. В автореферате все полученные данные будут представлены в одной данной Главе, а каждому газу будет посвящен отдельный раздел.

Методика проведения исследований и обработки опытных данных детально описана и проиллюстрирована в Главе 3. Поэтому здесь мы ограничимся кратким изложением процедуры исследований и иллюстрацией зависимостей чувствительности от температуры для исследованных ПОМ и среднеарифметических значений сопротивления для наилучших структур, выбранных нами для каждого газа в соответствии с критериями, изложенными в разделе 3.4 Главы 3. Будут также приведены полученные нами данные для порога чувствительности исследованных ПОМ вместе с данными из литературных источников.

5.1 Окись углерода.

На рис.5.1 представлены температурные зависимости чувствительности семи исследованных нами структур ПОМ к СО при экспозиции 200 ppm в сухих газовых средах. Все кривые имеют чётко выраженный максимум в интервале температур 400 - 5000С. Из графиков видно, что введение каталитических добавок 3% La2O3 и 1% Sb2O5 + 3% La2O3 в SnO2 не приводит к изменению характера зависимости S (T) по сравнению с чистой SnO2. Наибольшей чувствительностью к СО обладают структура SnO2 + 3% La2O3, а наименьшей - чистая SnO2. Поведение структур SnO2 + 3% Pd и SnO2 + 1% Pt + 3% Pd заметно отличается от других структур ПОМ. Здесь максимум чувствительности наблюдается при 3000С. Структура SnO2 + 3% Pd + Al2O3 (кат. слой), как видно из графика, практически не чувствует СО, а структура SnO2 + 1% CuO начинает чувствовать СО только при температурах выше 400-4500С, достигая величины 3.3 при температуре 6000С. По графикам зависимостей S (T) определялись оптимальные температуры нагрева, при которых выполнялись последующие исследования. Исследования концентрационной зависимости структур ПОМ проводились в диапазоне концентраций 0.5 - 98 ppm СО. В процессе исследований использовалась одна исходная газовая смесь с концентрацией СО 98 ± 3 ppm (3 %) при семи значениях влажности газовой смеси 0, 10, 20, 40, 60, 80 и 100% RH. Всего было получено 84 диаграммы R (t,C,RH).

Для всех исследованных ПОМ и каждого значения концентрации СО было проведено усреднение данных по сопротивлению в диапазоне влажности 10-100% RH по методике изложенной в разделе 3.2 Главы 3. Полученные данные были аппроксимированы уравнением Rma = A + k·lg C.

Аналогичные действия были проведены для данных по чувствительности ПОМ к СО для диапазона влажности 10-100% RH. Полученные результаты были аппроксимированы уравнением lg (Sma-1) = B + n·lgC.

Методика определения порога чувствительности описана в Главе 3, а его средние значения в диапазоне влажности 10-100 % RH и в сухой газовой среде представлены в таблице 5.1 Результаты для порога чувствительности во влажном воздухе получены впервые, и их значения примерно в 3 раза выше, чем в сухом воздухе.

Рис.5.1 Чувствительность (отклик) исследованных структур ПОМ от температуры нагрева в сухой газовой среде при концентрации 200 ppm CO.

Рис.5.2 Среднеарифметические значения сопротивления структуры SnO2 +1% Sb2O5 + 3% La2O3 в диапазоне влажности 10 - 100% RH в зависимости от концентрации СО в воздухе.

Установлено, что по совокупности "первичных" признаков (см. Главу 3), наилучшей для регистрации СО является структура SnO2 + 1% Sb2O5 + 3% La2O3,работающая при температуре 4500С и потребляющая ? 210 mW (рис.5.2). Там же показано аналитическое выражение эмпирического уравнения и диапазон концентраций СО, в котором производилась аппроксимация данных для Rma. Воспроизводимость показаний этой структуры во всём исследованном диапазоне концентраций 0.5 - 98 ppm находится в пределах 6 - 10 %.

Таблица 5.1 Порог чувствительности ПОМ к СО в диапазоне влажности 10-100 %RH и в сухой газовой среде при чувствительности S = 1.1.

ПОМ

T, 0С

Сmin, ppm

0% RH

10-100%RH

SnO2

450

0.3

1.1 ± 0.05

490

5 *

SnO2 + 3%La2O3

450

0.5

1.6 ± 0.060

SnO2 + 1% Sb2O5 +3% La2O3

450

0.3

0.80 ± 0.03

SnO2 +1% Pt +3% Pd

300

1.0

0.43 ± 0.02

ZnO

490

5 *

SnO2 - CeO - PdOx (94: 5:

1)

120-180

40 *

SiO2 - Co3O4, SiO2 - NiO

50-300

10 *

SnO2: Ca: Nb2O5 (90: 5: 5)

-

30 *

*литературные данные

5.2 Метан.

