Разработка СВЧ блока в устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводников
Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 30.05.2014 |
| Размер файла | 3,2 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Рисунок 43 - Печатная плата квадратичного детектора
Рисунок 44 - Готовая печатная плата квадратичного детектора
Uкв, мВ
Pвх, дБм
Рисунок 45 - Зависимость выходного напряжения на детекторе от падающей СВЧ мощности на частоте 1 ГГц
Uкв, мВ
Pвх, дБм
Рисунок 46 - Зависимость выходного напряжения на детекторе от падающей СВЧ мощности на частоте 2 ГГц
5. Работа прибора с новым СВЧ блоком
5.1 Установка СВЧ блока в прибор. Методика измерения удельного сопротивления при температуре от 0 до 50 оС.
Изготовленный СВЧ генератор был помещён в металлический корпус (рисунок 47). Распаян СВЧ кабель, кабели управления и кабель питания 10 В. Блок питания в МПУ с 12В был переделан на 10В. После этого СВЧ генератор был установлен в прибор, проверена его работоспособность. Измерен стандартный образец кремния № 6 его удельное сопротивление и время жизни (рисунок 48).
Рисунок 47 - СВЧ генератор в корпусе
Рисунок 48 - Характеристики образца кремния № 6
5.2 Экспериментальные результаты. Выводы
Для измерения удельного сопротивления образца при разных температурах СВЧ генератора, новый СВЧ блок был помещён в криостат. Цифровой датчик МПУ был закреплён на плату СВЧ генератора. С помощью фена температура СВЧ генератора изменялась от 25 до 50 . При заливки жидкого азота температура СВЧ генератора понижалась от 25 до 0 . При изменении температуры от 0 до 50 фиксировался сигнал с детектора, и измерялось время жизни образца № 6.
На рисунке 49 приведена экспериментальная зависимость напряжение с СВЧ детектора при изменении температуры СВЧ генератора от 0 до 50 . Из рисунка видно, что действительно СВЧ генератор практически не изменяет своих параметров (Рвых, частоты генерации) в данной области температур.
Uдет, мВ
t,
Рисунок 49 - Зависимость напряжения с СВЧ детектора при изменении температуры СВЧ генератора от 0 до 50
Таким образом, новый разработанный СВЧ генератор позволяет расширить работоспособность прибора в области температур 10 - 40 .
Заключение
В ходе дипломной работы изучены принципы работы приборов для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ.
Разработан новый СВЧ блок и его техническая документация.
Исследованы метрологические характеристики прибора «SemiCon - 1».
Выпущена серия СВЧ блоков.
Разработанный СВЧ блок позволяет прибору работать в более широком диапазоне температур (10 - 40оС) сохраняя метрологические характеристики.
Стоимость разработанного СВЧ блока порядка 4 тысяч рублей, что значительно меньше подобных устройств выпускаемых НПФ «Микран» и других заводов изготовителей.
Список использованной литературы
1. Андронов Е.В. Генератор диапазона 1-2 ГГц с резонатором на сосредоточенных элементах для октавных синтезаторов частот / Е.В. Андронов, А.В. Горевой - Омск.: ОАО «ЦКБА», 2010. - C. 24-29.
2. Andrei Grebennikov. RF and Microwave Transistor Oscillator design / John Wiley & Sons, Ltd. - Chichester: England, 2007. - 441 p.
3. Rohde U.L. The Design Of Modern Microwave Oscillators For Wireless Applications / Ulrich L. Rohde, Ajay Kumar Poddar, Georg Bцck. - New Jersey, USA: John Wiley & Sons, Inc., 2005. - 543 p.
4.Ковтонюк Н.Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов. / Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой - М.: Металлургия, 1970.
5.Ахманаев В.Б. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов / В.Б. Ахманаев, Ю.В. Медведев, А.С. Петров.- М: Наука, 1981.- С. 48-51.
6.Лапатин Л.Г. Экспрессное определение электрофизических и ре- комбинационных характеристик особо чистого германия бесконтактными методами/ Л.Г. Лапатин,А.С. Петров, И.И. Киселев.- М.: ЦНИИато- минформ, 1986. - 28 с.
