Особенности кристаллографической структуры буферных слоев CeO2 на r-Al2O3 полученных методом импульсного лазерного осаждения

Размещено на http://www.allbest.ru/

Особенности кристаллографической структуры буферных слоев CeO2 на r-Al2O3 полученных методом импульсного лазерного осаждения

Носов А.П., Дубинин С.С.,

Осотов В.И.

В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO2 выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из r-Al2O3 ( ) при температуре подожки 750°С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар - (002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках r-Al2O3 с буферными слоями из CeO2.

Ключевые слова: тонкие пленки, импульсное лазерное осаждение, CeO2, r-Al2O3.

Features of crystallographic structure of ceo2 buffer layers on r-Al2O3 obtained by pulse laser deposition method

Nosov A.P.1, Dubinin S.S., Osotov.I.

The paper presents the results of structural studies of CeO2 buffer layers grown by pulsed laser deposition on single-crystal substrates of r-Al2O3 ( ) at a substrate temperature of 750°C. It was shown experimentally that when the oxygen pressure changes during growth, while maintaining the remaining growth parameters unchanged, it is possible to obtain buffer layers with different crystallographic orientations: at an oxygen pressure of 0.002 mbar, the buffer layers have an orientation of (111), and at an oxygen pressure of 0.2 mbar - (002). The results obtained may be of interest for the preparation of epitaxial films and nanoheterostructures with layers of high-temperature superconductors and doped manganites on r-Al2O3 single-crystal substrates with CeO2 buffer layers.

Keywords: thin films, pulsed laser deposition, CeO2, r-Al2O3.

Получение высококачественных тонких пленок новых функциональных материалов и исследование их свойств является актуальной задачей современной фундаментальной и прикладной науки. Важную роль среди перспективных материалов играют сложные оксидные соединения с псевдокубической кристаллографической структурой такие как купратные высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) составов (A)Ba2Cu3Oy, где A - редкоземельные элементы, и допированные манганиты с колоссальным магнитосопротивлением составов A1-XBXMnO3, где A = Ca, Sr, Ba, Pb.

Рост тонких пленок сложных оксидных соединений с совершенной кристаллографической структурой возможен на монокристаллических подложках с близкими параметрами постоянных решетки, таких как SrTiO3, LaAlO3 и других. Однако такие подложки довольно дороги и их сложно получить в виде пластин больших размеров. Поэтому представляет большой интерес изучение особенностей роста и разработка технологий получения тонких пленок перечисленных сложных оксидных соединений на подложках, выпуск которых освоен в промышленных масштабах, например, сапфире (Al2O3) с гексагональной структурой. Из-за различий в типах кристаллических решеток получение структурно совершенных тонких пленок с псевдокубической кристаллографической структурой на подложках из Al2O3 невозможно. При нанесении на подложку с одной кристаллической структурой тонких буферных слоев с другой кристаллической структурой, соответствующей структуре выращиваемой пленки, рост высококачественных пленок можно реализовать только в определенных условиях. Подбор комбинаций материалов в системе пленка/буферный слой/подложка является достаточно сложной задачей. Однако, оказывается возможным выращивание тонких пленок сложных оксидов с псевдокубической кристаллографической структурой на буферных слоях CeO2, которые, в свою очередь, можно вырастить на подложках из r-Al2O3 с кристаллографической ориентацией ( ).

Величина постоянной решетки кубического CeO2 составляет 0,541 нм и близка к соответствующим значениям постоянных решетки YBa2Cu3Oy. Степень рассогласования для осей a, b и c составляет 0,15, 1,4 и 1,7% соответственно. Хорошие диэлектрические свойства Al2O3 делают структуры ВТСП/Al2O3 чрезвычайно привлекательными для разработки приборов и устройств, работающих в микроволновом диапазоне частот. Поэтому рост ВТСП пленок на подложках из r-Al2O3 с буферным слоем из CeO2 уже достаточно давно привлекает интерес исследователей. В работе [5] было показано, что помимо диэлектрических подложек слои CeO2 высокого качества можно выращивать и на металлических подложках с кубической структурой, пригодных для изготовления ВТСП кабелей второго поколения [6]. Как показано в работе [7] помимо ВТСП материалов на подложках с буферными слоями CeO2 возможно также выращивать тонкие пленки допированных манганитов с колоссальным магнитосопротивлением.