На рис.5.3 представлены температурные зависимости чувствительности семи исследованных нами структур ПОМ к СН4 при экспозиции 200 ppm в сухих газовых средах. Все кривые имеют чётко выраженный максимум в интервале температур 400 - 5000С. Наибольшей чувствительностью к СН4 обладают структуры SnO2 + 1% Pt + 3% Pd и SnO2 + 3% Pd c каталитическим слоем из Al2O3, а наименьшей - структура SnO2 + 1% CuO. Последняя структура, как видно из рис.5.3, начинает чувствовать метан только с 5000С, достигая величины ? 1.5 при температуре 6000С. Из графиков видно, что введение каталитических добавок 3% La2O3 и 1% Sb2O5 + 3% La2O3 в SnO2 не приводит к изменению характера зависимости S (T) по сравнению с чистой SnO2. Введение же добавок, содержащих Pd, приводит к снижению положения максимума зависимости S (T) более чем на 1000С. По графикам зависимостей S (T) определялись оптимальные температуры, при которых выполнялись последующие исследования. Исследования концентрационной зависимости ПОМ проводились в диапазоне концентраций 1 - 20600 ppm СН4 при семи значениях влажности газовой смеси 0, 10, 20, 40, 60, 80 и 100% RH. В качестве исходных газовых смесей использовались промышленная ПГС с концентрацией 20600 ppm (2.06 % об) СН4 и газовая смесь, приготовленная на лабораторной газосмесительной установке разбавлением ПГС, с концентрацией 175.4 ppm СН4. Всего было получена 71 диаграмма R (t,C,RH). Для всех исследованных ПОМ и каждого значения концентрации СН4 было проведено усреднение данных по сопротивлению в диапазоне влажности 10-100% RH по методике изложенной в разделе 3.2 Главы 3. Полученные данные были аппроксимированы уравнением lgRma = A + k·lgC.

Аналогичные действия ПОМ к СН4 для диапазона были проведены для данных по чувствительности в диапазоне влажности 10-100% RH. Полученные результаты были аппроксимированы уравнением lg (Sma-1) = B + n·lgC.

Средние значения порога чувствительности в диапазоне влажности 10-100% RH и в сухой газовой среде представлены в таблице 5.2 Результаты для порога чувствительности во влажном воздухе получены впервые.

Рис.5.3 Чувствительность (отклик) исследованных структур ПОМ от температуры нагрева в сухой газовой среде при концентрации 200 ppm CH4.

Рис.5.4 Среднеарифметические значения сопротивления структуры SnO2 +1% Pt + 3% Pd в диапазоне влажности 10-100% RH в зависимости от концентрации СH4 в воздухе.

Таблица 5.2 Порог чувствительности ПОМ к СН4 в диапазоне влажности 10-100 %RH и в сухой газовой среде при чувствительности S = 1.1.

ПОМ

T, 0С

Сmin, ppm

0% RH

10-100%RH

SnO2

500

1.5

17 ± 6

450

500 *

SnO2 + 3% Pd

450

0.8

27 ± 11

SnO2 +1% Pt +3% Pd

400

0.7

10 ± 3

SnO2 + 3% Pd + Al2O3 (c. l.)

450

0.6

7 ± 2

80 wt. % Fe2O3 + 20 wt. % SnO2

490

500 *

*литературные данные

Установлено, что по совокупности "первичных" признаков (см. Главу 3), наилучшей для регистрации СH4 является структура SnO2 + 1% Pt + 3% Pd, работающая при температуре 4000С и потребляющая ? 180 mW (рис.5.4). На рис.5.4 показано аналитическое выражение эмпирического уравнения и диапазон концентраций СН4, в котором производилась аппроксимация данных для Rma. Воспроизводимость показаний этой структуры во всём исследованном диапазоне концентраций 1-20600 ppm находится в пределах 6 - 10 %.

5.3 Водород.

Рис.5.5 Чувствительность (отклик) исследованных структур ПОМ от температуры нагрева в сухой газовой среде при концентрации 200 ppm H2.

