Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN

Розробка методики вимірювання параметрів потужних НЕМТ та вивчення їх фізичних процесів на основі гетеропереходів AlGaN/GaN, що виникають при опроміненні г-квантами. Причини зміни параметрів ВАХ НЕМТ та шумових характеристик і можливості управління ними.

Рубрика Производство и технологии
Предмет Технологія
Вид автореферат
Язык украинский
Прислал(а) Куракін А.М.
Дата добавления 23.08.2014
Размер файла 47,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.