7.Детинко М.В. Физические основы неразрушающего СВЧ- резонансного метода локального контроля электрофизических параметров полупроводников/ М.В. Детинко, Ю.В. Медведев, А.С. Петров. - Томск: Изд-во ТГУ, 1988.-30 с.
8.Лапатин Л.Г. Бесконтактные методы и аппаратура для измерения электрофизических параметров полупроводников /Л.Г.Лапатин, С.Д.Воторопин. - Севастополь, 2005. - С. 791-792.
9.Miyamoto N. Contactless measurement of resistivity of slices of semiconductor materials/ N. Miyamoto, J. Nishizawa-Research institute of electrical communication. - 1967. - P. 360-367.
10.Лапатин Л.Г. Фотоэлектрические, рекомбинационные и пороговые характеристики охлаждаемых фоторезисторов из чистого германия с поверхностным изгибом зон/ Л.Г. Лапатин.- Дис. канд. физ.-мат. наук. - Томск, 1983. - 239 с.
Приложение А
|
Поз. Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
|
|
Резисторы |
|
|||
|
R1 |
0603 139 Ом |
1 |
||
|
R2 |
0603 47 Ом |
1 |
||
|
R3,R5 R7,R8 |
0603 288 Ом |
4 |
||
|
R4,R6,R9,R10 |
0603 4,3 Ом |
4 |
||
|
Конденсаторы |
||||
|
С4 |
0805 68 пФ |
2 |
||
|
С2, С7, С6 |
0805 0,1 мкФ |
3 |
||
|
С3, С8 |
0805 4,7 мкФ |
2 |
||
|
С1, С5 |
0805 1000 пФ |
2 |
||
|
Катушки индуктивности |
||||
|
L1 |
0603 48 нГн |
1 |
||
|
Микросхемы аналоговые |
||||
|
1 |
V585ME06-LF |
1 |
||
|
U1 |
SBB3089Z |
1 |
||
|
Вилки |
||||
|
Х3 |
WF - 3M |
2 |
||
|
Стабилизатор напряжения |
|
|||
|
V1 |
ADP 3336ARZ |
1 |
||
|
Другое |
||||
|
SMA 20-001A0 |
1 |
|||
|
Резисторы |
|
|||
|
R1, R2 |
0603 51 Ом |
2 |
||
|
R4,R5 R6,R7 |
0603 10 кОм |
4 |
||
|
R10, R14 |
0603 22 кОм |
2 |
||
|
R16 |
0603 330 Ом |
1 |
||
|
Конденсаторы |
||||
|
С4,С6 |
0805 1000 пФ |
2 |
||
|
С7,С8 |
0805 100 пФ |
2 |
||
|
С13, С14 |
0805 4,7 мкФ |
2 |
||
|
Диоды |
||||
|
VD1 |
HSMS-286K |
1 |
||
|
Микросхемы аналоговые |
||||
|
AD8051ART |
1 |
|||
|
Вилки |
||||
|
Х3 |
WF - 2M |
1 |
||
|
Стабилизатор напряжения |
||||
|
V1 |
ADP3330ARZ |
1 |
||
|
Другое |
||||
|
SMA 20-001A0 |
2 |
Порядок работы с ИВК
А.1 Подготовка к проведению измерений удельного сопротивления.
А.1.1 Проведите соединение устройства «Ангара-2» с ПК и с контрольно-измерительными приборами.
Перед работой с устройством или после ремонта, необходимо провести калибровку устройства «Ангара-2».
Рекомендуется каждый раз перед началом работы проводить ТЕСТ - локальное измерение медной шайбы и прилагаемого эталонного полупроводникового образца для установления соответствия измеренных значений со значениями на калибровочной кривой (в случае совпадений в пределах 10% -устройство «Ангара-2» исправно и готово к работе.
А.2 Порядок работы устройства «Ангара-2» в аналоговом режиме.
При отсутствии ПК, или при сбоях программного обеспечения, а также при поломке модуля USB3000 удельное сопротивление полупроводникового образца можно всегда измерить в аналоговом режиме.
А.2.1 Проведите соединение устройства «Ангара-2» с контрольно - измерительными приборами .
А.2.2 Включите ЭБ с помощью тумблера 220 В.
