Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій
Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень у каскадах зіткнень, утворення вакансій радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, які описуються багаточастинковими атомними потенціалами.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 22.06.2014 |
| Размер файла | 125,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
МД алгоритми, що використовуються в роботі (п.4.4.4), відслідковували середню температуру кристалів в процесі розвитку каскадів. При початковій температурі 0 К, в кристалах Ni і Al/Ni каскади охолоджуються бистріше, порівняно з каскадами в Al і Ni/Al. Використання псевдоізотопних двошарових і однокомпонентних кристалів показало, що швидкість охолодження каскадів істотно залежить від енергії когезії і неістотно - від маси атомів.
У підрозділі 4.5 і п.п.4.2.4 моделювалися температурні залежності кількості атомних переміщень з одної комірки Вігнера-Зейтца в іншу (Nws) і СКЗ атомів в Cu, Al і Ni. Одержано зростання цих величин із збільшенням температури. В Al і Ni найбільш істотно зростають бічний внутрішній компонент СКЗ атомів віддачі і СКЗ ад-атомів. В усіх трьох кристалах з підвищенням температури зростає також кількість атомних переміщень з прошарку n в прошарок n-1. Як видно з рис.3, коефіцієнт ІП і середня швидкість дрейфу в Ni в інтервалі температур 0 К - 300 К мають періодично-загасаючий характер з глибиною від прошарку до прошарку, тоді як при 750 К спостерігається монотонне зменшення коефіцєнта ІП, а коливання швидкості дрейфу з глибиною є незначними (п.4.5.6). Зникнення періодичності коефіцієнта ІП відбувається завдяки зменшенню кількості атомних переміщень з прошарку n в прошарок n+2 із зростанням температури. Коли-вання швидкості дрейфу з глибиною кристала при температурах 0 К і 750 К, у значній мірі, пов'язані з температурним зростанням кількості переміщень атомів до поверхні кристала.
У п.п.4.2.6, 4.5.2, 4.5.3 моделювався випадок бомбардування Cu з енергіями іонів 25, 40 і 50 еВ. При енергії іонів 25 еВ і температурах 0 К і 300 К, іони Xe викликають значно більше переміщень атомів, включаючи і переміщення атомів у кристалі, тоді як іони Ar викликають переміщення атомів тільки з першого прошарку в ад-прошарок. При енергіях 40-50 еВ Nws не відрізняється істотно для Ar і Xe. При енергіях 25-50 еВ іони Xe ініціюють неістотно більший ефект перемішування порівняно з іонами Ar уздовж напрямку [1 0 0], але загальне СКЗ є значно більшим для Ar за рахунок бічних зміщень ад-атомів. Аналогічні результати були отримані для енергії іонів 100 еВ при 0 К (п.п.4.2.2).
В Al, Ni і Al/Ni при енергіях 25-50 еВ і 300 K іони Xe генерують більше атомних переміщень Nws, ніж іони Ar. Ця різниця є незначною в Ni і Al/Ni, але в Al інтенсивність переміщень атомів у два рази більша. Бічні СКЗ ад-атомів уздовж поверхні кристала Ni є більшими для іонів Ar порівняно з іонами Xе в 2 рази при енергії 50 еВ і не відрізняються при менших енергіях, тоді як в Al і Al/Ni бічні зміщення ад-атомів є більшими у випадку Xe. При цьому, бічне СКЗ ад-атомів у розрахунку на один ад-атом більше у випадку Ar для Cu, Ni, Al і Al/Ni.
При температурі кристала Al 300 К і енергіях іонів 25-50 еВ, в каскадах, ініційованих іонами Xe, спостерігаються два максимуми Nws, тоді як у каскадах, ініційованих іонами Ar - один максимум (п.п.4.5.3). Моменти досягнення максимальних значень Nws збігаються з моментами досягнення максимумів кількості поверхневих і об'ємних вакансій, що обговорювалося в розділі 3. Кінетика СКЗ атомів віддачі у випадках іонів Ar і Xe узгоджується з кінетиками Nws та радіаційних дефектів.
