Транзисторные усилители

Рассмотрение электрической схемы усилителя с общим эмиттером. Изучение и характеристика особенностей структуры составного транзистора Дарлингтона. Исследование и анализ схемы емкостного микрофона. Расчет выходных параметров каскада с общим коллектором.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 25.10.2015
Размер файла 1,3 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Введение

Характерной особенностью современных электронных усилителей является исключительное многообразие схем, по которым они могут быть построены.

Усилители различаются по характеру усиливаемых сигналов: усилители гармонических сигналов, импульсные усилители и т. д. Также они различаются по назначение, числу каскадов, роду электропитания и другим показателям.

Однако одним из наиболее существенных классификационных признаков является диапазон частот электрических сигналов, в пределах которого данный усилитель может удовлетворительно работать. По этому признаку различают следующие основные типы усилителей:

- Усилители низкой частоты, предназначенные для усиления непрерывных периодических сигналов, частотный диапазон которых лежит в пределах от десятков герц до десятков килогерц. Характерной особенностью УНЧ является то, что отношение верхней усиливаемой частоты к нижней велико и обычно составляет не менее нескольких десятков.

- Усилители постоянного тока - усиливающие электрические сигналы в диапазоне частот от нуля до высшей рабочей частоты. Они позволяют усиливать как переменные составляющие сигнала, так и его постоянную составляющую.

- Избирательные усилители - усиливающие сигналы в очень узкой полосе частот. Для них характерна небольшая величина отношения верхней частоты к нижней. Эти усилители могут использоваться как на низких, так и на высоких частотах и выступают в качестве своеобразных частотных фильтров, позволяющих выделить заданный диапазон частот электрических колебаний. Узкая полоса частотного диапазона во многих случаях обеспечивается применением в качестве нагрузки таких усилителей колебательного контура. В связи с этим избирательные усилители часто называют резонансными.

- Широкополосные усилители, усиливающие очень широкую полосу частот. Эти усилители предназначены для усиления сигналов в устройствах импульсной связи, радиолокации и телевидения. Часто широкополосные усилители называют видеоусилителями. Помимо своего основного назначения, эти усилители используются в устройствах автоматики и вычислительной техники.

1. Теоретические сведения

Транзисторные усилители мощности (УМ) классифицируют по типу схем включения и по режиму работы усилительных элементов. Схемы включения биполярных транзисторов разделяют по названию общего (заземленного) электрода транзистора: схемы с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). Транзистор, как активный элемент, может работать в ключевом и активном режиме.

В ключевом режиме под действием управляющего сигнала транзистор скачком переходит из закрытого состояния (режим отсечки - ток коллектора практически равен нулю, сопротивление коллектор - эмиттер стремится к бесконечности - обрыв электрической цепи) в открытое состояние (режим насыщения - сопротивление коллектор - эмиттер стремится к нулю - транзисторный ключ замыкает электрическую цепь).

Активный режим транзистора реализуется в схемах с общим эмиттером, коллектором и базой. В активном режиме величина сопротивления коллектор - эмиттер транзистора определяется параметрами рабочей точки на входной и выходной характеристиках: током покоя коллектора и током покоя базы при отсутствии входного сигнала. При условии параметры , , изменяются по закону входного сигнала .

Схема с общим эмиттером. Активный режим транзистора VT1 реализуется элементами R1, R2, R4, формирующими в цепях эмиттер - коллектор и база - эмиттер рабочую точку (токи , ), а также обеспечивающими температурную стабилизацию режима по постоянному току (рис. 1.1). усилитель эмиттер транзистор дарлингтон

Рисунок 1.1 - Электрическая схема усилителя с общим эмиттером

Разделительные конденсаторы отделяют постоянную составляющую входного и выходного сигналов от базы и коллектора транзистора соответственно. Конденсатор в эмиттерной цепи устраняет отрицательную обратную связь по переменному току усиливаемого сигнала, обеспечивая заданный коэффициент усиления каскада. Схема с ОЭ, обладая относительно низким входным и сравнительно высоким выходным сопротивлением (импедансом), усиливает ток, напряжение и мощность входного сигнала, при этом входной и выходной сигналы находятся в противофазе.

Схема с общим коллектором является усилителем тока базы (рис. 1.2).

Рисунок 1.2 - Электрическая схема усилителя с общим коллектором

Усилитель с ОК не усиливает напряжение входного сигнала, поскольку нагрузка включается в эмиттерную цепь транзистора VT1 - параллельно эмиттерному резистору через разделительный конденсатор . На переменном токе по второму закону Кирхгофа , где - статический потенциал открытого p-n-перехода: для германия , для кремния . Следовательно,

Таким образом, схема с ОК не усиливает напряжение входного сигнала , а только повторяет его форму. Поэтому схему с общим коллектором называют эмиттерным повторителем (ЭП), который, обладая высоким входным, и достаточно низким выходным сопротивлением, осуществляет энергетическое согласование внутреннего сопротивления источника сигнала с низкоомной нагрузкой.

