Дослідження макроскопічних ростових дефектів кристалів ZnSe і CdZnTe

Комплексне дослідження діелектричного відгуку кристалів ZnSe і CZT та елементів на їх основі на комбіновані тестові впливи. Розробка моделі "реальний кристал – системний об’єкт". Ознаки внутрішніх електричних полів, що сформовані в кристалах ZnSe і CZT.

Рубрика Производство и технологии
Вид автореферат
Язык украинский
Дата добавления 07.03.2014
Размер файла 84,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Ключевые слова: идентификация, макроскопические ростовые дефекты, ZnSe, CZT, внутренние поля, индивидуальность, взаимосвязанность, диэлектрический отклик, тестовые воздействия.

Klimenko I.A. Investigation of macroscopic growth defects of ZnSe and CdZnTe crystals. - Manuscript.

Thesis for the degree of Candidate of Technical Sciences. Speciality 05.02.01 - materials science. Institute for Single Crystals of STC “Institute for Single Crystals” National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, 2001.

The thesis is dedicated to the development of a procedure of detection and functional identification of macroscopic growth defects of ZnSe and CZT crystals, widely used as materials for laser technology and X-ray and ray detectors. It is shown, that the functional identification of macroscopic growth defects is possible within the framework of viewing them as sources of internal mechanical and electrical fields. It is determined, that the low-frequency dielectric parameters (real and imaginary parts of complex dielectric constant ) are informative about character of internal fields. The experimental researches of low-frequency dielectric responses of ZnSe and CZT crystals on external test actions of electric fields, photoexcitation and thermal actions are made. The representation of dielectric responses on test actions by the way of pictorial fashions - diagrams on a complex plane has allowed to determine characteristic features of macroscopic growth defects aggregates and functionly to identify them as sources and drains of internal fields. The possibility of using of macroscopic growth defects functional identification procedure for the monitoring of a technological processing is shown and the new method of thermoacoustic processing of ZnSe and CZT crystals is designed.

Keywords: identification, macroscopic growth defects, ZnSe, CZT, internal fields, dielectric response, test actions.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.