Розділ 5. У підрозділі 5.1 розглянуто використання МД модельних результатів утворення стабільних вакансій і міжвузлових атомів у кристалах Cu при 500 К і Ni при 750 К під дією іонів Ar з енергією 100 еВ для врахування внеску РПД в перенесення маси в кристалах і пов'язане з цим перекручення псевдомаркера з початковою товщиною в один атомний прошарок.
У підрозділі 5.2 наведена система рівнянь РПД для точкових дефектів і псевдокомпонентів у випадку реально однокомпонентної мішені з врахуванням колективного потоку атомів, генерації дефектів і ІП:
де Сi,v(x,t) - відносні концентрації вакансій (v) і міжвузлових атомів (i), як функції координати і часу;
Di,v - коефіцієнти дифузії дефектів;
бiv, бvs, бis - швидкісні коефіцієнти взаємної рекомбінації дефектів і їх анігіляції на зовнішніх стоках (s);
Сs - відносна густина зовнішніх стоків;
С1,2(x,t) - відносна концентрація атомів псевдокомпонента 1 або 2;
Dmix(x) - коефіцієнт ІП, який одержано шляхом МД моделювання, як другий момент функції атомних переміщень при бомбардуванні іонами Ar з енергією 100 еВ;
Dred,eff(x) = DiCi(x,t)+DvCv(x,t) - ефективний коефіцієнт РПД.
Система (4)-(6) одержана, як частинний випадок загальної системи рівнянь РПД для багатокомпонентної мішені із нехтуванням взаємодії різних типів дефектів і компонентів між собою. Функція fi,v(x) є модельним членом генерації вакансій або міжвузлових атомів на один іон. Густина пучка іонів I=1.25·1015 іонів/(см2·с). У рівняннях (4)-(6) припускається, що концентрації дефектів Сi,v(x,t) є істотно меншими за концентрації компонентів 1 і 2.
Швидкість розпилення поверхні Vf оцінювалася, як різниця потоків вакансій і міжвузлових атомів на поверхні, що бомбардується (x=0):
Крайові умови для концентрацій точкових дефектів:
де 1/мi,v - швидкісно-обмежуючий параметр, який характеризує ефективність стоку дефектів на поверхні кристала [10].
У моделі покладено, що мi = мv =м0. У випадку, коли поверхня розглядалася, як ідеальний стік дефектів (1/мi,v=0), їх поверхнева концентрація дорівнювала нулю, що використовувалося як крайова умова замість (8). Для металевої поверхні значення 1/мi,v знаходяться в інтервалі від 0 до d [10].
У підрозділах 5.3-5.5 отримані чисельні розв'язання рівнянь (4), (7)-(9) для профілів концентрацій дефектів Ci,v(x) і пошарового профілювання С1(0,Vf·t) виходячи з рівняння (5). Показано, що стаціонарні профілі дефектів Ci,v(x) можуть бути використані для розв'язання нестаціонарного рівняння (5), оскільки часи релаксації профілів концентрацій вакансій і міжвузлових атомів є значно меншими, ніж час розпилювання одного атомного прошарку при заданих умовах: L2/Di,v << d/Vf ~ d2/Dred,eff, де L - характерна глибина пошарового профілю псевдомаркера (~10 нм).
Внесок РПД в пошаровий профіль концентрації псевдомаркера домінує порівняно з ІП в обох кристалах Cu і Ni при температурах, відповідно, 500 К і 750 К. Зменшення поширення псевдомаркера із зростанням температури, що було отримане для ІП в розділі 4, залишається непомітним на фоні значно більшого поширення пошарового профілю завдяки РПД при 500 К в Cu і при 750 К в Ni, як показано на рис.4 для Cu. Здобуто, що поширення псевдомаркера в Ni з врахуванням РПД при 750 К було більше, ніж поширення завдяки ІП в ~20 разів, а глибина затухання в ~ 4 рази, що узгоджується з експериментальними даними, наприклад, для прошарку ізотопу 63Ni в матриці Ni [11].
