Общие сведения об электронных приборах

, (49)

а высота (толщина) канала

, (50)

где h - расстояние между металлургическими границами, N - концентрация легирующей примеси в канале, 0 - диэлектрическая проницаемость, e - `элементарный заряд, к - контактная разность потенциалов.

При некотором обратном напряжении UЗИ канал полностью перекрывается (у=0). Величину этого напряжения называют напряжением отсечки UОТС. Поскольку UОТС.>> К

(51)

С учетом (51) выражение (50) можно записать в виде

(52)

При напряжения UЗИ=0 высота (толщина) канала максимальна и сопротивление канала RК0 минимально:

, (53)

где - удельное сопротивление, L - длина и W - ширина канала

При подаче на сток напряжения (UCИ>0) в канале возникает ток IС и вдоль канала появляется падение напряжения U(x), величина которого зависит от расстояния x до истока. При этом на р-n-переходе будет действовать уже сумма напряжении UЗИ+U(x), и толщина канала становится переменный (рис.23в). Подставив в формулу (52) вместо UЗИ суммарное напряжение можно найти высоту канала, зависящую от координаты х:

(54)

Толщина канала максимальна у истока, где U(0) = 0, и минимальна у стока, где U(L)= UСИ. При некотором напряжении UСИ, называемом напряжением насыщения UНАС канал у стока полностью перекрывается (у=0 при x=L). Отсюда

UНАС = UОТС -UЗИ - цк (55)

Слагаемым цк в формулах (52), (54) обычно пренебрегают.

Найдем вольтамперную характеристику ПТ при UСИ UНАС. Приращение напряжения dU на элементарной длине dx пропорционально протекающему току:

(56)

Подставляя сюда y в виде функции U из (54) и интегрируя, получаем

Подставляя граничные значения U(0)=0, U(L)=UСИ, после несложных преобразований получаем

. (57)

Эта формула применима лишь при UСИ UНАС, при UСИ =UНАС ток достигает максимального значения и далее практически не изменяется. Все избыточное напряжение UСИ-UНАС падает на перекрытом участке канала, который расширяется с увеличением UСИ и длина канала несколько уменьшается (рис.23г). Подставляя UСИ = UНАС = UОТС-UЗИ в (57), получаем характеристику передачи ПТ при UСИ>UНАС

, (58)

где ICmax - максимальный ток при UЗИ=0.

(59)

Полевой транзистор с р-n-переходом был предложен В.Шокли в 1952 году. Им же было выведено уравнение (57).

Вольтамперные характеристики полевого транзистора с р-п переходом.

Выходных характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком (ОИ) приведены на рис.24.

Выходных характеристики имеют начальный крутой участок в области от 0 до UНАС , которые описываются формулой (57), и пологий при UСИ>UНАС, где. ток стока IС остается практически постоянным, этот участок ВАХ называется участком насыщения. Незначительное увеличение тока стока IС в режиме насыщения при повышении UСИ объясняется некоторым увеличением длины перекрытого участка и соответствующим уменьшением длины канала и падения напряжения на канале. Поэтому выходная дифференциальная проводимость в режиме насыщения имеет конечное значение.

При дальнейшем увеличение UСИ наступает пробой р-n-перехода и IС лавинообразно возрастает. Пробой возникает на перекрытом участке канала в области стока, где напряженность поля максимальна.

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

Передаточные характеристики IС= при UСИ=const для пологого участка выходных характеристик (UСИ>UНАС) приведены на рис25. Ток IС имеет максимальное значение при UЗИ =0. При UЗИ=UОТС канал перекрывается по всей длине, ток выходной цепи становится минимальным и определяется лишь током неосновных носителей заряда. Этот ток является неуправляемым и может составлять единицы наноампер.

Передаточная характеристика теоретически описывается формулой (58), на практике пользуются более удобной аппроксимацией:

, (60)

которую обычно записывают в виде

, , (60а)

где b - удельная крутизна.

Входные характеристики представляют собой обратную ветвь вольтамперной характеристики p-n-перехода затвора. Ток затвора составляет единицы - десятки нА, входное сопротивление - 108109 Ом.

Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы).

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

В этих транзисторах затвор отделен от полупроводника тонким слоем диэлектрика (0,1-0,2 мкм), в качестве которого чаще всего используется диоксид кремния (МОП-транзисторы). Аббревиатуры МДП и МОП показывают чередование слоев затвора: металл - диэлектрик - полупроводник и металл - оксид - полупроводник Устройство МДП-транзистора с индуцированным n-каналом показано на рис.26а. На кремниевой подложке p-типа созданы сильно легированные области истока и стока n+-типа на расстоянии L. В исходном состоянии канал отсутствует и между этими областями нет проводимости, т.к. их разделяет два встречно включенных p-n-перехода (заштрихованные области на рис.26а). Подложка обычно соединяется с истоком, но может иметь также отдельный вывод, как показано на рис.22в, и служить вторым управляющим электродом.

При подаче положительного напряжения на затвор под ним образуется слой, обедненный дырками, и с увеличением напряжения толщина этого слоя возрастает. Электроны при этом притягиваются к поверхности и их поверхностная концентрация ns растет. При некотором значении UЗИ, которое называется пороговым UПОР, поверхностные концентрации электронов и дырок выравниваются ns=ps=ni. При UЗИ>UПОР происходит инверсия проводимости и под затвором образуется тонкий слой, в котором основными носителями становятся электроны - образуется канал, соединяющий области стока и истока.

С увеличением напряжения UЗИ растет заряд электронов притянутых к поверхности, проводимость канала увеличивается. Этот заряд сосредоточен в очень тонком слое, толщиной 1-2нм.

При подаче на сток напряжения (UCИ>0) в канале возникает ток IС и вдоль канала появляется падение напряжения U(x), величина которого зависит от расстояния x до истока. При этом между затвором и каналом будет действовать уже разность напряжений - UЗИ - U(x), и плотность поверхностного заряда уменьшается по направлению к стоку. С увеличением напряжения UCИ растет ток стока и одновременно падает плотность поверхностного заряда на выходе канала.