А.2.3 Включите контрольно-измерительные приборы; осциллограф и цифровой вольтметр.
А.2.4 Включите тумблер СВЧ
А.2.5 Дайте прогреться контрольно- измерительным приборам и установке 30 минут
А.2.6 В центре измерительного стола закрепите медную шайбу
А.2.7 С помощью кнопок управления шаговым двигателем по координате Z опустите СВЧ-резонатор на медную шайбу
А.2.8 На лицевой панели БУИ переведите тумблер ЭВМ в положение АВТ
А.2.9 На этой же панели включите тумблер ВИБРАЦИЯ. При этом на экране осциллографа должны появиться две резонансные кривые, а цифровой вольтметр должен индицировать значение напряжения, соответствующее сигналу на меди при данной температуре
А.2.10 Выключите тумблер ВИБРАЦИЯ
А.2.11 Поднимите с помощью кнопок Z+ и Z- СВЧ - резонатор над столом.
А.2.12 Вместо медной шайбы закрепите на измерительном столе исследуемый полупроводниковый образец
А.2.13 С помощью кнопок Z+ и Z- опустите СВЧ - резонатор на исследуемый образец
А.2.14 Включите тумблер ВИБРАЦИЯ. При этом на экране осциллографа должны появиться две резонансные кривые, а цифровой вольтметр должен индицировать значение напряжения, соответствующее сигналу исследуемого полупроводникового образца при данной температуре. Чтобы определить величину удельного сопротивления этого образца необходимо знать зависимость прошедшей через резонатор СВЧ мощности от значений удельного сопротивления во всей области от 10-2 до 10+5 Ом · см. Для этого проводится калибровка установки.
Приложение Б
Калибровка устройства «Ангара-2»
Для кремния эталонные образцы перекрывают почти весь диапазон, есть от 100 до 1.104 Ом · см. Для более высокоомных образцов как кремния так и германия, более 103 Ом · см, калибровочная кривая рассчитывается по известному соотношению:
(1)
где Uo(T) - сигнал при температуре Т с резонатора, когда под измерительным отверстием размещена медная шайба. В данном случае это область комнатных температур.
Из этого выражения находится коэффициент б
б (2)
где сi = 10+3 - 10+4 последние высокоомные значения эталонных образцов
Используя полученный коэффициент б, рассчитываем калибровочную кривую от 103 до 105 Ом · см при комнатной температуре по формуле 6.
Таким образом, мы построили калибровочную зависимость для всей области значений удельных сопротивлений. Стоит отметить, что построенными таким способом калибровочными кривыми для кремния и германия при комнатной температуре можно воспользоваться при измерении других полупроводниковых материалов соответственно.
Приложение В
Методика измерения на приборе Байкал-SemiCon-1 времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в пластинах и слитках поли- и моно- кремния.
Метод. По спаду импульсной фотопроводимости на СВЧ.
Стандарт. ГОСТ
Датчик- резонатор квазистатического типа с внешним кольцевым измерительным отверстием, включенный на проход. Область частот от 1.1 до 1.7 ГГц.
Физика. Измеренные значения неравновесных носителей заряда, могут быть как объемными так и эффективными.
Пластины. Когда толщина l пластины больше диффузионной длины l= (1-3) Lg (но не толше) при освещении сверху измеряются объемные значения времени жизни ф. Если l< Lg измеряется эффективное время жизни носителей заряда. При отсутствии пластины - спутника можно измерить на слитках.
Слитки. Данный прибор позволяет измерить время жизни ННЗ по краям торца слитка.
При l> (1-3) Lg - объемные значения
При l< Lg- эффективные значения времени ННЗ.
Измерение времени жизни ННЗ в платинах кремния.
В.1 Толщина пластины l= (1-3) Lg - 1 условие или l< Lg , где Lg - диффузионная длина НЗ
В.2 Тест- пластина кремния с известным значением времени жизни ННЗ и уровнем сигнала при одном режиме измерения.
Этим тестом проверяется- канал излучения и канал регистрации.
В.3 Требование к обработке поверхности:
Поверхность образца должна быть плоской, чистой, сухой (не влажной). Перед измерениями непосредственно нельзя протирать спиртом или водой и другими растворителями. Просушить под лампой!