Із зростанням 1/м0, перекручення профілю стає істотнішим завдяки тому, що приповерхневі концентрації вакансій і міжвузлових атомів зростають. Суттєва роль поверхневих стоків дефектів при низьких енергіях іонів і високих температурах відзначалася в [12].
Розділ 6. У підрозділі 6.1 формулюється проблема двоетапного моделювання ІП для системи розбавленого розчину заміщення атомів Al в кристалічній матриці Ni, коли домішкові атоми не взаємодіють безпосередньо один з одним. У цьому випадку, ймовірність каскадних переміщень атомів не залежить від концентрації домішки і загальну функцію переміщень домішкових атомів можна розглядати, як суму пошарових функцій атомних переміщень для кожного атомного прошарку. Низька концентрація домішки дозволяє використовувати незалежні від часу функції атомних переміщень.
У підрозділі 6.2 розглядався випадок бомбардування Ni(1 0 0) іонами Ar з енергією 100 еВ при 300 К. Моделювалося вісім кристалів Ni, що складалися з 4032 атомів в 14 атомних прошарках з атомом заміщення Al в одному з прошарків з 1-го по 8-ий.
Іони падали за законом випадкових чисел для початкових координат у шість областей у відповідності з симетрією поверхні Ni(1 0 0) біля домішкового атома, як показано на рис.5. Були побудовані також чотири кристали Ni(1 0 0) для врахування переміщень атома Al в напрямках <1 1 0> у складі відповідних ПЗЗ. Кожний з чотирьох кристалів мав по чотири атоми Al в одному з атомних прошарків з 5-го по 8-ий, які були розташовані в напрямках <1 1 0> у відповідності з областями 1-6.
У підрозділі 6.3 розглянута аналітична частина моделі, що була застосована у розрахунку пошарового профілю маркера Al. Диференціальне рівняння ІП отримано шляхом розкладання правої частини транспортного рівняння ІП (1) по малому параметру z/x з утриманням квадратичних членів [1-3]. Були розраховані коефіцієнти ІП і середні швидкості дрейфу домішкових (Al) і матричних (Ni) атомів віддачі. Рівняння ІП в дифузійному наближенні має наступний вигляд:
де U(x) - ефективна швидкість атомів домішки Al;
D1,2(x) - коефіцієнти перемішування компонентів 1 і 2;
V1,2(x) - швидкості дрейфу атомів віддачі компонентів 1 і 2.
Параметри U(x), D1,2(x), V1,2(x), Vf залежать від функцій F1,2(x,z), які розраховуються МД методом. Густини пучка іонів 1.251015 іонів/(см2с). Функція F1(x,z) для атомів Al була побудована, як подвійна сума функцій атомних переміщень F1ij(x,z) при падінні іона в j-у область (j=1-6) у випадку знаходження атома Al в i-му атомному прошарку (i=1-8):
де з =1 для областей бомбардування j=1-3 і з =2 для j=4-6, м=6, n=8.
Ефективний коефіцієнт розпилення Y1 домішкових атомів Al:
де індекс j і параметр з мають такий самий зміст, як і в рівнянні (12).
Крайова умова на поверхні (x = 0) для рівняння (10), має вигляд:
де Y1,2 - коефіцієнти розпилення компонентів 1 і 2; Дx ? d/2.
Коефіцієнт розпилення Y2 і функція атомних переміщень атомів Ni F2(x,z) моделювалися в однокомпонентному кристалі Ni. Відносна концентрація домішкових атомів Al у початковому маркері була 10-3.
У відповідності з ефективним коефіцієнтом розпилення (13), домішка Al в моделі є легкорозпилюємим компонентом порівняно з матрицею Ni (підрозділи 6.4-6.6), що якісно співпадає з даними експериментів для Ni3Al [13]. Моделювався також вплив атома Al на генерацію точкових дефектів та на атомні переміщення у кристалі Ni в залежності від області падіння іонів.