При UСИ =UНАС разность UЗИ - UСИ= UПОР, плотность заряда на выходе обращается в ноль и канал перекрывается, ток достигает максимального значения. Таким образом,

UНАС= UЗИ -UПОР (61)

При дальнейшем увеличении UCИ все избыточное напряжение UСИ -UНАС падает на перекрытом участке, ток практически не изменяется, длина перекрытого участка ДL при этом увеличивается и длина канала несколько уменьшается (рис.26б).

В транзисторах со встроенным каналом канал существует в исходном состоянии, и они могут работать при разной полярности UЗИ при UЗИ>-UПОР= UОТС.

Устройство и принцип действия транзисторов с p-каналом аналогичны, лишь тип проводимости областей на рис.26 и полярность прикладываемых напряжений меняется на противоположный.

Вольтамперные характеристики МДП-транзисторов.

В МДП-транзисторах канал образован избыточными носителями, заряд которых не скомпенсирован. Плотность поверхностного заряда Qs можно считать равным нулю при UЗИ=UПОР. При UСИ=0

Qs=C0(UЗИ-UПОР),

где C0=ее0/d - удельная емкость затвора (d - толщина диэлектрика).

При 0<UСИ<UНАС Qs=C0(UЗИ-UПОР- U(x))

Ток стока пропорционален напряженности поля E(x):

IC=-мsQsWE(x)= мsWC0(UЗИ-UПОР- U(x)) dU /dx,

где мs - поверхностная подвижность носителей (мs меньше объемной подвижности м), W - ширина канала. Интегрируя это уравнение в пределах 0?x?L, 0?U?UСИ получаем

(UСИ?UНАС), (62)

где - удельная крутизна.

Начальные крутые участки ВАХ используются в ключевых (импульсных) схемах. При UСИ<<UЗИ-UПОР можно пренебречь квадратичным членом в выражении (62) и получить линейную зависимость:

IС=b(UЗИ - UПОР)UСИ

Коэффициент при UСИ называется проводимостью канала, а обратная величина - сопротивлением канала:

При UСИ?UНАС подставляя (61) в (62), получаем

На рис.27а показано типичное семейство выходных характеристик МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом, раличающихся лишь значением порогового напряжения (1В и -3В).

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

Штриховая линия на рис.27а отделяет крутую область от пологой. Значения UЗИ, приведенные в скобках, соответствуют транзистору со встроенным каналом. Из начала координат характеристики выходят с разным наклоном, тангенс угла наклона в соответствии с формулой (62) пропорционален UЗИ -UПОР. В пологой области ВАХ неэквидистантны - с ростом UЗИ растет приращение тока стока при одинаковом шаге UЗИ в соответствии с формулой (64). Наклон характеристик в пологой области объясняется уменьшением сопротивления канала при расширении перекрытой части.

Передаточные (стоко-затворные) характеристики

транзисторов с индуцированным и встроенным каналом для области насыщения показаны на рис.27б. Они совпадают по форме, но сдвинуты по оси UЗИ на разность пороговых напряжений.

Дифференциальные параметры полевых транзисторов.

Ток стока в полевом транзисторе является функцией двух переменных -IС=. Малые приращения связаны линейной зависимостью:

ДIС=SДUЗИ+GiДUСИ, (65)

где S - крутизна, Gi - выходная проводимость полевого транзистора. Величина, обратная выходной проводимости Ri=Gi-1 называется выходным (иногда внутренним) сопротивлением Дифференциальные параметры S, Gi являются частными производными функции IС= в выбранной рабочей точке

, (66)

Отношение приращений напряжений стока и затвора при постоянном токе стока называется статическим коэффициентом усиления м:

(67)

Из соотношения (65) следует:

(68)

Из выражений (64) и (63) следует

S= b(UЗИ - UПОР)=1/r'K (69)

Дифференциальные параметры можно найти как по выходным, так и по передаточным, характеристикам, беря отношения приращения переменных около рабочей точки с соблюдением условия линейности и постоянства другой независимой переменной. В качестве примера найдем дифференциальные параметры транзистора 2П303 в рабочей точке UЗИ=-1В, UСИ=11В (рис.24):

В данном случае нельзя найти м непосредственно по характеристикам, т.к. точка пересечения с другой характеристикой при заданном IС выходит за пределы линейной области. Этот параметр вычисляется по формуле (68):

=2,820=56

Все три параметра можно найти непосредственно по передаточным характеристикам.

Частотные свойства полевых транзисторов.

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

На высоких частотах упрощенную малосигнальную эквивалентную схему как ПТ с p-n-затвором, так и МДП-транзистора, можно представить в виде, показанном на рис.28. Упрощение заключается в том, что здесь пренебрегается омическими сопротивлениями высоко легированных областей стока и истока и обратным током p-n-переходов.

В этой схеме СЗК - емкость между затвором и каналом, на заряжении которого основан сам принцип действия транзисторов, r'K - распределенное сопротивление канала. Остальные емкости в схеме - емкость между затвором и истоком СЗИ, между затвором и стоком СЗC; стоком и подложкой СCП. - являются паразитными. В ПТ емкости СЗИ, СЗС обусловлены боковой поверхностью затвора, в МДП-транзисторах - частичным перекрытием затвором областей стока и истока, в ПТ с затвором Шоттки эти емкости отсутствуют. Ri - выходное дифференциальное сопротивление.

Генератор тока в выходной цепи управляется напряжением с крутизной , зависящей от частоты.

Сопротивление канала и ток стока не могут измениться, пока не зарядится емкость СЗК. Можно считать также, что генератор управляется напряжением на этой емкости с коэффициентом S0, не зависящим от частоты. В этом случае эквивалентную схему называют физической, ее элементы не зависят от частоты.

