Виконання розрахунково-графічних завдань

Особливості підготовки фахівців з електронних обчислювальних машин, мікроелектроніки, схемотехніки, автоматизованих систем обробки даних і управління. Розрахункові формули та співвідношення для визначення параметрів і номіналів елементів електричних схем.

Рубрика Педагогика
Вид методичка
Язык украинский
Дата добавления 22.07.2017
Размер файла 712,9 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

29

Размещено на http://www.allbest.ru/

Вступ

Розвиток електронної обчислювальної техніки, інформатики і застосування їх засобів і методів у народному господарстві, наукових дослідженнях, освіті й інших сферах людської діяльності є в даний час пріоритетним напрямом науково-технічного прогресу. Це призводить до необхідності широкої підготовки фахівців з електронних обчислювальних машин, мікроелектроніки та схемотехніки, автоматизованих систем обробки даних і управління й інших напрямів, пов'язаних з інтенсивним використанням цифрової обчислювальної техніки. Усім цим фахівцям необхідні досить глибокі знання принципів побудови і функціонування сучасної елементної бази мікроелектроніки та мікропроцесорних засобів, персональних комп'ютерів. Такі знання необхідні не тільки фахівцям різних галузей обчислювальної техніки, але й особам, пов'язаним зі створенням програмного забезпечення і застосуванням ЕОМ у різних галузях, що визначається тісною взаємодією апаратурних і програмних засобів в ЕОМ, тенденцією апаратурної реалізації системних і спеціалізованих програмних продуктів, що дозволяє досягти збільшення продуктивності, надійності, функціональної гнучкості, більшої пристосованості електронних засобів та обчислювальних машин і систем до експлуатаційного обслуговування.

Особливість аналізу цифрових сигналів і схем полягає у тому, що параметрами для їх описання є не конкретні значення струму та напруги, а абстрактні символи „0” та „1”, через які записують як вхідні сигнали цифрових пристроїв, так і їх вихідні функції. Математичним апаратом для запису функцій є Булівська алгебра - алгебра логіки. Основна задача синтеза логічної схеми полягає у знаходженні її структури, яка б задовольняла вибраний критерій оцінювання якості, виходячи із заданого опису роботи. Найчастіше бажано отримати логічну схему, яка містить мінімальне число логічних елементів з мінімальною кількістю входів. Така задача реалізується за допомогою методів мінімізації логічних функцій, серед яких, завдяки своїй простоті, найбільшого розповсюдження отримали способи із використанням карти Карно або Вейча.

Логічні елементи - один з найбільш поширених типових цифрових пристроїв, які можуть застосовуватися самостійно, або входити до складу інших схем (регістрів, лічильників, суматорів, дешифраторів та ін.). Логічні інтегральні мікросхеми випускаються, як правило, у вигляді логічних елементів, які утворюють функціонально повну систему, і залежно від схемотехнічної реалізації поділяються на різні типи: ТТЛ, ДТЛ, РТЛ, МДН та інші.

У даних методичних вказівках передбачається закріплення знань щодо основних розрахункових формул і співвідношень для визначення параметрів та номіналів елементів електричних схем, схемотехніки та особливостей функціонування таких схем, електричних характеристик напівпровідникових елементів.

Слід зазначити, що завдання потребує відповідних знань студентів, уміння працювати з довідковою технічною літературою.

1. Рекомендації щодо написання та оформлення розрахунково-графічних завдань

Метою проведення розрахунково-графічної роботи є визначення вміння студентів самостійно опрацьовувати довідковий та інформаційний матеріал, закріпити знання щодо визначення параметрів електронних схем, формулювати логічно обґрунтовані відповіді. У процесі виконання роботи студент зобов'язаний дотримуватися певних правил та стандартів щодо оформлення розрахунково-графічних завдань.

