Химическое осаждение из газовой фазы

Изучение газотранспортных химических реакций в системе арсенид галлия – вода – водород. Расчет констант химического равновесия и состава газовой фазы. Изучение диффузионных процессов. Расчет и построение зависимости коэффициента диффузии от температуры.

Рубрика Химия
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 28.06.2022
Размер файла 312,3 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

1. Газотранспортные химические реакции в системе GaAs - H2O -H2

Термодинамические данные системы GaAs - H2O - H2

Функции

T, K

Вещество (состояние)

Н2 (г)

Н2О (г)

As2 (г)

As4 (г)

Ga2O (г)

Ga2O3 (т)

Ga (ж)

GaAs (т)

ФТ

700

33,15

27,41

59,60

80,34

73,03

25,63

19,90

16,27

800

33,72

48,09

60,29

81,88

74,07

27,38

20,79

16,76

900

34,25

48,75

60,95

83,34

75,08

29,07

21,57,

17,20

1000

34,76

49,38

61,58

84,76

76,04

30,71

22,27

17,65

1100

35,24

49,99

62,17

86,11

76,96

32,30

22,90

18,10

1200

35,69

50,58

62,74

87,35

77,83

33,82

23,48

18,43

1300

36,13

51,14

63,28

88,36

78,66

35,24

24,01

18,88

298

0

57,8

48,0

34,5

19,7

240

1,34

17,7

Для арсенида галлия GaAs роль транспортного агента могут выполнять пары воды H2O. Основной газотранспортной реакцией при этом является следующая реакция с образованием летучего окисла Ga2О:

(1.1)

Закон действующих масс для этой реакции имеет вид:

(1.2)

Обычно процесс проводится в открытой проточной системе, при атмосферном суммарном давлении.

Парциальное давление паров воды определяется точкой росы - давлением насыщенного пара. Относительная влажность вводимого в систему водорода можно выразить следующим параметром:

, (1.3)

где и число молей водорода и паров воды, подаваемых на вход реактора, и которые определяются исходными парциальными давлениями.

В изучаемой системе, наряду с основной газотранспортной реакцией (1.1), возможно протекание конкурирующих реакций, препятствующих транспорту арсенида галлия в газовой фазе с помощью паров воды. Это происходит вследствие «связывания» галлия в форме новой конденсированной фазы. Такими фазами являются нелетучий окисел Ga2O3 и жидкий галлий Ga. Следовательно, конкурирующие реакции имеют вид:

;

(1.4)

;

. (1.5)

Конкурирующие реакции подавляются, если их изобарный потенциал, вычисленный по уравнению изотермы Вант-Гоффа (1.19) имеет положительный знак (?G > 0). В этом случае реакции (1.4) и (1.5) смещены влево, так что образование твердого окисла Ga2O3 не происходит. Начальным этапом термодинамического анализа является определение температурного хода констант равновесия.

2. Расчет констант химического равновесия

В справочной литературе часто термодинамические величины приводятся в связи с их абсолютными значениями, , полученными на основе спектроскопических данных. В частности, используется функция:

,

Термодинамический потенциал ФТ позволяет записать стандартный изобарный потенциал реакции в следующем виде:

(1.6)

Константа химического равновесия kp(T) связана с величиной аналогичным соотношением (1.8), и с учетом (2.6) получаем

(1.7)

Стандартная теплота реакции вычисляется, как и ранее, по формуле (1.12), а величина ФТ - по общему правилу:

, (1.8)

T, K

1 реакция

2 реакция

3 реакция

700

105,83

23,30333

66,86

800

86,47

3,68

68,35

900

87,13

4,04

69,69

1000

87,7

4,376667

70,82

1100

88,18

4,673333

71,77

1200

88,82

5,01

72,84

1300

89,17

5,243333

73,54

DH

298

121,5

5,6

86,08

T, K

Kp1(T)

Kp2(T)

Kp3(T)

700

0,000288217

6,306346

0,001168

800

0,000381791

0,670643

0,008886

900

0,003149444

0,769048

0,044013

1000

0,017122041

0,863111

0,159399

1100

0,068532259

0,950992

0,458255

1200

0,22407192

1,042181

1,142447

1300

0,596646409

1,119175

2,41433

3. Расчет состава газовой фазы

Общее давление, при котором происходит газотранспортный химический процесс равен Р, тогда сумма парциальных давлений газовых компонентов будет равна:

(1.9)

В наиболее применимом на практике случае, давление Р равно атмосферному.

