Вплив атомних і структурних дефектів на електронні процеси в епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю

Размещено на http://www.allbest.ru

Размещено на http://www.allbest.ru

Вступ

Актуальність теми. Телуриди олова і свинцю є базовими матеріалами у термоелектриці, а також при створенні приладових структур, що функціонують в інфрачервоній області оптичного спектру. Особливу увагу при цьому привертає суттєва відмінність їх фізико-хімічних властивостей, що і визначає широкий спектр практичного використання.

Телурид олова характеризується значною областю гомогенності (~ 1 ат. %), яка повністю зміщена на боці телуру. Це і обумовлює велику концентрацію носіїв заряду (~ 1021 см-3) і тільки р-тип провідності матеріалу. Тому і p-SnTe є незамінним при створенні позитивної вітки термогенераторів.

Телурид свинцю, як гомогенна фаза, існує як із надлишком металу відносно стехіометричного складу, так і надлишком халькогену. Максимальна протяжність області гомогенності відмічена при 1048 К від 49,994 до 50,013 % атомного вмісту телуру. PbTe може бути як електронної так і діркової провідності. Велике значення рухливості носіїв у n-PbTe і значна термо-е.-р.-с., а також сприятливе відношення рухливості носіїв до граткової теплопровідності визначають високу термоелектричну добротність матеріалу.

Для потреб опто- і мікроелектроніки важливим є реалізація всього комплексу властивостей у тонкоплівковому варіанті. Зауважимо, що високі значення оптичного коефіцієнта поглинання (103-104 см-1) та статичної діелектричної проникності (декілька сотень) дають можливість використовувати тонкі плівки сполук AIVBVI для створення багатоелементних матриць. При цьому основними факторами, що визначають робочі характеристики приладових структур, є стан атомної дефектної кристалічної структури матеріалу.

Не дивлячись на достатньо великі за обсягом і широкі за змістом публікації, до цього часу ще недостатньо вивчені і тим більше несистематизовані результати комплексного впливу як власних атомних дефектів, так і дефектів кристалічної структури на електронні процеси у епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю. Це у значній мірі здержує перспективу отримання конденсату із наперед заданими властивостями, необхідними для практичних потреб.

Об'єктами дослідження дисертаційної роботи є епітаксійні плівки телуридів олова і свинцю, вирощені у вакуумі із парової фази методом гарячої стінки на свіжих сколах (111) монокристалів BaF2.

Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконувалася у рамках програми Міністерства освіти і науки України "Дефектоутворення у тонких плівках халькогенідів свинцю і олова" (проект 4.3/424) та тематичного плану "Вплив зовнішніх факторів на електронні процеси у тонких напівпровідникових плівках халькогенідів свинцю і олова " (додаток №2 до наказу №330 від 13.12.1996 року).

Робота координувалася науковими радами з фізики напівпровідників Інституту фізики напівпровідників та фізики тонких плівок Інституту фізики НАН України.

Мета і задачі дослідження. Метою роботи є встановлення закономірностей впливу дефектної підсистеми (атомної і кристалічної структури) на електронні процеси в епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю під час вирощування, термічного відпалу та радіаційного опромінення.

У роботі були поставлені такі задачі:

реалізувати спосіб вирощування з парової фази методом гарячої стінки епітаксійних плівок SnTe i PbTe / (111) BaF2;

провести детальні дослідження параметрів кристалічної структури епітаксійних плівок телуридів олова і свинцю при їх вирощуванні та наступних термічній та радіаційній обробках;

встановити вплив технологічних факторів (вирощування, термічного відпалу у вакуумі і на повітрі, опромінення альфа-частинками) на електричні властивості плівок р-SnTe, n- i p-PbTe;

проаналізувати на основі запропонованих кристалохімічних підходів до атомної дефектної підсистеми у сполуках AIVBVI електронні процеси в епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю.

Наукова новизна одержаних результатів.

1. Залежності концентрації носіїв струму від технологічних факторів вирощування у методі гарячої стінки та дози опромінення альфа-частинками в епітаксійних плівках телуриду олова пояснено переважанням двозарядних вакансій олова - у першому випадку і утворення пар Френкеля з вакансіями металу і халькогену акцепторного типу - у другому.

