Анализ путей повышения качества и надежности существующих конструкций и технологии изготовления тонкопленочных ИС с резистивными элементами

1. Большинство из существующих математических моделей и методик расчета сопротивлений ТПР не учитывают контактные сопротивления или учитывают только систематическую составляющую. В технической литературе отсутствуют критерии необходимости учета контактных сопротивлений при расчете тонкопленочных резисторов для обеспечения попадания в заданное поле допуска.

2. В технической литературе отсутствуют данные по величине случайной составляющей контактных сопротивлений и ее зависимости от конструктивно-технологических факторов.

3. В существующей нормативной документации при определении относительных погрешностей изготовления резисторов производится арифметическое суммирование относительных погрешностей КТП, что приводит к необоснованно большим значениям длины и ширины при их расчете.

4. При расчете геометрических размеров резисторов, обеспечивающих заданную точность, в методиках нет рекомендаций по расчету длины и ширины при равенстве или близкой к нулю допустимой погрешности коэффициента формы .

5. Существующие методики расчета не обеспечены программными средствами, что не позволяет проводить оптимизацию конструктивно-технологических решений, и требует чрезвычайно трудоемких вычислений.

1.3.4 Математические модели для статистического контроля качества и управления технологическими процессами изготовления элементов интегральных схем

При серийном изготовлении изделий широко применяются статистические методы контроля качества, позволяющие по выборке из генеральной совокупности изделий оценивать качество продукции [5]. При производстве ИС, содержащих пленочные резисторы, качество, процент выхода годных плат по величине сопротивлений резисторов и трудоемкость их изготовления существенно зависят от величин производственных погрешностей их основных конструктивно-технологических параметров (длины, ширины, удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки и контактных сопротивлений). Величины отклонений КТП от их номинальных значений зависят от принятой на предприятии технологии и соблюдения требований конкретных технологических процессов.

Например, при изготовлении плат с раздельным формированием резистивных и проводниковых слоев, погрешность ширины резисторов определяется качеством выполнения операций фотолитографии и травления резистивного слоя, погрешность длины - качеством выполнения операций фотолитографии и травления проводникового слоя. Величины контактных сопротивлений определяются качеством выполнения операции межоперационной очистки подложек и напыления проводниковых слоев. Систематическая и случайная составляющие удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки также существенно влияют на процент выхода годных ИС с резистивными элементами. Важно отметить, что возникновение больших контактных сопротивлений приводит не только к завышению номинальных значений сопротивлений резисторов, но и к снижению их температурной и временной стабильности, а также снижению адгезии проводника МПЛ. Поэтому при статистическом контроле качества групповых ТП изготовления микроэлектронной аппаратуры необходима информация о величинах производственных погрешностей всех КТП ее элементов.

Непосредственный контроль КТП элементов ИС с целью определения величин их погрешностей очень трудоемок и требует применения сложного оптического и электронного оборудования. Кроме того, непосредственный контроль КТП путем их прямых измерений иногда невозможен. Например, при изготовлении микрополосковых плат СВЧ ГИС микрополосковые линии и контактные площадки резисторов часто получают методом электрохимического осаждения меди, никеля и золота на, предварительно напыленный в вакууме, слой меди, поэтому истинная длина резистора не может быть измерена из-за «затенения» границы между контактной площадкой и резистивным слоем. В дополнении к этому, из-за размытости кромок пленочных элементов и изменения их электрофизических свойств на границах, нельзя руководствоваться чисто геометрическими характеристиками пленочных элементов для установления связи между электрическими параметрами и КТП резистивных элементов.

Для оценки погрешностей КТП резистивных элементов существуют методики косвенного определения погрешностей. Эти методики основаны на применении математических моделей, устанавливающих взаимосвязь погрешностей КТП с погрешностями электрических параметров элементов [3, 5, 51].

Существующие модели позволяют определять статистические характеристики трех конструктивно-технологических параметров резисторов (длины, ширины и удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки) посредством измерения электрических сопротивлений плёночных резисторов тестовой структуры с отличными друг от друга номинальными размерами. В отличие от известного и очень трудоемкого метода определения погрешностей КТП резисторов путем их прямых измерений применение моделей позволяет автоматизировать процессы контроля и управления производством.

Для определения систематических и случайных погрешностей длины, ширины и удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки по трем тестовым резисторам авторы работы [3] предлагают следующие системы уравнений.

