Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика

Подобные работы

1.   Полевые транзисторы
Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
лекция [682,2 K], добавлена 19.11.2008
2.   Расчет и проектирование МДП-транзистора
Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
курсовая работа [243,3 K], добавлена 18.12.2009
3.   История изобретения транзистора
История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат [106,1 K], добавлена 15.11.2009
4.   Сигналы и процессы в радиотехнике (СиПРТ)
Уравнения ВАХ нелинейного элемента, полевого транзистора. Спектр выходного тока вплоть до десятой гармоники. Временные диаграммы входного напряжения, тока. Индуктивность и полоса пропускания контура. Амплитудный детектор вещательного приёмника.
курсовая работа [1,1 M], добавлена 30.11.2007
5.   Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС
Особенности функционирования схем с взаимодополняющими транзисторами (КМДП). Конструктивно-технологические варианты их исполнения. Преимущества, недостатки и перспективы использования КМДП-структур. Конструкции элементов КМДП-БИС на сапфировых подложках.
реферат [1,4 M], добавлена 12.06.2009
6.   Реле акустическое на полевом транзисторе
Конструктивно-технологические параметры печатной платы, выбор элементов и материалов для полевого транзистора, расчет надежности акустического реле. Операционная карта процесса изготовления согласно технологическим операциям и методам производства.
курсовая работа [60,8 K], добавлена 01.07.2008
7.   Модель биполярного транзистора
Модель Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна, основанные на суперпозиции нормального и инверсного биполярного транзистора и токовых режимов его работы при инжекции из коллектора. Генераторы тока и их неидеальность в зарядовой модели, резисторные конфликты.
реферат [350,7 K], добавлена 13.06.2009
8.   Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов
Конструкции МДП-транзисторов (металл - диэлектрик – полупроводник) в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Материалы, используемые в качестве диэлектрика. Применение поликремниевых затворов транзисторов. Преимущество диэлектрической подложки.
реферат [915,7 K], добавлена 22.02.2009
9.   Биполярные транзисторы
Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
лекция [529,8 K], добавлена 19.11.2008
10.   Усилительные каскады переменного тока на биполярных транзисторах
Биполярные и полевые транзисторы в дискретном или интегральном исполнении как основа современных усилителей. Классы усиления усилительных каскадов. Метод расчета схем с нелинейным элементом. Схема с фиксированным напряжением базы. Методы стабилизации.
лекция [605,0 K], добавлена 15.03.2009
11.   Исследование биполярного транзистора
Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа [46,2 K], добавлена 02.08.2009
12.   Функциональные устройства телекоммуникаций
Принципиальная схема предварительного каскада с источником сигнала и последующим каскадом. Выбор типа транзистора, исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя. Расчет параметров малосигнальной модели биполярного транзистора.
контрольная работа [208,8 K], добавлена 21.10.2009
13.   Биполярные транзисторы
Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.
реферат [63,2 K], добавлена 05.02.2009
14.   Формирователь импульса тока для запуска лазера
Принцип действия формирователя импульса тока для запуска лазером и требуемые параметры его работы. Принцип работы таймера в схеме одиночного запуска. Каскад Дарлингтона. Операционный усилитель и схема с транзистором VT1. Принципиальная схема устройства.
курсовая работа [119,3 K], добавлена 07.04.2008
15.   Биполярный транзистор КТ3107
Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа [4,2 M], добавлена 11.02.2008
16.   Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат [44,1 K], добавлена 12.01.2010
17.   Особенности транзисторов
Транзистор как прибор, предназначенный для преобразования различных электрических сигналов. Устройство и принцип действия транзисторов. Схема включения, система обозначения силовых транзисторов, кодовая маркировка, тип корпуса, пример параметров.
реферат [283,7 K], добавлена 19.02.2010
18.   Электронная микроскопия
Основные характеристики микроскопов: разрешающая способность, глубина резкости. Принцип действия электронных микроскопов. Растровая электронная микроскопия. Принцип действия ионных микроскопов, полевого ионизационного и растрового туннельного микроскопа.
реферат [7,0 M], добавлена 15.01.2009
19.   Физико-топологическая модель интегрального биполярного п-р-п-транзистора
Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат [433,1 K], добавлена 12.06.2009
20.   Расчет приемопередатчика
Назначение, технические параметры, конструкция, принцип работы, регулировка и электрическая схема ячейки УВЧ-УПЧ, а также правила техники безопасности ее настройки. Особенности настройки тракта промежуточной частоты. Структурная схема приемопередатчика.
контрольная работа [1,3 M], добавлена 06.03.2010