Розрахунково-графічні завдання можуть бути виконані у зошиті з обов'язковим указанням варіанта кожного з розрахованих завдань, вихідних даних та електричної принципової схеми. Титульна сторінка повинна нести інформацію про вид роботи, яка виконується, про дисципліну, з якої виконується робота, прізвище, ім'я, по батькові та групу виконавця, а також прізвище викладача, який перевірив роботу. Кожне нове завдання має починатись з нової сторінки. Пункт або підпункт може продовжуватись на тій самій сторінці, де закінчився попередній пункт або підпункт. Обов'язково повинен указуватись номер підпункту, назва параметра, що розраховується, наводитись формула, яка використовується для розрахунку (з її порядковим номером у завданні) та пояснені скорочення і невідомі літери у розрахунках.

2. Перелік завдань

Завдання 1

Розрахувати вимірювальний підсилювач на основі операційного підсилювача (ОП) для підсилення сиґналу різниці з діагоналі мосту, в одне з плечей якого ввімкнений терморезистор (рис.1). При зміні температури на кожні 100С виникає розбалансування моста ДRx. Номінальні значення резисторів моста Rx=R1; R2 = R3 та напруга живлення моста Еп вказано у таблиці 1. Необхідне значення коефіцієнта підсилення повинно реґулюватися у межах ДКu. Вхідний опір Rвх ?50 кОм. Оцінити величину синфазної завади на виході підсилювача, ураховуючи розкид номінальних опорів резисторів схеми. Відносна похибка вимірювання для всіх варіантів не повинна перевищувати 2 %.

Рисунок 1 - Вимірювальний підсилювач на основі ОП для підсилення сиґналу різниці з діагоналі мосту

Методика виконання завдання

1.1 Вибираємо тип ОП. Для зменшення похибки, що викликана вхідним струмом різниці, бажано використовувати типи ОП, вхідні каскади яких побудовано на польових транзисторах.

фахівець схемотехніка мікроелектроніка

Таблиця 1

Варіант

ДТ, град

R2 = R3, кОм

Еп, В

ДКu

ДRx, Ом

1

2

3

4

5

6

1

20-40

5

10

20-50

2,5

2

30-60

10

18

30-50

2,0

3

20-50

5

9

20-40

2,0

4

30-60

8

16

30-60

2,0

5

30-50

5

10

40-60

2,5

6

20-60

10

24

20-50

1,8

7

20-40

6

12

30-50

2,5

8

20-50

6

14

20-40

2,5

9

30-50

10

12

30-60

2,0

10

30-60

7

14

40-60

2,0

11

20-60

9

18

20-50

1,8

12

20-50

7

20

30-50

2,2

13

20-40

7

22

20-40

3,0

14

30-50

6

18

30-60

2,5

15

20-50

8

14

20-50

2,0

16

30-60

6

10

30-50

2,5

17

20-60

5

9

20-40

1,75

18

30-50

8

20

30-60

3,0

19

20-50

9

22

40-60

2,5

20

20-40

8

24

40-60

2,5

21

30-50

7

18

20-50

3,0

22

30-60

5

12

30-50

2,0

23

20-60

7

18

20-40

2,0

24

20-60

6

12

30-60

1,6

25

20-40

10

16

40-60

3,5

1.2 Розрахуємо величини диференційного та синфазного сигналів на вході підсилювача:

, (1.1)

,

де - розбаланс мосту при нагріванні на ДТ.

Терморезистори серії ММТ-1 и ММТ-4 мають діапазон номінальних значень у межах 1 - 200 кОм, ММТ-8: 0,001 - 1 кОм, ММТ-9: 0,01 - 5 кОм.

1.3 Вибираємо номінали резисторів схеми, виходячи з того, що каскад DАЗ являє собою підсилювач різніцевих сигналів, які прикладено до входів ОП. Його вихідна напруга визначається наступним співвідношенням:

. (1.2)

Якщо R4=R6; R5=R7; та R7/R6 = R5/R4 = m, то

. (1.3)

Відповідно до цього для достатнього підсилення різницевого сигналу та придушення синфазних завад необхідний точний підбір резисторів R4, R5, R6, R7. Тому рекомендують вибирати прецизійні резистори з допустимим відхиленням величини опору від номінального Дm = ± 0.5 и ± 0.1%, при тому, що R5 та R7 вибирають порядку 100 кОм, а m = (3 ч 5).