1. Систематические погрешности длины , ширины и среднее значение удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки определяют из решения системы уравнений:

, (1.13)

,

,

где , , - средние значения сопротивлений тестовых резисторов; , , - номинальные значения длин тестовых резисторов; , , - номинальные значения ширин тестовых резисторов.

В системе уравнений (1.13) авторы работы [3] при записи формул для средних значений тестовых резисторов пренебрегают величиной в первой формуле величинами и во второй и величиной в третьей формуле, так как размеры тестовых резисторов выбираются из условий: », », », ».

2. Случайные погрешности длины , ширины и коэффициент вариации удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки определяют из решения системы уравнений:

, (1.14)

,

,

где - коэффициенты вариации сопротивлений каждой группы измеренных тестовых резисторов.

Системы уравнений (1.13), (1.14) составлены для тестовой структуры, состоящей из трех резисторов: короткого широкого ( мкм, мкм), длинного узкого ( мкм, мкм) и квадратного ( мкм, мкм).

Практическая реализация предложенной модели с использованием тестовых структур выполнялась на ситалловых подложках для резисторов из кермета К-50С с контактными площадками из золота. Резистивные элементы изготавливались методом термического взрывного испарения в вакууме. Затем проводилось напыление слоя золота, после чего методом селективной фотолитографии формировались рисунки в слое золота и резистивном слое. Необходимые величины сопротивлений резисторов обеспечивались путем регулирующего отжига, в ходе которого каждая подложка подвергалась термообработке в муфельной печи. Отжиг прекращался, когда сопротивление контрольного резистора достигало номинального значения с учетом поправки на ТКС. Эта операция позволяет снизить требования к систематической составляющей погрешности сопротивлений резисторов на плате, вносимой на всех предшествующих операциях, так как эта погрешность в значительной степени компенсируется контролируемым изменением значения при отжиге. Однако вклад систематических составляющих погрешностей длины ширины и контактных сопротивлений в общую систематическую погрешность сопротивлений резисторов неодинаков для резисторов с разной геометрией. Поэтому регулирующий отжиг не позволяет свести к нулю систематическую погрешность всех резисторов ИС.

О точности определения всех составляющих производственных погрешностей длины, ширины и удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки по предлагаемым математическим моделям в работе [3] сведений нет. Установлено лишь, что погрешность оценки значения по коэффициенту вариации не превышает 5 % от значения . Можно предположить, что для исследуемой в этой работе технологии погрешность, вносимая контактными сопротивлениями относительно невелика, так как после напыления резистивного слоя фотолитография по этому слою не проводится.

Автор работы [51] для определения производственных погрешностей этих же параметров предлагает следующие системы уравнений.

1. Для определения систематических погрешностей длины , ширины и удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки систему

, (1.15)

,

,

где - номинальное значение удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки.

При выводе системы уравнений (1.15) автор пренебрегает величиной второго порядка малости .

2. Для определения случайных погрешностей длины , ширины и удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки систему

, (1.16)

,

,

где , , - номинальные значения тестовых резисторов.

Системы уравнений (1.15), (1.16) составлены для тестовой структуры, состоящей из трех резисторов, и также как предыдущие системы уравнений, не учитывают контактные сопротивления.

Для экспериментального определения погрешностей КТП по математическим ожиданиям и дисперсиям сопротивлений тестовых резисторов были выбраны три тестовых резистора с геометрическими размерами: мм, мм, мм, мм, мм, мм.

Тестовые резисторы с номинальным значением Ом изготавливались по «раздельной» технологии путем напыления резистивного слоя, фотолитографии по резистивному слою, напыления проводящего слоя и фотолитографии проводящего слоя.

Для исследуемых партий подложек при объеме выборки равном 104 шт. были определены величины производственных погрешностей трех КТП: мкм, мкм; мкм, мкм; Ом, Ом.

К сожалению, автор работы [51] не указал материалы резистивного и проводящего слоев, а также марку фоторезистов, используемых при выполнении операций фотолитографии. Однако большая величина погрешности длины мкм, определенная с помощью предложенной системы уравнений, может быть следствием того, что эта система составлена без учета контактных сопротивлений. Это предположение также основано на том, что современные фоторезисты и технология травления позволяют выполнять размеры проводящих элементов с погрешностью не хуже ±10 мкм.

Таким образом, известным математическим моделям для оценки погрешностей КТП резистивных элементов присущи три существенных недостатка.

