Влияние закалки на радиационно-оптические свойства активированных кристаллов NaF

Размещено на http://www.allbest.ru//

Размещено на http://www.allbest.ru//

Влияние закалки на радиационно - оптические свойства активированных кристаллов NaF

М.М. Кидибаев

Изучено влияние закалки на термолюминесценцию кристаллов фтористого натрия чистого и с примесью церия. Показано, что легирование кристаллов и их закалка приводит к образованию в них центров окраски в большем количестве и более стабильных, чем в чистом кристалле. Найдена связь между радиационными центрами и пиками термолюминесценции.

Методика эксперимента. Образцы размером 1051 мм выкалывали по плоскостям спаянности. Перед облучением кристаллы закалялись при различных температурах в интервале 400C - 800C в соответствии с условиями эксперимента для каждого конкретного случая. Облучение производилось на аппарате УРС-70 с вольфрамовой рентгеновской трубкой 1БПВ1 - 60 с ванадиевым антикатодом ( 55 кВ , 10 мА) в течении 15 минут для всех экспериментов. Для выявления температур разрушения центров окраски, которые проявляются в спектрах поглощения, проводились измерения в видимой и ультрафиолетовой области на двухлучевом спектрофотометре SP8-100. Термолюминесценцию (ТЛ) регистрировали на специальной установке, состоящей из блока нагрева с держателем образцов, фотоумножителя ФЭУ-79, усилителя постоянного тока У5-7 и самопишущего потенциометра КСП-4. Скорость нагрева выдерживалась постоянной - 10 К/c. Разложение пиков термолюминесценции производилось по методу притушенных квадратов [1], программой написанной в среде TURBO PASCAL 7.0.

Кристаллы фтористого натрия чистые и легированные различными примесями изучались во многих работах [3,6,7] и др. Интерес к ним обусловлен их уникальными свойствами. Из них, в частности, изготавливают сцинциляционные и оптические детекторы ионизирующего излучения, лазеры, перестраиваемые в инфракрасной области и т. д. Мы исследовали влияние закалки на радиационно-оптические свойства кристаллов NaF c примесью церия. закалка оптический термолюминесценция кристалл

Закалка - это один из процессов, которые позволяют вводить в кристалл вполне определенную концентрацию точечных дефектов. Этот процесс отличается от других, таких как облучение высокими дозами рентгеновских или гамма-лучей, ядерными частицами и пластической деформации. При определённых условиях этим способом создаются только вакансии, без образования каких либо других дефектов решетки. Закалка кристаллов от температуры максимального нагрева до комнатной создает количество вакансий, которое является характеристикой термического равновесия. Такая процедура очень часто используется для приготовления щелочно-галоидных кристаллов с определенными свойствами.

Рис.1. Спектры термолюминесценции закаленных кристаллов:

a. NaF-Ce; б. NaF. 1- 4000С, 2-6000С, 3- 8000С

На рис.1 приведены кривые термостимулированной люминесценции монокристаллов легированных церием и чистых. Для кристаллов активированных примесью церия, при температурах закалки от 4000С наблюдаются пики при 330К и незначительные по интенсивности при 445К и 495К. По сравнению с термолюминесценцией чистого кристалла, пик при 330К увеличивается, а пики при 365К и 385К отсутствуют. Все термопики активированного кристалла меньше соответствующих пиков чистого.

В спектрах термолюминесценции тех же кристаллов, закаленных от 6000С пики при 330К и при 445К увеличивают свою интенсивность, а так же появляется новый пик при 415К. Довольно сильно, примерно в пять раз, возрастает термопик при 495К. Несмотря на то, что интенсивность всех пиков люминесценции активированных кристаллов увеличилась, их общая светосумма меньше, чем в чистом, закаленным от такой же температуры. Это говорит о том, что примесь церия в слабозакаленных и отожженных кристаллах, по-видимому располагается в междоузельях или на границах блоков в атомарном состоянии [2].

Закалка от 8000С приводит к увеличению всех термопиков. Особенно это сильно проявляется в кристаллах NaF-Ce. В них образуются ловушки, которые разрушаясь при температурах 365К, 385К и 415К порождают новые пики высокой интенсивности. Для пика 335К значение интенсивности выше в полтора раза, термопики при 445К и 495К увеличились почти в десять раз по отношению к тем же пикам кристалла, закаленного от 6000С.

В чистых кристаллах, обработанных аналогично, изменение интенсивности пиков не так заметно. Тем не менее, пики при 365К, 385К, 445К возросли в два раза по отношению к закаленным от 6000С. Самый интенсивный пик при 495К вырос почти в три раза. В этих кристаллах пики при 415К и 510К полностью поглощаются другими, более интенсивными пиками.