В каскаде с общим коллектором, который является эмиттерным повторителем (ЭП), выходное напряжение через разделительный конденсатор снимается с резистора , включенного в цепь эмиттера, и поступает в нагрузку - сопротивление .

Значения сопротивлений в цепи базы выбирают таким образом, чтобы рабочая точка в режиме покоя находилась в середине рабочего участка входной характеристики транзистора VT (Методические указания)

Статический коэффициент передачи ЭП по напряжению (выходного каскада) определяется выражением (п. 6.1 - Предварительный расчет)

,

где , , ; - сопротивление в эмиттерной цепи транзистора; - выходная проводимость транзистора.

Данное выражение упрощается, если пренебречь выходной проводимостью транзистора VT по сравнению с проводимостью нагрузки , т.е. при условии: .

Тогда для коэффициента усиления третьего (выходного) каскада справедливо выражение

.

Подставляя параметр , получаем упрощенную формулу для оценки коэффициента

.

Принимаем для предварительного расчета следующие параметры:

, ; , ;

, .

Если пренебречь влиянием выходной проводимости , то коэффициент усиления по напряжению ЭП не зависит от сопротивления , а определяется только параметром . При этом величина параметра .

При условии (режим, близкий к режиму холостого хода) ток базы ; коэффициент усиления и выходное напряжение определяются выражениями

; .

Поскольку выходная проводимость транзистора Ом-1, а сопротивление в цепи эмиттера Ом, формула для коэффициента Ku упрощается

.

В соответствии с законом Ома, коэффициент усиления по току определяется из выражения

.

При условии (режим низкоомной нагрузки) выражение для коэффициента приводится к виду

.

Таким образом, в режиме низкоомной нагрузки величина параметра .

Анализ схемы эмиттерного повторителя показывает, что в соответствии с законами Кирхгофа и Ома, коэффициент усиления ЭП по напряжению

.

Здесь - эквивалентное сопротивление нагрузки ЭП; - входное сопротивление ЭП, величина которого уточняется при электрическом расчете (методические указания, раздел 3).

Реальный коэффициент усиления по току .

1. Оценим коэффициенты усиления эмиттерного повторителя при следующих параметрах схемы: , Ом, кОм, кОм;

Ом;

;

Коэффициент усиления по току :

.

Каскад работоспособен - коэффициент усиления по напряжению близок к единице, а коэффициент усиления по току значительно больше единицы.

2. Оценим коэффициенты усиления эмиттерного повторителя при высоком значении входного сопротивления и низком сопротивлении нагрузки :

, кОм, Ом, Ом;

Ом;

;

.

Каскад неработоспособен - коэффициент усиления по напряжению стремится к нулю.

Для обеспечения работоспособности схемы ЭП существует несколько путей:

1) увеличить сопротивление нагрузки (уменьшить ток нагрузки , либо выходное напряжение );

2) увеличить параметр , используя, например, схему составного транзистора Дарлингтона (см. Методические указания);

3) при увеличенном на порядок сопротивлении нагрузки ( Ом) в схеме Дарлингтона использовать 2-3 транзистора (в этом случае параметр );

пересчитать параметры , , при необходимости откорректировать параметры схемы: ,, и т.д.

Схема с общей базой. Биполярный транзистор VT1, как усилительный элемент, характеризуется следующими статическими параметрами: - статический коэффициент передачи тока эмиттера ; - статический коэффициент передачи тока базы , где ток коллектора.

Связь токов и статических параметров в биполярном транзисторе имеет вид:

; , ; .

Из этих выражений следует, что токи коллектора и эмиттера всегда синфазны и практически равны по абсолютной величине, поскольку параметр .

Общая база заземляется по переменному току через конденсатор относительно большой емкости : входной усиливаемый сигнал поступает в эмиттерную цепь, а выходной - формируется в коллекторной цепи транзистора. Резисторы базового делителя напряжения и резистор в эмиттерной цепи обеспечивают температурную стабилизацию рабочей точки (рис. 1.1). Схема с общей базой используется для генерации электрических сигналов, а также для усиления сигналов высокой частоты.

Составной транзистор Дарлингтона включает два транзистора VT1, VT2, с соединенными эмиттерной и базовой цепью и объединенными коллекторами (рис. 1.3)

Рисунок 1.3 - Составной транзистор Дарлингтона

В схеме Дарлингтона эмиттерный ток транзистора VT1 соответствует базовому току транзистора VT2; общий эмиттерный ток составного транзистора . При условии эмиттерный ток схемы Дарлингтона . Поскольку параметры ток , параметр ; коллекторные токи .

Таким образом, составной транзистор Дарлингтона имеет высокий коэффициент передачи тока базы, а токи эмиттера и коллектора практически совпадают по величине.