1) Модели позволяют определять погрешности только трех КТП, а для полной информации о качестве технологии необходимо иметь данные о величине контактных сопротивлений, так как по величине контактных сопротивлений можно оценивать качество межоперационной очистки подложек и напыления проводящих слоев и, в том числе, адгезию проводящих слоев к подложке. Кроме того, данные по величине производственной погрешности удельных переходных сопротивлений контактов необходимы для конструктивных расчетов резистивных элементов интегральных схем [31, 57].

2) Низкая точность определения погрешностей КТП особенно для резисторов с малой длиной, так как с уменьшением длины тестового резистора погрешность изготовленного резистора существенно зависит от величины контактных сопротивлений [31, 57]. Несмотря на это, в известных методиках для оценки погрешности длины предлагается тестовый резистор с малой длиной, который максимально чувствителен не только к погрешности длины, но и к величине контактного сопротивления.

3) В известных математических моделях пренебрегают величинами второго порядка малости, что также снижает точность определения погрешностей.

Кроме того, автор работы [53] считает, что погрешность переходного сопротивления контактов невозможно рассчитать с достаточной степенью точности и трудно измерить и поэтому ее не рассматривает. В работе [27] этот же автор пишет о существовании проблемы определения контактных сопротивлений, так как для повышения точности определения контактных сопротивлений необходимо уменьшать длину резистора, но при этом резко возрастает погрешность длины.

Для решения этой проблемы необходима разработка математической модели для совместного определения погрешностей всех основных КТП резистивных элементов: длины, ширины удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки и контактных сопротивлений.

Актуальность получения информации о величинах производственных погрешностей параметров пленочных резисторов, включая контактные сопротивления, с помощью математических моделей заключается в возможности автоматизации контроля качества и регулирования основных ТП изготовления ИС с резистивными элементами. Эта информация необходима также для корректировки размеров соответствующих элементов в фотошаблонах, а также расчета резисторов с учетом производственных погрешностей для обеспечения заданных полей допусков резисторов при их изготовлении.

1.3.5 Автоматизация статистического контроля качества, анализа и регулирования технологических процессов изготовления пленочных компонентов интегральных схем

Для обеспечения высокого процента выхода годных и надежности ИС в процессе серийного производства актуальное значение имеет проблема статистического контроля качества и управления технологическими процессами, от которых зависит качество изделий. Эта проблема включает оценку точности ТП по выбранным для контроля параметрам качества, анализа тенденций изменения этих параметров, определения времени, места и причин разладки технологии или оборудования и выработки управляющих воздействий.

Вследствие большой номенклатуры изготавливаемых ИС, каждая из которых имеет конструктивными особенности и различные допуски на формируемые параметры, оценку точности ТП необходимо проводить по тестовым структурам, от конструкции которых будет существенно зависеть эффективность статистического контроля и регулирования ТП [3]. Основой для построения наиболее эффективно функционирующих автоматизированных систем статистического контроля, анализа и регулирования технологических процессов (СРТП) является зависимость коэффициента выхода годных изделий от производственных погрешностей контролируемых параметров качества. Для практической реализации СРТП с использованием математических моделей необходимо применение автоматизированных измерительных систем (АИС) с использованием вычислительной техники. Системы СРТП при решении задач обеспечения качества выпускаемой продукции и повышения эффективности производства охватывают управлением все основные операции ТП изготавливаемого изделия. Только системы СРТП позволяют определить оптимальное время настройки технологического оборудования и технологических процессов по параметрам точности.

Принципы построения автоматизированных систем статистического контроля (АСК), анализа и регулирования технологических процессов при изготовлении компонентов микроэлектронной аппаратуры на этапе производства изложены в работе [3].

Одной из первых практических реализаций этих систем явилась разработанная и внедренная в условиях многономенклатурного производства автоматизированная система статистического контроля плат ГИС с резистивными элементами и статистического регулирования ТП их изготовления [48]. Анализ ТП изготовления этих плат, а также описание тестовой структуры и математических моделей, используемых авторами для создания СРТП при изготовлении резистивных плат ГИС, приведен в разделе 1.3.4.

До внедрения СРТП проводился сплошной контроль сопротивлений всех резисторов на соответствие требуемым полям допусков, а контроль состояния ТП проводился по изменению выхода годных изделий, что приводило к большой трудоемкости контроля электрических параметров ГИС и не позволяло эффективно управлять технологическими процессами. Для решения этих проблем был разработан автоматизированный метод статистического контроля и система СРТП с использованием тестовых структур, размещаемых в технологических полях подложки.