Опір змінного резистора аR визначається потребуємою глибиною реґулювання коефіцієнта підсилення Кuрізн:

(1.4),

Прийнявши значення R = R4 = R6, визначимо величину опору змінного резистора з умови, що аR ? аminR. При цьому слід пам'ятати, що аmin ? аmax.

1.4 Визначимо коефіцієнт послаблення синфазного сигналу підсилювача при Кuрізнmax:

, (1.5)

де - відхилення у відсотках від номінальних значень опорів резисторів R4, R5, R6, R7.

Порівняємо отриманий результат з указаним значенням Кпос_сф_оп на даний тип ОП, що зумовлено неідентичністю параметрів плечей операційного підсилювача. З двох значень Кпос_сф вибираємо менше та обчислюємо величину синфазної похибки на виході підсилювача:

, (1.6)

де Кuд = Кuрізн max.

1.5 Визначимо відносну похибку вимірювання при максимальному корисному сигналі:

(1.7)

Перевіримо, щоб її розрахована величина не перевищувала встановленого умовами значення 2 %. За необхідності виконуємо кориґування параметрів схеми.

Завдання 2

Розрахувати схему автогенератора лінійно-зростаючої напруги на операційному підсилювачі (ОП), що забезпечує частоту генерації - fг, амплітуду вихідної напруги Uвихmax, нелінійність о, відносну нестабільність частоти генерації дfг у діапазоні температур (-40 ч +40 оС) при роботі на опір навантаження Rн = 10 кОм. Числові значення параметрів відповідно до варіанта наведено у таблиці 2.

Рисунок 2 - Автогенератор лінійно-зростаючої напруги на операційному підсилювачі

Таблиця 2

Варіант

fг, Гц

Uвихmax, В

дfг, %

о, %

1

2

3

4

5

1

1

10

5

0,25

2

5

9

6

0,5

3

10

8

7

0,6

4

15

7

8

0,75

5

20

6

9

0,1

6

25

12

10

0,2

1

2

3

4

5

7

30

10

8

0,25

8

35

9

7

0,5

9

40

8

6

0,75

10

45

7

5

1,0

11

50

12

8

0,25

12

1

10

9

0,4

13

5

8

10

0,5

14

10

9

7

0,75

15

15

6

6

1,0

16

20

10

5

0,25

17

25

11

9

0,4

18

30

12

10

0,5

19

35

10

8

0,75

20

40

9

7

1,0

21

45

8

5

0,2

22

1

12

6

1,0

23

5

11

5

0,25

24

10

10

10

0,2

25

20

8

10

0,5

Методика виконання завдання

2.1 Вибираємо напругу джерела живлення, необхідну для отримання заданої амплітуди вихідного сигналу:

(2.1)

де с - (0,85…0,95) - коефіцієнт використання напруги живлення.

Отримане в (2.1) значення Ежив є одним з критеріїв вибору типу ОП та після його вибору беруть рівним типовому для даного ОП значенню Uдж.

Критерії вибору:

(2.2)

2.2 Оскільки вказані в таблиці 2 значення частот генерації досить малі, то немає необхідності враховувати інерційні властивості ОП, та, окрім критерія (2.2), при виборі типу ОП, враховуємо тільки вплив величини його вхідного опору Rвх ОП на на лінійність та амплітуду вихідного сигналу.

Почнемо розрахунок з вибору елементів хронуючого ланцюга R1С.

(2.3)

Величину Евх вибираємо з наступних виразів:

(2.4)

та оскільки Евх визначається напругою стабілізації стабілітронів VD3 та VD4, то його вибирають стандартним, таким що задовольняє умові (2.4). Задавши тип стабілітронів та врахувавши умови Iст. ном < IвихОПmax, бажано отримати при цьому значення R1С ? IС.