В химические реакции вступает только часть молей присутствующих реагентов. Если на входе в реактор находится молей паров воды, то в реакцию вступило n0H2O молей, где - степень превращения. Равновесное количество молей газов, присутствующих в химической системе, с учетом соотношения (1.3), определяется следующим образом:

(1.10)

Полное число газовых молей по аналогии с (1.9) имеет следующий вид:

(1.11)

Парциальные давления для каждого компонента, рассчитанные по формуле

,

имеют соответствующие выражения:

(1.11)

Приближенные равенства в системе выражений (2.5) получены с учетом малости величины

= 10-2 10 -4

Подставляя выражения (2.11) в (2.9) , получаем уравнение для нахождения степени превращения как функции температуры и относительной влажности х:

Решение уравнения представим следующим выражением:

(1.12)

После вычисления степени превращения (Т,х) выполняется расчет равновесных парциальных давлений pAs2 , pH2O, и pGa2O как функции температуры Т относительной влажности х по формулам (1.11).

?

x

T, K

0,005

0,014

0,023

0,032

0,041

0,05

700

4,80181E-07

2,87E-07

2,24E-07

1,9E-07

1,68E-07

1,52E-07

800

5,63934E-05

7,29E-05

8,26E-05

8,97E-05

9,54E-05

0,0001

900

1,49462E-05

1,31E-05

1,24E-05

1,19E-05

1,15E-05

1,12E-05

1000

6,76906E-05

7,22E-05

7,45E-05

7,6E-05

7,72E-05

7,82E-05

1100

6,36355E-05

6,16E-05

6,07E-05

6E-05

5,96E-05

5,92E-05

1200

0,000118672

0,000121

0,000122

0,000122

0,000123

0,000123

1300

0,000141802

0,000141

0,00014

0,00014

0,000139

0,000139

Ph2o

x

T, K

0,005

0,014

0,023

0,032

0,041

0,05

700

2499,9988

6999,998

11500

16000

20500

25000

800

2499,859017

6999,489

11499,05

15998,56

20498,04

24997,49

900

2499,962635

6999,908

11499,86

15999,81

20499,76

24999,72

1000

2499,830774

6999,495

11499,14

15998,78

20498,42

24998,05

1100

2499,840911

6999,569

11499,3

15999,04

20498,78

24998,52

1200

2499,70332

6999,156

11498,6

15998,05

20497,49

24996,92

1300

2499,645494

6999,015

11498,39

15997,76

20497,14

24996,52

Pga2o=Pas2

x

T, K

0,005

0,014

0,023

0,032

0,041

0,05

700

6249996,999

48999986

1,32E+08

2,56E+08

4,2E+08

6,25E+08

800

6249647,541

48996426

1,32E+08

2,56E+08

4,2E+08

6,25E+08

900

6249906,587

48999356

1,32E+08

2,56E+08

4,2E+08

6,25E+08

1000

6249576,934

48996463

1,32E+08

2,56E+08

4,2E+08

6,25E+08

1100

6249602,278

48996981

1,32E+08

2,56E+08

4,2E+08

6,25E+08

1200

6249258,3

48994091

1,32E+08

2,56E+08

4,2E+08

6,25E+08

1300

6249113,735

48993107

1,32E+08

2,56E+08

4,2E+08

6,25E+08

4. Область стехиометричности газовой фазы

Для термодинамической оценки возможности подавления конкурирующих реакций необходимо рассчитать их изобарный потенциал для реальных давлений в системе, полученных из предыдущего расчета для основной реакции (1.1). Уравнения изотермы Вант-Гоффа для конкурирующих реакций имеет следующиц вид:

для реакций (1.4) и (1.5), соответственно:

(1.13)

(1.14)