Для измерения сопротивлений тестовых резисторов и выполнения всех необходимых расчетов в процессе контроля применялось групповое контактирующее устройство с игольчатыми зондами и АИС «Вахта 1Б», содержащая в своем составе мини-ЭВМ «Саратов-2»

В программное обеспечение для АИС входили:

1. Основная программа, реализующая управление процессом измерений, необходимые статистические расчеты и выдачу итоговой информации.

2. Комплект программ с исходными данными для всей номенклатуры ИС.

Программа с исходными данными составляется на этапе подготовки производства по топологическому чертежу платы. Исходными данными являются:

1. Принятая величина критерия отбраковки.

2. Номер диапазона измерений программируемого источника тока и измерителя напряжений АИС, выбранный в зависимости от номинального значения удельного поверхностного сопротивления (= 0,1; 1,0; 5,0; 10,0 кОм/кв.).

3. Число типов различных по конструкции резисторов в ИС - N.

4. Длина резисторов - го типа - , мкм, .

5. Ширина резисторов - го типа - , мкм.

6. Номинальное значение сопротивления резистора - го типа - . кОм.

7. Допуск на сопротивление резистора - го типа - (в относительных единицах).

8. Число одинаковых резисторов - го типа на подложке - .

В процессе статистического контроля проводится автоматическое измерение только тестовых резисторов, и определяют годность подложки по следующему алгоритму.

1. Рассчитывают средние значения и коэффициенты вариации сопротивлений каждой группы тестовых резисторов.

2. Из решения системы уравнений (1.13) определяют средние погрешности длины , ширины и среднее значение удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки на подложке.

3. Из решения системы уравнений (1.14) определяют случайные погрешности длины , ширины и коэффициент вариации удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки .

4. Рассчитывают средние значения сопротивлений всех типов резисторов, входящих в ИС, на подложке:

. (1.17)

5. Рассчитывают среднеквадратические отклонения сопротивлений всех типов резисторов, входящих в ИС, на подложке:

. (1.18)

6. Рассчитывают вероятности годности резисторов каждого - го типа на подложке:

(1.19)

7. Рассчитывают вероятность нахождения хотя бы одного негодного резистора на подложке:

(1.20)

8. Проверяется условие , при выполнении которого подложка признается годной.

Результаты расчетов на АИС статистических показателей точности основных блоков ТП используют в СРТП. Схема организации АСК и СРТП, предложенных в работе [48], показана на рис.1.6.

Статистическому регулированию подвергаются следующие основные операции и блоки ТП: напыление резистивного слоя, формирование рисунка в коммутационном слое, формирование рисунка в резистивном слое, регулирующий отжиг.

После формирования рисунка резисторов проводят первый контроль, при котором получают информацию о точности выполнения операции напыления резистивного слоя и процессов формирования длины и ширины резисторов, а также рекомендации по проведению регулирующего отжига на каждой подложке. На этом этапе, используя данные по точности формирования КТП на каждой подложке, рассчитывают коэффициент отклонения от «оптимума» из выражения , рассчитываемое из условия получения максимальной вероятности годности подложки . Затем рассчитывают минимально возможное значение критерия отбраковки , которое можно получить при оптимальном проведении регулирующего отжига.

Полученное значение используется для оценки целесообразности прохождения подложкой оставшихся операций:

1) при < - подложка бракуется;

2) при - подложку направляют на операцию регулирующего отжига.

После регулирующего отжига проводят второй контроль подложек и рассчитывают величину , по которой принимают решение о браковке подложки, передаче на операции сплошного контроля сопротивлений всех резисторов или сразу на контроль плат по внешнему виду:

1) при - подложку бракуют;

2) при - подложку направляют на контроль сопротивлений резисторов;

3) при - все ИС в составе подложки признают годными и передают на сплошной контроль плат по внешнему виду.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Рис. 1.6. Организация статистического контроля и СРТП в производстве ИС с резистивными элементами.

Статистические характеристики КТП резистивных элементов ИС, получаемые после контроля на АИС партии подложек, являются входной информацией в системе СРТП. Статистическое регулирование ТП проводилось путем анализа контрольных карт, определения вероятных причин разладки и воздействии на параметры технологических операций или оборудование для обеспечения статистических характеристик КТП резисторов в заданных границах.

Недостатки известного способа статистического контроля качества и управления технологическими процессами изготовления ИС с резистивными элементами заключаются в следующем.