Визначивши R1С з (2.3), вибираємо високоякісний плівковий конденсатор С = (0.1 ч 1) мкФ та визначаємо величину R1. Виберемо стандартне значення, а при неможливості замінимо R1 двома послідовно з'єднаними стандартними опорами, одне з яких може бути змінним. Після чого приймаємо R0 = R1 та С0 = С1.

2.3 Для отримання заданої амплітуди та лінійності необхідно, щоб Rвх ОП >> R1 або:

(2.5)

2.4 Для вибраного типу ОП знаходимо Кu та визначаємо нелінійність схеми генератора (без урахування опорів витікання конденсатора С):

(2.6)

Отримане значення має бути не більше за величину, яку наведено у табл.2.

2.5 Величину резистора R2 вибираємо з умов малої тривалості зворотнього ходу пилкоподібної напруги , а саме:

Знаючи С, отримаємо:

(2.7)

Вибираємо найближче менше стандартне значення R2.

2.6 Величину R6 визначимо з умов відсутності шунтування стабілітронів VD3 і VD4:

(2.8)

Вибираємо найближче більше стандартне значення.

2.7 Величина опору резистора R5 не повинна бути меншою мінімально допустимого опору навантаження операційного підсилювача, і його вибирають з умови:

(2.9)

2.8 Для зменшення шунтування вхідного ланцюга підсилювача DA2 з урахуванням ПЗЗ величини R3 та R4 вибираємо з умови:

Зазвичай R3 = R4 = (100 ч 200) кОм.

Для послаблення впливу вхідного струму зміщення опір з боку обох входів вибирають однаковим:

2.10 Як VD1 і VD2 використовують кремнійові діоди малої потужності типу КД102А, Б, КД103А, Б, КД503А, Б та інші, які мають високе значення зворотніх опорів rзвор.

2.11 Як видно зі схеми, паралельно до резистора R1 та діода VD1 підключено послідовно з'єднані діод VD2 і резистор R2, що створюють ланцюг втікання, який збільшує значення вихідної частоти:

де - амплітуда вихідної напруги при температурі ; - амплітуда вихідної напруги при температурі = 20 0С.

де - зворотний опір діода VD2.

Визначивши його значення для = - 40 0C; =+40 0C; и = +20 0C, знайдемо три значення частоти: ; ; .

Розрахована величина не повинна перевищувати заданої в умовах завдання.

Завдання 3

3.1 Для кожного з варіантів рис.3, заданих за умовою, визначити тип наведеного на схемі логічного елемента (ДТЛ, ТТЛ, ЕЗЛ, МДП, КМДП), зазначити тип використаних активних елементів і призначення кожного з них у конкретній схемі. Поясніть порядок керування активними елементами.

3.2 Визначте вигляд логічної функції та рівні вихідної напруги логічних схем, тип і режими роботи яких задані табл.3.

Примітки:

для всіх непарних варіантів логіка позитивна, а для всіх парних - негативна;

для рис.3 (а, б, в, г, д, е, з) - Ек = 5 В; високий рівень = 5 В; низький рівень = 0,2 В;

для рис.3 (і) - Ес = 12 В; високий рівень = 0 В; низький рівень = - 12 В; гранична напруга кожного транзистора Uпор = 4 В;

для рис.3 (к) - Ес = 20 В; високий рівень = 9 В; низький рівень = 3 В; Uпор = 4 В;

для рис.3 (ж, л) - Ес = 25 В; високий рівень = 8 В; низький рівень = 2 В; Uпор = 6 В;

для рис.3 (м, н, о) - Ес = 10 В; високий рівень = 9 В; низький рівень = 3 В; Uпор = 2 В.

3.3 Визначте напругу на виході схеми ввімкнення логічного елемента (рис.3), варіант якої задано в табл.3.

Таблиця 3

Варіант рисунка 3

Режим роботи

1

2

а, б, ж, з, м

На схемі "м" вхід Х2 з'єднаний зі спільною шиною.

На схемі "ж" вхід Х2 з'єднаний із шиною живлення.