На рис.5.5 представлены температурные зависимости чувствительности семи исследованных нами структур ПОМ к Н2 при экспозиции 200 ppm в сухих газовых средах. Из графиков видно, что все кривые имеют чётко выраженный максимум в интервале температур 300 - 5000С. Введение каталитических добавок 3% La2O3 и 1% Sb2O5 + 3% La2O3 и 1% CuO в SnO2 приводит к повышению температуры максимума зависимости S (T) по сравнению с чистой SnO2 на 50, 100 и 1600С, соответственно. Введение же добавок, содержащих Pd, приводит к снижению положения максимума зависимости S (T) примерно на 500С. Наибольшей чувствительностью к Н2 обладают структуры SnO2 + 3% Pd + Al2O3 (каталитический слой) (S ? 70) и SnO2 + 3% Pd (S ? 30). Остальные структуры ПОМ имеют примерно одинаковую чувствительность к Н2 на уровне 20 - 25. По графикам зависимостей S (T) определялись оптимальные температуры, при которых выполнялись последующие исследования. Исследования концентрационной зависимости ПОМ проводились при температурах нагрева 450 и 5000С в диапазоне концентраций 1 - 19700 ppm Н2 при семи значениях влажности газовой смеси 0, 10, 20, 40, 60, 80 и 100% RH. В качестве исходных газовых смесей использовались промышленная ПГС с концентрацией 19700 ppm (1.97 % об) Н2 и газовая смесь, приготовленная на лабораторной газосмесительной установке разбавлением ПГС, с концентрацией 175 ppm Н2. Всего было получено 105 диаграмм R (t,C,RH). Для всех исследованных ПОМ и каждого значения концентрации Н2 было проведено усреднение данных по сопротивлению в диапазоне влажности 0 (10) - 100% RH по методике изложенной в разделе 3.2 Главы 3. Полученные данные были аппроксимированы уравнением lgRma = A + k·lgС.

Аналогичные действия были проведены для данных по чувствительности ПОМ к Н2 для диапазона влажности 0-100% RH. Полученные результаты были аппроксимированы уравнением lg (Sma-1) = B + n·lgC.

Средние значения порога чувствительности в диапазоне влажности 10-100% RH и в сухой газовой среде представлены в таблице 5.3 Результаты для порога чувствительности во влажном воздухе получены впервые.

Установлено, что по совокупности "первичных" признаков (см. Главу 3), наилучшей для регистрации H2 являются две структуры: на основе чистой SnO2 и структуры SnO2 + 3% La2O3, работающие при температуре 5000С (потребляемая мощность ? 230 mW) и 4500С (? 200 mW), соответственно. Зависимости сопротивления Rma и чувствительности Sma от концентрации для чистой SnO2 показаны на рис.3.5 и 3.6 в Главе 3. Там же показаны аналитические выражения эмпирических уравнений и диапазон концентраций Н2, в которых производилась аппроксимация данных для Rma и Sma. Воспроизводимость показаний указанных структур во всём исследованном диапазоне концентраций 1-19700 ppm находится в пределах 4 - 10 %.

Таблица 5.3 Порог чувствительности ПОМ к Н2 в диапазоне влажности 10-100 %RH и в сухой газовой среде при чувствительности S = 1.1.

ПОМ

T, 0С

Сmin, ppm

0% RH

0 (10) - 100%RH

SnO2

450

-

0.16 ± 0.01

500

-

0.06 ± 0.008

300

100*

SnO2 + 3% Pd

400

3

10 ± 5

450

4

14 ± 6

SnO2 + 3% La2O3

450

-

0.08 ± 0.006

500

-

0.22 ± 0.02

SnO2 +1% Pt +3% Pd

450

1.5

4 ± 2

500

2

6 ± 2

SnO2 + 1% Sb2O5 + 3% La2O3

450

0.2

0.6 ± 0.3

500

0.5

0.8 ± 0.2

SnO2 + 3% Pd + Al2O3 (c. l.)

450

1

2 ± 0.5

500

5

10 ± 5

80 wt. % Fe2O3 + 20 wt. % SnO2

490

50 *

NiO + CoO3

50-300

10 *

FeNbO4

223

100 *

Ga2O3

700

50 *

Cu-Pc

95

1 *

*литературные данные

5.4 Аммиак.