В.4 Положить образец на измерительное отверстие СВЧ резонатора.
В.5 Закрыть крышкой с излучателями.
В.6 Опустить темновой экран.
В.7 Нажать на кнопку на экране монитора « поиск резонанса» (см. РЭ)
В.8 Посмотреть значения удельного сопротивления пластины и соответственно задать параметры излучения светодиодов.
В.8.1 Uсв = 5В, (7;9;11;13;15;17;19)В
ф св = (10 50 100 200 400 700 1000) мкс.
Рекомдуестся начать со значений :
U = 7B, ф = 100мкс.
В.9 Нажать кнопку на мониторе и измерить время жизни ННЗ.
Приложение Д
Работа с прибором
Д.1 Нажать кнопку «Автокалибровка». Дождаться, когда погаснет голубой индикатор в панели статуса.
Д.2 В поле ввода «Допуск» ввести прогнозируемую погрешность измерения напряжения детектора (в процентах) - 1%.
Д.3 Положить образец на измерительное отверстие СВЧ резонатора.
Д.4 В поле ввода «Образец» ввести обозначение образца (порядковый номер). В поле ввода «Материал образца» выбрать соответствующий материал.
Д.5 Для измерения удельного сопротивления нажать кнопку «Поиск резонанса». Дождаться, когда погаснет голубой индикатор в панели статуса. По завершению поиска резонанса, в измеренных данных будет выведено измеренное значение удельного сопротивления образца. Ветка калибровочной кривой в этом случае определяется исходя из частоты резонанса.
Д.6 Для измерения времени жизни ННЗ нажать кнопку «Измерить время». При этом все элементы управления будут затенены (отключены). Подождать около 1.5 секунд, пока прибор проведет три цикла измерения, и компоненты станут доступны. По завершению измерения, в графопостроителе формы кривой измерения времени жизни будет выведена форма последнего импульса, а в измеренных данных выведена информация о средней амплитуде трех импульсов, среднему времени жизни, и скорректирована информация об удельной проводимости. Ветка калибровочной кривой будет определена исходя из полярности последнего импульса.
Д.7 Для определения типа проводимости разместить образец над емкостным датчиком и нажать кнопку «Тип проводимости». После этого будет произведен один цикл измерения типа проводимости, форма импульса будет выведена на соответствующем графопостроителе, а в измеренных данных будет отображена измеренная проводимость.
Д.8 При необходимости сохранения измеренных данных, нажать на иконку «Сохранить», и выбрать имя файла для сохранения.
Повторить п. Д.1- Д.8 для всех измеряемых образцов.
Просмотр, визуализация и обработка сохраненных данных:
Запустить программу «Microsoft Excel», либо другой табличный редактор.
В выпадающем списке «Тип файла» выбрать вариант «Все файлы».
Открыть сохраненный в п. Д.8 файл.
Если программа выдаст диалоговое окно с выбором формата файла, выбрать вариант «Разделитель - точка с запятой (;)».
Полученные данные можно визуализировать и обработать, используя стандартные методы программы «Excel».
Приложение Е
Описание интерфейса программы верхнего уровня
Общий вид интерфейса программы представлен на рисунке.
Рисунок 21 - Вид интерфейса программы верхнего уровня
Е.1 Строка меню:
Содержит пункты «Настройки» и «Помощь».
В пункте «Настройки» содержится меню «Настройки соединения», в котором можно выбрать COM-порт, через который программа будет связываться с прибором.
«Установка связи с ИВК» - устанавливает сеанс связи с ИВК по порту, указанному в п.1, после чего можно начинать работу с прибором.
«Выключение связи с ИВК» -завершает сеанс связи с ИВК.
«Статус ИВК» -отображает текущее состояние ИВК.
Индикаторы линейки могут находиться:
1 - в выключенном состоянии (имеют темный цвет),
2- либо во включенном (яркий).