На схемі "з" вхід Х2 Uвх1= Uвх2= U'вх.

а, б, ж, з, м

- -------- - // - -----------

в, д, е, л, м

На схемі "м" вхід Х2 з'єднаний із шиною живлення.

На схемі "л" вхід Х3 з'єднаний зі спільною шиною.

На схемі "д" вхід Х3 з'єднаний із шиною живлення.

в, д, е, л, м

- -------- - // - -----------

а, г, з, і, м

На схемі "м" Uвх1= Uвх2= 1В.

На схемі "і" входи об'єднані Х1= Х2=Х.

На схемі "з" Uвх1= Uвх; Uвх2= U'вх.

а, г, з, і, м

- -------- - // - -----------

б, в, д, к, м

На схемі "м" Uвх1= U'вх; Uвх2= U'вх

На схемі "к" Uвх1= Uвх2= 3 В.

На схемі "д" вхід Х3 з'єднаний з Ек.

б, в, д, к, м

- -------- - // - -----------

а, е, ж, з, н

На схемі "н" Uвх1= Uвх2= U'.

На схемі "ж" Х1= Х2=Х.

На схемі "з" Uвх1= U'вх; Uвх2= U0вх.

а, е, ж, з, н

- -------- - // - -----------

в, г, д, л, н

На схемі "н" Uвх1= U'; Uвх2= U'.

На схемі "л" Х3 з'єднаний з Ес.

На схемі "д" вхід Х3 залишений вільним.

в, г, д, л, н

- -------- - // - -----------

а, б, з, і, н

На схемі "н" Uвх1= U'вх; Uвх2= U0.

На схемі "і" вхід Х2 під'єднаний до Ес.

На схемі "з" Uвх1= U'; Uвх2= U 0.

а, б, з, і, н

- -------- - // - -----------

в, д, е, к, н

На схемі "н" Uвх1= Uвх2 = U'.

На схемі "к" Uвх1= U 0; Uвх2= U'.

На схемі "д" вхід Х3 підключений до спільної шини.

в, д, е, к, н

- -------- - // - -----------

а, в, ж, з, о

На схемі "о" вхід Х1 з'єднаний зі спільною шиною.

На схемі "ж" Uвх1= Uвх2 = U'.

На схемі "з" Uвх1= Uвх2 = U'.

а, в, ж, з, о

- -------- - // - -----------

б, в, д, л, о

На схемі "о" вхід Х1 з'єднаний із Е0.

На схемі "л" вхід Х2 з'єднаний зі спільною шиною.

На схемі "б" Uвх= U'.

б, в, д, л, о

- -------- - // - -----------

а, е, з, і, о

На схемі "о" вхід Х3 з'єднаний зі спільною шиною.

На схемі "і" вхід Х2 з'єднаний зі спільною шиною.

На схемі "е" Uвх= U'.

а, е, з, і, о

- -------- - // - -----------

в, г, д, н, о

На схемі "о" вхід Х3 з'єднаний із шиною живлення.

На схемі "н" Uвх1= U'; Uвх2= U0

На схемі "г" Uвх1= Uвх2 = Ек.

в, г, д, н, о

- -------- - // - -----------

а, б, з, л, м

На схемі "м" Uвх1= U'; Uвх2= U0

На схемі "л" вхід Х2 з'єднаний із Ес.

На схемі "б" Uвх1= Uвх2 = U'.

Рис.3 (а)

Рис.3 (б)

Рис.3 (в)

Рис.3 (г)

Рис.3 (д)

Рис.3 (е)

Рис.3 (ж)

Рис.3 (з)

Рис.3 (і)

Рис.3 (к)

Рис.3 (л)

Рис.3 (м)

Рис.3 (н)

Рис.3 (о)

Методика виконання завдання

Наприклад: Визначте напругу на виході схеми 3 (к) при Ес = 25 В; U' = 9 В; U0 = 3 В; Uпор = 4 В, якщо Uвх1 = 9 В; Uвх2 = 3 В.