Схемотехника усилителей мощности. Если заданы параметры нагрузки, общий коэффициент усиления усилителя или его каскадов , а входное сопротивление (импеданс ) не задано (или не критично), усилитель строится по структуре общий эмиттер - общий эмиттер (ОЭ - ОЭ). Если заданы высокое входное сопротивление и низкое сопротивление нагрузки , усилитель строится по структуре общий коллектор - общий эмиттер - общий коллектор (ОК - ОЭ - ОК). В ряде случаев возникает необходимость использования незаземленной нагрузки (рис. 1.1, 1.3), которая подключается к шине источника питания, заземленной по переменному току конденсатором фильтра источника (на схемах конденсатор не показан). В этом случае усилитель мощности строится по структуре ОЭ - ОЭ (при низком входном сопротивлении) или ОК - ОЭ (при высоком входном сопротивлении).

2. Выбор структурной схемы усилителя

2.1 Выбор числа каскадов

Для обеспечения действующего значения напряжения выходного сигнала, заданного в техническом задании, необходимо выбрать многокаскадный усилитель, так как одного усилительного каскада недостаточно. Кроме того, число каскадов должно быть нечетным, иначе схема будет неустойчивой, чего следует избегать. В рамках технического задания выбираем трехкаскадный усилитель.

На рис. 2.1 изображена общая структурная схема усилителя.

Рисунок 2.1 - Общая структурная схема усилителя

2.2 Выбор структуры каскадов

Рассмотрим три основные структуры, представленные на рис.2.2.

Рисунок 2.2 - Примеры структурных схем усилителя мощности

Выбор структуры а (три каскада с общим эмиттером) обеспечивает усиление по напряжению, следовательно, коэффициент усиления будет слишком велик, что приведет к неустойчивости системы.

Таким образом, выбирать следует из структур б и в.

2.2.1 Выбор структуры выходного каскада

Так как по индивидуальному заданию сопротивление нагрузки имеет порядок Ом, усилитель должен обеспечивать ток нагрузки . То есть необходим выходной каскад с низким выходным сопротивлением. Для этой цели подходит схема с общим коллектором (ОК), обладающая низким выходным и высоким входным сопротивлениями. Данная схема не дает усиления по напряжению: (более точный расчет приводится в разделе 3).

2.2.2 Выбор структуры промежуточного каскада

Схема с общим эмиттером (ОЭ) обеспечивает усиление и по напряжению, и по току.

Коэффициент усиления этой схемы больше единицы, поэтому, для второго (промежуточного) каскада выбираем схему с общим эмиттером во втором каскаде (то есть б или в).

Пусть ; , кроме того . Тогда , отсюда

2.2.3 Выбор структуры входного каскада

Первый каскад обеспечивает входное сопротивление схемы УМ в целом.

Если входное сопротивление УМ должно быть высоким, в качестве выходного каскада следует выбрать схему с ОК (эмиттерный повторитель); если входное сопротивление УМ относительно низкое (имеет порядок 100-500 Ом , то целесообразно выбрать схему с ОЭ.

Поскольку по индивидуальному заданию входное сопротивление УМ не задано, входной каскад выбирается по усмотрению разработчика.

Рассмотрим схему с ОК для входного каскада:

В качестве источника входного сигнала рассматриваем емкостной микрофон с высоким внутренним сопротивлением (Rвх ? 1- 100 кОм).

Рис.2.3 - Емкостной микрофон

Конструкция конденсаторного микрофона представляет собой конденсатор, один из электродов которого массивный - 3, а второй тонкая мембрана - 1. Диафрагма помещена над неподвижным плоским электродом, так что зазор - d между ними весьма мал. Диафрагма электрически соединена с корпусом микрофона и сильно натянута. При колебаниях мембраны емкость конденсатора изменяется с частотой воздействующего на мембрану звукового давления, в следствии чего, в электрической цепи появляется переменный ток той же частоты и на нагрузочном сопротивлении возникает падение напряжения, являющееся выходным сигналом микрофона.

Конденсаторные микрофоны имеют самые высокие качественные показатели: широкий частотный диапазон, малую неравномерность частотной характеристики, низкие нелинейные и переходные искажения, высокую чувствительность и низкий уровень шумов.

Поскольку схема с общим коллектором (ОК) имеет высокое входное сопротивление, согласованное с высоким внутренним сопротивлением источника входного сигнала, и низкое выходное сопротивление, согласованное с промежуточным каскадом (схема с ОЭ), для входного каскада УМ выбираем схему с, то есть входной каскад будет с ОК.

Таким образом, проектируемый усилитель мощности будет иметь вид:

Рис.2.4 - Структурная схема усилителя мощности

3. Расчет элементов принципиальной схемы

Параметры УМ

Вариант

Проводимость транзисторов

«pnp» - нечетный;

Статический потенциал pn-перехода цd, В

0,6 - 0,8

Напряжение источника питания, Еп, В

12,5

Сопротивление нагрузки, Rн, Ом

20

Напряжение на нагрузке, Um, В (ампл.)