Для расшифровки индикатора необходимо навести курсор мыши на зажженный прямоугольник. Отображаются следующие статусы ИВК:
-«Ошибка EEPROM» (аппаратная ошибка, при возникновении которой введенные данные не будут сохраняться после выключения ИВК);
- «Предупреждение EEPROM» - сигнализирует о приближающейся неисправности «Ошибка EEPROM»;
- «Ошибка цифрового термодатчика» - сигнализирует либо об отсутствии цифрового термодатчика, либо об его неисправности;
- «Режим сканирования» - ИВК находится в режиме поиска резонансной частоты;
- «Недостаточное напряжение сети» - напряжение питающей сети недостаточно для корректной работы прибора;
Е.2 «Автокалибровка» - прибор проводит автокалибровку канала детектора.
Е.3 Графопостроитель «Форма резонансной кривой» - отображает форму резонансной кривой после поиска резонанса.
Графопостроитель позволяет настраивать вид графика следующим образом:
- Отобразить все снятые данные на экране. Для этого необходимо нажать правую кнопку в поле графопостроителя.
- Увеличить выбранную область графика. Для этого необходимо левой кнопкой мыши выделить прямоугольную область, которую следует увеличить. Выделение необходимо начинать с левого верхнего угла области. В процессе выделения рамкой будет выделена область, которая будет увеличена после отпускания левой кнопки мыши.
- Увеличить масштаб отображения. Для этого необходимо нажать левую кнопку мыши, и передвинуть указатель влево (для изменения масштаба по горизонтали) либо вверх (для изменения масштаба по вертикали). При этом двумя рамками будет условно показана область, в которой будет отображаться текущий масштаб после изменения.
- Передвинуть график без изменения масштаба. Для этого необходимо переместить мышь с зажатой средней кнопкой.
В нижней части графопостроителя находится кнопка «М», которая переводит графопостроитель в режим маркеров. В этом режиме по левой и правой кнопках мыши на снятых данных графопостроителя появляются маркеры, в которых показывается время от начала импульса, и текущее значение напряжения на детекторе.
Е.4 Поле «Управление ИВК». Описание интерфейса и элементов управления приведено ниже в п.2.3.4.
Е.5 Поле «U генератора». Отображает текущее напряжение генератора, а также позволяет задать его вручную (поле ввода снизу от индикатора напряжения).
Е.6 Поле «Детектор». Отображает текущее напряжение на детекторе (первый канал измерения).
Е.7 Поле «U светодиода». Отображает и позволяет задать напряжение, подаваемое на светодиоды. Напряжение на обоих каналах одинаковое.
Е.8 Поле «Низ Ген.». Позволяет установить нижнюю границу диапазона напряжения, в котором будет производиться поиск резонанса.
9 Поле «Верх Ген.». Позволяет задать верхнюю границу диапазона напряжения поиска резонанса.
Е.10 Поле «Длительность». Позволяет задавать длительность импульса светодиодов (на обоих каналах).
Е.11 Графопостроитель «Форма кривой времени жизни». Отображает форму соответствующего импульса.
Е.12 Набор индикаторов «Тип проводимости» и «Ветка кривой». Затемненный цвет соответствует отключенному состоянию индикатора, подсвеченный (яркий) цвет соответствует включенному состоянию индикатора.
Е.13 Индикаторы «n-проводимость» и «p-проводимость» показывают полярность импульса типа проводимости.
Е.14 Индикаторы «Левая ветка» и «Правая ветка» показывают полярность импульса измерения времени жизни.
Е.15 Поле «Счетчик импульсов». Отображает количество импульсов, поданных на светодиоды, после включения прибора.
Е.16 Поля «Температура (цифр)» и «Температура (аналог)». Отображают температуры, измеренные на соответствующих датчиках температуры.
Е.17 Поле «Амплитуда». Отображает амплитуду последнего импульса (вне зависимости от того, с какого канала светодиодов он подавался, и на каком канале измерителя он считывался).
Е.18 Поле «Время жизни». Отображает время спада импульса в «e» раз. Если отображает значение «0.0», значит, измерить время жизни не удалось. Как правило, это происходит из-за того, что импульс не успел уменьшиться в «e» раз за период оцифровки сигнала.
Е.19 Графопостроитель «Форма кривой типа проводимости». Отображает форму соответствующей кривой.
Приложение Ж
Потери, вносимые образцом, регистрируются как изменение прошедшей мощности через СВЧ резонатор, она равна:
(3)
где Рпр - мощность СВЧ резонатора, - внешние добротности резонатора, - нагруженная добротность пустого резонатора, - величина обратная тангенсу угла потерь измеряемого полупроводника, k - коэффициент включения образца в резонатор.