Емкость СЗК заряжается с постоянной времени S, которая и является постоянной времени крутизны:

S= r'K СЗК (70)

Соответственно, частотная зависимость крутизны определяется выражением

, (71)

где S0 - статическая крутизна,

, - граничная частота крутизны, на которой .

Постоянная времени крутизны квадратично зависит от длины канала и не зависит от его ширины.

Для ПТ с p-n-затвором

,

для МДП

.

Для транзисторов с n-каналом =1400см2 (Вс), s=500см2 (Вс). При одинаковой длине канала L=10мкм, полагая UОТС=2В , UЗИ - UПОР=4В, получаем S одного порядка величины для обоих видов транзисторов (0,7 и 0,5нс), которой соответствует граничная частота fS=S (2)300МГц. Современная технология позволяет изготовлять МДП-транзисторы сL<1мкм и fS>15ГГц, что не удается реализовать в ПТ с p-n-затвором.

Постоянная времени крутизны S определяет предельное быстродействие транзистора. В реальных схемах быстродействие часто ограничивается паразитными емкостями, которые определяют входную вх и выходную вых постоянные времени

вх=Rист.сCвх, вых=RСCвых,

где Rист.с - сопротивление источника входного сигнала, Cвх и Cвых - входная и выходная емкость, Cвых= CСП+CН, CН - емкость нагрузки, RС - сопротивление нагрузки.

Проходная емкость CЗС сильно влияет на частотные свойства, образуя цепь обратной связи. Ток, протекающий через эту емкость

,

где KU - коэффициент усиления по напряжению. Таким образом CЗС дает вклад во входную емкость с коэффициентом 1+KU (эффект Миллера):

Cвх= СЗК+ CЗИ+(1+ KU:)CЗС (72)

Ток, протекающий через емкость СЗС, создает на сопротивлении Rист.с дополнительное напряжение , пропорциональное выходному напряжению. При определенном характере нагрузки оно совпадает по фазе с входным напряжением, что может привести к самовозбуждению усилителя.

Усилительный режим полевых транзисторов.

Так же, как в случае БТ, возможны три схемы включения полевых транзисторов в качестве усилителей. Наиболее широко применяется схема с общим истоком (ОИ), упрощенная схема которого приведена на рис.29.

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

В цепь затвора подается постоянное напряжение EЗ и напряжение усиливаемого сигнала Uвх. Выходное напряжение складывается из постоянной составляющей и переменного напряжения Uвых.

На рис.30 приведено семейство выходных характеристик транзистора и проведена нагрузочная прямая в соответствии с уравнением UСИ = EС - RС IС (EС =10В, R =4кОм ). Рабочая точка А при Uвх=0 соответствует EЗ=3В. Если на входе действует гармонический сигнал низкой частоты с амплитудой Um вх, рабочая точка движется вдоль нагрузочной прямой. Крайние точки B и С определяются пересечением нагрузочной линии со статическими характеристиками, соответствующими напряжениям U??ЗИ=U0ЗИ+Umвх и U?ЗИ=U0ЗИ-Um вх. Точки B и С определяют амплитуды выходного тока и выходного напряжения. На рис.31 показаны соответствующие точки на характеристиках передачи.

Из графика рис.30 находится коэффициент усиления по напряжению. Поскольку амплитуды положительных и отрицательных полуволн Uвых несколько отличаются (есть некоторые нелинейные искажения), нужно брать отношение разностей максимального и минимального напряжений (коэффициент усиления по первой гармонике):



В нагруженном режиме к уравнению (65), связывающему приращение тока с приращениями напряжений, добавляется еще одно:

ДUСИ= -RC?ДIС,

Из этих двух уравнений находится связь коэффициента усиления со статическими параметрами:

(73)

Отсюда видно, что чем больше сопротивление RC , тем больше коэффициент усиления.

Однако с увеличением RC (при EC=const) рабочая точка смещается в сторону малых напряжений U0CИ (см. штриховую линию на рис.30, соответствующую RC =10кОм) и может попасть в крутую область выходных характеристик. Тогда крутизна, а следовательно, и коэффициент усиления снижаются.

Поэтому при увеличении RC надо одновременно повышать напряжение EC. Максимальное значение EC ограничено допустимой рассеиваемой мощностью и пробоем стокового перехода.

Ключевой режим работы полевых транзисторов.

Ключевой режим работы полевых транзисторов широко используется в цифровых устройствах.

Наиболее широко применяются транзисторы с индуцированным каналом, которые являются основным элементом МДП-транзисторных интегральных схем. На рис.32 показана схема ключа на транзисторе с индуцированным n-каналом и расположение рабочих точек на выходной характеристике.

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

На схеме рис.32а показана также емкость СН, на которую нагружена выходная цепь транзистора, которая определяет быстродействие ключа. В эту емкость кроме емкости нагрузки входит также емкость ССП самого транзистора.

В точке A транзистор заперт, на затвор подано напряжение <UПОР, остаточный ток есть обратный ток стокового p-n-перехода при обратном смещении близком к EC ток Iост составляет не более 10-8 - 10-10А, поэтому падением напряжения ICRC можно пренебречь и считать напряжение в этой точке равным EC

Для отпирания ключа на затвор подается напряжение >UПОР. Это напряжение должно быть достаточно большим, чтобы остаточное напряжение было как можно меньше. Тогда рабочий ток открытого ключа (ток насыщения) определяется, как и у биполярного транзистора, внешними элементами схемы:

IСН=(EС - Uост)/RС ? EС/RС (74)

Рабочая точка B лежит на начальном, квазилинейном участке характеристики МДП-транзистора. Поэтому Uост можно найти умножая ток насыщения (73) на сопротивление канала (63):

(75)

Переходные процессы.

Инерционность МДП-транзисторных ключей обусловлена главным образом перезарядом емкостей, входящих в состав комплексной нагрузки. Инерционность канала, характеризуемую постоянной времени S (70), при необходимости можно учесть складывая S с постоянной времени перезаряда емкостей.

Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе показаны на рис.33.

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

Пусть в исходном состоянии транзистор открыт и на нем падает небольшое остаточное напряжение. При поступлении запирающего напряжения ток в транзисторе уменьшается до нуля с весьма малой постоянной времени S - практически мгновенно. После запирания транзистора емкость СН заряжается от источника питания EC через резистор RC с постоянной времени фС = RC СН. Процесс заряда описывается простейшей экспоненциальной функцией:

Длительность фронта напряжения на уровне 0,9 EC составляет

tф = 2,3 RCCН (76)

Заменив сопротивление RC отношением EC /IСН, можно записать (76) в более общем виде:

tф = 2,3 (EC CН /IСН) (76а)

Отпирание ключа и формирование среза импульса напряжения протекает несколько сложнее.

После подачи отпирающего сигнала ток IC практически мгновенно (с постоянной времени S) достигает значения, определяемого формулой (64): Этим током начинает разряжаться емкость СН. По мере разряда емкости напряжение на стоке UC уменьшается.

До тех пор, пока оно остается больше напряжения насыщения UНАС=-UПОР, транзистор работает на пологом участке характеристики и ток сохраняет значение IC(0).

Когда напряжение UC становится меньше UНАС, ток IC начинает падать, стремясь в пределе к значению IСН. Длительность среза положительного импульса оказывается значительно меньше длительности фронта.

Для расчетов принята приближенная формула

tc=1,5[ECCН / IC(0)] (77)

2. Содержание задач контрольной работы

Задача 1.

По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора (Приложение1, рис.П.1, П.2, П3) и табличным высокочастотным параметрам (Приложение 2, табл.1) выполнить следующие расчеты в заданной рабочей точке:

а) рассчитать низкочастотные малосигнальные h-параметры и построить эквивалентную схему прибора на низкой частоте;

б) рассчитать параметры физической эквивалентной схемы прибора на высокой частоте и построить ее для этой же рабочей точки.

Задача 2.

По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора (Приложение1, рис.П.4, П.5) выполнить следующие графо-аналитические расчеты для усилительного каскада:

а) построить линию нагрузки;

б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;

в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима входное сопротивление, а также коэффициенты усиления по току Ki, напряжению Ku и мощности Kp. Найти полезную мощность в нагрузке и мощность PK, рассеиваемую в коллекторе.

Задача 3.

По заданным статическим характеристикам полевого транзистора (Приложение 1, рис.П.6, П.7) выполнить следующие графо-аналитические расчеты для усилительного каскада:

а) построить линию нагрузки;

б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;

в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициент усиления по напряжению Ku.. Найти полезную мощность в нагрузке и мощность PС, рассеиваемую в транзисторе.

Задача 4.

По заданным статическим характеристикам полевого транзистора (Приложение1, рис.П.6, П.7) и табличным высокочастотным параметрам (Приложение 2, табл.2) выполнить следующие расчеты в заданной рабочей точке:

а) рассчитать низкочастотные дифференциальные параметры,

б) рассчитать параметры физической эквивалентной схемы прибора на высокой частоте и построить ее для этой же рабочей точки,

в) найти граничную частоту крутизны и рассчитать активную и реактивную части входной проводимости на граничной частоте.

Задача 5.

По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора (Приложение 1, рис.П.1, П.2, П3) выполнить следующие графо-аналитические расчеты для электронного ключа:

а) построить линию нагрузки;

б) рассчитать остаточное напряжение открытого ключа, считая инверсный коэффициент передачи тока базы Вi=1, степень насыщения S=2ч5, сравнить со значением, найденным по характеристике, определить омическое сопротивление коллектора;

в) определить мощность, потребляемую входной цепью, мощность PK, рассеиваемую в коллекторе, и сопротивление открытого ключа.

Задача 6.

По заданным статическим характеристикам полевого транзистора (Приложение 3, рис.П.7, П.8) выполнить следующие графо-аналитические расчеты для электронного ключа:

а) построить линию нагрузки;

б) рассчитать остаточное напряжение открытого ключа, сравнить со значением, найденным по характеристике,

в) определить мощность, потребляемую замкнутым ключом P0, и мощность Pтр, рассеиваемую в открытом транзисторе;

г) определить длительность фронта и среза выходного импульса при емкости нагрузки СН=5пФ.

Выбор варианта задания

Студенты, имеющие нечетную предпоследнюю цифру номера зачетной книжки, выполняют задачи 1,3,5. Студенты, имеющие четную цифру, - задачи 2,4,6. Исходные данные к решаемым задачам определяется из таблиц 1 и 2 Приложения 3 по двум последним цифрам номера зачетной книжки

3. Требования к оформлению контрольных работ

1.В работе должны быть заголовки выполняемых пунктов контрольной работы. Все рисунки, таблицы и графики должны быть пронумерованы. В тетради оставляют поля (3-4 см) для замечаний. В конце контрольной работы приводится список используемой литературы.

2. Все рисунки и графики должны быть выполнены аккуратно в удобном для рассмотрения масштабе.

3. Задачи рекомендуется выполнять в общем виде, подставляя конкретные числа в формулы после их преобразования.

4. При решении задач следует пользоваться международной системой единиц измерения СИ, придерживаться общепринятой символики и правил записи формул и единиц измерения.

5. Контрольная работа высылается для проверки в установленные сроки. При наличии замечаний преподавателя, студент должен представить исправленный вариант контрольной работы совместно с первоначальным вариантом.

6. Без выполнения контрольной работы студент не допускается к выполнению лабораторных работ и к экзамену.

4. Методические указания по выполнению контрольной работы

Общие сведения, необходимые для выполнения контрольной работы, можно найти в рекомендованной литературе и содержатся также в теоретической части пособия. Дополнительную помощь призваны оказать приводимые ниже методические указания и примеры решения задач.

Указания к задаче 1.