0,2

Статический коэффициент усиления по напряжению, KU

40

Статический коэффициент передачи тока базы

40

Рабочая частота сигнала, fс, кГц

19

Максимальная частота полосы пропускания, fmax, кГц

(19)

Статический ток эмиттера

2,4

Напряжение питающей сети, U1, В (эфф.)

220

Частота питающей сети, Fc, Гц

50

Выпрямленное напряжение, Енест., В

(25)

Коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения, Кп

Напряжение на нагрузке стабилизатора Uн. ст., В

12,5

Ток нагрузки стабилизатора, I 0.ст.

Определяется по результатам расчета УМ

Диапазон регулирования стабилизированного напряжения, D р, %

28

Рис.3.1 - Трехкаскадный УМ по структуре ОК - ОЭ - ОК

3.1 Расчет выходного каскада с общим коллектором

1. Расчет амплитуды тока нагрузки:

=

При = 0,2 В, по индивидуальному заданию.

2. Расчет эффективного значения тока нагрузки:

3. Расчет активной мощности на нагрузке:

4. Выбор тока эмиттера покоя:

5. Расчет сопротивления в цепи эмиттера и его мощности .

Для обеспечения полного симметричного размаха выходного сигнала на нагрузке без искажения его формы потенциал эмиттера в режиме покоя (при отсутствии входного сигнала) выбираем из условия:

,

где = 12,5 по индивидуальному заданию.

6. Расчет мощности эмиттерного резистора :

Выбираем по справочнику: R10 = ОМЛТ-0,5- 200 Ом5%.

7. Расчет эквивалентного сопротивления нагрузки :

8. Расчет входного сопротивления транзистора со стороны базы :

,

где по индивидуальному заданию.

9. Расчет потенциала базы в режиме покоя :

по индивидуальному заданию.

10. Расчет тока базы в режиме покоя :

11. Расчет резисторов делителя напряжения в цепи базы транзистора.

Делитель напряжения , формирующий потенциал базы покоя , не должен шунтировать входное сопротивление транзистора .

Расчет резисторов делителя проводится в следующей последовательности:

· выбор резистора из условия

=;

· расчет тока покоя через резистор

;

· расчет тока покоя через резистор

;

· расчет резистора по законам Ома и Кирхгофа

.

12. Расчет мощности резисторов базового делителя

,

Так как рекомендуется увеличить полученные значения в 10-50 раз.

Выбираем по справочнику: R8 = ОМЛТ - 0,125-10 кОм5%.

Выбираем по справочнику: R9 = ОМЛТ - 0,125-9 кОм5%.

13. Расчет эквивалентного сопротивления делителя переменному току сигнала

14. Расчет входного сопротивления выходного эмиттерного повторителя :

.

15. Расчет емкости разделительных конденсаторов .

, ,

где - рабочая частота сигнала, значение которой взято из индивидуального задания.

Для устранения частотных искажений усиливаемого сигнала рассчитанные значения емкостей увеличиваются в 10-100 раз.

Выбираем по справочнику: С4 = К50-6-16В-200 мкФ;

Выбираем по справочнику: С5 = К50-6-16В-500мкФ;

16. Уточнение значения коэффициента усиления для выходного каскада

Реальное значение коэффициента усиления для выходного каскада в Isis Proteus

.

R8

10 кОм

R9

9 кОм

R3

200 Ом

R10

200 Ом

С4

200 мкФ

С5

500 мкФ

3.2 Расчет промежуточного каскада с общим эмиттером

.

1. Расчет активной мощности нагрузки.

Амплитуда тока нагрузки .

Эффективный ток нагрузки .

Активная мощность нагрузки .

2. Расчет эквивалентного сопротивления нагрузки на переменном токе

При выборе емкости конденсатора в соответствии с п. 15 раздела 3.1 сопротивление нагрузки на переменном токе соответствует параллельному соединению входного сопротивления эмиттерного повторителя и коллекторного сопротивления транзистора VT2 (рис. 3.1)

3. Расчет тока коллектора транзистора VT2

Если ток эмиттера в режиме покоя не задан, в схеме с общим эмиттером выбирают =.

4. Расчет сопротивления в коллекторной цепи транзистора VT2 и его мощности.

Для симметричного усиления сигнала потенциал коллектора в режиме покоя выбирается из условия:

.

Расчет сопротивления в цепи коллектора и рассеиваемой мощности .

;

.

Выбираем по справочнику: R6 = ОМЛТ - 0,125-4,7 кОм5%.

5. Расчет сопротивления для температурной стабилизации режима.

Сопротивление в цепи эмиттера транзистора VT2 обеспечивает достаточную для практики температурную стабилизацию режима по постоянному току при условии: падение напряжения на сопротивлении , созданное током покоя . Таким образом, при заданном значении тока эмиттера требуемое значение сопротивления определяется по закону Ома: .

Мощность, рассеиваемая на эмиттерном резисторе :

Выбираем по справочнику: R7 = ОМЛТ - 0,125-1 кОм5%.

6. Расчет резистивного делителя в цепи базы транзистора VT2.