Кількість переміщень атомів Al Nws, їх загальне СКЗ і компонент СКЗ в напрямку [1 0 0] демонструють періодично-загасаючу залежність з глибиною кристала від прошарку до прошарку, починаючи з другого атомного прошарку. Як показано в підрозділі 6.7, значення обох коефіцієнтів ІП домішкових і матричних атомів, а також відповідні середні швидкості дрейфу, змінюються з глибиною аналогічним чином. Головний внесок у їх значення роблять переміщення атомів в напрямку [1 0 0], включаючи ПЗЗ[1 0 0], тоді як ПЗЗ <1 1 0> роблять лише незначний або порівняний з ПЗЗ [1 0 0] внесок в залежності від номера атомного прошарку.
У підрозділах 6.8 і 6.9 моделюється залежність швидкості U(x) від глибини, а також її вплив на пошаровий профіль домішкового маркера. Врахування ефективного конвективного потоку домішкових атомів U(x)·C1(x,t) при розв'язанні рівнянні (10) призводить до зростання поширення і максимальної концентрації пошарового профілю концентрації Al маркера, особливо, у випадку відсутності переважного розпилення. При цьому, положення переднього фронту профілю залишається незмінним, а задній фронт зміщується в глибину кристала, збільшуючи поширення в 1.2 - 1.6 раза в залежності від врахування областей бомбардування. Поверхневе значення U(0) відіграє при цьому домінуючу роль. При врахуванні переважного розпилення, вплив функції U(x) на пошаровий профіль концентрації С1(x,t) стає незначним для домішки Al в кристалі Ni при енергії Ar 100 еВ.
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ
У дисертації наведене нове вирішення проблеми опису іонного перемішування та радіаційно-прискореної дифузії, в однокомпонентних (ІП і РПД) і двокомпонентних матеріалах з низькою концентрацією одного з компонентів (ІП) при бомбардуванні іонами низьких енергій, яке полягає в накопиченні статистики МД моделювання атомних переміщень і утворення стабільних точкових дефектів (вакансій, міжвузлових та радіаційно-адсорбованих атомів) в атомних каскадах при різних температурах твердого тіла, з наступним використанням результатів МД моделювання в розрахунках параметрів моделей масоперенесення і розв'язанні рівнянь балансу компонентів. Новим є також вирішення проблеми МД моделювання механізмів модифікації приповерхневої області твердого тіла в атомних каскадах, що подається в отриманих числових значеннях та інтерпретації усереднених по кількості випробувань часових залежностей утворення точкових дефектів і каскадних переміщень атомів, викликаних низькоенергетичними іонами середньої (Ar) і великої (Xe) маси в кристалах Cu, Ni, Al, Al/Ni, Ni/Al при різних температурах із застосуванням багаточастинкових атомних потенціалів.
1.Розроблено двоетапний метод розрахунку низькоенергетичного ІП для однокомпонентних кристалів з моделюванням функції атомних переміщень, коефіцієнта розпилення на першому етапі та обчисленням коефіцієнта ІП, середньої швидкості дрейфу атомів віддачі, а також з розв'язанням рівняння ІП з модельними параметрами на другому етапі.
2.Розв'язання транспортного рівняння ІП при температурах кристалів Cu і Ni до ~0.4·Тm з модельною функцією атомних переміщень показує зменшення із зростанням температури поширення профілю монопрошарку атомів, які балістично ідентичні матричним атомам кристала (псевдомаркер). Транспортне рівняння перемішування дає більше поширення, ніж його дифузійне наближення. Аналітично показано, що лінійна неоднорідність коефіцієнта ІП сприяє зростанню поширення пошарового профілю псевдомаркера.