Таким образом, только после закалки от 8000С в кристаллах происходят наиболее существенные изменения. Это может быть связано с различными причинами, в частности влиянием кислорода, внедряющегося в кристалл во время нагревания. Как было показано нами ранее [3], наиболее высокотемпературный пик образуется в результате рекомбинации F-центров с H-центрами, стабилизированными O2-- ионами. Характерное излучение кристалла возникает после того, как энергия рекомбинации возбуждает ионы кислорода, которые впоследствии возвращаются к основному состоянию с излучением в фиолетовой области спектра.

Рис.2. Термическое разрушение М(1)- и F-(2)-центров окраски в кристаллах NaF-Ce(а) и NaF(б), закалённых от 8000С.

На рис.2 показаны процессы исчезновения M-центров окраски в чистом и примесном NaF при нагреве. Они разрушаются довольно быстро, при температуре около 370К. В спектре термолюминесценции (рис. 2,а) в этой области находится максимум, который логично связать с разрушением М-центров. Отметим, что примесь церия стабилизирует эти центры окраски и они разрушаются немного позже в легированных кристаллах, чем в чистых. В исследуемых кристаллах F - центры разрушаются в две стадии (рис.2,кривые2), что дало возможность связать термопики при 390К и 496К с разрушением F-центров, образованных на дорадиационных и радиационных вакансиях. В пользу такого утверждения говорит факт неравномерного увеличения указанных пиков ТЛ. Анионные вакансии в кристаллах, закаленных от высокой температуры создаются более эффективно, чем в отожженных или от закаленных от небольших температур. Это подтверждается данными [4]. Примесь трехвалентного церия способствуют этому процессу, поскольку создает дополнительные вакансии, компенсирующие избыток заряда.

Самый первый термомаксимум в обеих кристаллах обусловлен разрушением М+ -центров[5].

Рис.3. Разложение на составляющие пиков термолюминесценции

кристаллов NaF-Ce, закаленных от температуры 8000С

Мы разлагали кривые термолюминесценции на составляющие гауссовой формы методом «притушенных» квадратов (рис.3). Данные сведены в таблицу. Известно, что световыход люминесценции определяется площадью под кривой. Поэтому мы ввели параметр (с/вых), равный произведению максимума термопика на его полуширину, характеризующий количество запасенной световой энергии. Наибольшего значения он достигает для термопика при 496К, как в чистом кристалле (836 отн. ед.), так и в легированным церием (1376 отн. ед.). Это значит, что наиболее эффективно электроны захватываются вакансиями с образованием F-центров. Из данных таблицы так же видно, что примесь Се3+ ускоряет этот процесс в 1.65 раза.

Известно [6], что F-центры образуются на дорадиационных и радиационных вакансиях. Из наших расчетов можно сделать вывод, что примесь церия и закалка от 8000С резко увеличивают количество дорадиационных вакансий, на которых образуются F-центры [7].

Таблица

Параметры пиков ТЛ кристаллов, закаленных от 8000С

Из таблицы видно, что примесь церия немного уменьшает глубину некоторых ловушек, смещая термопики 331 и 397 в низкотемпературную область. Это соответствует изменению глубины ловушки примерно на 0.16 эВ. По-видимому, Се3+, имея избыточный заряд, способствует освобождению электронов из ловушек.

На основе проведенных экспериментов, можно сделать вывод: для создания большого количества вакансий или F-центров в монокристалле NaF, в него надо ввести примесь церия и закалить от температуры 8000С

Литература

1. Papousek D., Pliva J. Matehematical Resolution of Overlapping Spectrum Lines by Method

of Damped Least Squares. Collection Czechoslov. Chem. Commun., v.30, №9, 1965, р.3007-3015.

2. Шульгин Б.В. и др. Определение вхождения примесных ионов U и Ce в кристаллы NaF методом резерфордовского обратного рассеяния. Проблемы спектроскопии и спектрометрии, №9, ч.1, 2002г. с.52-56.

3. Alybakov A.A., Gubanova V.A., Denisov G.S. and Umurzakov B.S. Influence of Oxygen

Centers on the Thermoluminescence of NaF Crystals. Phys. stat. sol. (b), 124, K75, 1984

4. Mehcendru P.S. Влияние тепловой обработки на рост F-центров. Phys. Rev. B Solid. State, 1,2, , 1970, р.809-818.

5. Денисов Г.С., Кидибаев М.М., Лозовских А.А.. Влияние двойных примесей на оптические свойства кристалла NaF. Весник ИГУ, №7, 2002г, с. 13-18.

6. Andrews R.A.,. Kim Y.W. , Iron-Impurity-Controlled F-to-M conversion in X-irradiated NaF. Phys.Rev., 155, №3, 1967, p. 1029-1034.

7. Gupta A.K., Rao K.V., Color Centers and thermoluminescence in NaF single crystals irradiated with X- Ray. Phis. Stat. Sol. (a), №1, 1980, 277-280.

Размещено на Allbest.ru