Розв'язання:

Оскільки Uвх1 > Uпор, ключ на транзисторі VT1 - відкритий і потенціал на його виході - низький, тобто Uвих1 = U 0 = 3 В. Якщо Uвх2 < Uпор, ключ на транзисторі VT2 - замкнений, але оскільки він зашунтований через VT1, то і Uвих2 = U 0.

Отже, напруга на виході елемента у заданому режимі: Uвих = U 0 = 3 В.

Визначаємо тип логічної функції, реалізованої кожним із заданих відповідно до варіанта логічним елементом. Для цього необхідно прослідкувати за зміною потенціалу на виході елемента при зміні рівнів вхідних сигналів по кожному із входів. Скласти таблицю істинності та записати логічну функцію словесно й у вигляді алгебраїчного виразу, та навести умовне позначення цього елемента.

Наприклад: 3І-НІ, . Таблиця істинності та умовне позначення елемента мають вигляд:

Х1

Х2

Х3

Y

0

0

0

1

0

0

1

1

0

1

0

1

0

1

1

1

1

0

0

1

1

0

1

1

1

1

0

1

1

1

1

0

Для правильного впорядкування логічної функції елемента необхідно пам'ятати, що для позитивної логіка високий рівень сигналу відповідає "1", низький - "0", а для негативної - навпаки.

Завдання 4

Одержати мінімальну форму і побудувати функціональну схему для реалізації чотиримісної логічної функції, заданої у табл.4 для двох випадків:

а) для побудови принципових схем можна використовувати всі елементи серії К155;

б) для побудови принципових схем можна використовувати тільки двовходові елементи І-НІ К155ЛА3.

Таблиця 4

Номер варіанта

Номер конституенти

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

1

1

1

1

Ш

0

0

Ш

Ш

0

1

1

1

1

0

1

0

2

1

0

1

1

Ш

1

0

0

0

1

1

0

Ш

Ш

0

1

3

1

1

0

0

0

1

1

1

Ш

0

0

0

1

1

Ш

0

4

Ш

1

0

1

Ш

0

1

1

Ш

0

0

0

1

0

0

1

5

0

0

1

0

0

0

1

1

Ш

Ш

0

1

0

0

1

1

6

Ш

0

1

1

1

Ш

0

0

1

Ш

0

0

1

1

1

Ш

7

1

1

Ш

1

0

0

0

1

1

1

Ш

0

0

0

1

1

8

0

Ш

0

1

1

0

1

1

0

0

0

1

1

Ш

Ш

0

9

1

Ш

0

0

0

1

1

0

1

1

1

1

0

0

0

Ш

10

1

0

0

1

1

0

1

0

1

1

1

Ш

Ш

0

0

0

11

Ш

1

0

1

0

0

0

0

0

1

1

1

0

Ш

1

1

12

0

1

1

0

1

1

1

Ш

1

0

0

0

0

1

1

1

13

1

1

1

0

0

1

1

0

1

0

0

0

1

1

Ш

Ш

14

Ш

Ш

1

0

0

0

1

1

Ш

0

0

0

1

1

0

1

15

1

0

0

1

0

1

1

0

0

1

1

1

0

0

1

1

16

0

1

0

Ш

Ш

1

0

0

1

1

1

1

0

0

1

1

17

0

0

1

0

0

0

0

1

Ш

1

0

1

1

0

1

1

18

0

0

1

1

0

1

1

0

0

0

0

1

1

1

0

Ш

19

1

0

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

Ш

Ш

0

20

Ш

1

1

0

0

1

1

0

Ш

1

1

1

0

0

0

Ш

21

0

0

0

0

1

1

0

1

1

Ш

Ш

0

0

Ш

1

0

22

0

0

1

1

1

0

0

0

1

Ш

0

1

1

Ш

0

1

23

0

0

1

0

0

1

0

1

1

1

0

Ш

1

1

0

0

24

0

1

0

1

0

0

1

1

0

0

0

1

1

1

0

Ш

25

1

0

1

1

1

0

0

1

Ш

Ш

0

0

0

1

1

0

Методика виконання завдання

4.1 Одержимо мінімальну форму логічної функції відповідно до методики, наведеної в завданні 4.