3.Показана коректність двоетапного розрахунку низькоенергетичного ІП для кристалів з низькою концентрацією домішки заміщення. Розроблено алгоритм побудови модельної функції атомних переміщень домішкових атомів. Врахування різниці каскадних переміщень атомів матричного кристала Ni і домішкового маркера Al призводить до зростання поширення пошарово-го профілю концентрації маркера при енергії іонів ~100 еВ, яке, однак, мінімізується переважним розпиленням Al.
4.Виявлена загасаюча з глибиною періодичність пошарових значень коефіцієнта ІП атомів Ni в кристалі Ni і домішкових атомів Al в кристалі Ni, а також періодичність кількості переміщень каскадних атомів з глибиною в кристалі Al при температурах до 300 К. При температурах ~0.4 - 0.5·Tm періодичність коефіцієнта ІП атомів Ni в кристалі Ni не спостерігається, а періодичність переміщень атомів у кристалі Al спостерігається тільки в декількох прошарках. В однокомпонентних кристалах зростання температури супроводжується збільшенням кількості каскадних атомів, СКЗ каскадних атомів, а також кількості стрибків атомів до поверхні. СКЗ каскадних атомів зростає переважно в напрямках, паралельних поверхні, що бомбардується.
5.Розвинуто метод розрахунку РПД для низьких енергій іонів з моделюванням координатно-залежної функції генерації точкових дефектів. Показано, що сток дефектів на поверхні впливає на поширення пошарового профілю концентрації псевдомаркера. З позицій моделювання каскадів зіткнень розглянуто внески вакансійного і міжвузлового механізмів, а також ІП, в масоперенесення поблизу поверхні в кристалах Cu і Ni при температурах ~0.4·Tm.
6.При бомбардуванні іонами з енергіями ~100 еВ, приповерхнева область кристала (1-4 атомні прошарки) збагачується вакансіями завдяки генерації ад-атомів і ПЗЗ, тоді як міжвузлові атоми знаходяться на глибині, яка дорівнює середній довжині ПЗЗ (5-й-12-й атомні прошарки). Розмір області перемішування значно перевищує глибину розподілу пружних втрат іонів, що виправдовує застосування методу молекулярної динаміки для розрахунків параметрів моделей ІП.
7.Показано, що генерації поверхневих дефектів (ад-атомів і поверхневих вакансій) є більшими, а об'ємних дефектів (міжвузлових атомів і об'ємних вакансій) - меншими в однокомпонентних кристалах при температурах ~0.4·Tm порівняно з генераціями відповідних дефектів при нульовій температурі. У кристалі Al/Ni не спостерігався значний вплив температури на утворення дефектів у каскадах зіткнень до 300 К.
8.Кристали Al/Ni і Ni/Al, в яких поверхневий атомний прошарок складався з атомів Al або Ni, показують більшу кількість переміщень атомів через межу розподілу компонентів при іонному бомбардуванні, ніж однокомпонентні кристали Al і Ni між відповідними прошарками, що пов'язано зі зменшенням потенціальної енергії цих двошарових систем при обміну атомами різних компонентів при 0 К. Генерації поверхневих вакансій і ад-атомів у кристалах Al/Ni і Ni/Al є більшими ніж в кристалах Al і Ni. У Ni/Al більша частина ад-атомів - атоми Al з другого прошарку. Кількість стабільних міжвузлових атомів у підкладинці кристала Al/Ni є значно меншою порівняно з кількістю стабільних міжвузлових атомів у кристалі Ni завдяки зниженню ймовірності утворення ПЗЗ.
9.На термічній стадії каскадів СКЗ каскадних атомів в кристалах Cu, Ni, Al дорівнює 1.1 - 1.4 від СКЗ на стадії зіткнень. У кристалах Al/Ni і Ni/Al СКЗ на термічній стадії каскадів збільшується в 1.4 - 3 рази завдяки локальній реструктуризації поверхневого прошарку, що викликана різницею сталих гратки компонентів і переміщеннями атомів по поверхні кристалів.