Рост буферных слоев CeO2 можно осуществлять такими методами, как магнетронное распыление [8], молекулярно-лучевая эпитаксия [9], импульсное лазерное осаждение [10]. Последний метод нашел наиболее широкое применение.

В общем случае буферные слои CeO2 на подложках из r-Al2O3 могут характеризоваться сложной кристаллографической структурой, в рентгенодифракционных спектрах которой будет присутствовать несколько пиков, соответствующие различным кристаллографическим ориентациям (hkl), где значения h, k, l могут равняться нулю или натуральному числу. Получение слоев с какой-то одной ориентацией требует тщательного подбора параметров режима роста. При импульсном лазерном осаждении этими параметрами являются: длина волны лазерного излучения, энергия в импульсе, расстояние мишень - подложка, температура подложки, давление газа в процессе роста, режимы термообработки как в процессе, так и по окончании роста. Крайне желательным является возможность управления кристаллографической структурой выращиваемых буферных слоев путем изменения какого-то одного параметра роста.

В настоящей работе представлены результаты рентгенографического исследования кристаллической структуры буферных слоев CeO2, на подложках из r-Al2O3, полученных импульсным лазерным осаждением. Показано, что только изменением давления кислорода в процессе роста, при сохранении остальных параметров роста неизменными, удается получать слои с ориентацией (111) при низком давлении и с ориентацией (002) при высоком давлении.

Эксперимент

Буферные слои CeO2 выращивали на монокристаллических подложках из r-Al2O3 ( ) методом импульсного лазерного осаждения. Поликристаллическую мишень из CeO2 приготавливали методом твердофазного синтеза с контролем фазового состава рентгенодифракционным методом. Осаждение материала мишени на подложку осуществляли в экспериментальной установке с использованием KrF эксимерного лазера модели CL7020 производства компании «Оптосистемы» (г.Троицк, Московской области). Использовалось излучение с длиной волны л= 248 нм, энергию в импульсе можно было регулировать до уровня 400 мДж. Длительность импульсов составляла 20 нс, частота следования - 5 Гц. Излучение лазера фокусировали на мишени системой формирования и сканирования пучка в область площадью 0,5 мм2. Для получения пленок фиксировали энергию в импульсе и количестве импульсов (5000). В процессе осаждения температуру подложки поддерживали равной 750С. Расстояние мишень - подложка составляло 35 мм. Была получена серия образцов при давлениях кислорода 0,2, 0,02 и 0,002мбар в условиях, когда остальные параметры роста оставались неизменными. Из-за зависимости скорости роста от давления толщина полученных буферных слоев составила от 9 до 57 нм для образцов, полученных при давлениях 0,2 и 0,002 мбар, соответственно. Толщину слоев измеряли с использованием оптического профилометра ZYGO New View.

Рентгеноструктурные исследования выполняли на специализированном дифрактометре с использованием CuKa излучения. Все измерения были выполнены при комнатной температуре.

Результаты и обсуждение

На Рис.1. представлены участки дифрактограмм буферных слоев CeO2 на r-Al2O3 выращенных при давлениях кислорода 0,002, 0,02 и 0,2 мбар и энергии в импульсе 350 мДж. Изменение давления кислорода в процессе роста, при неизменных остальных параметрах, сильно влияет на кристаллографическую структуру получаемых слоев. При малом давлении кислорода слои имеют ориентацию (111), при промежуточном давлении 0,02 мбар слои характеризуются структурой со сложной ориентацией, а при большом давлении - имеют ориентацию (002). На вставке показана зависимость отношения интенсивностей пиков I(002)/I(111) от давления кислорода в процесса роста.

Аналогичная зависимость отношения интенсивностей пиков I(002)/I(111) от давления была получена и для пленок, выращенных при использовании лазерного излучения с энергией в импульсе 200 мДж.

Рис.1 - Участки дифрактограмм буферных слоев CeO2 на r-Al2O3 выращенных при давлениях кислорода 0,002, 0,02 и 0,2 мбар. На вставке - отношение интенсивностей пиков I(002)/I(111)

Наблюдаемые закономерности могут быть объяснены с учетом влияния давления кислорода на кинетику окисления церия на поверхности подложки в процессе роста. Процесс импульсного лазерного осаждения не является термодинамически равновесным. После воздействия лазерного импульса на мишень поступление материала мишени на подложку происходит с небольшой задержкой на время пролета промежутка мишень - подложка. В ходе этого процесса давление кислорода в области подложки может отличаться от общего давления в камере. Эти различия могут приводить к преимущественному росту слоев с ориентацией (002) при лучших окислительных условиях.

