Конструкционные и электротехнические материалы средств медицинской электроники

Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Электронные материалы
Вид контрольная работа
Язык русский
Прислал(а) Юра
Дата добавления 09.10.2013
Размер файла 29,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.

    презентация [206,2 K], добавлен 27.11.2015

  • Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.

    контрольная работа [1,2 M], добавлен 19.03.2011

  • Физические характеристики магнитных полей. Зависимость эффективности лечения различных заболеваний от биотропных параметров магнитных полей. Физиотерапевтический эффект при воздействии магнитным полем. Механизмы действия магнитных полей на живой организм.

    реферат [51,2 K], добавлен 09.01.2009

  • Изучение температурной зависимости подвижности и проводимости носителей заряда в полупроводниках. Основные электрофизические свойства кремния и германия, мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.

    курсовая работа [266,1 K], добавлен 22.12.2014

  • Аппаратура для лечебного применения постоянных и низкочастотных переменных магнитных полей. Классификация электромагнитных полей естественного и искусственного происхождения. Механизмы влияния магнитных полей на организм человека, биологические эффекты.

    реферат [888,1 K], добавлен 09.01.2009

  • Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.

    реферат [27,3 K], добавлен 23.06.2010

  • Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 08.05.2009

  • Явление магнитострикции. Обратный магнитострикционный эффект. Резонансные системы продольных колебаний. Унифицированные конструкции магнитопроводов. Конструирование приборов, использующих принципы магнитных полей. Разнообразие магнитных металлов.

    реферат [288,0 K], добавлен 07.11.2008

  • Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.

    курсовая работа [271,8 K], добавлен 26.11.2009

  • Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.

    контрольная работа [1,0 M], добавлен 15.12.2015

  • Основные типы индукторов и характеристики создаваемых ими полей. Для создания переменных, пульсирующих и импульсных магнитных полей в магнитотерапии широко используются индукторы в виде соленоидов, цилиндрических и нецилиндрических коротких катушек.

    реферат [4,7 M], добавлен 09.01.2009

  • Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 03.12.2010

  • Особенности влияния облучения на конструкционные материалы, электровакуумные приборы и интегральные схемы. Влияние ионизирующего облучения на резисторы, радиации на полупроводниковые диоды и транзисторы. Зависимость коэффициента усиления от радиации.

    реферат [105,9 K], добавлен 20.09.2010

  • Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.

    курс лекций [1,7 M], добавлен 11.01.2013

  • Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.

    курсовая работа [2,2 M], добавлен 18.12.2009

  • Системы связи: GPS, Глонасс для обнаружения местонахождения, их сравнительное описание и функциональные особенности, оценка преимуществ и недостатков, условия использования. Система контроля движение для пациентов. Безопасность данных пользователя.

    дипломная работа [2,0 M], добавлен 16.06.2015

  • Понятие, области, основные разделы и направления развития электроники. Общая характеристика квантовой, твердотельной и вакуумной электроники, направления их развития и применения в современном обществе. Достоинства и недостатки плазменной электроники.

    реферат [344,7 K], добавлен 08.02.2013

  • История развития устройств хранения данных на магнитных носителях. Доменная структура тонких магнитных пленок. Принцип действия запоминающих устройств на магнитных сердечниках. Исследование особенностей использования ЦМД-устройств при создании памяти.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 23.12.2012

  • Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.

    дипломная работа [2,9 M], добавлен 02.06.2011

  • Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.

    курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.