1. Способ не позволяет оценивать качество операций, от которых зависит величины контактных сопротивлений и, следовательно, не годится для автоматизации контроля качества и управления основными ТП при раздельном формировании резистивных и проводящих слоев тонкопленочных ИС и других вариантов технологий, при которых нельзя пренебрегать контактными сопротивлениями.

2. Управление величиной удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки путем термической обработки для многих резистивных материалов, например, РС 3710, РС 5406К, TaN, NiCr и др. материалов широко применяемых в тонкопленочных ИС оказывается невозможным.

3. Оценка эффективности управления групповыми ТП изготовления резистивных компонентов ИС по вероятности годности всех резистивных компонентов ИС требует постоянного обновления программных средств после корректировке конструкторской документации или при запуске новой ИС. Однако в брак уходят в основном резисторы с критическими размерами, определяемыми технологическими ограничениями на минимальные длину и ширину резистора.

4. Регулирование технологических процессов по величинам статистических характеристик КТП резисторов не привязано к конструктивному расчету резисторов с учетом производственных погрешностей для обеспечения заданных полей допусков, что снижает эффективность управления.

5.Предлагаемые алгоритмы и программные средства непригодны для современной вычислительной техники и оборудования, применяемого в серийном производстве микроэлектронных изделий.

Поэтому актуальной проблемой при серийном изготовлении микроэлектронных высоконадежных изделий является разработка современных высокоэффективных систем автоматизированного статистического контроля качества и управления ТП изготовления тонкопленочных ИС с резистивными элементами.

Выводы

Анализ современного состояния и достижений в области конструкторско-технологических основ проектирования тонкопленочных ИС с резистивными элементами по данным отечественной и зарубежной литературы позволил выявить комплекс актуальных проблем, решение которых необходимо для разработки и серийного производства современных радиоэлектронных средств.

Существующие конструкторские решения, методы проектирования, технологические методы изготовления, автоматизированные системы контроля качества и технологического обеспечения качества при серийном изготовлении тонкопленочных ИС с резистивными элементами не позволяют полностью решить задачи проектирования и реализации новых оригинальных конструкций ГИС НЧ и СВЧ диапазона c улучшенными электрическими, массогабаритными характеристиками и повышенной надежностью.

Существующие маршруты изготовления пленочных интегральных схем не обеспечивают надежную коррозионную защиту проводникового слоя (меди) от воздействий окружающей среды.

Проблема обеспечения временной и температурной стабильности работы прецизионных тонкопленочных резистивных элементов ИС связана с необходимостью разработки технологии изготовления резистивно-проводящих элементов с малым переходным сопротивлением контактов, способов оперативного определения статистических характеристик контактных сопротивлений при серийном изготовлении для контроля качества контактов и технологии подгонки резисторов.

В литературе отсутствуют в достаточно полной мере сведения, касающиеся влияния технологии и материалов контактов на величину контактных сопротивлений при раздельном формировании резистивных и проводящих пленок. Нет рекомендаций по выбору модели контакта для оценки качества технологических процессов. Существующие способы определения контактных сопротивлений, основанные на измерении сопротивлений и длин резисторов, являются трудоемкими и не всегда применимы. Отсутствуют данные по статистическим характеристикам контактных сопротивлений для различных материалов резистивных слоев, включающие систематическую и случайную составляющие погрешностей и методика их определения. Считается, что случайную погрешность, вносимую контактными сопротивлениями, трудно определить и ее можно не учитывать.

Существующие способы подгонки, как правило, ухудшают стабильность ТПР или требуют длительной температурной обработки и сложного оборудования.

Проблема создания автоматизированных методов проектирования, контроля качества и управления технологическими процессами изготовления элементов интегральных схем связана с отсутствием математических моделей, устанавливающих взаимосвязь производственных погрешностей электрических сопротивлений резисторов с производственными погрешностями их КТП, включая контактные сопротивления.

Поэтому существующие методики конструктивного расчета резистивных элементов ИС и автоматизированные системы контроля качества и управления ТП не обеспечивают заданные поля допусков резисторов с критическими размерами при серийном изготовлении и не позволяют оценивать качество ТП формирования контактных пленочных соединений. Это приводит к низкому проценту выхода годных ИС с резистивными элементами, большой трудоемкости их изготовления и, конечном итоге, к снижению надежности и существенному увеличению их стоимости.

Для конструктивного расчета резисторов и автоматизированных систем контроля качества и управления ТП при учете контактных сопротивлений необходимо иметь экспериментальные данные по систематической и случайной составляющей погрешности переходных сопротивлений контактов. Однако существующие тестовые структуры и математические модели не позволяют определять эти характеристики, а точность определения погрешностей остальных КТП резисторов с помощью существующих моделей недостаточна для практических применений.

