Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

Дослідження впливу рідкісноземельних й ізовалентних елементів на властивості епітаксійних шарів. Аналіз можливості керування концентрацією вільних дірок. Спрощення технології нарощування шарів гетероструктур інжекційних напівпровідникових лазерів.

Рубрика Производство и технологии
Предмет Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Вид автореферат
Язык украинский
Прислал(а) Мрихін І.О.
Дата добавления 27.12.2015
Размер файла 123,9 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.