Структура и спектрально-люминесцентные свойства силикатов редких земель со структурой апатита

Размещено на http://www.allbest.ru/

http://ej.kubagro.ru/2012/04/pdf/59.pdf

Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия

Структура и спектрально-люминесцентные свойства силикатов редких земель со структурой апатита

Исаев Владислав Андреевич

д. физ.-мат. н., профессор

Копытов Геннадий Филиппович

д. физ.-мат. н., профессор

ЛебедевАндрей Валерьевич

инженер

Плаутский Павел Геннадьевич

инженер

К числу нерешенных проблем оптического материаловедения следует отнести отсутствие до настоящего времени твердотельных 1,5 мкм лазеров на основе кристаллических сред, активированных ионами эрбия. Эффективные лазеры созданы лишь на базе содержащих эрбий неорганических стекол. Отмеченная проблема связана с особенностью структуры энергетических уровней иона эрбия. За 1,5 мкм генерацию ответственен переход ⁴I_13/2 > ⁴I_15/2, для реализации эффективной генерации на указанном переходе необходимо быстрое заселение верхнего лазерного уровня ⁴I_13/2. Эффективная же накачка ионов эрбия возможна лишь на уровень ⁴I_11/2, расположенный непосредственно над верхним лазерным уровнем. В стеклообразных матрицах быстрая доставка возбуждения на ⁴I_13/2 осуществляется за счет эффективной многофононной релаксации. При этом в стеклах оптимального состава высокая скорость внутрицентрового тушения уровня ⁴I_11/2 с заселением ⁴I_13/2 сочетается с высоким квантовым выходом люминесценции с верхнего лазерного уровня ⁴I_13/2. Этого не удается добиться для кристаллических сред. Например, в широко распространенных кристаллах алюмоиттриевого граната время жизни уровня ⁴I_11/2 слишком велико (составляет 1мс), в кристаллических боратах с протяженным фононным спектром высокая скорость термализации наблюдается как для уровня ⁴I_11/2, так и для уровня ⁴I_13/2. Нами предпринята попытка уменьшить время жизни уровня ⁴I_11/2 (следовательно, увеличить скорость доставки возбуждения на верхний лазерный уровень) и при этом сохранить радиационное время жизни ⁴I_13/2 за счет введения дополнительных примесей, избирательно тушащих предлазерный уровень. Достижение оптимальных скоростей заполнения и опустошения уровней энергии эрбия предполагает отыскание матриц, обеспечивающих определенные сочетания скоростей внутрицентровых излучательных и безызлучательных переходов. Объектом нашего внимания явились кристаллические силикаты со структурой апатита. Данные матрицы, во-первых, характеризуются фононным спектром, занимающим промежуточное положение между кристаллическими алюминатами и боратами, во-вторых, являются изоморфноемкими для редкоземельных активаторов.

Монокристаллы CaGd_{4_x_y_z}Yb_xEr_yCe_z(SiO₄)₃O (Yb³⁺,Er³⁺,Ce³⁺:CGS) для исследований спектрально-люминесцентных свойств соответствующих составов были выращены методом Чохральскогоиз иридиевых тиглей. В качестве исходных компонент были использованы химические реактивы высоких квалификаций [1-3].

Температура плавления кристаллов CGS в зависимости от наличия активаторов составляла 1900-1950 ^оС. Для стабилизации трёхвалентного состояния ионов церия создавали восстановительную атмосферу. Для этого небольшие элементы спектрального графита помещали в горячую зону ростовой камеры, заполненной аргоном. Размеры полученных монокристаллических слитков составляли 10-15 мм в диаметре и до 52 мм в длину. Измерения и эксперименты проводили на монокристаллах CaGd_{4_x_y_z}Yb_xEr_yCe_z(SiO₄)₃O соответствующих составов.

Кристаллы были без внутренних включений, хорошего оптического качества. Из слитков вырезались пластины площадью 57 мм² и толщиной от 0.3 мм, для люминесцентных исследований, до 3-5 мм - для исследований спектров поглощения. Ось “с” лежала в плоскости пластины, ориентировка производилась по известной методике [4], с использованием гелий-неонового лазера в качестве источника света. После оптических исследований некоторые кристаллы подвергались рентгеноструктурному анализу.