2. Показано, що плівки телуриду свинцю, вирощені із парової фази характеризуються однозарядними міжвузловими атомами свинцю і двозарядними вакансіями свинцю . Радіаційне опромінення плівок у n- i p-PbTe генерує дефекти як у катіонній , так і аніонній підгратках з переважаючою донорною дією.

3. Встановлено, що закономірності у зміні параметрів реальної (дефектної) кристалічної структури епітаксійних плівок SnTe і PbTe при термічній обробці у вакуумі і на повітрі пов'язані із кінетикою рекристалізаційних і окислювальних процесів.

4. Радіаційне опромінення альфа-частинками епітаксійних плівок SnTe і PbTe обумовлює релаксацією нерівноважних структурних станів, розпад і гомогенізацію крупномасштабних дефектів на границях зерен, а також накопичення радіаційних дефектів, що є причиною виникнення мікронапруг, росту мозаїчності, густини дислокацій (при великих дозах опромінення 21011-1313 см-2).

Практична цінність результатів

Оптимізовані технологічні умови, що забезпечують вирощування матеріалу із максимальними значеннями термоелектричних параметрів (захищено патентом України).

Визначені технологічні умови радіаційної обробки тонкоплівкового матеріалу потоком альфа-частинок від радіонуклеїдного джерела Pu238 із енергією ~ 5 МеВ і інтенсивністю 5107 см-2с-1 з метою напрямленої зміни їх структурних і електричних характеристик.

Запропоновані шляхи модифікації структури і електричних параметрів епітаксійних плівок телуридів олова і свинцю шляхом термічних обробок у вакуумі і на повітрі.

Монографія "Кристалохімія і термодинаміка атомних дефектів у сполуках AIVBVI" використовується при читанні спецкурсів з фізичного матеріалознавства у Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника, Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича, Національному університеті "Львівська політехніка".

1. Фізико-хімічні властивості і дефектна підсистема у кристалах і плівках телуридів олова і свинцю

Проведено огляд і аналіз літературних джерел з питань особливостей фазових діаграм рівноваги бінарних систем Sn-Te та Pb-Te, а також областей гомогенності та відхилень від стехіометричного складу сполук SnTe i PbTe відповідно.

Для тонких плівок проблема природи власних атомних дефектів та їх впливу на електронні процеси залишається у значній мірі відкритою і потребує систематичних досліджень. Не до кінця вияснено також взаємозв'язок між нерівноважностями кристалічної структури тонкоплівкового матеріалу та іншими, наприклад, електричними властивостями.

Перший розділ дисертації завершується висновками з аналітичного огляду, метою та завданнями дослідження.

2. Спосіб вирощування тонких плівок телуридів олова і свинцю та методики дослідження їх властивостей

Обґрунтовано доцільність використання технології вирощування плівок SnTe i PbTe у вакуумі із парової фази методом гарячої стінки. Описана технологічна оснастка і режими вирощування: температура випаровування ТВ=720-950 К, температура осадження (підкладок) ТП=400-700 К, температура стінок камери (на 30-50 К вища від температури випаровування) ТС=750-1000 К, парціальний тиск халькогену =10-4-10-1 Па. В якості підкладок використовували свіжі сколи (111) кристалів BaF2. Швидкість росту плівок складала ~ 3 нм·с-1, а їх товщина ~ 2-10 мкм.

Опромінювання зразків альфа-частинками з енергією ~ 5 МеВ здійснювали у вакуумі від джерел Pu238 інтенсивністю 2107 см-2с-1. Термічний відпал плівок проводили як у вакуумі, так і у атмосфері кисню.

Електричні вимірювання проводили компенсаційним методом з точністю 10-8 В у постійних магнітних (В=2 Тл) і електричних полях.

Хімічний склад визначали методом електронної оже-спектроскопії (ЕОС): енергія електронного пучка - 5 МеВ; струм через зразок - 510-2-10-8 А; амплітуда модуляції - 5 В; діаметр пучка електронів - 0,2 мкм. Дослідження валентного стану та ступені окислення олова проводили методом ядерного гамма-резонансу (ЯГР) на спектрометрі електродинамічного типу у режимі постійного прискорення. Експериментальні ЯГР-спектри оброблялися на ЕОМ.

Постійну гратки епітаксійних плівок визначали модифікованим методом Бонда з точністю а=10-3 Е.