DG2

x

T, K

0,005

0,014

0,023

0,032

0,041

0,05

700

-25883,15669

-27879,6

-28842,2

-29482,5

-29963,1

-30347,9

800

-14681,83602

-16963,4

-18063,5

-18795,2

-19344,4

-19784,2

900

-17541,27218

-20108,1

-21345,7

-22169

-22786,9

-23281,6

1000

-20448,8991

-23300,9

-24676

-25590,8

-26277,3

-26827

1100

-23380,14705

-26517,4

-28030,1

-29036,3

-29791,5

-30396,2

1200

-26418,33996

-29840,8

-31490,9

-32588,7

-33412,5

-34072,1

1300

-29389,70168

-33097,4

-34885

-36074,2

-36966,7

-37681,3

DG3

x

T, K

0,005

0,014

0,023

0,032

0,041

0,05

700

130302,9485

142281,5

148057,1

151899,1

154782,4

157091,2

800

135428,1408

149117,9

155718,4

160109,3

163404,4

166043

900

140390,9684

155792

163217,7

168157,5

171864,6

174833,1

1000

145295,0822

162407,3

170658,1

176146,7

180265,7

183564

1100

150171,6275

168995,1

178071

184108,5

188639,4

192267,5

1200

154713,5902

175248,3

185149,2

191735,6

196678,4

200636,3

1300

159522,8061

181768,8

192494,8

199630

204984,8

209272,5

В выражения (1.13) и (1.14) входят парциальные давления компонентов стехиометрической газовой смеси pH2, pH2O, pAs2, записанные в виде (1.5). Равенства G2(Т,x) = 0 и G3(Т,x) = 0 задают границы области стехиометричности газовой фазы, построенные на плоскости (Т, x). Указанные границы определяют область, где G2(Т,x) > 0 и G3(Т,х) > 0, т.е. формируется только требуемая твердая фаза.

За пределами этой области, наряду с реакцией (1.1), происходит, с одной стороны, реакция (1.3) с образованием Ga2O3 (тв), а с другой стороны - реакция диссоциации арсенида галлия с образованием Gа (ж).

Диффузионные процессы

1. Расчет и построение зависимости коэффициента диффузии от температуры:

Закон Аррениуса:

2. Определение профиля легирующей примеси для каждого этапа диффузии и глубины p-n перехода:

а) Загонка-легирование из источника с постоянной концентрацией примеси. газотранспортный галлий химический диффузия

Источник с постоянной концентрацией - источник, в котором количество примеси, уходящей из поверхностного слоя в объем полупроводниковой пластины, равно количеству примеси, поступающей в приповерхностный слой.

Начальные и граничные условия: C(x,t)=0 при t=0

C(x,t)=Cs, при x=0

граничные условия:

C(x,t)=0 при t>0, x>?

Диффузионная задача становится одномерной; 2ой закон Фика принимает вид:

,

решение:

Распределение примеси в полупроводнике

Количество внедренных атомов примеси под каждой единицей поверхности:

tз1 = 2 мин.

tз2 = 5 мин.

tз3 = 10 мин.

б) Разгонка-легирование из бесконечно тонкого источника с отражающей границей.

Начальные и граничные условия записываются:

C(x,t)=Qд(x) при t=0

граничные условия

J(t)= при x=0

C(x,t)=0 при t>0, x>?

Решением уравнения диффузии является выражение вида:

1)

Распределение концентрации примеси из бесконечно тонкого слоя.

Определение глубины p-n-перехода:

tз1 = 2 мин. -

tз2 = 5 мин. -

tз3 = 10 мин -

2)

Распределение концентрации примеси из бесконечно тонкого слоя.

Определение глубины p-n-перехода:

tз1 = 2 мин. -

tз2 = 5 мин. -

tз3 = 10 мин -

3)

Распределение концентрации примеси из бесконечно тонкого слоя.

Определение глубины p-n-перехода:

tз1 = 2 мин. -

tз2 = 5 мин. -

tз3 = 10 мин -

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Молекулярное и надмолекулярное строение полимеров и их влияние на относительно элементарные процессы осаждения металлического покрытия. Осаждение тонких полимерных покрытий из активной газовой фазы. Размерные эффекты в тонких полимерных покрытиях.

    реферат [204,7 K], добавлен 05.01.2010

  • Характеристика химического равновесия. Зависимость скорости химической реакции от концентрации реагирующих веществ, температуры, величины поверхности реагирующих веществ. Влияние концентрации реагирующих веществ и температуры на состояние равновесия.

    лабораторная работа [282,5 K], добавлен 08.10.2013

  • Изучение понятия упругости диссоциации соединения - равновесного парциального давления газообразного продукта гетерогенных реакций. Взаимодействие углерода с кислородосодержащей газовой фазой. Восстановление оксида железа оксидом углерода и водородом.

    контрольная работа [355,6 K], добавлен 13.02.2012

  • Изучение понятия выращивания искусственных кристаллов – сложного физико-химического процесса, течение которого зависит от многих самых разнообразных факторов, и в котором четко прослеживается атомная природа вещества. Рост из растворов, из газовой фазы.

    презентация [983,4 K], добавлен 13.11.2011

  • Протекание химической реакции в газовой среде. Значение термодинамической константы равновесия. Расчет теплового эффекта; ЭДС гальванического элемента. Определение массы йода; состава равновесных фаз. Адсорбция растворенного органического вещества.

