статья Новая технология получения кремния для солнечных элементов
Инновационный метод получения кремния для изготовления солнечных панелей, основанный на облучении порошка халцедона гамма-квантами от высоковольтного электронного ускорителя. Процентное содержание чистого кремния в зависимости от технологии обработки.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
Рубрика | Производство и технологии |
Вид | статья |
Язык | русский |
Дата добавления | 01.03.2025 |
Размер файла | 1,2 M |
Подобные документы
Изучение принципа работы солнечного элемента. Описание технологии получения поликристаллического кремния карботермическим методом и путем водородного восстановления трихлорсилана. Разработка технологической планировки цеха по производству мультикремния.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 13.05.2012Тенденция к использованию более богатого по содержанию кремния ферросилиция и брикетов и комплексных сплавов на основе ферросилиция и кристаллического кремния. Физико-химические свойства кремния. Шихтовые материалы для производства ферросилиция.
курсовая работа [696,9 K], добавлен 02.02.2011Создание карбидокремниевой керамики на нитридной связке как тугоплавкого соединения. Способ получения керамического материала в системе Si3N4-SiC. Огнеупорный материал и способ получения. Высокотемпературное взаимодействие карбида кремния с азотом.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 24.09.2014Характеристика черного карбида кремния и область его применения. Физико-химические и технологические исследования процесса производства карбида кремния в электропечах сопротивления. Расчет шихтовых материалов. Расчет экономической эффективности проекта.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 24.10.2011Сырье и углеродистые восстановители, применяемые при производстве кремния. Перерасчет компонентов на золу каменного угля, нефтяного кокса, древесного угля, древесной щепы. Химический состав кремниевого расплава, полученного в результате моделирования.
курсовая работа [175,4 K], добавлен 07.06.2014Переработка рисового зерна в крупу. Химическое содержание рисовой шелухи. Способы использования рисовой шелухи. Технологические схемы выделения чистого кремнезема. Переработка отходов рисового производства для получения аморфного диоксида кремния.
статья [991,8 K], добавлен 05.10.2017Источники примесей для диффузионного легирования кремния и технология диффузии примесей в кремний. Технология и оборудование для проведения процесса диффузии и контроля параметров диффузионных слоев. Использование разработанных источников диффузанта.
дипломная работа [1,5 M], добавлен 07.07.2003Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам. Кинетика термического окисления кремния: в сухом и влажном кислороде, в парах воды. Особенности методов осаждения оксидных пленок кремния. Оценка толщины и пористости осаждаемых пленок.
реферат [1,2 M], добавлен 24.09.2009Строение полупроводникового материала группы АIIIВV – GaAs, сравнение свойств арсенида галлия со свойствами кремния, способы получения, использование в качестве деталей транзисторов. Перспективы развития технологии изготовления приборов на его основе.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 04.12.2012Способы получения алюминиево-кремниевых сплавов. Процесс углетермического восстановления оксидов кремния и алюминия. Механизм и кинетика процесса восстановления алюмосиликатных шихт в диапазоне составов силикоалюминия с использованием восстановителя.
автореферат [439,3 K], добавлен 16.06.2009Оборудование для термического окисления: модель Дила-Гроува, зависимость толщины окисла от времени окисления, особенности роста тонких и толстых плёнок двуокиси кремния, их свойства и применение в микроэлектронике. Реакторы биполярного окисления.
реферат [106,3 K], добавлен 10.06.2009Сущность метода зонной плавки. Физико-химические свойства германия. Применение германия в полупроводниковых приборах. Получение технического кремния восстановления природного диоксида SiO2 (кремнезем) в электрической дуге между графитовыми электродами.
реферат [125,4 K], добавлен 25.01.2010Технологические особенности получения ферросиликомарганца в рудовосстановительных печах. Микроренгеноструктурные и петрографические исследования наличия серы в силикомарганце. Зависимость влияния кремния и титана на массовую долю серы в сплавах.
дипломная работа [4,6 M], добавлен 01.11.2010Разработка маршрутно-технологического процесса получения детали "Направляющая". Обзор возможных способов получения заготовки. Особенности технологии получения заготовки литьём под давлением. Описание схемы обработки резанием и способы контроля качества.
курсовая работа [502,3 K], добавлен 02.10.2012Выбор материала и способа получения заготовки, технология ее обработки. Технологические операции получения заготовки методом литья в металлические формы (кокили). Технологический процесс термической и механической обработки материала, виды резания.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 23.07.2013Автоклавно-содовый способ разложения вольфрамовых концентратов. Пути совершенствования выщелачивания методом выведения избыточной соды из автоклавных щелоков. Методы очистки вольфрамата натрия от кремния, фторид-ионов и молибдена для получения ангидрида.
курсовая работа [203,5 K], добавлен 30.01.2011Общая технологическая схема получения и обработки заготовки, получаемой штамповкой. Порядок и критерии выбора марки материала для изготовления заготовки данной детали, порядок его получения и обработки. Оценка технологичности спроектированной детали.
курсовая работа [539,4 K], добавлен 08.12.2009Элементарные полупроводники (германий, кремний), их свойства, получение, применение. Электрофизическая обработка (электроэрозионная, лазерная, электронно-лучевая, плазменная), преимущества каждого из методов. Расчет удельного сопротивления конденсатора.
контрольная работа [63,1 K], добавлен 08.04.2014Разработка технологического процесса изготовления КМОП-КНС-ИМ с поликремниевыми затворами. Основные факторы, ограничивающие стоимость и качество КМОП-КНС-ИМ. Процесс наращивания поликристаллического кремния. Термическое оксидирование и фотолитография.
курсовая работа [458,1 K], добавлен 08.04.2016Гранулометрический и химический состав сырых шихтовых материалов. Дозирование и физико-химические основы процесса. Введение плавки. Нарушения хода печи: повышенное содержание кремния, оксида хрома и углерода, срыв подины, загрязнение слитков шлаком.
курсовая работа [78,4 K], добавлен 20.09.2013