На рис.5.7 представлены температурные зависимости чувствительности семи исследованных нами структур ПОМ к NН3 при экспозиции 200 ppm в сухих газовых средах. Все кривые имеют чётко выраженный максимум в интервале температур 400 - 5000С. Наибольшей чувствительностью к NН3 обладают чистая SnO2 и структура SnO2 + 3% Pd c каталитическим слоем из Al2O3, а наименьшей - структуры SnO2 + 1% Sb2O5 + 3% La2O3 и SnO2 + 1% CuO. Из графиков видно, что введение каталитической добавки La приводит к повышению положения максимума чувствительности примерно на 1000С, а введение добавки Pd в SnO2 - к снижению положения максимума зависимости S (T) по сравнению с чистой SnO2. По графикам зависимостей S (T) определялись оптимальные температуры, при которых выполнялись последующие исследования.

Исследования концентрационной зависимости ПОМ проводились при температурах нагрева ПОМ 400 и 5000С в диапазоне концентраций 0.5 - 100 ppm NН3 при шести значениях влажности газовой смеси 0, 10, 20, 40, 60, и 80% RH. В качестве исходных газовых смесей использовались лабораторные газовые смеси, приготовленные на газо-смесительной установке с концентрациями 89.4 ppm NН3 и 1900 ppm NН3. Всего было получено 72 диаграммы R (t,C,RH).

Рис.5.7 Чувствительность (отклик) исследованных структур ПОМ от температуры нагрева в сухой газовой среде при концентрации 200 ppm NН3.

Рис.5.8 Среднеарифметические значения сопротивления структуры SnO2 + 3% La2O3 в диапазоне влажности 10 - 80% RH в зависимости от концентрации NН3 в воздухе.

Для всех исследованных структур ПОМ и каждого значения концентрации NН3 было проведено усреднение данных по сопротивлению в диапазоне влажности 10-80 % RH по методике изложенной в разделе 3.2 Главы 3. Полученные данные были аппроксимированы уравнением lgRma = A + k·lgС.

Средние значения порога чувствительности в диапазоне влажности 10 - 80% RH и в сухой газовой среде представлены в таблице 5.4 Результаты для порога чувствительности к NН3 в сухом и влажном воздухе получены впервые.

Таблица 5.4 Порог чувствительности ПОМ к NН3 в диапазоне влажности 10-80 %RH и в сухой газовой среде при чувствительности S = 1.1.

ПОМ

T, 0С

Сmin, ppm

0 % RH

10-80% RH

SnO2

500

1.5

1

SnO2 + 3% Pd

400

1.5

1

SnO2 + 3% La2O3

500

4

0.8

SnO2 +1% Pt +3% Pd

400

1.5

0.3

Установлено, что по совокупности "первичных" признаков (см. Главу 3) наилучшей для регистрации NН3 является структура SnO2 + 3% La2O3, работающая при температуре 5000С и потребляющая ? 230 mW. На рис.5.8 показано аналитическое выражение эмпирического уравнения и диапазон концентраций NН3, в котором производилась аппроксимация данных для Rma. Воспроизводимость показаний этой структуры во всём исследованном диапазоне концентраций 0.5 - 100 ppm находится в пределах 8 - 14 %.

5.5 Окись азота.

На рис.5.9 представлены температурные зависимости чувствительности семи исследованных нами структур ПОМ к NO при экспозиции 100 ppm в сухих газовых средах. Из графиков видно, что у всех кривых наблюдается резкий спадающий характер зависимостей S* (T) с повышением температуры. Только у структуры на основе чистой ZnO наблюдается максимум кривой S (T) в районе 3000С. Наибольших значений чувствительность к NO достигается при 1000С, а ее значение равно для структур на основе чистых SnO2, ZnO, WО3 и структур SnO2 + 1% Sb2O5 + 3% La2O3, SnO2 + 3% La2O3 и SnO2 + 1% Pt + 3% Pd равно 173, 76, 730, 82, 1240 и 134, соответственно. При температурах выше 4500С все структуры ПОМ практически перестают чувствовать NO. Введение каталитических добавок Sb и Pt c Pd в SnO2 приводит к понижению чувствительности, а введение добавки La приводит к повышению чувствительности по сравнению с чистой SnO2. Наибольшей чувствительностью к NO в интервале температур 350-5000С обладают структуры ПОМ на основе чистых ZnO и WО3. Структуры SnO2 + 3% La2O3 и SnO2 + 1% Pt + 3% Pd при тех же температурах почти не чувствуют NO. По графикам зависимостей S (T) определялись оптимальные температуры, при которых выполнялись последующие исследования.

