Рідинна епітаксія твердих розчинів сполук
Технологічний режим вирощування методом рідинної епітаксії малонапружених ізоперіодних напівпровідникових підкладках. Залежність електрофізичних властивостей від хімічного складу та режимів вирощування. Гальваномагнітні виміри методом Ван-дер-Пау.
| Рубрика | Производство и технологии |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 22.07.2014 |
| Размер файла | 59,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
The high-quality Pb1-xSnxTe1-ySey epitaxial layers, lattice matched with (100)KCl, (111)BaF2, (100)Pb0.80Sn0.20Te and (100)PbTe0.92Se0.08 substrates, were grown from bounded volume of (Pb1-vSnv)1-w(Te1-uSeu)w melt-solutions in the growth temperature region 773873 K. The epitaxy growth was initiated 13 K below the liquidus temperature by filling of the melt-solution on the substrates through the slot of cassette. The range of the temperature reduction was 515 K at a programmatic refrigeration rate of 0.10.2 K/min. The obtained Pb1-xSnxTe1-ySey epitaxial layers were mirror-smooth or had slight terrace structure. Their surface dislocation density was Nd105 cm-2 at the thick-ness 211 m. n-Pb1-xSnxTe1-ySey (0.00х0.25, 0.69у0.78 (at. fr.))/BaF2 epi-layers had n=(13)1017 cm-3 and H=(79)103 cm2·V-1·s-1; p-Pb1-xSnxTe1-ySey (0.40х0.70, 0.52у0.63 (at. fr.))/BaF2 - р=(35)1017 cm-3 and Н=(13) 103 cm2·V-1·s-1; n-Pb1-xSnxTe1-ySey (0.17х0.26, 0.17у0.21 (at. fr.))/KCl - n=(14)1017 cm-3 and H=(610)103 cm2·V-1·s-1 and p-Pb1-xSnxTe1-ySey (0.09х0.18, 0.02у0.06 (at. fr.))/р*-Pb0.80Sn0.20Te - р=(28)1017 cm-3 and Н=(16)103 cm2·V-1·s-1 at 77 K.
Cu/?-layer/n-Pb1-xSnxTe1-ySey/In and Ag/?-layer/р-Pb1-xSnxTe1-ySey/Pt Schottky barrier structures were obtained on the Pb1-xSnxTe1-ySey/BaF2 epitaxial layers by the thermal vacuum deposition of rectifying (Cu, Ag, thickness 20003000 Е, active aria A2.25 mm2) and ohmic (In, Pt, 15003000 Е, aria 50.2 mm2) contacts. After the deposition of ohmic contacts and before to the deposition of rectifying contacts, the thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layers on the epitaxial layer surfaces were formed by the forced oxidation. For the forward voltage bias 0.02<U<0.20 V, the experimental current-voltage curves of the obtained Schottky barrier structures were good approximated by the expression I=IS·exp[q(U-I·r)/·k·T], where ranged from 1.7 to 3.6, IS - from 24 to 135 A and R0A - from 1.7 to 14.2 Ohm·cm2, respectively. Series resistance r=3.711.7 Ohm. The reverse branches of the CVC are not saturated and have appearance, which is typical for the «soft breakdown». For the reverse bias -0.4U0 V, the farad-voltage characteristics of the obtained Schottky barrier structures were good approximated by the expression C-2=B·{[obi-(k·T/q)]-U}, where B=(1.21.8)1017 [C-2·V-1], obi ranged from 0.047 to 0.114 V, C0=2.16.9 nF. As the explanation of the obtained experimental results, was proposed a physical model of the metal/-layer/n(p)-Pb1-xSnxTe1-ySey/In Schottky barrier structure. On the basis of this model was obtained the relationship for the calculation of assessmentive value of -layer width. From the experimental CVC and FVC, it was obtained that the R0A, , obi increased and IS, C0 decreased with the increasing of the . Furthermore, the current value at one and the same voltage bias decreased with the increasing of the -layer width. It may be explained by corresponding increasing of the -layer barrier and dependence of the barrier height on the values of relative static dielectric permittivity of the -layer, -layer width and density of surface states. Increasing of the obi at the increasing of the may be explained by decreasing of the density of surface states and increasing of the relative static dielectric permittivity of -layer due to the changing of its composition at the increasing of oxidation time.
The linear photovoltaic infrared sensor arrays have been formed on the basis of grown high-quality Pb1-xSnxTe1-ySey epitaxial layers by the thermal vacuum deposition technique. The obtained 25(8)-element matrix of the Schottky photodiodes Au/-layer/n-Pb1-xSnxTe1-ySey(/KCl)/Al and Pb/-layer /р-Pb1-xSnxTe1-ySey/р+-Pb0.80Sn0.20Te/Au at the 170 K and p813 m had R0A=0.080.32 Ohm·cm2, =0.320.45 and D*=(0.51.5)1010 cm·Hz1/2·W-1; Au/-layer/n-Pb1-xSnxTe1-ySey(/BaF2)/Pb at the 77 K and p812 m had R0A=1.72.6 Ohm·cm2, =0.370.48 and D*=(3.24.4)1010 cm·Hz1/2·W-1.
Keywords: liquid phase epitaxy, lead-tin chalcogenide, Schottky diode with thin intermediate oxide layer.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Перeваги кремнію – основного матеріалу напівпровідникової техніки. Вирощування монокристалів із розплаву. Методи вирощування Стокбаргера і Бріджмена на основі переміщення тигля в температурному градієнті. Очищення методом зонної плавки, її варіанти.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 09.04.2011Технологія виготовлення планарного діода: вхідний контроль, підготовка напівпровідникових пластин, епітаксія, окислювання кремнієвих пластин, фотолітографія, металізація. Скрайбування та розламування пластин на кристали. Розрахунок дифузійного процесу.