Перерисовав статические характеристики биполярного транзистора, определяют малосигнальные h-параметры в заданном рабочем режиме. Метод их нахождения изложен в теоретической части пособия. Следует, однако, отметить, что в справочниках приводится только одна входная характеристика для активного режима. Это является следствием малого влияния выходного напряжения на входную цепь прибора, поэтому входные характеристики, снятые для различных значений UКЭ, располагаются очень близко друг к другу и неразличимы в данном масштабе. Вторая характеристика, снятая для UКЭ=0, относится к режиму насыщения и не пригодна для нахождения h-параметров. Поэтому по входной характеристике для активного режима можно найти только h11Э. Два других параметра - h21Э и h22Э - находятся по выходным характеристикам. Недостающий параметр можно, однако, вычислить, заметив, что согласно эквивалентной схеме на рис.13



Сопротивление rБ вычисляется следующим образом. Сначала находим rБ по табличному значению ос для заданного значения IК по формуле (24), затем вычисляем rБ для значения I0К в нашей рабочей точке по формуле (29):

Крутизна S вычисляется по формуле (27), rКЭ можно найти по значению h22Э, которое для схемы на рис.13 равна

Определив все h-параметры можно начертить эквивалентную схему транзистора на низких частотах в системе h-параметров (рис.10).

Барьерные емкости СК, СЭбар приводятся в справочных данных, СКЭ= СК=(+1) СК, согласно (28), (21). Полная емкость СЭ= СЭбар+ СЭдф вычисляется по формуле (30):

CЭ=S/(2fпр)

Предельная частота fпр определяется по формуле (23).

Пример решения задачи 1.

Транзистор МП14, для которого были найдены h-параметры в теоретической части пособия, является низкочастотным и в справочнике приведена лишь предельная частота, что недостаточно для нахождения всех элементов эквивалентной схемы. Поэтому рассмотрим транзистор ГТ-322А, который имеет следующие ВЧ параметры:

CК=0,9 пФ, ос=50 пс при IК=1мА, =4 при f=20 МГц, СЭбар=60 пФ.

Для рабочей точки UКЭ=5 В, IБ=150мкА найдено:

I0К=6,7мА, h11Э=0,7кОм, h21Э=60, h22Э=0,1мСм.

Отсюда

S=I0К T=40 6,7 10-3=0,27См,

,

,

,

,

,

,

h12Э=rКЭ/rК=680/(2,44 106)=2,8 10-4

Эквивалентная схема транзистора в системе h-параметров на низких частотах имеет, таким образом, следующий вид:

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

Найдем емкости СКЭ и СЭ

СКЭ= СК=(+1)СК=61 0,9пФ=55пФ,

CЭ=S/(2fпр)= 0,27/(6,28 4 20 106)=540пФ.

Все параметры физической эквивалентной схемы найдены, и ее можно построить:

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

Указания к задаче 2.

Перерисовав статические характеристики биполярного транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению (31). Пересечение нагрузочной прямой со статической характеристикой при заданном значении тока базы I0Б определяет рабочую точку транзисторного каскада, нагруженного на резистор. Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи U0КЭ, I0К.

В справочниках приводится только одна входная характеристика для активного режима, вследствие малого влияния выходного напряжения на входную цепь прибора, поэтому входные характеристики, снятые для различных значений UКЭ, располагаются очень близко друг к другу. Эту входную характеристику и нужно использовать при расчетах, приняв ее за характеристику нагруженного режима. Координаты I0Б и U0БЭ на входной характеристике дают значение рабочего режима входной цепи.

Построив затем заданное синусоидальное изменение тока базы с амплитудой ImБ , определяют графически временные диаграммы токов и напряжений электродов транзистора. В случае отсутствия выходных характеристик, соответствующих максимальному и минимальному значениям тока базы IБmax = I0Б+ ImБ и IБmix = I0Б - ImБ нужно построить эти характеристики дополнительно. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на базе и коллекторе противофазные, и с соблюдением одинакового масштаба по оси времени. Пример построения временных диаграмм показан на рис.15 и 16.

После построения временных диаграмм необходимо оценить, имеются ли заметные искажения в выходной цепи транзистора или нет. Из временных диаграмм видно, что под действием переменного входного тока рабочая точка на выходных характеристиках движется вдоль линии нагрузки. Если рабочая точка какую-либо часть периода входного тока попадает в область насыщения или отсечки происходит сильное искажение выходного сигнала, называемое иногда «ограничением». В этом случае необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора.

Дальнейшие вычисления производятся только для активного режима работы прибора, называемого также линейным или неискажающим.

При нахождении из графиков величин ImК, UmБЭ, UmКЭ следует обратить внимание, что максимальное значение положительных и отрицательных полуволн сигнала могут быть неодинаковыми, а значит, усиление большого сигнала и в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями.

Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяются как средние за период, т.е.

Значения соответствующих рабочих параметров каскада в рабочей точке можно найти из построенных временных диаграмм как отношение амплитуд токов и напряжений:

Пример решения задачи 2.

Рассмотрим пример, приведенный на рис.16 и 17 для транзистора МП14. Дано: I0Б=60мкА, RН=4,1кОм, ImБ=20мкА.

Из временных диаграмм находим:

IKmax=3,04мА, IKmin=1,10мА, ImK=1,94мА;

UKmax=12В, UKmin=4В, UmK=4В;

UБЭmax=180мВ, UБЭmin=158мВ, UmБ=22мВ.

Указания к задаче 3.

Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению EC=UСИ+ICRC. Если эти точки выходят за пределы приведенного графика, надо строить ее лишь в пределах графика. Пересечение нагрузочной прямой со статической характеристикой при заданном значении напряжении U0ЗИ определяет рабочую точку транзисторного каскада, нагруженного на резистор. Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи U0СИ, I0С.

Построив затем заданное синусоидальное изменение напряжения UЗИ с амплитудой UmЗИ, определяют графически временные диаграммы тока стока и напряжения UСИ транзистора. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на затворе и стоке противофазные, и с соблюдением одинакового масштаба по оси времени. Пример построения временных диаграмм показан на рис.30 и 31.