Коэффициенты вхождения для ионов Yb³⁺, Er³⁺ и Ce³⁺ в CGS определялись путем изучения зависимости коэффициента поглощения в соответствующем диапазоне длин волн от длины закристаллизованной массы вдоль кристаллического слитка [5]. Коэффициенты вхождения ионов Yb³⁺, Er³⁺ и Ce³⁺ в кристалл CGS оказались близки и составили 0.55-0.65.

Плотность кристаллов определялась методом гидростатического взвешивания. Для кристалла Yb_0.3:CGS плотность составила 6.18 г/см³, а концентрация активатора - 3.910²¹ см^-3, которая определялась при помощи выражения N = 0.6 ^. µ ^. 3.910²¹, где µ _ стехиометрический коэффициент активатора, 0.6 - среднее значение коэффициента вхождения.

Исследования [6-9] показали, что кинетики люминесценции уровня ⁴I_11/2 Er³⁺ в кристаллах Er, Ce: CGS представляют собой кривые с разгоранием (рисунок 1). Возбуждение люминесценции кристаллов осуществляется через уровень ⁴S_3/2 (рисунок 2), поэтому разгорание люминесценции ⁴I_11/2 объясняется тем, что после заселения уровня ⁴S_3/2, энергия возбуждения попадает на уровень ⁴I_11/2 со скоростью распада вышележащих уровней: ⁴S_3/2, ⁴F_9/2 и ⁴I_9/2. Как показывают измерения, время жизни уровня ⁴S_3/2 в Er, Ce: CGS составляет несколько микросекунд, в то время как люминесценция уровней ⁴F_9/2 и ⁴I_9/2 затухает менее чем 0.5 мкс. Исходя из этого следует предположить, что скорость разгорания уровня ⁴I_11/2 практически определяется скоростью распада уровня ⁴S_3/2.

Кривые затухания люминесценции образцов Er_0.05:CGS, Er_0.045Ce_0.4:CGS и Er_0.04Ce_0.8:CGS с уровня ⁴S_3/2 иона Er³⁺представлены на рисунке 3 в логарифмических координатах. Кинетики распада люминесценции образца Er_0.05:CGS имеют вид, близкий к экспоненциальному, а в кристаллах с церием скорость затухания люминесценции увеличивается, и форма кривых отклоняется от экспоненциальной.

Параметры затухания люминесценции уровня ⁴I_13/2 Er³⁺ были получены путем анализа кривых затухания люминесценции кристаллов Er_0.05:CGS, Er_0.045Ce_0.4:CGS и Er_0.04Ce_0.8:CGS (рисунок 4).

Результаты измерений эффективных времен затухания люминесценции уровней⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Er, Ce: CGS приведены в таблице 1.

Рисунок 1. Кривые затухания люминесценции л = 970 нм образцов Er,Ce:CGS (длина волны возбуждения 532 нм)

Рисунок 2. Энергетические уровни ионов Er³⁺ и Ce³⁺ и их взаимодействие в кристаллах CGS

Рисунок 3. Кривые затухания люминесценции л = 550 нм образцов Er, Ce: CGS (длина волны возбуждения 532 нм).

Рисунок 4. Кривые затухания люминесценции л~ 1.5 мкм образцов Er, Ce: CGS (длина волны возбуждения 532 нм)

Таблица 1. Эффективные времена затухания люминесценции уровней ⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Er, Ce: CGS

Результаты, приведенные в таблице 1, показывают, что средние времена жизни уровней ⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 снижаются вследствие безызлучательного взаимодействия Er>Ce; в частности, время жизни предлазерного уровня ⁴I_11/2 снижается с 13.61 мкс в Er_0.05:CGS, до 3.33 мкс в Er_0.045Ce_0.4:CGS и до 0.59 мкс в Er_0.04Ce_0.8:CGS. Таким образом, путем введения церия удается снизить эффективное время жизни уровня ⁴I_11/2 Er³⁺ до величины, близкой ко времени жизни этого уровня в лазерных эрбиевых стеклах. Однако одновременно с тушением предлазерного происходит достаточно эффективное тушение лазерного уровня. Кривые затухания люминесценции становятся неэкспоненциальными, что обусловлено безызлучательными взаимодействиями ионов Er³⁺ с ионами Се³⁺.

