Определение параметров и исследование свойств структур кремния на изоляторе
Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания. Суть и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии. Нахождение концентрации электронов в зоне проводимости металлов.
| Рубрика | Химия |
| Вид | лекция |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.11.2018 |
| Размер файла | 498,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
17. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания // Материаловедение. 1999. № 4. С.49 - 51.
18. Tong Q.-Y., Goesele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystem // Adv. Mater. 1999. V. 11. № 17. P. 1409 - 1425.
19. Tong Q.-Y., Goesele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. Wiley. New York. 1988.
20. Попов В.П. Создание структур "кремний- на- изоляторе" для ультрабольших интегральных схем и квантовых приборов методом сращивания имплантированных водородом пластин кремния: Научно-технологический отчет. Новосибирск: ИФП СО РАН, 1999.
21. Meuris M., Merteus P.W., Opdebeeck A. The IMEC clean: A new concept for particle and metal removal on Si surfaces // Solid State Technology. 1995. V. 38. № 7. P. 109.
22. Wolke K. Marangoni wafer drying avoids disadvantages // Solid State Technology. 1996. V. 39. № 8. Р. 87 - 90.
23. Britten J.A. A moving-zone Marangoni drying process for critical cleaning and wet processing // Solid State Technology. 1997. V. 40. № 10. Р.143 - 148.
24. Суворов А.Л., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Залужный А.Г. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов // Вопросы атомной науки и техники. Саров. 2002. Вып. 1,2. С. 217 - 219.
25. Реутов В.Ф., Ибрагимов Ш.Ш. Способ изготовления тонких пластин кремния. Авт. Свид. СССР № 1282757, 30.12.1983.
26. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь, 1991. С.231.
27. Bruel M. Smart-сut technology: basic mechanisms and applications NATO. Advanced Research Workshop: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices. Kiev, October 12 - 15, 1998. Т.1 P. 9.
28. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Суворов А.Л. и др. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества: Препринт ИТЭФ 24-00, 2000. 20 с.
29. Суворов А.Л., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. и др. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ: Препринт ИТЭФ 27-00, 2000. 51 с.
30. Суворов А.Л., Графутин В.И., Залужный А.Г., Козодаев М.А., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Реутов В.Ф. Технология сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методами молекулярного наслаивания и газового скалывания // Атомная энергия. 2001. Т.91. Вып.4. С.255 - 263.
31. Суворов А.Л., Графутин В.И., Залужный А.Г., Козодаев М.А., Калугин В.В., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П.Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового скалывания // Перспективные материалы. 2002. №3. С. 5 - 12.
32. Суворов А.Л., Графутин В.И., Залужный А.Г., Козодаев М.А., Калугин В.В., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности // Материаловедение. 2002. № 3. С. 11 - 20.
33. Графутин В.И., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Реутов В.Ф., Суворов А.Л., Тимошенков С.П., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А. Сращивание протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками для получения структур кремния на изоляторе // Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция "Научно-инновационное сотрудничество". Сборник научных трудов. Ч. 3. М.: МИФИ, 2002. С.39 - 41.
34. Графутин В.И., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Суворов А.Л., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Получение тонких слоев кремния на изоляторе (КНИ) для солнечных элементов. Научная сессия МИФИ-2002 // Научно-техническая конференция "Научно-инновационное сотрудничество". Сборник научных трудов. Ч. 3. М.: МИФИ, 2002. С. 64,65.
35. Графутин В.И., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Суворов А.Л., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Получение структур кремния на изоляторе методом газового скалывания для создания интегральных схем с повышенной радиационной и термической стойкостью // Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция "Научно-инновационное сотрудничество".Сборник научных трудов. Ч. 3. М.: МИФИ, 2002. С. 37,38.
36. Тимошенков С.П., Калугин В.В., Графутин В.И., Прокопьев Е.П.. Анализ процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2002. № 3. С. 28 - 34; C. 75 - 84.
37. Попов В.П. Создание КНИ структур для ультра больших интегральных схем // Известия вузов. Электроника, 1998. № 5. C. 22 - 26.
38. Гольданский В. И. Физическая химия позитрона и позитрония. М.: Наука, 1968.
39. Positrons in Solids. Ed.:P. Hautojarvi // Topics in Current Physics. Berlin. 1979. V. 12
40. Positron Annihilation // Proc. 7th Intern. Conf. on Positron Annihilation. India. 1985. World Scientific Co. Singapure. 1985.
41. Positron Annihilation // Proc. 8th Intern. Conf. on Positron Annihilation. Belgium. 1988. World Scientific Co. Singapure. 1988.
42. Schultz P. J., Lynn K. G. Interaction of Positron Beams with Surfaces, Thin Films, and Interfaces // Reviews of Modern Physics. 1988. V. 60. P. 701.
43. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: МИЭТ (ТУ), 1999.
44. Графутин В.И., Фунтиков Ю.В., Бяков В.М., Фирсов В.Г.,. Степанов С.В, Степанова О.П., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Гришкин В.Л. // Современные проблемы ядерной физики, физики и химии конденсированных сред: Труды 1-й Московской Международной Школы физики ИТЭФ, г.Звенигород Московской области, 17 - 26 февраля 1998 г. Москва: Редакция журнала "Успехи физических наук". 1999. С.187, 209, 213, 219, 235.
45. Прокопьев Е. П. // Астрономический журнал 1994. Т. 70. № 3. С. 906.
46. Арефьев К.П. Воробьев С.А. Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983.
47. Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. // ФТТ. 1999. Т. 41. С. 529.
48. Ferrante G. Phys. Rev. // 1968. V. 170. C. 76.
49. Wheeler J.A. // Ann N Y Acad Sci. 1946. V. 48. P. 219.
50. Графутин В.И., Илюхина О.В., Прокопьев Е.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. // Химическая физика. 2000. Т. 19. С. 36.
51. Графутин В.И., Илюхина О.В, Прокопьев Е.П., Мясищева Г.Г., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. // ХВЭ. 2000. Т. 34. С. 460.
52. Goldanskii V.I., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Shantarovich V.P. // Struct.Chem. 1991. V. 2. P. 135.
53. Новиков Ю.А., Раков А.В., Шантарович В.П. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. Т. 6. С. 34.
54. Графутин В.И., Комлев В.П., Новиков Ю.А., Раков А.В., Филимонов М.К., Фунтиков Ю.В., Шантарович В.П. // Известия Академии Наук (Серия физическая). 1994. Т. 58. № 4. С. 4.
55. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика Ташкент: ФАН, 1975.
56. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978.
57. Бяков В.М., Ничипоров Ф.Г. Внутритрековые химические процессы. М.: Энергоатомиздат, 1985.
58. Бяков В.М., Графутин В.И. // ХВЭ. 1980. Т. 14. С. 263.
59. Byakov V.M., Grafutin V.I. // Radiat. Phys. Chem. 1986. V. 28. C. 1.
60. Бяков В.М., Графутин В.И., Гришкин В.Л. и др. // Химическая физика. 1999. V. 4. С. 75.
61. Byakov V.M., Grafutin V.I., Ilukhina O.V. // Chemicke Zvesti (Chemical Papers) 1996. V. 50. № 2. P. 45.
62. Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Возможный спектр состояний в пористом кремнии // Физика твердого тела. 2001. Т. 43. Вып. 8. С. 1376 - 1382.
63. Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Гаврилов С.А., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Возможности наблюдения позитронных состояний и фазовых переходов на поверхности пористого кремния // Украинский физический журнал. 2001. Т. 46. № 8. С. 870 - 877.
64. Минайчев Е.В., Мясищева Г.Г., Обухов Ю.В. и др. // ЖТЭФ. 1983. Т. 57. № 2. С. 421.
65. Дымович В.И., Ковшиков Е.К., Коробцов В.П. Электронная промышленность. 1982. Вып.9 (115). С.58.
66. Thiel P.A., Madey T.E. The interaction of wafer with solid surfaces: Fundamental aspects // Surf. Sci. Reports. 1987. V. 7. P. 211 385.
67. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Изд-во МГУ, 1999. 209 с.
68. Zhuravlev L.T. The surface chemistry of amorphous silica // Col. and Surf. 1993. V. 74 A. P. 71.
69. Тимошенков С.П., Новиков С.Н. Использование метода статического ионизированного конденсатора для измерения работы выхода электрона // Известия вузов. Электроника. 2003. № 5. С. 81 88.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Распределение электронов по орбиталям, которые отвечают высшему энергетическому состоянию атомов хлора и кремния. Молекулярно-ионные и сокращенные ионные уравнения реакций между нитратом свинца и хроматом калия, гидроксидом алюминия и гидроксидом калия.
контрольная работа [158,2 K], добавлен 06.11.2011Прямое азотирование кремния. Процессы осаждения из газовой фазы. Плазмохимическое осаждение и реактивное распыление. Структура тонких пленок нитрида кремния. Влияние поверхности подложки на состав, структуру и морфологию осаждаемых слоев нитрида кремния.
курсовая работа [985,1 K], добавлен 03.12.2014Строение атома кремния, его основные химические и физические свойства. Распространение силикатов и кремнезема в природе, использование кристаллов кварца в промышленности. Методы получения чистого и особо чистого кремния для полупроводниковой техники.
реферат [243,5 K], добавлен 25.12.2014Обзор руднотермических печей, применяемых при производстве кремния. Пересчет химического состава сырья и углеродистых восстановителей, применяемых при производстве кремния в мольные количества химических элементов с учетом загрузочных коэффициентов.