4.2 Складемо функціональну схему, що реалізує отриману логічну функцію. Як приклад використовуємо логічну функцію:

.

4.3 Аналізуючи отриману функцію і наявні в складі серії 155 логічні елементи, можна зробити висновок, що для реалізації схеми необхідні один чотиривходовий, два тривходові та два двовходові логічні елементи і чотири інвертори на кожну зі змінних.

Як логічні елементи зручно використовувати К155ЛА1, К155ЛА4, К155ЛА3, що реалізують функцію І-НІ, тому перетворимо функцію в систему І-НІ.

Тому що функція задана в ДНФ, візьмемо подвійне заперечення і застосуємо правило де Моргана. Одержимо:

. (а)

Для реалізації цієї функції виберемо:

а) один корпус мікросхеми К155ЛА3 (або один корпус мікросхеми К155ЛН1), елемент DD1, що дозволяє при об'єднаних входах кожного логічного елемента реалізовувати інверсію всіх чотирьох змінних;

б) один корпус мікросхеми К155ЛА4 (елемент DD2), що дозволяє реалізовувати дві тривходові функції І-НІ та на вільній мікросхемі, що залишилася - одну двовходову функцію І-НІ (об'єднавши два її входи);

в) один корпус мікросхеми К155ЛА1 (елемент DD3), що дозволяє реалізувати на одній своїй половині чотиривходову функцію І-НІ, а на другій - двовходову функцію, що залишилася, І-НІ, об'єднавши попарно її входи.

4.4 Відповідно до формули логічної функції й вибраних елементів DD1, DD2 і DD3 будуємо принципову схему (рис.4), на якій жирною лінією показано спільну шину, номери вхідних сигналів якої позначають числами зліва, а вихідних - числами справа.

Наприклад, якщо сигнал позначений індексом 3, то з рис.4 видно, що він надходить на входи 2, 9 і 10 елементи DD2. Аналогічно позначають й інші сигнали, що істотно спрощує зображення і читання схем.

Рисунок 4 - Схема, що реалізована на елементах І-НІ з різною кількістю входів

4.5 Для реалізації функції F на двовходових елементах І-НІ (мікросхема К155ЛА3 - чотири двовходові елементи І-НІ в одному корпусі) перетворимо рівняння (а) до потрібного вигляду; скориставшись співвідношенням для елементів з обмеженим числом входів:

; (б)

; (в)

; (г)

; (д)

Очевидно, що в нашому випадку необхідно перетворення (д), застосувавши яке, одержимо:

.

Схему, що реалізує цю функцію, наведено на рис.5.

Рисунок 5 - Схема, що реалізована на двовходових елементах І-НІ

Список літератури

1. Горбачев Г.Н. Промышленная электроника: Учебник для ВУЗов / Г.Н. Горбачев, Е.Е. Чаплыгин / Под ред.В.А. Лабунцова. - М.: Энергоатомиздат, 1988. - 320 с.: ил.

2. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - К.: Техника, 1980. - 356 c.

3. Руденко В.С. Основы промышленной электроники / В.С. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк - М.: Радио и связь, 1985. - 416 c.

4. Скаржепа В.А. Электроника и микросхемотехника. Ч.1 Электронные устройства информационной автоматики: Учебник / В.А. Скаржепа, А.Н. Луценко / Под общ. ред.А. А. Краснопрошиной. - К.: Выща шк., Головное изд-во, 1989. - 431 с.

5. Терещук Р.М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справ. радиолюбителя / Р.М. Терещук, К.М. Терещук, С.А. Седов. - Киев: Наук. думка, 1987. - 800 с.

6. Усатенко С.Т. Выполнение электрических схем по ЕСКД / С.Т. Усатенко, Т.К. Каченюк, М.В. Терехова. - М.: Издательство стандартов, 1989. - 230 с.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.