В случае высокоомных образцов германия, когда выполняются условия
, (4)
где щ - угловая частота СВЧ, ео - диэлектрическая проницаемость, еn - относительная диэлектрическая проницаемость
Поле в Ge не экранируется свободными носителями и исследуемый образец можно рассматривать как диэлектрик с потерями, следовательно:
, (5)
где мощность прошедшая через резонатор в отсутствие образца.
(6)
Мощности измеряются на одной резонансной частоте, а - при одном значении коэффициента включения k.
Т.о. определив значение коэффициента и измеряя резонансной частоте, можно вычислить удельное сопротивление по формуле:
(7)
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015Электрические методы исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств полупроводников. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотопроводимость. Шумовые свойства фоторезисторов при совместном действии напряжения и фоновой засветки.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 02.10.2015Выбор измерительного прибора для допускового контроля параметров. Определение доверительных границ неисключенной доверительной погрешности результата измерения. Назначение и принцип действия цифровых универсальных вольтметров и их составных частей.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 14.04.2019Классификация веществ по электропроводности. Расчёт эффективной массы плотности состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, концентраций свободных носителей заряда. Определение зависимости энергии уровня Ферми от температуры.
курсовая работа [913,5 K], добавлен 14.02.2013Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.
реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004Расчет температурной зависимости концентрации электронов в полупроводнике акцепторного типа. Определение и графическое построение зависимости энергии уровня Ферми от температуры: расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 15.02.2013Мостовой и косвенный методы для измерения сопротивления постоянного тока. Резонансный, мостовой и косвенный методы для измерения параметров катушки индуктивности. Решение задачи по измерению параметров конденсатора с использованием однородного моста.
контрольная работа [156,9 K], добавлен 04.10.2013Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.
презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016Основные параметры электромагнитного поля и механизмы его воздействия на человека. Методы измерения параметров электромагнитного поля. Индукция магнитного поля. Разработка технических требований к прибору. Датчик напряженности электромагнитного поля.
курсовая работа [780,2 K], добавлен 15.12.2011Понятие и источники теплового излучения, его закономерности. Классификация пирометрических методов и приборов измерения температур. Устройство и принцип работы пирометра типа ОППИР-09, методика проведения его поверки, возможные поломки и их ремонт.
курсовая работа [794,4 K], добавлен 02.12.2012Определение импульса квадратичного тока. Составление схемы замещения и расчет параметров ее элементов. Расчет тока для заданного режима потребления, тока короткого замыкания и ударного тока для заданной точки замыкания. Выбор электрических аппаратов.
курсовая работа [131,2 K], добавлен 18.10.2009Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.
презентация [150,3 K], добавлен 27.11.2015Разработка измерительного канала для контроля расхода воды через водогрейный котел: выбор диафрагмы, установка дифманометра, учет погрешностей измерения. Расчет схемы автоматического моста КСМ-4, работающего в паре с термометром сопротивления ТСМ (50).
курсовая работа [1,1 M], добавлен 07.03.2010Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой.
реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012Сведения о полупроводниках их классификация. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность низкомолекулярных органических полупроводников. Электрические свойства полимерных.
курсовая работа [779,2 K], добавлен 24.07.2010Характеристика параметров электроизмерительных приборов. Расчетный тепловой импульс цепи обмотки. Определение сопротивления токовых обмоток прибора. Выбор измерительных трансформаторов. Измерения активной мощности в трехфазной цепи при включении нагрузки.
контрольная работа [449,0 K], добавлен 18.06.2014Метод неразрушающего контроля состояния поверхности полупроводниковых пластин, параметров тонких поверхностных слоёв и границ раздела между ними. Методика измерений на эллипсометре компенсационного типа. Применение эллипсометрических методов контроля.
реферат [1,1 M], добавлен 15.01.2009Основные свойства полупроводников. Строение кристаллов. Представления электронной теории кристаллов. Статистика электронов в полупроводниках. Теория явлений переноса. Гальваномагнитные и термомагнитные явления. Оптический свойства полупроводников.
книга [3,8 M], добавлен 21.02.2009