При построении временных диаграмм на выходных характеристиках возможно появление сильных искажений сигнала из-за захода рабочей точки в режим отсечки или омический режим. В этом случае необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора. Именно для этой новой амплитуды сигнала определяются параметры линейного (малоискажающего) режима усиления полевого транзистора.

При нахождении из графиков величин ImС, UmСИ, следует обратить внимание на то, что максимальное значение положительных и отрицательных полуволн сигнала неодинаковы, а значит, усиление большого сигнала и в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями.

Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяются как средние за период, т.е.

Значения соответствующих рабочих параметров каскада в рабочей точке можно найти из построенных временных диаграмм:

Пример решения задачи 3.

Рассмотрим пример, приведенный на рис.30 и 31.

Дано: U0ЗИ=3В, UmЗИ =0,5В, RС=4кОм.

Из графиков находим:

координаты рабочей точки U0СИ=5В, I0С.=1,25мА,

амплитуды выходного тока и напряжения

IСmax=1,8мА, IСmin=0,76мА, ImС=0,52мА;

UСmax=7В, UСmin=2,6В, UmСИ=2,2В

Значения параметров каскада в рабочей точке:



Указания к задаче 4.

Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, определяют дифференциальные-параметры в заданном рабочем режиме. Метод их нахождения изложен в теоретической части пособия. По выходным характеристикам на низкой частоте определяются два параметра - крутизна S и выходное сопротивление Ri

Статический коэффициент усиления м обычно нельзя найти непосредственно по выходным характеристикам, этот параметр вычисляется по формуле (68). Все три параметра можно найти непосредственно по семейству передаточных характеристик, если оно включает заданную рабочую точку.

Расчет полевого транзистора на высокой частоте проводится с помощью физической эквивалентной схемы, приведенной на рис.28. В справочниках приводятся значения емкостей Свх или , Спрох= СЗС и Свых= ССП. Приведенные значения , которая обозначается как емкость затвор-исток, фактически, включают емкость затвор-канал СЗК и паразитную емкость затвор-исток СЗИ:

= СЗК+ СЗИ

Входная емкость Свх имеет, согласно (72), три составляющие:

Свх= СЗК+ СЗИ+ СЗС

При расчетах положим СЗИ= СЗС, поскольку причина их появления одна и та же. Сопротивление канала r'K определяется по найденному значению крутизны по формуле (69):.

r'K=1/ S0

После нахождения всех параметров строится эквивалентная схема для области высоких частот. По этой схеме можно выполнить расчеты любых параметров на любой частоте. Частотная зависимость крутизны дается выражением (71), входная проводимость согласно эквивалентной схеме равна

,

где k=щфS= щ/щS, щ - рабочая частота, фS= r'KСЗК и щS=1/фS - постоянная времени и граничная частота крутизны.

Пример решения задачи 4.

В теоретической части пособия приведен численный пример определения дифференциальных параметров по статическим характеристикам транзистора 2П303. Для выбранной рабочей точки найдено:

S0=2,8мА/В, Ri=20кОм

Для этого транзистора Cвх=6пФ, Спрох=1пФ, Свых=0,5пФ. Отсюда находим:

СЗИ= СЗС=1пФ, СЗК=4пФ,

r'K=1/ S0=357Ом.

По найденным параметрам строится эквивалентная схема:

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

Находим постоянную времени и граничную частота крутизны:

фS= r'KСЗК=357?4?10-12 = 1,4нс,

щS=1/фS=7?108с-1, fS=1/(2рфS)=110МГц

На граничной частоте и активная часть входной проводимости равна

ReYвх=0,5(r'K)-1=1,4мСм

Реактивная часть входной проводимости на этой частоте равна



Указания к задаче 5.

Перерисовав статические характеристики биполярного транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению (31). Однако рабочая точка на выходных характеристиках будет находиться либо в режиме отсечки (транзистор выключен), либо в режиме насыщения (транзистор включен). Эти точки (E и D) показаны на рис.16 треугольниками. Остаточное напряжение UКН находится непосредственно по графику как абсцисса точки D, соответствующей режиму насыщения. Для надежного отпирания транзистора и получения малого времени включения необходимо подавать входной ток, в несколько раз больший, чем требуется для начала режима насыщения. Напряжение UКЭнас рассчитывается по формуле (38), полагая i=1, коэффициент насыщения S=2ч5.

Разность напряжений UКН и UКЭнас дает падение напряжения на омическом сопротивлении коллектора rKK. Отсюда

Мощность Pвх, потребляемая входной цепью ключа в состоянии «включено»:

,

где UБЭнас находят по входной характеристике транзистора при UКЭ=0 (т.е. для режима насыщения) для заданного отпирающего тока базы I+Б. (см. рис.20).

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора в состоянии «включено», равна

PКвкл=IКН•UКН

Сопротивление транзистора в состоянии «включено», равно

Rвкл=UКН / IКН

Пример решения задачи 5.

Рассмотрим пример, приведенный на рис.16. По выходным характеристикам находим:

IКН=3,8мА, UКН=0,8В, В=4мА ? 80мкА=50.

Примем степень насыщения S=2, тогда

I+Б=160мкА.

Экстраполируя входную характеристику транзистора при UКЭ=0, находим входное напряжение, соответствующее этому току:

UБЭнас=220мВ.

Вычислим напряжение UКЭнас:

.

Отсюда

.

Таким образом, основной вклад в остаточное напряжение дает омическое сопротивление коллектора.

= 0,16•10-3•0,23 ? 0,04мВт

PКвкл=IКН•UКН = 3,8?10-3?0,8 ? 3мВт

Rвкл=UКН / IКН = 0,8 ? (3,8•10-3) = 210 Ом

Указания к задаче 6.

Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению EC=UСИ+ICRC, В ключевом режиме рабочая точка на выходных характеристиках находится либо в режиме отсечки (транзистор заперт, ключ разомкнут), либо на начальном линейном участке ВАХ (транзистор открыт, ключ замкнут). Остаточное напряжение открытого транзистора определяется сопротивлением канала r'K и током насыщения IСН (74). Сопротивление канала согласно (69) является обратной величиной крутизны на пологом участке ВАХ при UЗИ= , где - заданное отпирающее напряжение. Таким образом, формулу (75) можно записать в виде:

.

Крутизна находится по семейству ВАХ транзистора.

Остаточное напряжение найденное графически Uост,граф может не совпадать с рассчитанным значением.

Оно может быть больше рассчитанного, если область стока имеет заметное омическое сопротивление rc'.

Однако чаще расхождение объясняется неточностью математической модели, отраженной в формулах (64), (69), которые справедливы лишь в ограниченной области токов и напряжений.

Мощность P0, потребляемая замкнутым ключом и мощность Pтр, рассеиваемая в открытом транзисторе вычисляются по формулам:

P0= EC ICН

Pтр= UостICН

Длительности фронта и среза импульса определяются по формулам (76) и (77) при заданной емкости нагрузки.

Пример решения задачи 6.

Рассмотрим транзистор, характеристики которого приведены на рис.30, при заданных значениях EC=10В, RC=10кОм, =3,5В, CН=5пФ. По характеристикам находим при UC=EC:

Найденные значения довольно близки, расхождение объясняется, по-видимому, неточностью модели.

Мощности P0, и Pтр, в замкнутом ключе:

P0= EC ICН =10?10-3=10мВт

Pтр= UостICН=0,5?10-3=0,5мВт.

Начальный ток IC(0) в момент подачи отпирающего импульса находится по выходным характеристикам: IC(0)=2,2мА.

Длительности фронта и среза импульса, соответственно:

tф = 2,3 RCCН=2,3?104?5?10-12=11,5?10-8с ? 0,1мкс,

tc=1,5[ECCН / IC(0)]=1,5?10?5?10-12 ? 0,0022=3,4?10-8с=34нс.

Длительности среза в данном случае примерно в три раза меньше длительности фронта.

Приложение 1

Статические характеристики транзисторов

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

2

Размещено на http://www.allbest.ru/

2

Приложение 2

Высокочастотные параметры биполярных и полевых транзисторов

Таблица 1 Высокочастотные параметры биполярных транзисторов

Тип	¦в¦	f, МГц	CК, пФ	CЭ, пФ	ос, нс	IК, мА
КТ301А	1,5	20	10	80	2	2
КТ301Ж	3	20	10	80	2	2
КТ340	3	100	4	14	0,15	3

Таблица 2 Высокочастотные параметры полевых транзисторов

Тип	Свх, пФ	СЗС, пФ	CСП, пФ	UCИ, В
КП313	7	1	4,5	10
КП302	20	8	1	7
КП303	6	1	0,5	10

Приложение 3

Таблицы вариантов заданий

Таблица 1 Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры

№	Задача 1 Транзистор КТ301А	Задача 3 Транзистор КП302А	Задача 5 Транзистор КТ340
	U0КЭ В	I0К мА	EС В	RС кОм	U0ЗИ В	UmЗИ В	ЕЛ В	RK кОм
10	20	2,5	12	3,0	-0,75	0,3	10	2
11	20	3	12	2,4	-0,75	0,5	10	1.5
12	20	4	12	2,0	-0,75	0,5	10	1,3
13	20	5	12	1,7	-0,5	0,5	10	1,2
14	20	6	12	1,5	-0,5	0,5	10	1,0
15	15	7	12	1,3	-0,5	0,5	10	0,9
16	15	6	12	1,2	-0,5	0,5	10	0,8
17	15	5	12	1,1	-0,5	0,5	10	0,7
18	15	4	12	1,0	-0,5	0,5	10	0,6
19	15	3	10	2,5	-0,75	0,25	10	0,5
30	10	2,5	10	2,0	-0,75	0,25	8	2
31	10	4	10	1,7	-0,75	0,25	8	1.5
32	10	5	10	1,5	-0,75	0,25	8	1,3
33	10	7	10	1,3	-0,75	0,25	8	1,2
34	10	8	10	1,2	-0,75	0,25	8	1,0
35	8	9	10	1,0	-0,75	0,25	8	0,9
36	8	10	8	2,0	-0,8	0,2	8	0,8
37	8	7	8	1,7	-0,8	0,2	8	0,7
38	8	5	8	1,5	-0,5	0,2	8	0,6
39	8	3	8	1,0	-0,5	0,2	8	0,5
50	6	3	10	0,9	-0,3	0,25	7	1,0
51	6	5	10	0,8	-0,3	0,25	7	0,8
52	6	6	10	0,5	-0,3	0,25	7	0,7
53	6	8	10	0,4	-0,3	0,25	7	0,6
54	6	9	8	0,6	-0,3	0,25	7	0,5
55	2	5	12	3,0	1,0	0,3	24	24
56	2	10	12	2,4	1,0	0,5	24	18
57	2	15	12	2,0	1,0	0,5	24	12
58	2	20	12	1,7	1,0	0,5	24	8
59	2	25	12	1,5	1,0	0,5	24	6
70	2	30	12	1,3	1,0	0,5	24	4
71	2	35	12	1,2	1,0	0,5	20	20
72	2	40	12	1,1	1,0	0,5	20	15
73	2	45	12	1,0	1,0	0,5	20	10
2,5	4	5	10	3,0	0,75	0,25	20	8
2,0	4	10	10	2,4	0,75	0,25	20	6
1,7	4	15	10	2,0	0,75	0,25	20	5
77	4	20	10	1,7	0,75	0,25	20	4
78	4	25	10	1,5	0,75	0,25	18	18
79	4	30	10	1,3	1,25	0,25	18	9
90	4	35	10	1,2	1,25	0,25	18	8
91	4	40	10	1,1	1,25	0,5	18	7
92	6	5	10	1,0	1,25	0,5	18	6
93	6	10	10	0,8	1,25	0,5	18	5
94	6	15	10	0,6	1,25	0,5	16	4
95	6	20	10	0,5	1,25	0,5	16	5
96	6	25	10	0,4	1,25	0,5	16	6
97	6	30	8	1,0	1,5	0,5	16	7
98	6	35	8	0,8	1,5	0,5	16	8
99	8	20	8	0,6	1,5	0,5	16	10

Таблица 2 Варианты заданий для четной предпоследней цифры

...