Резистивный делитель , формирует потенциал базы относительно земли. Уровень этого потенциала не должен зависеть от тока эмиттера - ток делителя должен превышать ток базы в режиме максимального сигнала .

Поскольку ток эмиттера , ток делителя через резисторы , выбирают из условия

Таким образом, при стабильном напряжении питания и прецизионных резисторах потенциал базы .

7. Расчет потенциала базы .

Из второго закона Кирхгофа:

.

8. Расчет резисторов базового делителя.

Резисторы и (рис 3.1) рассчитываются по закону Ома:

;

9. Расчет мощностей и , рассеиваемых на сопротивлениях и соответственно

;

.

Выбираем по справочнику: R5 = ОМЛТ - 0,125-1 кОм5%.

Выбираем по справочнику: R4 = ОМЛТ - 0,125-6 кОм5%

10. Расчет эквивалентного сопротивления базового делителя переменному току.

При большой емкости конденсатора фильтра в блоке электропитания (на электрических схемах конденсатор не показан) резисторы и по переменному току соединены параллельно:

=

11. Расчет входного сопротивления транзистора VT2 со стороны базы

= (1 + 40)

12. Расчет входного сопротивления промежуточного каскада

=

13. Расчет емкости разделительного конденсатора на входе промежуточного каскада.

=

Для устранения частотных искажений усиливаемого сигнала рассчитанные значения емкости увеличивается в 10-100 раз.

Выбираем по справочнику: С2 = К50-6-10В-50нФ

14. Расчет коэффициента усиления промежуточного каскада.

Для требуемого значения коэффициента усиления промежуточного каскада, известного из предварительного расчета, определяется емкость шунтирующего конденсатора в цепи эмиттера транзистора VT2.

.= 1,15 мкФ

Для обеспечения запаса по коэффициенту усиления расчетное значение емкости округляется (в большую сторону) до гостовского значения.

Выбираем по справочнику: С3 = К50-6-10В-20 мкФ

Реальное значение коэффициента усиления для среднего каскада в Isis Proteus

.

R6

4,7 кОм

R7

1 кОм

R5

1 кОм

R4

5 кОм

С2

500 нФ

С3

200 мкФ

3.3 Расчет входного каскада с общим коллектором

.

1. Расчет амплитуды тока нагрузки:

2. Расчет эффективного значения тока нагрузки: = 0,00008/= 0,000057 А

3. Расчет активной мощности на нагрузке: = (0,000057 2 = 0,00000658919 Вт = 6,6 мкВт

4. Выбор тока эмиттера покоя: = 2= 0,000114А.

5. Расчет сопротивления в цепи эмиттера и его мощности .

Для обеспечения полного симметричного размаха выходного сигнала на нагрузке без искажения его формы потенциал эмиттера в режиме покоя (при отсутствии входного сигнала) выбирают из условия:

= = 6,75 В;

6. Расчет мощности эмиттерного резистора :=

Выбираем по справочнику: R3 = ОМЛТ - 0,125-412 Ом1%.

7. Расчет эквивалентного сопротивления нагрузки :

=

8. Расчет входного сопротивления транзистора со стороны базы :

= Ом = 22140 Ом

9. Расчет потенциала базы в режиме покоя :

=

10. Расчет тока базы в режиме покоя :

= 0,0084/(40 + 1) = 0,0002 А

11. Расчет резисторов делителя напряжения в цепи базы транзистора.

Делитель напряжения , формирующий потенциал базы покоя , не должен шунтировать входное сопротивление транзистора .

Расчет резисторов делителя (рис. 3.1) проводится в следующей последовательности:

· выбор резистора из условия =

· расчет тока покоя через резистор = 7,45 /4728 = 0,0016 А

· расчет тока покоя через резистор

· расчет резистора по законам Ома и Кирхгофа = (13,5 -7,45)/0,0018 = 3361 Ом

12. Расчет мощности резисторов базового делителя

= = Выбираем по справочнику: R2 = ОМЛТ - 0,125-560кОм5%.

Выбираем по справочнику: R1 = ОМЛТ - 0,125-3,5кОм5%.

13. Расчет эквивалентного сопротивления делителя переменному току сигнала

=

14. Расчет входного сопротивления выходного эмиттерного повторителя :

=

15. Расчет емкости разделительного конденсатора

=

Для устранения частотных искажений усиливаемого сигнала рассчитанные значения емкостей увеличиваются в 10-100 раз.

Выбираем по справочнику: С1 = К50-6-10В-16 нФ

Реальное значение коэффициента усиления для выходного каскада в Isis Proteus

.

