Введение в микроэлектронику
Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Полупроводники как наиболее распространенная в природе группа веществ. Характеристика методов получения монокристаллов кремния. Знакомство с биполярными и полевыми транзисторами.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Предмет | Микроэлектроника |
| Вид | курс лекций |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | makkenskii |
| Дата добавления | 27.01.2013 |
| Размер файла | 4,8 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Полупроводники n- и p-типа, методы получения и их зонные диаграммы. Основные и неосновные носители зарядов. Прохождение тока через полупроводники с разным типом проводимости. Виды транзисторных технологий, методика изготовления и область применения.
реферат [756,9 K], добавлен 28.07.2010Знакомство с мощными высоковольтными транзисторами. Рассмотрение основных источников вторичного электропитания. Этапы разработки структурной схемы устройства управления силовым инвертором. Способы определения мощности вторичной обмотки трансформатора.
контрольная работа [666,5 K], добавлен 05.02.2014Комбинационное рассеяние как переход электрона с одного колебательно-вращательного уровня на другой в результате взаимодействия молекулы с внешним полем. Общая характеристика лазерных методов детектирования веществ. Особенности лидарных методов.
презентация [63,5 K], добавлен 19.02.2014Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014Получение поликристаллического кремния. Методы получения газовых соединений Si, поликристаллических кремния из моносилана SiH4. Восстановление очищенного трихлорсилана. Установка для выращивания монокристаллического кремния. Мировой рынок поликремния.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 14.12.2011Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016Кристаллическая структура и магнитные свойства манганитов. Теплоемкость манганитов в области фазовых переходов. Основные результаты исследования температурной зависимости теплоемкости монокристаллов системы в различных магнитных полях и их обсуждение.
курсовая работа [795,4 K], добавлен 21.05.2019Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.
доклад [1,1 M], добавлен 26.01.2011Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.
статья [114,6 K], добавлен 22.06.2015Строение твердого тела. Понятие об энергетических уровнях. Классификация тел по электропроводности. Механизм образования электронной и дырочной проводимости. Примесные и собственные полупроводники. Области применения полупроводниковых материалов.
курсовая работа [475,6 K], добавлен 12.02.2014Знакомство с основными особенностями реактивного движения. Рассмотрение первых пороховых фейерверочных и сигнальных ракет. Кальмар как наиболее крупный беспозвоночный обитатель океанских глубин. Общая характеристика конструкции космической ракеты.
презентация [62,6 M], добавлен 20.01.2017Полупроводники - вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающие промежуточное положение между металлами и изоляторами. История открытия, распространенность полупроводников в природе и человеческой практике, их применение в наноэлектронике.
реферат [51,6 K], добавлен 10.01.2012Знакомство с термодинамическими процессами и циклами в тепловых двигателях и установках, способы определения изменения внутренней энергии. Рассмотрение особенностей адиабатного процесса сжатия. Этапы расчета производительности эквивалентного компрессора.
практическая работа [559,6 K], добавлен 24.04.2013Ураган как атмосферный вихрь с пониженным атмосферным давлением в центре: знакомство с причинами и географией возникновения, анализ электрических и магнитных свойств. Общая характеристика наиболее эффективных электрических методов управления ураганами.
реферат [71,2 K], добавлен 05.04.2016Знакомство с технологией получения равномерно-легированного кристалла с применением метода Чохральского. Этапы расчета массы хрома, загружаемого в установку. Характеристика требований к материалу подложки. Особенности работы интегральных микросхем.
контрольная работа [481,0 K], добавлен 30.06.2014Рассмотрение особенностей выбора типа золоулавливающих установок тепловой электрической станции. Характеристика инерционных золоуловителей, способы использования электрофильтров. Знакомство с принципом работы мокрого золоуловителя с коагулятором Вентури.
реферат [1,7 M], добавлен 07.07.2014Этапы расчетов границы энергетических зон окрестностей планеты Земля. Общая характеристика теории гравитации. Знакомство с основными особенностями известного третьего закона Кеплера, анализ сфер применения. Рассмотрение специальной теории относительности.
контрольная работа [1,4 M], добавлен 17.05.2014Знакомство с особенностями использования искусственных спутников Земли. Способы определения интегрального содержания вредных веществ в вертикальном столбе атмосферы. Использование газовизоров как один из перспективных вариантов практической реализации.
презентация [158,5 K], добавлен 19.02.2014Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011