    контрольная работа [747,3 K], добавлен 10.09.2013

  • Определение состава продуктов полного сгорания газа. Расчет адиабатной температуры горения газовой смеси при постоянном объеме и при постоянном давлении. Кинетические константы реакции самовоспламенения природного газа. Предел воспламенения газовой смеси.

    курсовая работа [724,4 K], добавлен 19.02.2014

  • Рассмотрение превращения энергии (выделение, поглощение), тепловых эффектов, скорости протекания химических гомогенных и гетерогенных реакций. Определение зависимости скорости взаимодействия веществ (молекул, ионов) от их концентрации и температуры.

    реферат [26,7 K], добавлен 27.02.2010

  • Квантово-химический расчет термодинамических данных при полной оптимизации геометрии и оценка количественного содержания наиболее стабильных таутомерных форм молекулы нитрогуанидина при стандартных условиях в газовой фазе с помощью программы GAUSSIAN-03.

    курсовая работа [937,6 K], добавлен 08.06.2012

  • Предмет термохимии, изучение тепловых эффектов химических реакций. Типы процессов химической кинетики и катализа. Энтальпия (тепловой эффект) реакции. Скорость реакции, закон действующих масс. Константа химического равновесия, влияние катализатора.

    презентация [2,2 M], добавлен 19.10.2014

  • Закономерности образования и роста покрытий, формируемых из газовой фазы, закономерности роста вакуумных покрытий. Адсорбция и образование зародышей конденсированной фазы. Взаимодействие частиц конденсированной фазы, их срастание (коалесценция).

    реферат [96,4 K], добавлен 21.01.2011

  • Экспериментальное определение состояния равновесия в системах "оксианионы хрома (+6)–вода" и "роданид-анион–ионы железа" в зависимости от влияния различных факторов: увеличения концентрации исходных веществ и продуктов реакции, повышения температуры.

    лабораторная работа [23,0 K], добавлен 07.12.2010

  • Зависимость химической реакции от концентрации реагирующих веществ при постоянной температуре. Скорость химических реакций в гетерогенных системах. Влияние концентрации исходных веществ и продуктов реакции на химическое равновесие в гомогенной системе.

    контрольная работа [43,3 K], добавлен 04.04.2009

  • Характеристика химического равновесия в растворах и гомогенных системах. Анализ зависимости константы равновесия от температуры и природы реагирующих веществ. Описания процесса синтеза аммиака. Фазовая диаграмма воды. Исследование принципа Ле Шателье.

    презентация [4,2 M], добавлен 23.11.2014

  • Прямое азотирование кремния. Процессы осаждения из газовой фазы. Плазмохимическое осаждение и реактивное распыление. Структура тонких пленок нитрида кремния. Влияние поверхности подложки на состав, структуру и морфологию осаждаемых слоев нитрида кремния.

    курсовая работа [985,1 K], добавлен 03.12.2014

  • Понятия химической кинетики. Элементарный акт химического процесса. Законы, постулаты и принципы. Закон сохранения энергии. Принцип микроскопической обратимости, детального равновесия, независимости химических реакций. Закон (уравнение) Аррениуса.

    реферат [74,3 K], добавлен 27.01.2009

  • Понятие о химической кинетике. Взаимодействие кислорода с водородом. Механизмы химических реакций. Влияние температуры на скорость реакций. Понятие об активном комплексе. Влияние природы реагирующих веществ на скорость реакций. Закон действия масс.

    реферат [237,9 K], добавлен 27.04.2016

  • Общие сведенья о понятии "кластер". Методы исследования свойств и поведения кластеров различных типов. Пути получения неравновесных кластеров в газовой среде. Строение и свойства кластеров. Фазовые переходы в кластерах. Кластеры в химических превращениях.

    реферат [34,9 K], добавлен 25.01.2010

  • Понятие и расчет скорости химических реакций, ее научное и практическое значение и применение. Формулировка закона действующих масс. Факторы, влияющие на скорость химических реакций. Примеры реакций, протекающих в гомогенных и гетерогенных системах.

    презентация [1,6 M], добавлен 30.04.2012

  • Методы построения кинетических моделей гомогенных химических реакций. Расчет изменения концентраций в ходе химической реакции. Сравнительный анализ численных методов Эйлера и Рунге-Кутта. Влияние температуры на выход продуктов и степень превращения.

    контрольная работа [242,5 K], добавлен 12.05.2015

  • Описание процесса химического никелирования и состава гипофосфитных растворов никеля. Определение возможности получения покрытий Ni-P из пирофосфатных электролитов. Расчет толщины покрытия Ni-P и оценка его зависимости от концентрации соли в растворе.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 16.06.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.