R3

416 Ом

R2

560 кОм

R1

3,5 кОм

С1

160 нФ

Рис.3.2 - Трехкаскадный УМ по структуре ОК - ОЭ - ОК, спроектированный в Proteus c учетом расчитанных параметров

3.4 Расчет параметров входного сигнала

1. Расчет номинальной амплитуды входного напряжения

= 0,2/40 = 5 мВ

2. Расчет номинальной амплитуды входного тока

= 5 мВ/5,3 кОм = 0,94 мкА

3. Расчет коэффициента усиления по току усилителя мощности

= 10 мА/0,94 мкА = 10,6103

4. Расчет коэффициента усиления по мощности усилителя мощности

=

4. Расчет источника электропитания

Рис.4.1 - Схема источника электропитания

4.1 Расчет мощного КСН с малыми пульсациями

Исходные данные:

Напряжение на нагрузке: U н = 12,5 В;

Ток нагрузки:

I н = + + = 10+ += 20,87 мА;

Где: = IR1 + IкVT1 = IR1 + (IэVT1 - IбVT1) = + (- 0,0002) = 10 мА - ток, питающий входной усилительный каскад с эмиттерным повторителем.

= IR1 + IRк = + = 2,07 мА - ток, питающий промежуточный усилительный каскад с общим эмиттером

= IR1 + IкVT3 = IR1 + (IэVT3 - IбVT3) = 0,0006+ (14,2 мА - 195 мкА) = 8,8 мА - ток, питающий выходной усилительный каскад с эмиттерным

Диапазон регулирования: Dр = 36 %.

Заданные технические характеристики обеспечивает стабилизатор с высоким коэффициентом стабилизации. Выбираем интегральный ОУ с малым температурным коэффициентом напряжения смещения (например, К140УД14А).

Расчет стабилизатора ведется в следующей последовательности.

1) Определение мощности нагрузки Рн.

Рн= U н. I н= 12,5.20,87 = 260,9 мВт.

2) Определение номинальной мощности стабилизатора Р0.

Р0 Кз. Рн,

где Кз =(1,5...3) коэффициент запаса мощности.

Принимаем Кз=2,5; Р0=2,5.260,9 =652,25 мВт.

3) Выбираем Енест=(1,5... 3)Uн. Принимаем Енест=2.Uн=2.12,5=25 В.

4) Определяем минимальное Umin и максимальное Umax напряжения на выходе стабилизатора

Umin = Uн - U;

Umax = Uн + U,

Здесь U = Dp. Uн/100; U = 50.5/100 = 2,5 В;

Где Dp = 0,36 - Диапазон регулирования стабилизированного напряжения, , %

Umin = Uн - (Uн* Dp) = 12,5В - (12,5 В*0,36) = 8 В

Umax = Uн + (Uн* Dp) = 12,5В + (12,5 В*0,36) = 17 В

5) Исходя из величины Umin = 8 В параметрический стабилизатор опорного напряжения реализуем на кремниевых стабилитронах КС433А. Эти стабилитроны включаем через ограничивающий резистор в прямом направлении, обеспечивающий необходимый ток стабилизации стабилитрона. Выбранный стабилитрон имеет напряжение стабилизации Uст = 3,3 В при токе стабилизации Iст = (3...229) мA. Для обеспечения минимального значения выходного напряжения Umin = 8 В в параметрическом стабилизаторе используем два последовательно соединенных стабилитрона. В этом случае опорное напряжение U0=2. Uст = 2. 3,3 = 6,6 В Umin.

6) Выбираем ток стабилизации стабилитронов Iст.=10 мA. Поскольку стабилитроны питаются выходным напряжением Uн, резистор R4 должен обеспечить напряжение U0 при Uн=Umin= 8 В.

Поэтому величину резистора R4 определяем из выражения:

R4 = (Umin-U0)/Iст=8-6,6/10.10-3 = 140 Ом

Выбираем по справочнику: R4 =150 Ом.

7) Определяем максимальный ток стабилизации стабилитрона Iст1 при Uн=Umax.

Iст1=Umax/R4=17/150 = 113 мАI ст.max.

8) Определяем мощность P4 резистора R4

R4= (Iст1)2 .R4=102.10-6 .150= 15 мВт.

Выбираем по справочнику: R4 = ОМЛТ-0,125-1505%.

9) Задаваясь током отрицательной обратной связи Iос, равным 0,1 мA, определяем суммарное сопротивление обратной связи Roc = (R1 +R2 +R3)

Roc =Umax/ Iос=17/10-4=170 кОм.

10) Определим минимальный Кmin и максимальный Кmax коэффициенты усиления ОУ, обеспечивающие выходное напряжение Umin и Umax соответственно

Кmin.=Umin/U0=8/6,6=1,2;

Кmax.=Umax/U0=17/6,6=2,6.

11) Определяем соотношение резисторов R1, R2, R3 , от которых зависят полученные коэффициенты усиления Кmin. и Кmax.

Kmin=1+R1/(R2+R3) - верхнее положение движка резистора R2;

Кmax.=1+(R1+R2)/R3 - нижнее положение движка резистора R2.

Из этих уравнений находим:

min-1)=R1/(R2+R3)=1,2-1=0,2;

max-1)=(R1+R2)/R3=2,6-1=1,6.