Исследования концентрационной зависимости ПОМ проводились при 2 - 3 значениях температуры нагрева в интервале от 300 до 4500С в диапазоне концентраций 0.5 - 100 ppm NO при семи значениях влажности газовой смеси 0, 10, 20, 40, 60, 80 и 100% RH. В качестве исходных газовых смесей использовались промышленная ПГС азота с концентрацией 740 ppm NO и газовая смесь азота с NO, приготовленная на лабораторной газосмесительной установке разбавлением ПГС, с концентрацией 100 ppm NO. Всего было получено 105 диаграмм R (t,C,RH). Для всех исследованных ПОМ и каждого значения концентрации NO было проведено усреднение данных по сопротивлению в диапазоне влажности 0-100% или 10 - 100% RH по методике, изложенной в разделе 3.2 Главы 3. Полученные данные были аппроксимированы линейной зависимостью в координатах [R - C], [lgR - C], [R - lgC] и [lgR - lgC].

Аналогичные действия были проведены для данных по чувствительности ПОМ к NO для диапазона влажности 0-100 и 10-100% RH. Полученные результаты были аппроксимированы уравнением lg (Sma* - 1) = В + n·lgC в той области концентраций и влажности, где реакция NO с ПОМ имеет акцепторный характер, т.е. чувствительность Sma* = Rgas/R0 > 1.

Средние значения порога чувствительности в диапазоне влажности 0 (10) - 100% RH и в сухой газовой среде представлены в таблице 5.5 Результаты для порога чувствительности в сухом и влажном воздухе получены впервые.

Установлено, что по совокупности "первичных" признаков (см. раздел 3.4 Главы 3), наилучшими для регистрации NO является ПОМ на основе чистой WO3, работающая при температуре 3500С (потребляемая мощность ? 180 mW). На рис.5.10 показано аналитическое выражение эмпирического уравнения и диапазон концентраций NО, в котором производилась аппроксимация данных для Rma. Воспроизводимость показаний этой структуры во всём исследованном диапазоне концентраций 0.5 - 60 ppm находится в пределах 5 - 15 %.

Рис.5.9 Чувствительность (отклик) S* исследованных структур ПОМ от температуры нагрева в сухой газовой среде при концентрации 100 ppm NO.

Рис.5.10. Среднеарифметические значения сопротивления чистой WO3 в диапазоне влажности 0-100% RH в зависимости от концентрации NO в воздухе.

Таблица 5.5 Порог чувствительности ПОМ к NO в диапазоне влажности 0 (10) - 100 % RH и в сухой газовой среде при чувствительности S = 1.1

ПОМ

T, 0С

Сmin, ppm

0% RH

0 (10) - 100%RH

SnO2

350

20

3 ± 0.05

400

20

8 ±1

-

10 ppb NO2 *

-

20 ppb NO2 *

ZnO

400

8

10 ± 0.5

450

8

9 ± 0.3

WO3

350

-

1.6 ± 0.05

400

-

5 ± 0.2

450

-

12 ± 2

-

50 ppb NO2 *

SnO2 + 1% Sb2O5 + 3% La2O3

350

0.8

3.3 ± 0.2

400

0.1

4 ± 0.3

SnO2 + 3% La2O3

300

0.2

0.3 ± 0.01

350

0.5

2.2 ± 0.06

SnO2 +1% Pt +3% Pd

300

80

10 ± 5

*литературные данные

Глава 6. Динамические характеристики и каталитическая активность ПОМ.

Рис.6.1 Быстродействие исследованных структур ПОМ при нарастании концентрации СО в воздухе в зависимости от температуры.

В соответствии с описанной в Главе 3 методикой были проведены исследования динамических параметров ПОМ для восьми газов: CO, CH4, H2, NH3, H2O, С6Н14, С2Н5ОH и H2S. Измерения выполнены в газовых смесях с двумя во много раз отличающимися друг от друга значениями концентрации - 5 ppm и 98 ppm для СО,20 и 10000 ppm для СН4, 100 ppb и 1000 ppm для Н2, 10 и 100 ppm для NH3, 0.3 и ? 3.0 % об для паров Н2О, 10 ppm и 2000 ppm для С6Н14, 100 ppb и 1000 ppm для С2Н5ОН и, наконец, 3 и 30 ppm для Н2S. ПОМ на основе чистой SnO2 и с добавками 3% La2O3 и 3% Pd исследовались со всеми газами. Для отдельных газов использовались также и другие составы газочувствительных слоёв. С целью получения наиболее объективной информации во всех исследованиях применялись одни и те же образцы ПОМ, которые перед измерениями на каждом газе подвергались длительной продувке в чистом воздухе. При изложении материала, который обстоятельно представлен в Главе 10 диссертации, мы ограничимся иллюстрацией результатов исследований только для одного газа - CO, тем более, что зависимости динамических параметров от температуры для всех газов однотипны.