10.При енергіях ~50 еВ, час перебування іона Xe в кристалах Cu, Ni, Al в 2 - 4 рази перевищує час знаходження там іона Ar, що призводить, у випадку Xe, до часового розмежування механізмів генерації ад-атомів. Спостерігаються відмінності між кінетиками інших типів дефектів. У кристалі Al/Ni не спостерігається якісних відмін між кінетиками дефектів у випадках іонів Ar і Xe, для яких поверхневі дефекти, практично, не рекомбінують на стадії релаксації каскаду, тоді як відповідні типи об'ємних дефектів ефективно рекомбінують між собою.
СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ЗДОБУВАЧЕМ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ
Войтусик С.С., Корнич Г.В., Запорожченко В.И., Теплов С.В. Изменение состава приповерхностного слоя при скачкообразном изменении энергии бомбардирующих ионов // Поверхность.- 1993. - N1. - С.26 - 33.
Корнич Г.В., Пинчук В.П. О моделировании процесса ионного послойного анализа // Поверхность.- 1993. - N12. - С.51 - 60.
Kornich G.V., Pintchuk V.P. Calculation of the relocation function's moments during low energy ion beam mixing // Vacuum.- 1994.- Vol.45, N4. - P.487-488.
Корнич Г.В. Об использовании МД моделирования для вычисления коэффициента перемешивания и средней скорости атомов отдачи в условиях ионной бомбардировки // Поверхность.- 1995.- N2.- С.107 - 109.
Kornich G.V., Betz G., King B.V. Molecular dynamics simulation of low energy ion beam mixing // Nucl. Instr. and Meth. B.- 1996.- Vol.115, N1-4. - P.461- 467.
Kornich G.V., Betz G. Two step simulation of low energy ion beam mixing at different temperatures // Nucl. Instr. and Meth. B. - 1996. - Vol.117, N1-2. - P.81 - 89.
Корнич Г.В. О вычислении уширения концентрационного псевдослоя в процессе низкоэнергетического ионного перемешивания // Поверхность.-1996. - N8. - С.58 - 61.
Kornich G.V., Betz G. Calculation of marker distortion at elevated temperatures under low energy ion bombardment // Nucl. Instr. and Meth.B.- 1997.- Vol.129, N4. - P.459 - 464.
Корнич Г.В., Бетц Г. Молекулярно-динамическое моделирование смещений атомов в монокристаллах Ni, Al и двухслойном кристалле Al/Ni при низкоэнергетической ионной бомбардировке // Известия АН. Серия физическая. - 1998. - Т.62, N7. - С.1401 - 1409.
Kornich G.V., Betz G. MD simulation of atomic displacements in pure metals and metallic bilayers during low energy ion bombardment at 0 K // Nucl. Instr. and Meth.B. - 1998. - Vol.143, N4. - P.455 - 472.
Корнич Г.В. Моделирование вклада столкновительной стадии атомных каскадов в низкоэнергетическое ионное перемешивание // Металлофизика и Новейшие Технологии. - 1998. - Т.20, N10. - С.76 - 80.
Kornich G.V., Betz G., Bazhin A.I. Simulation of mass transport processes in a high temperature Ni crystal under low energy ion bombardment // Nucl. Instr. and Meth.B. - 1999. - Vol.152, N4. - P.437 - 448.
Kornich G.V., Betz G., Bazhin A.I. MD simulation of atomic displacements in metals and metallic bilayers under low energy ion bombardment at 300 K // Nucl. Instr. and Meth.B. - 1999. - Vol.153, N1-4. - P.383 - 390.
Корнич Г.В. О выборе потенциала при моделировании вклада столкновительной стадии низкоэнергетических атомных каскадов в ионное перемешивание // Металлофизика и Новейшие Технологии. - 1999. - Т.21, N7. - C.33 - 37.