Субструктурні параметри зразків (розміри областей когерентного розсіювання (ОКР), L1 i L2 у напрямку дифракційного вектора і нормально до нього відповідно, неоднорідність міжплощинних відстаней - мікродеформації =d/d, кутові розорієнтації ) визначали аналізом дифракційного розширення кривих рентгенівських відбивань (111) і (222) SnTe, PbTe, одержаних на двокристальному спектрометрі за схемою (n, -n) при -2 і - скануванні, а також рентгенотопографічно - метод двокристальної мікрорентгенотопографії із скануванням, відбивання (222) SnTe, PbTe.

3. Атомні дефекти, кристалічна структура і електричні властивості тонких плівок телуриду олова

Викладені результати експериментального дослідження особливостей структурних змін у плівках в залежності від технологічних умов їх вирощування у методі гарячої стінки.

Показано, що кристалічна структура епітаксійних плівок телуриду олова на сколах (111) кристалів BaF2 характеризується субструктурними елементами трьох порядків величини: області когерентного розсіювання (L=10-2-10-1 мкм), блоками третього порядку величини (l=10-102 мкм) і кристалітами першого порядку величини (b>103 мкм). Якщо величина кристалітів у плівках підтверджує наслідування блочної структури підкладки, то існування дисперсних субструктурних елементів є результатом конденсаційних і післяконденсаційних процесів. Показано, що підвищення температури підкладок - свіжі сколи (111) BaF2 - у межах ТП=450-620 К приводить до зростання параметра гратки і зменшення концентрації дірок. Такі зміни відбуваються за рахунок десорбції атомів телуру і зміщення області гомогенності SnTe на бік металу. Ріст температури випаровування ТВ=620-920 К, як і тиску телуру =10-6-10-2 Па обумовлюють зменшення параметра гратки і зростання концентрації дірок епітаксійних плівок SnTe за рахунок збагачення конденсованої фази телуром. Підвищення температури підкладок (свіжі сколи монокристалів (111) BaF2) веде до покращення параметрів реальної структури епітаксійних плівок телуриду олова: зменшення мозаїчності, зниження рівня неоднорідної мікродеформації і росту областей когерентного розсіювання.

Подані експериментальні результати залежності основних електричних параметрів епітаксійних плівок SnTe від технологічних факторів їх вирощування. Встановлено, що за всіх умов осадження плівки характеризуються дірковою провідністю. При цьому, якщо підвищення температури підкладок ТП обумовлює зменшення концентрації дірок, то підвищення температури випаровування - до її зростання. Отримані результати пояснені кристалохімічною моделлю дефектного стану конденсату (табл. 1). Оскільки парціальний тиск олова, за вибраних умов осадження незначний (10-10 Па) то на формування атомного дефектного стану плівок впливатиме телур, який присутній у парі разом із молекулами SnTe і димерами Sn2Te2. При цьому переважаючими атомними дефектами є двозарядні вакансії олова , концентрація яких із підвищенням ТП зменшується. Збільшення парціального тиску пари телуру у зоні конденсації, як і підвищення температури випаровування приводять до зростання і концентрації дірок відповідно.

Таблиця 1. Кристалохімічні реакції утворення рівноважних атомних дефектів у тонких плівках SnTe при вирощуванні з парової фази

Результати теоретичних розрахунків добре узгоджуються з даними експериментальних досліджень.

Третій і шостий підрозділи присвячені дослідженню впливу термічних відпалів у вакуумі і на повітрі на параметри реальної структури, фазовий і хімічний склади епітаксійних плівок SnTe. Встановлено, що термовідпал плівок у вакуумі при 710 К на протязі 1 год. веде до зростання параметра гратки а, зменшення величини неоднорідної мікродеформації і зростання областей когерентного розсіювання у площині плівок L2. Подальша витримка цих зразків на повітрі (Т=300 К) веде до деякого зменшення а, а параметри і L2 при цьому продовжують покращуватися. Отримані результати пояснено процесами взаємодії SnTe з киснем і сублімацією телуру. При відпалі плівок у вакуумі переважає ревипаровування телуру і адсорбованого кисню, а витримка їх на повітрі - сприяє розчиненню кисню у гратці.