Составляем систему уравнений:

R1/(R2+R3) = (Кmin-1);

(R1+R2)/R3= (Кmax-1);

(R1 +R2 +R3)= Roc.

Решая данную систему уравнений, получаем :

R1=Roc[(Kmin-1)/Kmin];

R2=Roc{[(Kmax-1)/Kmax]-[(Kmin-1)/Kmin]};

R3=Roc[1-(Kmax-1)/Kmax];

R1=170(0,2/1,2)= 28,3 кOм;

R2=170 (1,6/2,6)-( 0,2/1,2)=75,7кОм;

R3=170 [1-(1,6/2,6)]=65,4 кОм.

Значения резисторов R1, R2, R3, выбираем по справочнику:

R1 = 30 кОм R2 = 75 кОм, R3 = 68 кОм.

Определяем мощности резисторов R1, R2, R3:

P1= I2oc * R1= (0,1*10-3)2*30*103= 300 мкВт;

P2= I2oc * R2= (0,1*10-3)2*75*103= 750 мкВт;

P3= I2oc * R3= (0,1*10-3)2*68*103= 680 мкВт.

Тип резисторов выбираем по справочнику:

R1- ОМЛТ - 0,125 - 30кОм 5 %;

R2- СПЗ-9а - 0,5 - 75кОм 5 %;

R3- ОМЛТ - 0,125 - 68кОм 5 %.

12) Выбираем тип выходного транзистора VТ1.

В режиме холостого хода на выходе стабилизатора ток через резистор R5 соответствует обратному эмиттерному току Iэо транзистора VТ1. Последний должен обеспечить номинальный ток нагрузки Iн. При большом значении коэффициента усиления тока базы (тр1) коллекторный ток Iко практически равен току эмиттера Iэо.

Определяем требуемый коэффициент передачи тока выходного транзистора тр определяется отношением:

тр= Iнз/ Iоу вых,

где: Iоу вых = (3...5) мA - выходной ток ОУ;

Кз = (1,5…3) - коэффициент запаса по току

Полагая Iоу вых = 3 мA , и Кз = 2,5; получаем: тр=20,87 *2,5/ 3 = 17,4.

Для обеспечения полученного значения 0 в качестве выходного транзистора VT1 используем составной транзистор КТ815А, который имеет следующие характеристики:

Iко = 50 мкA; 0=10 - 30.

13) Определяем величину резистора R5.

R5=Umax/ Iко=17 В/50.10-6 = 340 кОм.

Определяем мощность резистора R5:

P5= I2ко * R5= (50*10-6)2*340*103= 1700 мкВт.

Тип резистора выбираем по справочнику:

R5- ОМЛТ - 0,125 - 360 кОм 5 %;

14) Определяем величины конденсаторов С1, С2:

Конденсатор С1 является элементом емкостного фильтра источника питания Енест. Его величина определяется по номограммам.

Для заданного тока нагрузки Iн = 21 мА принимаем С1=200 мкФ.

Выбираем по справочнику: С1-К56-200мкФ х50В10%.

Величина конденсатора С2 определяется из условия: Roc.C21/fп, где fп- частота пульсаций выпрямленного напряжения.

Если напряжение Енест формируется на выходе двухполупериодной схемы выпрямления, либо диодного моста, то частота пульсаций fп в два раза превышает частоту питающей сети fc (fп=2fc).

В этом случае имеем:

С21/2fcRoc; 1/2fcRoc=1/100.170.103=0,17 мкФ.

Принимаем С2=0,2 мкФ.

Выбираем по справочнику: C2-КМ-5 - 0,2х25В10%.

В случае однополупериодной схемы: fп=fc; С21/fcRoc.

Принимаем 1/fcRoc=1/50.170.103=0,34 мкФ. Выбираем С2=0,33 мкФ.

Выбираем по справочнику: C2-КМ-6 - 0,33х25В10%.

R1

30 кОм

R2

75 кОм

R3

68 кОм

R4

140 Ом

R5

360 кОм

C1

200 мкФ

C2

0,2 мкФ

Коэффициент пульсации выпрямленного напряжения:

.

Расчет реального коэффициента усиления транзисторного усилителя:

.

Рис.4.2 - Общая схема усилителя с источником электропитания

Заключение

Проанализирована схема усилительного устройства, результаты которого показали, что эта схема имеет типовую структуру, состоит из стандартных каскадов, в каждом их которых используются транзисторы p-n-p типа. Как и входной, выходной каскад представляет собой эмиттерный повторитель, промежуточный имеет схему с общим эмиттером.

Применительно к исходным данным, используя предложенные формулы, приведен расчет значений каждого элемента усилительного устройства. Были выбраны значения резисторов и конденсаторов в соответствии со стандартом спецификаций, которые были использованы в процессе моделирования.

