автореферат  Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами

Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

                                   
  ###   #####  #####  #####   ###  
 #   #      #  #          #  #   # 
 #   #     #   # ##      #   #  ## 
  ###     ##   ##  #    ##    ## # 
 #   #      #      #      #      # 
 #   #  #   #  #   #  #   #     #  
  ###    ###    ###    ###    ##   
                                   
                                   

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид автореферат
Язык украинский
Дата добавления 26.07.2014
Размер файла 53,7 K

Подобные документы

  • Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014

  • Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014

  • Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014

  • Вимоги до технології 4G. Місце LTE у світі. Зростання абонентських пристроїв з підтримкою LTE. Отримання ліцензій про користуванням радіочастотним ресурсом України для впровадження технології 3G IMT-2000 (UMTS). Мінімальна швидкість передачі даних.

    презентация [1,0 M], добавлен 06.11.2016

  • Розрахнок підсилювача імпульсних сигналів на транзисторах. Вибрані транзистори і прийнята схема забезпечують отримання заданих параметрів без застосування високочастотної корекції. Кількість підсилювальних каскадів є оптимальною з технічних міркувань.

    реферат [666,1 K], добавлен 18.01.2011

  • Характеристика структур систем мікропроцесорної централізації, їх порівняний аналіз. Розробка структурної схеми та оцінка її функціональних можливостей, сфери використання. Розробка схем включення обладнання. Розрахунок модулів введення-виведення.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 17.03.2015

  • Принцип функціонування пристрою охоронної сигналізації з дистанційним радіозв'язком. Розробка оптимальної конструкції. Площа та габарити друкованої плати, технологія її виготовлення. Вибір матеріалу та класу точності. Тепловий розрахунок пристрою.

    курсовая работа [897,8 K], добавлен 28.12.2014

  • Аналіз найактуальніших методів виготовлення датчиків магнітного поля на основі тонких плівок, їх переваг і недоліків. Характеристика фізичних принципів і ефектів на яких працюють чутливі елементи та ролі у цьому матеріалу з якого вони виготовляються.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 17.05.2012

  • Вибір, обґрунтування методів автоматичного контролю технологічних параметрів. Розробка структурних схем ІВК, вибір комплексу технічних засобів. Призначення, мета і функції автоматичної системи контролю технологічних параметрів, опис функціональної схеми.

    курсовая работа [32,7 K], добавлен 08.10.2012

  • Термін "кераміка", її види, значення та особливості Індію. Види кераміки за хімічними ознаками: оксидна та безкиснева; за функціональним призначенням: декоративна і технічна. Одержання оксидної кераміки; методика дослідження оксидно-індієвої кераміки.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.12.2009

  • Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.

    курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010

  • Коротка характеристика кінцевих пунктів, вибір траси. Розрахунок параметрів оптичного волокна відповідно до матеріалу для його виготовлення. Розміщення регенераційних пунктів. Розрахунок заземлення, надійності проектованої лінії. Засади охорони праці.

    курсовая работа [979,9 K], добавлен 14.09.2012

  • Аналіз функціонування ЗЕМ на базі інформаційних технологій схемотехнічного проектування. Проектування конструкторської реалізації ЗЕМ у формі ГІС. Проектування плівкових пасивних елементів і конструкції. Визначення параметрів паразитних елементів.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 19.10.2010

  • Техніка конструювання і застосування датчиків. Структурна побудова автоматизованого пристрою. Розрахунок та визначення основних технічних параметрів схеми перетворювача індуктивність-напруга. Можливі області застосування індуктивних перетворювачів.

    курсовая работа [674,5 K], добавлен 07.02.2010

  • Мікроелектроніка як новий напрям електроніки, її основне питання. Планарна технологія виготовлення транзисторів, послідовність технологічних операцій. Інтегральна мікросхема (ІМС) як цілісний завершений радіоелектронний пристрій, плівкова технологія.

    реферат [104,3 K], добавлен 03.05.2009

  • Проведення аналізу особливостей функціонування багатоконтурних систем з ЗВЗ. Розробка методики вибору параметрів завадостійких кодів в кожному контурі. Обґрунтування кількості контурів в системах передачі даних. Аналіз числових параметрів ефективності.

    дипломная работа [3,2 M], добавлен 19.09.2011

  • Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.

    методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010

  • Особливості конструювання і виготовлення екранів з волокнистих матеріалів, висока технологічність таких виробів. Отримання комплексної нитки введенням мікродроту. Залежність амплітудно-частотної характеристики ефективності екранів від будови полотна.

    реферат [1,2 M], добавлен 10.12.2014

  • Ефективність електронної апаратури, процеси перетворення енергії в приладах електроніки та застосування інтегральних мікросхем. Розрахунок та визначення технічних параметрів схеми генератора трикутних напруг, сфера його застосування та принцип роботи.

    курсовая работа [414,4 K], добавлен 03.12.2009

  • Технологія виготовлення порошкових, плівкових та органічних електролюмінісцентних індикаторів. Дослідження конструкції і оптичних параметрів ЕЛ-дисплеїв, аналіз результатів випробувань і потенційних застосувань. Полімерні електролюмінісцентні панелі.

    курсовая работа [679,1 K], добавлен 09.05.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.