Температури відпалу ТВ<750 К обумовлюють процеси первинної рекристалізації, які приводять до покращення параметрів реальної структури конденсату. При температурах ТВ=800-850 К інтенсивно конкурують процеси рекристалізації і утворення оксидних фаз. Останнє сприяє погіршенню структурної досконалості основної матриці.

Методами оже-електронної спектроскопії показано, що при експонуванні і відпалі плівок SnTe на повітрі має місце швидке окислення металу при відносній інертності телуру.

Олово вже на початкових етапах відпалу ефективно окислюється, утворюючи на поверхні стабільний оксид, який перешкоджає подальшому протіканню процесу.

Методами ядерного гама-резонансу встановлено наявність крім двовалентного олова - Sn ІІ, характерного для SnTe ще і чотиривалентного олова - Sn IV, який відповідає його оксидам SnО2, SnTe3O8.

Досліджено кінетику утворення оксидних форм олова від температури ізотермічного та часу ізохронного відпалів для плівок SnTe різної товщини.

Для нескомпенсованого зразка р-типу з початковою концентрацією дірок р0 ([VSn2-]0=р0/2, [Sni+]0=0, [VTe2-]0=0, [Tei0]0=0) із врахуванням процесів генерації і рекомбінації френкелівських пар і зміни у часі концентрації вакансій олова [VSn2-] описується диференційним рівнянням:

d[VSn2-] /dt= G - DSn[VSn2-] [Sni+],

де G - коефіцієнт генерації власних дефектів, - густина потоку альфа-частинок, - коефіцієнт рекомбінації і DSn - коефіцієнт дифузії олова. Для концентрації міжвузлових атомів олова [Sni+] маємо:

[Sni+] = [VSn2-]-[VSn2-]0.

Аналогічні співвідношення будуть для концентрації вакансій телуру [VTe2-] і для концентрації міжвузлових атомів телуру [Tei0].

Зміна концентрації носіїв заряду виражається через зміну концентрації дефектів із врахуванням їх зарядового стану так:

p = 2[VSn2- ]+2[VTe2- ]-1[Sni+ ]+0[Tei0 ].

Одержані експериментальні результати дозових залежностей параметрів субструктури епітаксійних плівок телуриду олова пояснюються конкуруючим впливом при опроміненні процесів релаксації нерівноважностей і накопиченням радіаційних дефектів. Відпал радіаційноопромінених плівок приводить до часткового відновлення параметрів субструктури.

4. Кристалічна структура, атомні дефекти і електронні властивості телуриду свинцю

На основі проведених комплексних досліджень епітаксійних плівок телуриду свинцю вирощених із парової фази методом гарячої стінки на свіжих сколах кристалів (111) BaF2 показано, що початкове підвищення температури підкладок ТП=420-570 К обумовлює зменшення мозаїчності і величини неоднорідної мікродеформації і росту ОКР. Наступне підвищення ТП=570-620 К веде до погіршення параметрів субструктури, що пов'язане як із інтенсифікацією процесів десорбції, так із зростанням впливу невідповідностей коефіцієнтів лінійного розширення матеріалів конденсату і підкладки. Значенням температури ТП*, при якій осаджуються структурно досконалі плівки, відповідають максимальні рухливості носіїв заряду (3,4·104 см2В-1с-1 при 77 К). Для температур підкладок ТП=420-620 К концентрація носіїв заряду (електронів) в епітаксійних плівках PbTe (ТВ=820 К, ТС=850 К) залишається сталою до тих пір, поки значення парціального тиску пари телуру у зоні конденсації не стане достатнім для компенсації надлишку металу. Малі тиски пари сприяють формуванню тонкоплівкового матеріалу n-типу провідності. Підвищення температури осадження приводить до зменшення концентрації електронів, а збільшення - до зменшення концентрації електронів, конверсії провідності з n- на р-тип і дальшого зростання концентрації дірок. Зауважимо, що підвищення температури випаровування ТВ зумовлює зростання значення парціального тиску пари телуру (n-р), при якому відбувається n-р-перехід. Залежність логарифма тиску пари телуру (n-р) від температури випаровування ТВ, визначена на основі кривих (рис. 4), описується співвідношенням:

Па]=A-B/TB,

де А=11,4; В=11400 К.