Используя профессиональную программу ISIS PROTEUS 8.1, была смоделирована схема трехкаскадного усилителя. Результаты моделирования указали на работоспособность данной схемы, а измерительные приборы, которые были использованы в процессе моделирования, показали правильность выбора режимов работы активных элементов. По амплитудам входных и выходных напряжений был определен коэффициент усиления смоделированного устройства, который по своим значениям близок к заданному значению.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Рассмотрение в программах Protel и PSpice AD работы основных элементов устройства усилителя: мультиплексора, компаратора, счетчика адресов, статических регистров. Разработка структурной и принципиальной схемы усилителя с общим эмиттером и коллектором.

    дипломная работа [858,9 K], добавлен 11.01.2015

  • Рассмотрение правил включения транзистора по разным вариантам схем - с общим эмиттером, общей базой, общим коллектором. Описание особенностей работы усилительных каскадов в области высоких и низких частот. Представление схемы дифференциального каскада.

    реферат [138,3 K], добавлен 17.03.2011

  • Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.

    реферат [63,2 K], добавлен 05.02.2009

  • Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014

  • Расчет токов и напряжений для всех элементов схемы усилительного каскада с общим эмиттером с распределенной нагрузкой. Моделирование переходных и частотных характеристик каскада в ППП "MicroCap". Статический и усилительный режим работы транзистора.

    курсовая работа [2,2 M], добавлен 26.02.2012

  • Основные понятия, назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с общим эмиттером. Порядок расчета транзисторного усилителя, его применение в системах автоматики и радиосхемах. Графоаналитический анализ каскада по постоянному току.

    курсовая работа [608,9 K], добавлен 23.10.2009

  • Определение основных характеристик усилительных каскадов в биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией. Режим покоя между коллектором и эмиттером. Определение коэффициентов усиления по напряжению. Режим покоя каскада.

    лабораторная работа [47,7 K], добавлен 18.06.2015

  • МП 40 - транзисторы германиевые сплавные, усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1кГц. Паспортные данные транзистора. Структурная схема каскада с общим эмиттером. Динамические характеристики усилительного каскада.

    курсовая работа [120,0 K], добавлен 19.10.2014

  • Расчет схемы резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе, включенном с общим эмиттером. Расчет схемы усилителя: определение сопротивления резистора защиты, амплитудная характеристика, входное и выходное сопротивление.

    практическая работа [352,3 K], добавлен 19.03.2012

  • Расчет параметров резисторов, исходя из заданного положения рабочей точки в классе А и ее нестабильности при определенном напряжении источника питания схемы и выбранном типе транзистора. Упрощённая схема усилителя для расчёта постоянных составляющих.

    курсовая работа [768,5 K], добавлен 16.01.2015

  • Определение сигнальных параметров транзистора и разработка принципиальной схемы однокаскадного усилителя. Расчет сопротивления резисторов и составление схемы каскада в области средних частот. Линейная схема и повышение коэффициента усиления каскада.

    контрольная работа [316,5 K], добавлен 29.08.2011

  • Краткие теоретические сведения об усилителях переменного тока. Усилительный каскад с общим эмиттером. Создание усиленного переменного напряжения на выходе схемы. Последовательность и методика расчета маломощного усилительного каскада с общим эмиттером.

    контрольная работа [252,1 K], добавлен 30.11.2014

  • Расчет и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером. Выбор параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора. Электрическая схема каскада.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 09.05.2013

  • Расчет каскада предварительного усиления, работающего на входную цепь следующего потока, выполненного на транзисторе с общим эмиттером. Компьютерное моделирование и исследование схемы, построение временных диаграмм с помощью программы "Microcap".

    курсовая работа [214,6 K], добавлен 12.09.2010

  • Принцип действия, назначение и режимы работы биполярных транзисторов. Режим покоя в каскаде с общим эмиттером. Выбор типа усилительного каскада по показателям мощности, рассеиваемой на коллекторе. Расчет сопротивления резистора базового делителя.

    курсовая работа [918,0 K], добавлен 02.07.2014

  • Расчет усилительного каскада, включенного по схеме с ОЭ. Компоненты схемы, ее расчет по постоянному току. Анализ схемы усилительного каскада с общим эмиттером, реализованной на биполярном транзисторе, ее моделирование с помощью MathCad15.0 и Micro-Cap9.0.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 23.03.2012

  • Расчет элементов схемы по постоянному току. Определение координат рабочей точки транзистора на выходных характеристиках. Графоаналитическтй расчет параметров усилителя, каскада по переменному сигналу. Нахождение постоянного тока и мощности в режиме покоя.

    курсовая работа [5,3 M], добавлен 14.03.2014

  • Описание электрической схемы усилителя на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Исходные данные для его расчета по постоянному или переменному току. Построение частотных характеристик усилительного каскада. Оценка возможных нелинейных искажений.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 19.10.2014

  • Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.

    методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012

  • Составление структурной схемы усилителя низкой частоты радиоприемника и принципиальной схемы выходного каскада. Расчет входного сопротивления плеча. Основные параметры биполярного транзистора. Расчет двухтактного транзисторного каскада мощного усиления.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.12.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.