курсовая работа [516,0 K], добавлен 12.04.2015Понятие и свойства рентгеновского излучения. Принцип работы дифрактометра и метод Дебая-Шеррера. Расчёт углов пиков дифрактограммы. Прецизионное определение параметров элементарной ячейки. Определение размера кристаллитов поликристаллического образца.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 17.05.2014Основные приближения метода потенциалов. Свойства и структура ковалентных кристаллов. Кристаллическая структура металлов. Современные представления физики металлов. Главные недостатки модели свободных электронов. Оценка энергии связи в металлах.
презентация [297,1 K], добавлен 15.10.2013Экспериментальное синтезирование полифенилсилоксана. Анализ мононатровой и тринатровой соли фенилтригидроксисилана на натрий. Исследование взаимодействия поликобальтфенилсилоксана с фенилсилантриолятом натрия. Определение кремния гравиметрическим методом.
реферат [552,4 K], добавлен 16.03.2011Общие сведения о гетерополисоединениях. Экспериментальный синтез капролактамовых гетерополисоединений, условия их получения. Изучение структурных особенностей соединений методами рентгеноструктурного анализа, масс-спектрометрии, ИК- и ЯМР-спектроскопии.
дипломная работа [501,6 K], добавлен 05.07.2017Второй по распространенности (после кислорода) элемент земной коры. Простое вещество и элемент кремний. Соединения кремния. Области применения соединений кремния. Кремнийорганические соединения. Кремниевая жизнь.
реферат [186,0 K], добавлен 14.08.2007Проблема загрязнения окружающей среды химическими веществами - продуктами техногенеза. Определение содержания кислоторастворимых форм металлов (свинец, медь, цинк, никель, железо) в пробах почв Тульской области методом атомно-абсорбционной спектроскопии.
курсовая работа [805,1 K], добавлен 23.08.2015Кремний — элемент главной подгруппы четвертой группы третьего периода периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева; распространение в природе. Разновидности минералов на основе оксида кремния. Области применения соединений кремния; стекло.
презентация [7,3 M], добавлен 16.05.2011Понятие степени окисления элементов в неорганической химии. Получение пленок SiO2 методом термического окисления. Анализ влияния технологических параметров на процесс окисления кремния. Факторы, влияющие на скорость получения и качество пленок SiO2.
реферат [147,2 K], добавлен 03.12.2014Химические свойства простых веществ. Общие сведения об углероде и кремнии. Химические соединения углерода, его кислородные и азотсодержащие производные. Карбиды, растворимые и нерастворимые в воде и разбавленных кислотах. Кислородные соединения кремния.
реферат [801,5 K], добавлен 07.10.2010Свойства кремния и область применения в производстве. Определение основных параметров печи, ее футеровка, система охлаждения, газоочистка. Состав оборудования и общая характеристика основных ферросплавных цехов и технологии по производству ферросилиция.
дипломная работа [77,1 K], добавлен 03.06.2008Классификация и основные свойства металлов: низкие потенциалы ионизации и применение в качестве восстановителей. Особенности электронной структуры и положения в периодической системе элементов. Изучение неметаллов на основе кремния и его соединений.
лекция [59,9 K], добавлен 16.01.2011Исследование физических и химических свойств металлов, особенностей их взаимодействия с простыми и сложными веществами. Роль металлов в жизни человека и общества. Распространение элементов в природе. Закономерность изменения свойств металлов в группе.
презентация [1,7 M], добавлен 08.02.2013Исследование формальной кинетики процесса пиролиза углеводородов. Метод полуревращения как интегральный метод определения частного порядка реакции. Определение энергии активации. Уравнение Аррениуса. Определение порядка реакции интегральным методом.
лабораторная работа [1,5 M], добавлен 09.05.2014Особенности пленкообразования непредельных соединений. Модифицированные олигобутадиены в качестве пленкообразователей. Определение содержания нелетучих веществ в композиции. Исследование структуры модифицированных олигодиенов методом ИК-спектроскопии.
реферат [499,4 K], добавлен 17.06.2012Методы определения металлов. Химико-спектральное определение тяжелых металлов в природных водах. Определение содержания металлов в сточных водах, предварительная обработка пробы при определении металлов. Методы определения сосуществующих форм металлов.
курсовая работа [24,6 K], добавлен 19.01.2014Получение и изучение свойств растворов ПАН/ДМФА и ПАН/ДМФА/AgNO3 методом УФ спектроскопии. Контроль структурного градиента у нановолокна Ag/ПАН с помощью обработки растворителем. Метод дифференциальной сканирующей калориметрии. Метод ИК спектроскопии.
дипломная работа [4,0 M], добавлен 04.06.2017