...

Подобные документы

  • Кинетика химических реакций и массообмена пористых углеродных частиц с газами с учетом эндотермической реакции и стефановского течения. Влияние температуры и диаметра частицы на кинетику химических реакций и тепломассообмен углеродной частицы с газами.

    дипломная работа [1,8 M], добавлен 14.03.2008

  • Методы получения наноразмерных объектов и контроля их характеристик. Изменение механических, электрических, магнитных, оптических и химических свойств металлов при переходе в наносостояние. Определение характеристик наноразмерных частиц в суспензиях.

    реферат [1,2 M], добавлен 26.06.2010

  • Энергетическое разрешение полупроводникового детектора. Механизмы взаимодействия альфа-частиц с веществом. Моделирование прохождения элементарных частиц через вещество с использованием методов Монте–Карло. Потери энергии на фотоядерные взаимодействия.

    курсовая работа [502,5 K], добавлен 07.12.2015

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

  • Осаждение пленочных покрытий сложного химического состава (оксидов, нитридов, металлов). Проблема магнетронного осаждения. Исследование влияние нестабильности мощности и давления магнетронного разряда на процесс осаждения пленок, результаты экспериментов.

    диссертация [1,1 M], добавлен 19.05.2013

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

  • Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.

    реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007

  • Механизм возникновения инверсной населенности. Особенности генерации в химических лазерах, способы получения исходных компонентов. Активная среда лазеров на центрах окраски, типы используемых кристаллов. Основные характеристики полупроводниковых лазеров.

    презентация [65,5 K], добавлен 19.02.2014

  • Растворение разнообразных веществ как одно из основных свойств воды на планете, его значение. Сущность физического процесса несмачивания и смачивания поверхностей. Отличительные черты поведения молекул воды на смачиваемых и несмачиваемых поверхностях.

    презентация [569,6 K], добавлен 19.05.2014

  • Атомная структура железа. Дефекты шлаковых и газовых раковин в отливках. Различие между твердым и жидким фазовыми состояниями. Промежуточные фазы, которые могут быть в металлических сплавах. Хрупкое и вязкое разрушение. Понятие изоморфных металлов.

    контрольная работа [18,4 K], добавлен 01.10.2010

  • Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.

    презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014

  • Перспективы методов контроля оптической толщины покрытий различного функционального назначения. Контроль толщины оптических покрытий на основе тугоплавких оксидов формируемых методом электронно-лучевого синтеза. Расчёт интерференционных покрытий.

    дипломная работа [2,7 M], добавлен 18.03.2015

  • Основные принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Движение свободных частиц. Четыре группы частиц, используемых в полупроводниковых приборах: электроны, ионы, нейтральные атомы, или молекулы, кванты электромагнитного излучения.

    реферат [619,2 K], добавлен 28.11.2008

  • Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.

    контрольная работа [93,7 K], добавлен 28.10.2014

  • Достижения современной планарной технологии и значение в них физики поверхностей. Трехслойная система как базовая структура микроэлектроники. Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов: оптоэлектронные приборы, сверхпроводящие пленки.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.05.2009

  • Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.

    дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016

  • Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники. Преимущества и недостатки силовых полупроводниковых аппаратов, требования к ним в эксплуатационных режимах. Современная силовая электроника. Разработки силовых полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [2,3 M], добавлен 10.06.2014

  • Коэффициент теплопроводности металлов и его зависимость от параметров состояния вещества. Главные особенности калориметрического метода. Методические рекомендации к выполнению лабораторной работы "Определение коэффициента теплопроводности металлов".

    курсовая работа [79,4 K], добавлен 05.07.2012

  • Исследование физических и химических свойств наноразмерных структур, разработка методов по изучению их синтеза. Критерии эффективного внедрения нанотехнологий в промышленность. Сущность и особенности использования метода электрической эрозии в жидкости.

    реферат [22,7 K], добавлен 24.06.2010

  • Краткий обзор основных направлений синтеза полупроводниковых нанопроводов и наностержней, общее описание основных подходов к синтезу такого рода наночастиц. Попытка анализа закономерностей протекания самоорганизации наночастиц и ее возможных причин.

    курсовая работа [2,8 M], добавлен 28.05.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.