Полученные результаты согласуются с данными работ [9], в которой в качестве окислительной среды использовали как молекулярный кислород, так и кислород с ионизацией ВЧ разрядом непосредственно в камере роста. При росте в условиях дополнительной ионизации получали слои с преимущественной ориентацией (002).

В случае импульсного лазерного осаждения возможность изменения кристаллографической ориентации буферных слоев CeO2 на r-Al2O3 путем изменения только давления кислорода в процессе роста представляет большой интерес для получения тонких слоев и наногетероструктур на основе ВТСП материалов и допированных манганитов.

Заключение

кристаллографический лазерный оксидный

Исследовано влияние давления кислорода на кристаллографическую ориентацию буферных слоев CeO2 на монокристаллических подложках из r-Al2O3 выращенных методом импульсного лазерного осаждения. Показано, что при остальных неизменных параметрах роста при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар - (002).

Такая зависимость по-видимому обусловлена влиянием давления кислорода на кинетику окисления церия на поверхности подложки в процессе роста. Результаты могут представлять интерес для получения высококачественных эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках из CeO2/r-Al2O3.

Список литературы

кристаллографический лазерный оксидный

1.Sakuma K. Trifluoroacetate metal organic deposition derived (Y77Gd0.23)Ba2Cu3Oy films on CeO2 buffered R-plane Al2O3 substrates / Sakuma K., Sato M., Miura M. // Japanese J.Appl.Phys. - 2018. - Vol.57. - No.3. - P. 033102.

2.Sekiya N. Temperature dependence of power handling capability of HTS filter with double-strip resonator / Sekiya N., Fujihara, K. // Physica C - Superconductivity and its Applications. - 2016. - Vol.560. P.117-119.

3.Sekiya N. Design of high-order HTS dual-band bandpass filters with receiver subsystem for future mobile communication systems / Sekiya N. // Physica C - Superconductivity and its Applications. - 2016. - Vol.527. P.91-97.

4.Ota Y. Relationship between superconducting properties of EuBa2Cu3O7 thin films and surface morphology of CeO2 buffer layers on R-Al2O3 / Ota Y., Sakuma K., Kimura Y. et al // Physica C - Superconductivity and its Applications. - 2006. - Vol.445. - P.849-852.

5.Nosov A. P. Structure of Buffer CeO2 and LaNiO3 Layers Prepared by Method of Pulsed Laser Deposition on Textured Ni-Cr-W Substrates / Nosov A. P., Krinitsina T. P., Kuznetsova E. I. et al // The Physics of Metals and Metallography. - 2013. - Vol.114. - No.10. - P.845-850.

6.Schastlivtsev V.M. Nickel Alloy Substrates with a Sharp Cube Texture for High-Tc Superconducting Tapes / Schastlivtsev V.M., Ustinov V.V., Rodionov D.P. et al // Doklady Physics. - 2004. - V.49. - No.3. - P.167-170.

7.Perna P. High Curie temperature for La0.7Sr0.3MnO3 thin films deposited on CeO2/YSZ-based buffered silicon substrates / Perna P., Mechin L., Chauvat M.P. et al // Phys.:Condens. Matter. - 2009.- Vol.21. - 306005 (5pp).

8.Kimura Y. EuBa2Cu3O7 films grown on vicinal R-Al2O3 substrates with CeO2 buffer layers by magnetron sputtering / Kimura Y., Michikami O., Fujiwara S. et al // Physica C - Superconductivity and its Applications. - 2008. - Vol.468. - No.15-20. - P.1847-1850.

9.Kurian J. Growth of epitaxial CeO2 thin films on r-cut sapphire by molecular beam epitaxy / Kurian J., Naito M. // Physica C - Superconductivity and its Applications. - 2004. - Vol.402. - P.31-37.

10.Boikov Yu. A. High tunability of the permittivity of heterostructures on sapphire substrates / Boikov Yu. A., Claeson T. // Journal of Applied Physics. - 1997. -Vol.81. - P.3232-3236.

Размещено на Allbest.ru