Изучение эффективности тушения уровней ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺ показало, что изменение величины отношения квантовых эффективностей тушения уровней ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺ с изменением концентрации ионов Ce³⁺ обусловлено нелинейной зависимостью макропараметров от концентрации церия. Кроме того, квантовая эффективность тушения уровней ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона эрбия в зависимости от концентрации церия в CGS растет неодинаково (рисунок 5). Поэтому можно сделать вывод о том, что существует область концентраций, в которой соотношение квантовых эффективностей тушения _13/2/_11/2 будет оптимальным для эффективной работы полуторамикронного лазера.

Рисунок 5. Диаграмма зависимости квантовой эффективности тушения Er³⁺ уровней ⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2от концентрации ионов церия

Задача получения эффективной генерации в Yb,Er,Ce:CGS состоит в оптимизации состава лазерной среды, поскольку с ростом концентрации Ce³⁺, с одной стороны, растёт скорость заселения лазерного уровня (⁴I_13/2) за счет тушения предлазерного уровня (⁴I_11/2), а с другой стороны, уменьшается эффективное время жизни и, соответственно, населённость лазерного уровня.

Люминесцентное время жизниYb³⁺ в CGS уменьшается с ростом концентрации примесных ионов. Авторы работ [10-16] считают, что в данном случае происходит тушение люминесценции иттербия неконтролируемыми примесями или дефектными центрами неизвестной природы. Кинетические параметры кривых затухания люминесценции приведены в таблице 2, где _Yb - измеряемое время жизни ионов Yb³⁺, Ј₁ - время разгорания, Ґ - макропараметр донор-акцепторного взаимодействия. Результаты, приведенные в таблице 2, показывают, что макропараметр переноса энергии от ионов иттербия к центрам неизвестной природы практически постоянен и остается малым (средняя величина для трёх образцов Ґ=6.15 с^_1/2), а время жизни уменьшается существенно. Следовательно, концентрация акцепторов остается практически постоянной, а основной причиной тушения люминесценции является миграция энергии по возбужденным уровням ионов Yb3+ к стокам - неконтролируемым дефектам.

Таблица 2. Кинетические параметры кристаллов Yb, Ce: CGS

Рисунок 6. Зависимость обратного времени жизни люминесценции (1/ф) от концентрации иттербия (N_Yb) в кристаллах Yb:CGS

Зависимость вероятности люминесцентного распада W_Yb = 1/_Yb от концентрации примесных ионов Yb³⁺ линейна (см. рисунок 6).

Путем экстраполяции этой зависимости к нулевой концентрации определено радиационное время жизни ионов Yb³⁺ в кристалле CGS - 923 мкс.

Следует отметить, что широкая полоса люминесценции ионов Yb³⁺ в CGS создаёт предпосылки для получения хорошего перекрытия спектров люминесценции Yb³⁺ и поглощения ⁴I_15/2 >⁴I_11/2 Er³⁺ и, как следствие, эффективного переноса энергии Yb>Er.

Введение в кристаллы Yb:CGS примеси ионов Ce³⁺ приводит к дополнительному снижению времени затухания люминесценции Yb³⁺. В монокристаллах Yb:CGS и Yb, Ce: CGS наблюдается тушение люминесценции Yb³⁺ собственными и примесными дефектами. В кристаллах Yb, Ce: CGS происходит тушение люминесценции иттербия на ионах церия или сопутствующих его введению дефектах. Эффективность этого процесса в основном определяется развитой миграцией энергии по ионам Yb³⁺.

Оценка среднего времени релаксации в канале ⁴I_11/2 - ⁴I_13/2 по данным, приведенным на рисунке 7, в кристаллах Yb_0.3Er_0.03:CGS и Yb_0.3Er_0.03Ce_0.8:CGS приводит к значениям 16.7 и -0.4 мкс, что хорошо коррелирует с приведенными ранее значениями - 13.6 и 0.59 мкс для кристаллов Er_0.05:CGS и Er_0.05Ce_0.8:CGS. На рисунке 8 для сравнения приведены кинетики люминесценции эрбия на длине волны 1.5 мкм в монокристаллах Yb_0.3Er_0.03:CGS и Yb_0.3Er_0.03Ce_0.8:CGS (длина волны возбуждения 1064 нм).