На основі кристалохімічного підходу і відомих констант рівноваги, одержано аналітичні вирази для залежності концентрації носіїв заряду в епітаксійних плівках PbTe від температури осадження, випарника і додаткового тиску пари телуру. Змодельовано різні зарядові стани вакансій і міжвузлових атомів у підгратці металу. Кількісний збіг експериментальних результатів із розрахунковими спостерігається тільки для випадку двократноіонізованих вакансій свинцю і однократнозаряджених міжвузлових атомів свинцю .

Залежності концентрації носіїв заряду у епітаксійних плівках PbTe і вихід їх на насичення від потоку альфа-частинок пояснено конкуруючим впливом двох процесів: генерація пар Френкеля в обох підгратках; теплова рекомбінація дефектів, яка визначається їх дифузією. Загальними закономірностями зміни параметрів субструктури епітаксійних плівок телуриду свинцю при опроміненні альфа частинками є: зменшення ОКР L1 i L2; ріст і .. Ці результати пояснено процесами дефектоутворення. Відпал плівок на повітрі веде до розпаду і часткової анігіляції точкових дефектів, що і обумовлює зменшення напруг кристалічної гратки: росту ОКР L1, мікротвердості Н і пониженню величини . Зменшення ж періоду гратки а, ОКР L2 і ріст від часу витримки на повітрі пов'язані із взаємодією атмосферного кисню з матеріалом плівки.

Досліджено зміну субструктури епітаксійних плівок PbTe при ізотермічному відпалі в інтервалі температур ТП=300-900 К на протязі 30 год. у вакуумі і на повітрі. Встановлено, що характер структурних змін у плівках залежить не тільки від температури і часу відпалу, але і від роду підкладок. При цьому, якщо на підкладках слюди відбуваються процеси рекристалізації, то на підкладках фтористого барію - процеси полігонізації, пов'язані із перерозподілом дислокацій, утворенням і переміщенням кутових границь, відповідальних за ріст областей когерентного розсіювання.

Методами електронної оже-спектроскопії досліджено хімічний склад і процеси окислення плівок PbTe при ізохронному відпалі на повітрі. Показано, що має місце насичення поверхні плівок киснем, кількість якого зростає із підвищенням температури відпалу. Запропонований механізм окислювальних процесів на поверхні плівок.

Висновки

Здійснене у роботі комплексне дослідження дефектів атомної і кристалічної структури та електронних процесів в епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю при їх вирощуванні, наступних радіаційній та термічній обробках дозволило встановити такі нові факти, закономірності та пояснити процеси:

Переважаючими атомними дефектами в епітаксійних плівках телуриду олова і свинцю при їх вирощуванні із парової фази є двозарядні вакансії олова акцепторного типу . Підвищення температури осадження ТП=400-700 К веде до спадання, а температур випаровування ТВ=720-950 К та парціального тиску пари телуру =10-6-10-1 Па - до зростання концентрації носіїв струму, що пов'язане із заліковуванням вакансій у першому випадку і ініціюванням процесів дефектоутворення у підгратці металу в другому випадку.

В епітаксійних плівках телуриду свинцю, вирощених із парової фази, утворюються як однозарядні міжвузлові атоми свинцю , так і двозарядні вакансії свинцю . При цьому підвищення температури осадження ТП=420-680 К, як і парціального тиску халькогену =10-4-10-1 Па обумовлюють початкове зменшення електронів, конверсію типу провідності із n- на р-тип і подальше зростання концентрації дірок, що пов'язане із переважанням концентрації заряджених вакансій свинцю . Підвищення температури випаровування ТВ призводить до росту ТП(n-p) i (n-p), які відповідають реалізації n-р-переходу у плівках PbTe, пов'язані із зростанням концентрації міжвузлових атомів свинцю .

Кристалічна структура епітаксійних плівок телуридів олова і свинцю на сколах (111) кристалів BaF2 характеризується субструктурними елементами трьох порядків величини: області когерентного розсіювання (L=10-2-10-1 мкм), зернами третього порядку величини (l=10-102 мкм) і кристалітами першого порядку величини (b>103 мкм). Якщо величина кристалітів у плівках підтверджує наслідування блочної структури підкладки, то існування дисперсних субструктурних елементів є результатом конденсаційних і післяконденсаційних процесів. При цьому підвищення температури осадження ТП=400-600 К обумовлює покращення параметрів кристалічної структури (зростання розмірів кристалів, зменшення мозаїчності), що є причиною збільшення рухливості носіїв струму.