Существует комплексная проблема конструкторско-технологической унификации тонкопленочных ИС при обеспечении необходимого уровня надежности и высоких электрических характеристик. Нет рекомендаций по выбору базовой конструкции, маршрутов и технологии серийного изготовления ИС, обеспечивающих высокую коррозионную стойкость многослойных проводников и линий передач, малые потери на СВЧ в линиях передач, низкие переходные сопротивления контактов и высокую стабильность резисторов.

В учебном пособии изложены разработанные автором теоретические и методологические основы конструкторско-технологического проектирования и серийного производства высоконадежных тонкопленочных ГИС НЧ и СВЧ диапазонов с улучшенными эксплуатационными и электрическими характеристиками.

Исследовано влияние технологии изготовления и материалов на величину переходного сопротивления контактов резисторов при раздельном формировании резистивных и проводящих слоев, проведена оптимизация технологии изготовления резистивно-проводящих элементов с малым переходным сопротивлением и для оптимальной технологии получены экспериментальные данные по, величинам удельного переходного сопротивления контактов, для применяемых в тонкопленочных ИС материалов.

Исследовано влияние лазерной подгонки на температурную и временную стабильность резисторов. По результатам исследований разработан и внедрен в производство технологический процесс подгонки, не ухудшающий стабильность резисторов.

На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований разработаны конструкции и технологии серийного изготовления тонкопленочных ИС СВЧ и НЧ диапазонов, обеспечивающие малые потери на СВЧ и высокую надежность при воздействии внешних факторов.

Разработаны тестовая структура, математические модели, методы и алгоритмы для автоматизированного проектирования резистивных элементов и создания систем автоматизированного статистического контроля качества, анализа и управления технологическими процессами при серийном изготовлении тонкопленочных ИС.

Разработаны принципы построения автоматизированных систем статистического контроля качества, анализа и управления групповыми технологическими процессами при серийном изготовлении интегральных схем с резистивными элементами с учетом контактных сопротивлений.

Проведено экспериментальное исследование производственных погрешностей и контактных сопротивлений, возникающих при серийном изготовлении интегральных схем с резистивными элементами с целью получения данных для конструктивного расчета резисторов и систем автоматизированного контроля качеством и управления технологическими процессами.

Разработаны методики конструктивного расчета резистивных элементов с учетом экспериментальных данных по производственным погрешностям при обеспечении необходимого уровня надежности.

Литература

1. Бахарев С.И. и др. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / С.И. Бахарев, В.И. Вольман, Ю.М. Либ и др.; Под ред. В.И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1982. 382 с.

2. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных интегральных схем СВЧ: Учебное пособие. М.: Высш. школа, 1980. 285 с.

3. Власов В.Е., Захаров В.П., Коробов А.И. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры // Под ред. А. И. Коробова. М.: Радио и связь, 1987. 157с.

4. Конструирование и расчет контактов в интегральных схемах: Учебное пособие / Ю.П. Ермолаев, О.Г. Эльстинг, Ф.Г. Каримова, Г.П. Анфимов. Казань, 1967. 46 с.

5. Глудкин О.П., Гуров А.И. и [др.] Управление качеством электронных средств. М.: Высшая школа, 1994. 414 с.

6. Коледов Л.А., Волков В.А. и др. Конструирование и технология микросхем / Под ред. Л.А. Коледова. М.: Высшая школа, 1984. 232 с.

7. Крючатов. В И. Конструкторско-технологические основы создания пассивной части высоконадежных микрополосковых СВЧ-устройств дециметрового диапазона с повышенным уровнем мощности // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. КГТУ им. А. Н. Туполева, Казань, 2011. С 316.

8. Коледов Л.А., Ильина Л.М. Микроэлектроника. Гибридные интегральные схемы. М.: Высшая школа, 1984.

9. Лугин А.Н. Конструкторско-технологические основы проектирования тонкопленочных прецизионных резисторов: монография. Пенза: Информаци-онно-издательский центр Пенз. ГУ, 2008. 288 с.

10. Спирин В.Г. Проектирование и технология тонкопленочных микросборок с топологическими размерами 10-50 мкм: Монография. Арзамас: АГПИ, 2005. 146 с.

11. Неганов В.А., Яровой Г.П. Теория и применение устройств СВЧ // Под ред. Неганова В. А. М.: Радио и связь, 2006.

Размещено на Allbest.ru