курсовая работа [696,4 K], добавлен 10.11.2013Розрахунок режимів різання розрахунково-аналітичним методом для токарної та фрезерної операції. Знаходження коефіцієнтів для визначення складових сили різання. Визначення загального поправочного коефіцієнту на швидкість різання. Види фрезерних операцій.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 04.07.2010Технологічна спадковість як перенесення на готову деталь у процесі її обробки властивостей вихідної заготовки чи властивостей і похибок, що сформувалися у заготовці на окремих операціях виготовлення деталі. Вплив режимів обробки на властивості деталей.
контрольная работа [643,3 K], добавлен 08.06.2011Конструкторсько-технологічний аналіз виробу. Визначення складу та властивостей металу, обґрунтування способів зварювання та використовуваних матеріалів. Розрахунок витрат зварювальних матеріалів. Аналіз варіантів проведення робіт та вибір оптимального.
курсовая работа [1007,9 K], добавлен 27.05.2015Дослідження ринку пиломатеріалів України, формування їх споживних властивостей та якості. Вибір хвойних порід, з яких виготовляють пиломатеріали: модрина, сосна, ялина, кедр та ялівець. Технологічний процес виготовлення елементів стропильної системи.
курсовая работа [202,0 K], добавлен 17.12.2012Проектування цеху з виробництва деталей, призначених для електром'ясорубки, методом лиття під тиском із АБС-пластику з загальною річною продуктивністю 5000 т. Особливості сировини та готової продукції. Аналіз техніко-економічних показників виробництва.
дипломная работа [438,6 K], добавлен 07.11.2011Літературний огляд властивостей та технології отримання монокристалів германія. Властивості монокристалів, їх кристалографічна структура, фізико-хімічні, електрофізичні та оптичні властивості. Технологічні умови вирощування германію, його застосування.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.05.2015Расчёт размеров контрольно-измерительного калибра для скобы (контркалибра). Расчет посадки с натягом для соединения вала и втулки. Расчет размерных цепей методом максимума-минимума (методом полной взаимозаменяемости) и теоретико-вероятностным методом.
курсовая работа [145,0 K], добавлен 14.07.2012Расчет сборочной размерной цепи методом полной взаимозаменяемости и вероятностным методом. Решение размерной цепи методом максимума-минимума и вероятностным методом. Допуски составляющих размеров при вероятностном методе и по методу максимума-минимума.
задача [242,3 K], добавлен 22.04.2009Определение положений, скоростей и ускорений звеньев рычажного механизма и их различных точек. Исследование движения звеньев методом диаграмм, методом планов или координат. Расчет усилий, действующих на звенья методом планов сил и рычага Жуковского.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 28.09.2011Властивості та технічні характеристики білої сажі. Її застосування, упаковка та транспортування. Конструкція і режим роботи хімічного реактора, структура математичної моделі. Схема типового проточного реактора з мішалкою. Моделювання системи управління.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 17.03.2015Визначення службового призначення прошивного ролика і вивчення його конструктивних особливостей. Розробка креслення заготовки деталі "ролик" і розрахунок оптимальних параметрів для її обробки. Підбір інструменту і обґрунтування режимів різання деталі.
курсовая работа [923,2 K], добавлен 07.08.2013Кинематический анализ рычажного механизма в перманентном движении методом планов и методом диаграмм. Определение линейных скоростей точек и угловых скоростей звеньев механизма, его силовой анализ методом кинетостатики. План зацепления зубчатых колес.
курсовая работа [454,1 K], добавлен 10.09.2012Аналіз технологічності конструкції деталі Стійка. Вибір заготовки та спосіб її отримання за умов автоматизованого виробництва. Вибір обладнання; розробка маршрутного процесу та управляючих програм для обробки деталі. Розрахунок припусків, режимів різання.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 10.01.2015Кинематическое и кинетостатическое исследование механизма рабочей машины. Расчет скоростей методом планов. Силовой расчет структурной группы и ведущего звена методом планов. Определение уравновешивающей силы методом "жесткого рычага" Н.Е. Жуковского.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 04.05.2016Розрахунок припусків та режимів різання розрахунково-аналітичним методом та обточування циліндричної поверхні заготовки. Обчислення норми часу на токарну операцію. Представлення конструкції поворотних лещат з нерухомою губкою та пневматичним приводом.
дипломная работа [5,0 M], добавлен 08.01.2011Службове призначення і технологічна характеристика деталі "Кришка підшипника": тип виробництва, вихідні дані; технологічний процес виготовлення і методи обробки поверхонь, засоби оснащення; розрахунки припусків, режимів різання, технічних норм часу.
курсовая работа [410,5 K], добавлен 20.12.2010Теоретичні відомості про полімери та їх переробку, технологія одержання плівки методом екструзії з роздувом. Механічні властивості поліетилену, методика їх вдосконалення. Характеристика сировини та готової продукції, норми технологічного режиму.
курсовая работа [230,1 K], добавлен 11.12.2010Поняття високоміцної сталі. Вміст легуючих елементів, що надають сталі спеціальних властивостей. Визначення складу комплексно-легованих сталей, їх характеристика, призначення та ознаки класифікації. Види легуючих елементів для поліпшення властивостей.
контрольная работа [18,7 K], добавлен 12.10.2012