Дозові залежності концентрації носіїв струму в епітаксійних плівках p-SnTe при опроміненні їх альфа-частинками пояснено на основі утворення пар Френкеля як у катіонній, так і в аніонній підгратках і із переважаючою акцепторною дією. Останнє обумовлює деяке зростання концентрації дірок при збільшенні дози опромінення. На основі співставлення експериментальних і розрахункових дозових залежностей концентрації носіїв струму визначено коефіцієнти генерації та дифузії точкових дефектів та розміри областей їх рекомбінації.

Радіаційне опромінення плівок телуриду свинцю обумовлює утворення заряджених френкелівських пар і з переважаючою донорною дією, що є причиною зростання концентрації електронів у плівках n-типу і зменшення концентрації дірок у плівках р-PbTe.

Опромінення епітаксійних плівок телуридів олова і свинцю альфа-частинками енергією ~ 5 МеВ приводить на початкових етапах до релаксації нерівноважних структурних станів, розпаду і гомогенізації крупномасштабних дефектів на границях зерен з наступним накопиченням радіаційних дефектів, що обумовлюють зростання мікронапруг, мозаїчності, густини дислокацій та їх генерування границями зерен.

Термічний відпал епітаксійних плівок телуридів олова і свинцю у вакуумі і в атмосфері повітря обумовлює складні внутріфазові і міжфазні процеси: рекристалізація; окислення, взаємодія основної матриці із оксидами. Встановлено, що відпал плівок SnTe у вакуумі приводить до зростання, а у кисні - до зменшення параметра гратки, що пов'язано із десорбцією телуру у першому випадку і адсорбцією кисню - у другому.

Встановлено, що ізотермічний відпал у атмосфері кисню при Т0=300-600 К веде до утворення на поверхні інверсного (для плівок n-PbTe) або збагаченого (для плівок p-PbTe, p-SnTe) приповерхневого шару.

Методами електронної оже-спектроскопії, рентгенівського фазового аналізу, ядерного гама-резонансу, металографії досліджено процеси взаємодії кисню з плівками телуриду олова. Встановлено, що при ізохронному відпалі до 670 К вже на початкових етапах олово ефективно окислюється, утворюючи на поверхні стабільні оксиди, які перешкоджають подальшому протіканню процесу. Продуктом окислення SnTe при високих температурах відпалу (Т0>850 K) є оксид олова SnO2 (перехід олова із двовалентного у чотиривалентне Sn IISn IV).

кристалічний телурид термічний епітаксійний

Література

Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, М.О. Галущак, М.В. Пиц, Г.Д. Матеїк. Кристалохімія і термодинаміка атомних дефектів у сполуках AIVBVI. Івано-Франківськ. "Плай": 1999. -163с

Д.М. Фреїк, О.В. Козич, М.В. Пиц, М.В. Калинюк, Н.І. Павлечко. Нестехіометричність та n-p-перехід у тонких плівках телуриду свинцю // Вісник Прикарпатського університету. Математика. Фізика. Хімія. - 1999. -В.2. -С. 50-66.

B.K. Ostafiychuk, Ya.P. Saliy, V.M. Chobanuk, G.D. Mateik, M.V. Pyts. Radiation-induced point defect in epitaxial layers of SnTe // Physics and Chemistry of Solid State. 2000. -V.1., №1. -P. 71-76.

Д.М. Фреик, В.В. Прокопив, Б.М. Рувинский, О.В. Козыч, М.В. Пиц. Влияние условий выращивания на дефектную подсистему в пленках теллурида свинца // Фотоэлектроника. 2000. -Вып. 9. -С. 40-42.

M.O. Galushchak, D.M. Freik, I.M. Ivanyshyn, A.V. Lisak, M.V. Pyts. Thermoelectric properties and defective subsystem in doped telluride of tin // Journal of Thermoelectricity. -2000. -№1. -P. 42-50.

D.M. Freik, M.O. Galushchak, I.M. Ivanyshyn, V.M. Shperun, R.I. Zapukhlyak, M.V. Pyts. Thermoelectric properties of solid solutions based on tin telluride // Semiconductor Physics. Quantum Electronics. Optoelectronics. 2000. -V.3, №3. -Р. 287-290.

Размещено на Allbest.ru