№	Задача 2. Транзистор КТ819	Задача 4. Транзистор КП302А	Задача 6. Транзистор КП313
	EК В	RК, Ом	I0Б, мА	ImБ, мА	I0С, мА	U0С, В	EС, В	RС, кОм	В
00	10	2	100	50	1,0	3	10	10	2,0
01	10	2	60	40	2,3	3	10	10	1,75
02	10	2	50	40	4,3	3	10	10	1,5
03	10	2	40	40	6,9	3	10	10	1,25
04	10	2	20	30	9,6	3	10	5	2,0
05	9	1,8	100	50	1,0	4	10	5	1,75
06	9	1,8	60	40	2,4	4	10	5	1,5
07	9	1,8	50	40	4,4	4	10	5	1,25
08	9	1,8	40	40	7,0	4	10	3,3	2,0
09	9	1,8	20	30	9,7	4	10	3,3	1,75
20	8	1,6	100	50	1,0	5	10	3,3	1,5
21	8	1,6	60	40	2,5	5	10	3,3	1,25
22	8	1,6	50	40	4,5	5	10	2,5	2,0
23	8	1,6	40	40	7,0	5	10	2,5	1,75
24	8	1,6	20	30	9,8	5	10	2,5	1,5
25	7	1,4	100	50	1,1	6	10	2,5	1,25
26	7	1,4	60	40	2,6	6	8	10	2,0
27	7	1,4	50	40	4,6	6	8

Подобные документы

• Исследование вольт-амперных характеристик полупроводникового диода

  Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.
  
  курсовая работа [1,0 M], добавлен 04.05.2011
  

• Радиационные эффекты в диэлектриках

  Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
  
  курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015
  

• Элементарные частицы в виде корпускул и волн и модель атома

  Основные принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Движение свободных частиц. Четыре группы частиц, используемых в полупроводниковых приборах: электроны, ионы, нейтральные атомы, или молекулы, кванты электромагнитного излучения.
  
  реферат [619,2 K], добавлен 28.11.2008
  

• Сравнительный анализ влияния низкотемпературного и высокотемпературного электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов

  Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
  
  курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015
  

• Диод

  Понятие диодов как электровакуумных (полупроводниковых) приборов. Устройство диода, его основные свойства. Критерии классификации диодов и их характеристика. Соблюдение правильной полярности при подключении диода в электрическую цепь. Маркировка диодов.
  
  презентация [388,6 K], добавлен 05.10.2015
  

• Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного транзистора

  Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
  
  лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010
  

• Исследование биполярного транзистора

  Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
  
  лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016
  

• Классификация и обозначения полупроводниковых приборов

  Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.
  
  презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014
  

• Разработка учебного модуля "Измерительные источники оптического излучения"

  Общие сведения об измерительных источниках оптического излучения, исследование их затухания. Основные требования к техническим характеристикам измерителей оптической мощности. Принцип действия и конструкция лазерных диодов, их сравнительный анализ.
  
  дипломная работа [2,5 M], добавлен 09.01.2014
  

• Исследование биполярного транзистора

  Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
  
  лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010
  

• Волноводная фотоника

  Основные физические принципы волноводной фотоники. Классификация оптических волноводов. Геометрическая оптика планарных волноводов. Классификация мод планарного волновода. Волноводные моды тонкопленочного волновода. Эффективная толщина волновода.
  
  реферат [2,0 M], добавлен 16.06.2019
  

• Тепловой расчет тиристоров в заданном эксплуатационном режиме силового блока полупроводникового аппарата

  Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники. Преимущества и недостатки силовых полупроводниковых аппаратов, требования к ним в эксплуатационных режимах. Современная силовая электроника. Разработки силовых полупроводниковых приборов.
  
  курсовая работа [2,3 M], добавлен 10.06.2014
  

• Конструкция реактора ВВЭР-1000

  Общие характеристики и конструкция тепловой части реактора ВВЭР-1000. Технологическая схема энергоблоков с реакторами, особенности системы управления и контроля. Назначение, состав и устройство тепловыделяющей сборки. Конструктивный расчет ТВЕЛ.
  
  курсовая работа [1,4 M], добавлен 25.01.2013
  

• Изучение свойств P-N-перехода различными методами

  Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.
  
  реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007
  

• Физика поверхности и микроэлектроника

  Достижения современной планарной технологии и значение в них физики поверхностей. Трехслойная система как базовая структура микроэлектроники. Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов: оптоэлектронные приборы, сверхпроводящие пленки.
  
  курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.05.2009
  

• Исследование вольтамперных характеристик диодов и транзисторов

  Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.
  
  дипломная работа [3,5 M], добавлен 29.12.2014
  

• Полупроводниковые квантовые точки

  Исследование методов формирования полупроводниковых квантовых точек. Анализ возможности их применения в электронных приборах: лазерах, одноэлектронных транзисторах, элементах памяти наноразмеров. Размерное квантование энергии электронов. Квантовые ямы.
  
  статья [143,0 K], добавлен 28.11.2013
  

• Физические основы электронных устройств

  Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
  
  контрольная работа [2,9 M], добавлен 22.10.2009
  

• Электроника электрических машин

  Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.
  
  контрольная работа [233,1 K], добавлен 25.07.2013
  

• Исследование биполярного транзистора МП-40А

  Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
  
  контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам