Динамічні процеси в напівпровідникових лазерах високошвидкісних волоконно-оптичних систем

Запропонована нова динамічна модель транспортних і рекомбінаційних процесів у КРС- лазері, яка виходить з визначення частини носіїв з 3D- хвильовою функцією безпосередньо в ділянці КР- шару, які взаємодіють з 2D-носіями. Ця модель представляє процес перенесення носіїв заряду як перенесення з постійним часом життя, який є рівним у допороговому діапазоні амбіполярного часу життя 3D-носіїв, тобто як у світлодіодах. Вище порогу з огляду незмінності числа носіїв у КР- шарі при струмі вище порогу, час життя зменшується до амбіполярного часу перенесення, який залежить від характеру накачування. Це, так зване “переключення” часу перенесення відбувається автоматично і є очевидною позитивною якістю запропонованої моделі для моделювання поведінки КРС- лазерів у режимі великого сигналу.

На основі класичної моделі активної зони за допомогою моделі амбіполярного перенесення і використовуючи дворівневе уявлення лазерного процесу, сформована дифузійна динамічна модель у вигляді системи рівнянь одномодового лазера, яка вміщує ефекти дифузійного перенесення і переключення часу накопичення носіїв у діапазоні КР- шару:

,

Для спрощення аналізу результатів отримана нормована система швидкісних рівнянь і визначені нормовані часові і структурні коефіцієнти і граничні умови, записані для нової (змінний час накопичення заряду) і альтернативної моделей (постійний час). Визначені методика і умови, а також за допомогою оригінального пакета програм проведено чисельний експеримент з порівняння нової і альтернативної моделей.

Результати чисельного експерименту вказують на переваги застосування нової моделі, яка демонструє адекватні динамічні характеристики при використанні реальних значень параметрів, що входять до неї. Одержані дані про вплив феноменологічних параметрів на поведінку лазера у режимі великого сигналу. При цьому відмічено суттєву залежність смуги модуляції від часу захоплення носіїв КР- шаром і ефективного часу життя у діапазоні обмеження лазера.

Амплітудно-фазовий зв'язок (чирпінг) у лазері разом з дисперсією у світловоді здійснює великий вплив на спектр мікрохвильового сигналу, що передається, особливо при зростанні глибини модуляції, яка дає частотний спектр випромінювання прямомодульованого по інтенсивності лазера на вході і на виході оптоволокна з урахуванням чирпінга. Динамічна модель великого сигналу, розглянута в розділі 4, доповнюється нормованим рівнянням для фази оптичного поля, яка залежить від кількості носіїв заряду і фотонів у активній зоні, рівня накачування і адіабатичного чирпінга з коловою частотою і - фактора

Для великого рівня накачування і глибини модуляції m <1 час життя носіїв заряду дуже зменшується при індукованому випромінюванні. Нехтуючи спонтанним випромінюванням, одержана амплітуда і фаза сигналу.

Фаза залежить від часу як лінійно, так і нелінійно. Аналітичне обчислення відносного оптичного спектра виконується розкладанням квадратного кореня і логарифмічного виразу у ряд по до . Дана аналітична модель дає докладну картину фізичних процесів. Недолік методу - громіздкість при обчисленнях.

Запропоновано також чисельний метод на основі швидкого перетворення Фур'є. Проведені теоретичні і експериментальні дослідження запропонованих моделей і спектрів на виході оптичного волокна, які розраховані з їх допомогою. Отримані результати порівняні з відомими експериментальними даними для одномодового лазера з розподіленим зворотнім зв'язком (РОЗ) типу LMB05. Показано, що при модуляції малим сигналом (= 0,66) експериментальний і аналітично отриманий спектри струму фотодетектора співпадають дуже точно. При модуляції великим сигналом (=1,13) також спостерігається добрий збіг. Показано, що при надмодуляції =1,5, коли лазерний діод буде переводитись у допороговий стан, аналітичний метод застосовуватися не може, так як при цьому спотворюється функція кількості фотонів. У даному випадку застосування чисельного методу дає правильне уявлення статистики лазерного випромінювання аж до досягнення порогової області.

Навпаки, запропоновані рівняння для чисельного методу, у яких враховано затримку між струмом і числом фотонів, згідно швидкісних рівнянь перешкоджає тому, щоб число фотонів досягло заданого порогового рівня. У результаті подання рівняння для зміни фази оптичного поля залишається вірним. Істинність отриманої моделі чирпінга лазерного діода у режимі великого сигналу зберігається до тих пір, поки число фотонів не досягне порогового діапазону, що кожного разу утримується фізикою динаміки процесів у активній ділянці лазера. Якщо число фотонів стає дуже близьким або навіть спадає нижче порогу, статистика поля випромінювання лазера суттєво змінюється, детермінований опис більше не справедливий і необхідно швидкісні рівняння доповнювати джерелом спонтанного шумового впливу Ланжевена.

Розділ 6. “Аналіз модуляційних і просторових характеристик випромінювання лазерів з вертикальним резонатором і комплексне моделювання джерел випромінювання оптоволоконних систем” присвячено розвитку динамічної теорії лазерів стосовно нових типів лазерів поверхневого випромінювання з вертикальним резонатором (VCSEL).

Опис поведінки VCSEL ускладнюється тим, що лазери такого типу мають дуже малі розміри резонатора. Формування випромінюваної моди відбувається тільки у ділянці імплантованого шару. Це призводить до необхідності аналізу додаткових рівнянь для врахування взаємодії оптичної моди із структурою розподіленого відбивача. На основі методу променевого розповсюдження виконано аналіз VCSEL з імплантованим шаром, а також запропоновано розширення моделі для урахування температурних ефектів. При цьому розглядається розповсюдження тільки прямих хвиль у стаціонарному режимі генерації, а структуру відбивача представлено у вигляді еквівалентної структури з ефективним коефіцієнтом відбивання і ефективною довжиною. Обчислення були виконані по самоузгодженій схемі. Встановлено, що розмір вікна для цієї структури складає 7-10 мкм.

Для більш строгого рішення задачі запропоновано скористатися представленням температурної залежності коефіцієнта заломлення шарів лазерної структури, яка пов'язана з рівнянням теплопровідності. При цьому джерела тепла розділені на 2 групи: тепло у активному шарі, яке задається рекомбінацією, що не випромінюється, і поглинанням, і тепло у підшару і розподіленому брегівському відбивачі, яке пов'язане з джоулевим теплом у кожному шарі. Рівняння повністю описують лазерну систему і були спільно розв'язані для аналізу ближнього поля.

Отримані дані вказують на суттєву залежність динамічного відгуку лазера від геометрії вікна, яка, у свою чергу, визначає температурний режим і просторовий розподіл поля у VCSEL. При малому радіусі вікна загальна щільність фотонів значно вища, а час затримки відгуку менше, ніж при великому вікні.

Запропонована розширена модель VCSEL дає комплексний розв'язок для оптичного поля в резонаторі, дозволяє обчислити повну оптичну потужність і розподіл поля у ближній зоні випромінювання при урахуванні ефектів просторового випалювання дірок. Але для повнішого дослідження впливу геометричних параметрів лазерної структури на динамічні характеристики пристрою необхідно враховувати процеси перенесення носіїв.

На основі результатів розділів 3 і 5 перенесення носіїв заряду і їх захоплення у КР шар проаналізовано шляхом самоузгодженого розв'язку рівняння дифузії у складі системи швидкісних рівнянь. Такий же принцип може бути застосований для опису області, яка обмежує вздовж радіусу активний шар.

Виходячи з цього, сформульовано дифузійну динамічну модель, яка представляє об'єм лазера як структуру, що складається з набору циліндричних об'ємів, для кожного з яких може бути визначена реакція на інжекцію носіїв. Тоді динамічна модель VCSEL може бути записана у вигляді такої системи рівнянь:

; ;

;

; ; .

Для опису і аналізу поперечного розподілу носіїв заряду і температури у структурі VCSEL, систему рівнянь доповнено рівняннями теплового балансу. Для урахування також і фізичних ефектів взаємодії оптичного середовища і поля лазерного резонатора у подану систему рівнянь вводиться амплітуда поперечної моди . Рішення для хвилі у багатошаровій структурі отримані із скалярного рівняння Гельмгольца для циліндричної симетрії системи. У першому наближенні беруться до уваги тільки дві лазерні моди. Чисельний розв'язок системи рівнянь проводився за методом скінчених різниць у поєднанні з методом Рунге-Кутта-Мерсона, який застосовувався для розв'язку простих диференційних рівнянь.

Такий вибір дозволяв забезпечити необхідну точність при мінімальній тривалості обчислення. Радіальна неоднорідність розподілу температури є результатом фокусування електронного потоку у неоднорідній структурі VCSEL і залежить від значень струму накачування. При малих значеннях струму (рис. 7), які незначно перевищують пороговий струм (0,8 мА), максимум щільності носіїв заряду знаходиться у центрі структури, а, значить, максимуми випромінювання і температури також зосереджені у середині. При зростанні струму аж до 5 мА спостерігається збільшення потужності випромінювання приладу і збільшення другої просторової гармоніки на загальну картину випромінювання. Це супроводжується збільшенням розігріву у периферійній ділянці квантової ями.

Застосування цієї моделі для чисельного дослідження показало можливість отримання розв'язків, які направлені на удосконалення структури VCSEL. У цілому, на підставі одержаних даних, можна зробити висновок, що подальше скорочення радіусів квантової ями і оксидного вікна до 0,5-0,8 мкм, і відстані між ними, або взагалі вставлення ями у оксидне вікно дозволяє позбавитись або скоротити ефект розтікання носіїв. Отже, є можливість одержати тільки одну моду без значного локального зростання температури.

У заключній частині наведені головні підсумки виконаної роботи і зроблені висновки з її результатів.

Додаток ”Програмні засоби для моделювання напівпровідникових лазерів у режимі малого і великого сигналів” містить опис алгоритмів і програм, які розроблено у дисертаційній роботі і які об'єднують дані моделі у єдині системи моделювання лазерних джерел випромінювання, як з масивною, так і з квантоворозмірною активною ділянкою.

Висновки

Сукупність наукових результатів дисертації є рішенням наукової проблеми, що полягає у адекватному теоретичному описі фізичних процесів і динамічних характеристик, що експериментально спостерігаються в пасивних і активних елементах високошвидкісних волоконно-оптичних систем. Розв'язання проблеми досягнуто в результаті створення комплексу рішень, отриманих шляхом побудови фізичних і математичних моделей, які грунтуються на дифузійних уявленнях про процеси генерації і поширення оптичного випромінювання, а також приведення у відповідність параметрів, отриманих експериментально з фізичною будовою напівпровідникового квантоворозмірного лазера і його моделлю.

Головні результати роботи такі:

1. Дано теоретичний опис динамічної поведінки високошвидкісних напівпровідникових лазерних джерел випромінювання на квантоворозмірних структурах. Він потребує введення представлення про двосхідчастий процес перенесення носіїв заряду, який містить дифузійне перенесення носіїв від контактних ділянок до активної ділянки, і процес взаємодії строго визначеної частини носіїв з квантовою ямою.

2. Вперше показано, що тільки нижче порогу час накопичення заряду дійсно рівний амбіполярному часу життя , тоді як вище порогу КР-шар споживає носії заряду, час нагромадження скорочується і строго залежить від характеру і величини струму накачування. Висновок про зміну часу нагромадження заряду при переході через поріг дає адекватний опис процесів перенесення як для режиму малого сигналу, так і особливо для режиму великого сигналу.

3. Розвинута теорія КРС-лазерів торцьового типу з роздільним обмеженням поля і носіїв заряду. Вперше запропоновані методи теоретичного опису режиму великого сигналу на основі дифузійних диференційних рівнянь, які дозволили ввести у модель напівпровідникового лазера багатосхідчасті процеси перенесення носіїв заряду у складних конфігураціях лазерної напівпровідникової структури.

4. Теоретично описано передатні властивості напівпровідникових лазерів з масивною активною зоною і показано, що збільшення потужності модулюючого сигналу призводить до зміни параметрів лазера за рахунок підсилення впливу перехідних процесів і нагрівання активної ділянки. Як наслідок, відбувається зміна частоти електрон-фотонного резонансу і скорочення широкосмуговості. Вказано на те, що найбільш критичними параметрами є диференційне і нелінійне підсилення.

5. Розвинуті існуючі теоретичні методи опису лінійного і нелінійного підсилення у активній ділянці напівпровідникових лазерів з КР-структурою. Визначені відповідні моделі для різних режимів модуляції лазера, які краще описують експериментально спостережувані динамічні характеристики. Сформульовано нові вирази і отримано дані, які дозволяють збільшити диференційне підсилення у 4 і більше рази за рахунок введення еластичної деформації активної зони. Вперше запропонована модель, яка описує зміну коефіцієнта насичення підсилення від рівня струму накачування, що відповідає динамічній поведінці КРС-лазера у режимі великого сигналу.

6. Показано, що на відміну від відомих методів мало сигнального аналізу амплітудно-фазового зв'язку при збільшенні глибини модуляції для аналізу чирпінга слід застосовувати запропонований метод аналізу на основі розширеної системи швидкісних рівнянь. Вперше одержано опис режимів генерації лазера, який призначено для здійснення перетворення (збільшення) частоти.

7. На підставі теорії зв'язаних потужностей запропоновано уточнений теоретичний метод опису пасивного каналу локальних систем персонального доступу з урахуванням модових і дисперсійних характеристик у БМ ОВ і показана можливість зниження дисперсійних викривлень у БМ ОВ малої довжини. Знайдено строгий зв'язок дисперсійних і передавальних властивостей волоконних світловодів з властивостями оболонки і мод, які спроможні розповсюджуватися в ній як з модами, що витікають, так і з сильно випромінювальними модами. Застосування запропонованого методу у лініях малої довжини дозволяє покращити умови передавання сигналу і, як наслідок, збільшити коефіцієнт передавання і широкосмуговості локальних ліній для персонального доступу.

7. Розвинуто теорію двокомпонентного гетеролазера, що будується на розв'язанні швидкісних рівнянь і показана можливість розширення смуги модуляції. Запропонована і досліджена конструкція ДКГЛ, яка має ділянку стаціонарного режиму генерації, що забезпечує аналоговий режим модуляції. Вперше показана можливість досягнення широкосмуговості аналогового режиму ДКГЛ до 4 ГГц.

8. Розвинута теорія КРС-лазера поверхневого випромінювання з вертикальним резонатором. Вперше запропонована і чисельно досліджена узагальнена дифузійна модель. Вона дозволила розрахувати динамічні, термодинамічні і просторові характеристики при урахуванні нелінійних ефектів просторового випалювання дірок. Вперше отримано розв'язок для просторового розподілу поля у лазері з оксидним вікном, яке дозволяє визначити форму оксидного вікна, що забезпечує зниження величини порогового струму і збільшення смуги модуляції.

9. Одержані рішення, які містять створення і застосування дифузійної динамічної моделі напівпровідникового лазера у вигляді швидкісних рівнянь з залежним від часу дифузійним рівнянням перенесення носіїв заряду, враховують квантовомеханічні когерентні ефекти при мінімальному числі феноменологічних параметрів. Вони можуть застосовуватись для опису поведінки КРС-лазерів різних типів при прямій модуляції імпульсами тривалістю менше 50 пс.

Список опублікованих праць з теми дисертації

Suchoivanov I. A. Zusatzdampfung durch Mikrokrummungen in kurzen Multimode Lichtwellenleitern mit Stufenprofil // Nachrichtentechnik Elektronik. - 1989, №5. - P. 170-171.

Suchoivanov I. A. Untersuchung der Modenwandlung fur die Bestimmung von Mikrokrummungs-parametern in Lichtwellenleitern // Nachrichtentechnik Elektronik. - 1989, №6. - P. 212-214.

Молявко В. И., Петров С. И., Сухоиванов И. А. Об искажении сигналов в волоконно-оптических линиях связи малой длины // Радиотехника. - 1989, №88. - C. 135-139.

Петров С. И., Сухоиванов И. А. Влияние мод оболочки на характер диффузии мощности в коротких нерегулярных световодах // Радиотехника. - 1990, №93. - C. 126-131.

Сухоиванов И. А., Щербатко И. В. Повышение эффективности передачи СВЧ-поднесущей по волоконно-оптической линии // Радиотехника. - 1993, №96. - C. 119-124.

Сухоиванов И. А., Щербатко И. В. К расчету передаточных характеристик волоконно-оптической линии с СВЧ-поднесущей // Радиотехника. - 1993, №97. - С. 100-104.

Мамедова Н.А., Сухоиванов И. А., Щербатко И.В. Применение оптоэлектронных приборов с внешней модуляцией в волоконно-оптических линиях передачи СВЧ-поднесущей // Радиотехника. - 1994, №98. - С. 90-96.

Suchoivanov I. A., Petrov S. I., Sauter E. Analysis of optical waveguides with a non-stationary mode distribution // International Journal of Electronics Communications AEU. - 1996. - V. 50, №1. - P. 49-53.

Sherbatko I. V., Suchoivanov I. A. Decreasing of microwave subcarrier transmission losses in fiber-optic links with two-electrode laser // IEEE J. of Quantum Electronics. - 1996, №8. - P. 1369-1376.

Petrov S., Suchoivanov I. Coupled power equations for analysis of optical fibers used with satellite communication systems // Turkish Journal of Physics. - 1996.-V.20, №8. - P. 883-890.

Сухоиванов И. А. Трехуровневая динамическая модель высокоскоростных квантоворазмерных лазерных диодов с раздельной областью ограничения // Радиотехника. - 1997, №101. - C. 90-97.

Фройде В., Сухоиванов И. А. Эффекты переноса носителей в SCH-лазерных диодах // Радиотехника. - 1997, №102. - C. 93-99.

Сухоиванов И. А., Лысак В. В., Мартыненко С. О. Численная модель многослойных КРС-лазеров // Радиотехника. - 1998, №107. - C. 104-107.

Сухоиванов И. А. Проблемы нелинейного усиления прямомодулированных КРС-лазеров в высокоскоростных оптоволоконных системах // Радиоэлектроника и информатика. - 1997, №1. - C. 46-48.

Сухоиванов И. А., Лысак В.В., Самохвалов М.В. LASDYN - программный пакет моделирования динамических характеристик полупроводниковых гетеролазеров // Радиоэлектроника и информатика. - 1998, №4. - C. 19-21.

Sukhoivanov I.A. Influence of gain saturation and carrier dynamic models on the modulation response of quantum well lasers // Optical & Quantum Electronics. - 1999. -V. 31, №9/10. - P. 997-1007.

Сухоиванов И. А. Моделирование динамического поведения КРС - лазеров с учетом эффектов переноса носителей заряда в режиме большого сигнала // Радиофизика и электроника. Сб. научн. трудов ИРЭ НАН Украины. - 1998. - T. 3, №3. - C. 158-165.

Сухоиванов И. А., Самохвалов М. В. Влияние температурной зависимости коэффициента усиления на динамическое поведение лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором // Радиотехника. - 1998, №108. - C. 138-145.

Sukhoivanov I.A., Samokhvalov M.V., Manzhura A.N., Kublik A.V. Program package for studying semiconductor laser properties // Telecommunication and Radio Engineering, Begell House. -1998.- V.52, №12.- P.146-150. http://www.begellhouse.com/tre/tre_toc.html .

Sukhoivanov I. A, Lysak V. V. Nonlinear gain model and its application for numerical investigation of semiconductor lasers // Microwave and Optical Technology Letters. - 1999. - V.21, №6. - P. 474-477.

Sukhoivanov I. A, Samokhvalov M. V. Effects of the temperature dependence of the gain coefficient on the VCSEL dynamic // Proc. SPIE. - 1999, №3666-50. - P. 368-373.

Сухоиванов И. А. Исследование ближнего поля и динамического поведения полупроводниковых лазеров поверхностного излучения с учетом пространственного выжигания дыр // Радиотехника. - 1999, №110. - C. 69-79.

Сухоиванов И. А. Перспективные телекоммуникационные системы на основе фотоники и некоторые проблемы их создания // Радиотехника. - 1999, №111. - C. 71-77.

Иванов П. С., Сухоиванов И. А. Динамическая модель полупроводникового лазера с многочисленными квантоворазмерными слоями // Радиоэлектроника и информатика. - 1999. - №4. - С. 31-33.

Лысак В. В., Сухоиванов И. А. Определение коэффициентов оптического усиления материалов III-IV группы для моделирования динамических характеристик лазеров в широком диапазоне изменения частоты излучения // Радиотехника. - 2000, №115. - C. 117-121.

Ivanov P. S., Lysak V. V., Sukhoivanov I. A. Advanced model for simulation of surface-emitting quantum-well lasers // Int. J. Numerical Modelling. - 2001, №.14. - P. 379-394.

Патент Российской Федерации Н01S 3/103. Устройство для широкополосной аналоговой модуляции полупроводникового лазера / Щербатко И. В., Макаревич В. С., Сухоиванов И.А. - № 2007803; Заявлено 27.06.91 Опубл. 15.02.94, Бюл. №3. - 1 с.

Быков М. М., Петров С. И., Сухоиванов И. А. Локальные волоконно-оптические линии связи. Расчет и проектирование. - К: УкрИНТЭИ, 1994. - 173 с

Моделирование и исследование нелинейных характеристик полупроводниковых высокоскоростных лазеров / Сухоиванов И. А. Манжура А. Н., Лысак В. В., Щербатко И. В./ Рукопись, деп. в ГНТБ Украины, Киев, 18. 12. 1995. УДК535.14, Р.ГАСНТИ 29.33.03 N16-Ук96.

Сухоиванов И. А., Щербатко И. В. Влияние мощности модулирующего сигнала в ВОЛП СВЧ на электрические параметры инжекционного лазера // Тезисы докладов конф. “Быстродействующие элементы и устройства ВОЛС”. - Севастополь: СФРДНТП. - 1990. - С. 39.

Sukhoivanov I. A., Stsherbatko I. V. Mikrowellen-LWL- Analogsysteme // Proc. International Conf. "4-Tagung Elektronik-Technologie HU- Berlin". - Berlin (Germany). - 1990. - P. 371-376.

Petrov S. , Sukhoivanov I. Coupled power equation use for analysis of optical fibers with unsteady state power distribution // Proc. International Conf. on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory (MMET'94). - Kharkov(Ukraine). - 1994. - P. 316-318.

Щербатко И. В. Сухоиванов И. А. Повышение коэффициента передачи СВЧ поднесущей в ВОЛС // Тез. докл. конф."СВЧ техника и спутниковый прием". - Севастополь. - 1994. - C. 5.

Sukhoivanov I. A., Stsherbatko I. V. Decreasing of microwave subcarrier transmission losses in fiber optic links // Proc. International Conf. Microwaves Optronics (MIOP'95). - Sindelfingen(Germany).- 1995. - P. 634-637.

Stsherbatko I. V., Sukhoivanov I. A., Nerukh A. G. The use of an two-electrode GaAs/AlGaAs heterolaser in microwave fiber optic links // Proc. 5^th International symposium on Resent Advances in Microwave Technology (ISRANT'95). - Kiev(Ukraine). - 1995. - P. 437-440.

Sukhoivanov I. A. Modelling of semiconductor laser with large signal modulation // Proc. International Conf. Mathematical Methods in Electromagnetic Theory (MMET `96). - Lviv(Ukraine). - 1996. - P. 416-419.

Sukhoivanov I. A., Manzhura A.N. Dynamic properties of a quantum-well lasers. Numerical research of one well modell // Proc. International Conf. Mathematical Methods in Electromagnetics Theory (MMET96). - Lviv(Ukraine). - 1996. - P. 256-259.

Freude W., Sukhoivanov I. A. Carrier transport phenomena in SCH quantum- well laser diodes // Труды 2^й междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1996. - С. 192-193.

Сухоиванов И. А., Фройдэ В. Анализ высокоскоростных квантоворазмерных полупроводниковых лазеров// Труды 2^й междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1996. - С. 178-179.

Freude W., Sukhoivanov I. A. Carrier transport phenomena in SCH quantum-well laser diodes for microwave fiber optic telecommunication systems // Труды 6^й Крымской конф."СВЧ техника и телекоммуникационные технологии". - Севастополь. - 1996. - С. 303-307.

Sukhoivanov I. A., Manzhura A. N. Large signal behaviour and carrier transport phenomena in QW lasers // Proc. International conf. Microwaves and Optronics (MIOP97). - Sindelfingen(Germany). - 1997. - P. 536-538.

Сухоиванов И. А., Манжура А. Н., Лысак В. В. Пакет программ для моделирования полупроводниковых лазеров // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1997. - С. 348.

Сухоиванов И.А. Применение технологии нейронных сетей для моделирования многослойных КРС лазеров // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1997. - С. 347.

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V. Complex gain model in active material of semiconductor lasers // Proc. 9^th Int. Conf. on Material & Technology CIMTEC'98. - Florence (Italy). - 1998. - P. 74.

Sukhoivanov I. A. Large signal analyses for the modulation response of high speed quantum well lasers // Proc. Int. Conf. Mathematical Methods in Electromagnetic Theory (MMET'98). - Kharkov (Ukraine). - 1998. - P. 899-901.

Сухоиванов И. А. Динамическая модель КРС лазера и ее применение для анализа лазеров с различным числом квантовых ям // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1998. - С. 135.

Сухоиванов И. А., Cамохвалов М. В. Динамический отклик лазера с вертикальным резонатором // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1998. - С. 136.

Freude W., Palai P. Sukhoivanov I. A Modelling of chirping laser diodes for microwave generation and transmission over dispersive fibers // Proc. International Conf. Meeting of Microwave Photonics. - Princeton (USA). - 1998. - P. 95-98.

Sukhoivanov I. A , Samokhvalov M. V. Effects of the temperature dependence of the gain coefficient on the VCSEL dynamic behaviour // Proc. International Conf. Photonics'98. - NewDeli(Indien). - 1998. - P. 136-139.

Sukhoivanov I. A , Samokhvalov M. V. Analysis and simulation of dynamical behaviour of VCSEL with oxide confinement layer // Proc. International Conf. ICTON'99. - Kielze(Poland). - 1999. - P. 139-142.

Sukhoivanov I.A. Investigation of dynamic behaviour of surface emitting semiconductor lasers // Proc. 1^st International Workshop LFNM'99. - Kharkov (Ukraine). - 1999. - P. 8.

Sukhoivanov I. A. Samokhvalov M. V., Manzhura A. N., Kublik А. V. The program interface for laser performance investigation // Proc. 1^st International Workshop LFNM'99. - Kharkov (Ukraine). - 1999. - P. 11.

Ivanov P. S., Sukhoivanov I. A. Diffusion dynamic model for study of the nonuniform carrier distribution effects in VCSEL // Proc. Int. Conf. CLEO/Europe2000. - Nice(France). - 2000. - P. 230.

Sukhoivanov I. A., Ivanov P. S., Lysak V. V., Kublik A. V. Thermal properties of semiconductor oxide-confinement vertical cavity lasers // Proc. 2^nd International Workshop LFNM'2000. - Kharkov (Ukraine). - 2000. - P. 53-56.

Sukhoivanov I.A., Lysak V.V Determination of nonlinear gain coefficient for infrared optical sources // Proc. 2^nd International Workshop LFNM'2000. - Kharkov(Ukraine). - 2000. - P. 57-59.

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V. Simulation of an optical gain of QW laser taking into account the gain and electron density nonlinearities // Proc. 2^nd International Conf. ICTON'2000. - Gdansk(Poland). - 2000. - P. 225-228.

Sukhoivanov I. A., Ivanov P. S. Calculation of thermal characteristics in the oxide confinement VCSEL including nonuniform carrier distribution // Proc. 2^nd International Conf. ICTON'2000. - Gdansk(Poland). - 2000. - P. 213-216.

Лысак В. В., Шулика А. В., Сухоиванов И. А. Одноуровневая модель лазеров на основе квантовых точек // Сб. научных трудов 6^й международной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации”. - Туапсе. - 2000. - С. 578-579.

Иванов П.С., Криг М., Фройдэ В., Сухоиванов И.А. Математическая модель полупроводникового лазера с многочисленными квантовыми слоями // Сб. научных трудов 6^й международной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации”. - Туапсе. - 2000. - С. 582-584.

Пономарева Т.М., Фритч Р., Шпайдель Й., Сухоиванов И.А. Моделирование пассивных оптических сетей // Сб. научных трудов 6^й международной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации”. - Туапсе. - 2000. - С. 576-577.

Сухоиванов И. А., Иванов П. С., Лысак В. В. Применение расширенной модели квантоворазмерного лазера для описания поведения VCSEL // III Международная научно-техническая конференция по квантовой электронике. - Минск. - 2000. - P. 45-48.

Ivanov P., Sukhoivanov I., Lysak V. Extended model of VCSEL with non-uniform laser structure // Int. Workshop Microcavity Light Sources.- Paderborn (Germany).- 2001.- P.16

Sukhoivanov I., Ivanov, P. Spatial characteristics of oxide-confined VCSEL in single and multimode conditions // Int. Workshop on Optical Waveguide Theory and Numerical Modelling.- Paderborn (Germany).- 2001.- P.20. http://www.fernuni-hagen.de/ATE/workshop/welcome.html .

Ivanov P., Sukhoivanov I., Lysak V., Prigoda A., Kohan Y., Zaslonkin Y., Shulika A., Kublik A. Laser CAD III - software package for quantum well laser simulation // Proc. Of the 6-th Int. Conf. CADSM 2001. - Lviv-Slavsko.- 2001.-P.209-211.

Perona A., Rouillard Y., Sukhoivanov I., Gazouli M. at al. Laser diodes emitting at 2,0 µm for medical applications // Conf. on mid-infrared optoelectronics materials and devices, MIOMD. - Montpellier (France). - 2001. - P.86.

Ivanov P. S., Vukusic J., Rouillard Y., Pйrona A., Joulliй A., Sukhoivanov I. A. Mode characteristics of MQW lasers // Proc. 3^nd Int. Workshop LFNM'2001. - Kharkov (Ukraine). - 2001. - P. 69-72.

Sukhoivanov I. A. Modellierung und Analyse der nichtlinearen Eigenschaften von Laserdiode // Докл. на семинаре 'Optische Nachrichtentechnik', Insitut Hoсhfrequnztechnik und Quantenelektronik. - Karlsruhe (Deutchland). - 31.05-2.06.1995. - 1 p.

Сухоиванов И. А. Полупроводниковые лазеры в оптических системах связи с предельно быстрым преобразованием информации // Международный научный семинар "Информационные технологии и проектирование программного обеспечения". - Харьков. - 14-16.11.1995. - С.5.

Сухоиванов И. А. Анализ скоростных характеристик полупроводниковых лазеров для спутниковых систем связи // 4^й Украинско-китайский симпозиум по космической науке и технике. - Киев. - 1996. - КНТ-4.

Sukhoivanov I. A. Modelling of MQW laser diodes // Доклад на семинаре COST240. - Stokholm (Sweden). - 7-8.04.1997. http://intecsrv.rug.uc.be/Research /Projects/COST240/welcome.html .

Sukhoivanov I. A. Influence of phenomenolgical parameters and types of model on the dynamical behaviour of quantum well lasers // International Workshop on Optical Waveguide Theory and Numerical Modelling. - Hagen (Germany). - 18-19.09.1998. http://132.176.3.210/wshop/timetable.html .

Sukhoivanov I. A. Dynamic behaviour of the oxide confinement VCSEL with account of the diffusion processes // European Semiconductor workshop. - Paris (France). - 24-25.09.1999.

Sukhoivanov I. A. The modified of QW laser dynamic and analysis of it's application // International Workshop on Optical Waveguide Theory and Numerical Modeling. - St.Ettienne (France). - 25.09.1999. http://webperso.uni-st-etienne.fr/~fpegion .

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V., Ivanov P. S. High speed properties of vertical cavity surface emitting lasers for data transmission // Fotonics ODS'2000. - Vinnica (Ukraine). - 9.09.2000. http://kiev.ua /spie/ conference/ spie-conf-2-9-program.htm .

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V., Ivanov P. S. Modeling of mid-infra red VCSEL // European Semiconductor workshop. - Berlin(Germany). - 1-2.09.2000. http://www.hhi.de/messen/european_ semiconductor_laser_W/hauptteil_european _semicon_laser_w.html

Размещено на Allbest.ru