Как было отмечено ранее, именно высокое время жизни уровня ⁴I_11/2 в кристаллах определяет низкую эффективность кристаллических полуторамикронных лазеров, поскольку приводит к возникновению ряда нежелательных процессов, большая часть которых нелинейно зависит от концентрации доноров (Yb³⁺) и плотности накачки.

Рисунок 7. Кинетики люминесценции монокристаллов Yb_0.3Er_0.03:CGS и Yb_0.3Er_0.03Ce_0.8:CGS (длина волны возбуждения 1064 нм, длина волны регистрации 980 нм)

Рисунок 8. Кинетики люминесценции эрбия на длине волны 1.5 мкм в монокристаллах Yb_0.3Er_0.03:CGS и Yb_0.3Er_0.03Ce_0.8:CGS (длина волны возбуждения 1064 нм)

Поэтому достигаемое за счёт введения Ce³⁺ снижение населённости уровня ⁴I_11/2 более чем в шесть раз является тем важным обстоятельством, которое способствует эффективной работе полуторамикронного лазера на основе Yb,Er,Ce:CGS.

Рентгеноструктурный анализ кристаллов [3] (CGS1; a=9.4309 (10), c=6.9014 (7)) CaCe_0.20Er_0.36Gd_3.34O₁₃Si₃Yb_0.10, CaCe_0.80Er_0.04Gd_3.16O₁₃Si₃(CGS2; a=9.4460 (5), c=6.9247 (3)), CaCe_0.40Er_0.05Gd_3.56O₁₃Si₃ (CGS3; a=9.4238 (3), c=6.9068 (5)) был проведен на установке Bruker APEX II в МИЭС им. А.Н. Несмеянова АН РФ. Использовалось характеристическое излучение молибдена МоК_б с длиной волны л=0.71073 Е и графитовый монохроматор. При обработке исходного массива экспериментальных интенсивностей использовалась программа SADABS [17]. Структуры решены прямым методом, все неводородные атомы локализованы в разностных синтезах электронной плотности и уточнены по F²_hkl в анизотропном приближении. Уточнение заселенностей катионов лантанидов показало, что во всех случаях позиции катионов с сайт-симметрией C_S заняты атомами Gd, тогда как атомы Ca, Ce, Er, Yb замещают атомы Gd только в позиции с сайт-симметрией С₃. Все расчеты проведены по комплексу программ SHELXTL ver. 5.10 [18] и представлены в таблице 3.

Таблица 3. Координаты атомов в структурах I-III

* Значение указывает степень заселенности соответствующей позиции атомами, указанными в колонке слева в той же последовательности

Анализ данных, приведенных в таблице 3, показывает, что увеличение содержания церия ведет к увеличению параметров решетки и смещению атомов Gd(1), Si, O(1) и O(2) O(3) в плоскости xoy, аO(3) - вдоль всех осей. Атом O(4) своих координат не изменяет, позиция C₃, занимаемая атомами Ca(1), Gd(2), Ce(1), Er(1) и Yb(1), претерпевает смещение только вдоль оси z. Допирование Yb снижает значение параметров ячейки, а смещение атомов происходит таким же образом, как и при замещении церием.

Результаты стереоатомного анализа известных соединений и кристаллов CGS1, CGS2 и CGS3 сведены в таблице 4.

Как известно, степень искажения координационной сферы позиций, замещаемых атомами лантаноидов, описывается двумя основными параметрами G₃ и D_a (G₃ - безразмерная величина, характеризующая степень сферичности полиэдра ВД и D_a- величина смещения ядра атома из центра тяжести его полиэдра ВД).

Таблица 4. Данные стереоатомного анализа для CaLn₄(SiO₄)₃O

Анализируя полученные результаты (таблица 4) и сравнивая их с данными измерений времен жизни лазерного и предлазерного уровней, можно сделать вывод о том, что увеличение концентрации церия ведет к увеличению объема полиэдра Вороного-Дирихле и параметра G₃ и уменьшению смещения замещаемых атомов из центров тяжести координационного и ПВД полиэдров, что в свою очередь вызывает уменьшение времени жизни предлазерного и лазерного уровней.

Итак, поскольку изменение времени жизни с введением той или иной примеси связано с безызлучательными взаимодействиями между примесными центрами, а в нашем случае спектры поглощения и излучения примесных центров с изменением их концентрации не изменяются и отсутствует миграция энергии, то вероятность мультипольных взаимодействий пропорциональна концентрации акцепторной примеси (Ce). В свою очередь объем полиэдра Вороного-Дирихле также пропорционален концентрации примеси, следовательно, по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т.е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий.

На рисунок 9 представлена зависимость времени жизни верхнего лазерного уровня ⁴I_13/2 иона Er³⁺ от объема полиэдра Вороного-Дирихле.

Рисунок 9. Зависимость времени жизни верхнего лазерного уровня ⁴I_13/2 иона Er³⁺ от объема полиэдра Вороного-Дирихле

Полученные результаты кристаллохимического анализа в сочетании с данными по кинетикам затухания люминесценции показывают, что их совместное использование позволяет оптимизировать состав кристаллов CGS для полуторамикронной генерации.

Итак,

1. Впервые методом Чохральского выращены монокристаллы CaGd_{4_x_y_z}Yb_xEr_yCe_z(SiO₄)₃O (Yb³⁺,Er³⁺,Ce³⁺:CGS), проанализированы концентрационные зависимости кинетик затухания люминесценции уровней ⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺, проведен рентгеноструктурный анализ кристаллов CaCe_0.20Er_0.36Gd_3.34O₁₃Si₃Yb_0.10, CaCe_0.80Er_0.04Gd_3.16O₁₃Si₃ и CaCe_0.40Er_0.05Gd_3.56O₁₃Si₃.

2. Показано, что увеличение концентрации церия приводит к снижению времени затухания люминесценции уровней ⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Er,Ce:CGS вследствие безызлучательного взаимодействия Er>Ce, а допированиеYb увеличивает время затухания люминесценции лазерного уровня ⁴I_13/2.

3. Доказано, что по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т.е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий.

Литература

монокристалл ион эрбий

1. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Pisarenko V.F. Crystal growth of CaGd_{4_x_y_z}Yb_xEr_yCe_zSi₃O₁₃ (Yb,Er,Ce:CGS) - potential laser media for generation 1.5 mkm emission and its spectroscopic and kinetic investigation. Abstracts of "Third International Conference "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat-Mass Transfer" (ICSC-99 Obninsk, September, 21-24, 1999), Obninsk 1999, p. 88-89.

2. Ворошилов И.В., Лебедев В.А., Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Игнатьев Б.В., Исаев В.А., Гавриленко А.Н., Саакян А.В., Ключко Е.В., Несынов А.С., Галуцкий В.В. Новые кристаллические материалы для безопасных для зрения, экологически чистых полуторамикронных лазеров. Материалы региональной научно-практической конференции «Здравоохранение. Медицина. Здоровье» г. Геленджик, 16-18 августа 2000 г., Краснодар, 2000, с. 41-43.

3. Исаев В.А., Лебедев В.А., Вологжанина А.В., Саакян А.В. Кинетики затухания люминесценции, структурный и кристаллохимический анализ соединений CaGd_4-x-y-zYb_xEr_yCe_z(SiO₄)₃O. В кн.: Материалы XVI Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар. 2008. с. 204-210.

4. Шаскольская М.П. Кристаллография. М., Высшая школа, 1976, с.236-245.

5. Kuleshov N.V., Mikhailov V.P., Minkov B.I., Danger T., Sandrock T., Huder G. Spectroscopy, excited-state absorption and stimulated emmission in Pr³⁺- doped Gd₂SiO₅ and Y₂SiO₅ crystals. //Journal of Luminescence.1997. № 71. P. 27-35.

6. Рябцев Н.Г. Материалы квантовой электроники. М. Советское радио, 1973, 384 стр., с. 71-73.

7. Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Исаев В.А., Гавриленко А.Н., Аванесов А.Г., Игнатьев Б.В. Перенос энергии электронного возбуждения Er³⁺ - Ce³⁺ в монокристаллах CaGd_4-x-y-zYb_xEr_yCe_zSi₃O₁₃ - кристаллических матрицах для твердотельных лазеров полуторамикронного диапазона длин волн. Proceedings of "Sixth International Conference Actual problems of Solid State Electronics and Microelectronics" (Divnomorckoye, Russia, September, 6-11, 1999), Taganrog 1999, p. 3.

8. Voroshilov I.V., Lebedev V.A., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Pisarenko V.F. Optical properties of CaGd₄Si₃O₁₃ (CGS) crystals with Er³⁺ used as 1.5 мm laser material. //Journal of Physics:Condensed Matter, Vol.12, Issue 18, 2000, pp.L287-L292.

9. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Gavrilenko A.N., Pisarenko V.F. Quenching of erbium luminescence in Er,Ce:CaGd₄(SiO₄)₃O (Er,Ce:CGS) crystals. X-th International Conference on "Laser Optics", Technical Digest, St.-Petersburg, June 23-26, 2000, p. 24.

10. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Gavrilenko A.N., Pisarenko V.F. Spectroscopic and Kinetic Investigations of Erbium in Er,Ce:CaGd₄Si₃O₁₃ (Er,Ce:CGS) Crystals, International Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/IQEC) - Europe, Technical Digest, Paris, September, 2000, paper CWF30.

11. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Avanesov A.G., Isaev V.A., Shestakov A.V. Yb:CaGd₄Si₃O₁₃ (Yb:CGS) as potential laser crystal for generation of 1.064 m emission and its spectroscopic and kinetic investigations Collected Abstracts of "1999International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter" (ICL'99 August 23-17, Osaka, Japan), paper № PС1-6, p. 69.

12. Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Игнатьев Б.В., Аванесов А.Г., Исаев В.А., Писаренко В.Ф., Шестаков А.В. Исследование спектрально-люминесцентных и кинетических свойств лазерных кристаллов CaGd_4-x-yYb_xCe_ySi₃O₁₃ (Yb,Ce:CGS). Труды международной конференции аспирантов и студентов "Ломоносов-99" МГУ, апрель 1999 г., изд-во МГУ, М. 1999, с. 108-111.

13. Voroshilov I.V., Lebedev V.A., Gavrilenko A.N., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Shestakov A.V. Study of Yb³⁺ - Yb³⁺ and Yb³⁺ - Ce³⁺ energy transfer in Yb,Ce:CaGd₄Si₃O₁₃ (Yb,Ce:CGS) crystals. //Journal of Physics: Condensed Matter, V. 12, Issue 12, 2000, pp. L211-L215.

14. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Shestakov A.V. Spectroscopy of ytterbium in Gd₄CaO(SiO₄)₃ (CGS). Journal of Luminescence, 92, Iss. 1-2, 2000, pp. 139-144.

15. Lebedev V.A., Pisarenko V.F., ChuevYu.M., Perfilin A.A., Avanesov A.G., Zhorin V.V., Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Study of energy transfer from Yb³⁺ to Er³⁺ in rare-earth silicates and borates, //Journal of Luminescence, 72-74, 1997, p. 942-944.

16. Souriau J.C., Romero R., Borel C., Wyon Ch., Li C., Moncorge R. Comparative optical properties and CW laser performance around 1.56 m of the (Yb³⁺,Er³⁺) codoped Y₂SiO₅ and SrY₄(SiO₄)₃O, Proceedings LASER M2P Conference., Lyon 1993, eds. Boulon G. and Moncorge R., //Journal de Physique IV, 4 (C4), p. 373-376.

17. Lebedev V.A., Pisarenko V.F., ChuevYu.M., Perfilin A.A., Avanesov A.G., Zhorin V.V., Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Study of energy transfer from Yb³⁺ to Er³⁺ in rare-earth silicates and borates.// Journal of Luminescence, 72-74, 1997, p.942-944.

18. Sheldrick G.M. (1998a). SADABS v.2.01, Bruker/Siemens Area Detector Absorption Correction Program, Bruker AXS, Madison, Wisconsin, USA.

19. Sheldrick G.M. (1998). SHELXTL v. 5.10, Structure Determination Software Suite, Bruker AXS, Madison, Wisconsin, USA.

Размещено на Allbest.ru