Корнич Г.В. Двухмерное молекулярно-динамическое моделирование вклада столкновительной стадии низкоэнергетических каскадов в ионное перемешивание // Поверхность. - 2000. - N3. - С.90 - 92.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Моделирование ионно-индуцированных атомных каскадов столкновений вблизи порога распыления // Металлофизика и Новейшие Технологии. - 2000. - Т.22, N9. - С.53 - 60.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Моделирование перемещений атомов при бомбардировке меди ионами Ar и Xe с энергиями близкими к порогу распыления // Известия вузов. Физика. - 2000. - Т.43.- N10. - С.59 - 66.
Корніч Г.В., Бетц Г. Моделювання температурної залежності переміщень атомів в каскадах зіткнень // Український Фізичний Журнал. - 2000. - Т.45, N10. - С.1244 - 1245.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Об образовании дефектов в двухслойном кристалле Al/Ni под действием бомбардирующих ионов с близкими к порогу распыления энергиями // Письма в Журнал Технической Физики. - 2000. - Т.26, Вып. 10. - С.60 - 65.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. О перемещениях атомов в двухслойной системе Al/Ni под действием бомбардирующих ионов с близкими к порогу распыления энергиями // Письма в Журнал Технической Физики.- 2000. - Т.26, Вып. 9. - С.31 - 35.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Моделирование низкоэнергетического ионного перемешивания примесного слоя алюминия в никеле // Поверхность. - 2000. - N10. - С.32 - 37.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Двухэтапное моделирование ионного перемешивания примесных профилей низкой концентрации // Известия Академии Наук. Серия физическая. - 2000. - Т.64, N4. - С.709 - 715.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Молекулярно - динамическое моделирование образования дефектов в кристалле алюминия при бомбардировке ионами низких энергий //Физика Твердого Тела.- 2001.- Т.43, Вып.1. - С.30 - 34.
Kornich G.V., Betz G., Bazhin A.I. Molecular dynamics simulation of mass transport processes in a Ni crystal with Al atoms as impurity under low energy ion bombardment // Nucl. Instr. and Meth.B.- 2001.- Vol. 173, N4.- P.417-426.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Молекулярная физика как раздел физики, в котором изучаются свойства вещества на основе молекулярно-кинетических представлений. Знакомство с основными особенностями равновесной термодинамики. Общая характеристика молекулярно-кинетической теории газов.
курсовая работа [971,8 K], добавлен 01.11.2013Система Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів Френзеля у кристалах Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у халькогенідах свинцю на основі експериментальних даних.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 09.06.2008Електропровідна рідина та її властивості в магнітному полі. Двовимірна динаміка магнітогідродинамічного потоку у кільцевому каналі І.В. Хальзев. Моделювання електровихрових полів у металургійних печах. Чисельне моделювання фізичних процесів у лабораторії.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 04.05.2014Характеристика загальних принципів моделювання. Визначення поняття моделі і співвідношення між моделлю та об'єктом. Вивчення основних функцій аналогових та математичних моделей. Аналіз методологічних основ формалізації функціонування складної системи.
реферат [96,1 K], добавлен 09.04.2010Определения молекулярной физики и термодинамики. Понятие давления, основное уравнение молекулярно-кинетической теории. Температура и средняя кинетическая энергия теплового движения молекул. Уравнение состояния идеального газа (Менделеева - Клапейрона).
презентация [972,4 K], добавлен 06.12.2013Основные понятия и определения молекулярной физики и термодинамики. Основное уравнение молекулярно-кинетической теории. Температура и средняя кинетическая энергия теплового движения молекул. Состояние идеального газа (уравнение Менделеева-Клапейрона).
презентация [1,1 M], добавлен 13.02.2016Ознайомлення з пакетом схемотехнічного моделювання Simulink. Особливості складання схем, використання основних вимірювальних приладів. Складання однофазного простого електричного кола. Вимірювання миттєвого, діючого значеня струмів та напруг на елементах.
лабораторная работа [1,8 M], добавлен 29.03.2015Математичне та фізичне моделювання обтікання тіл біля екрану з використанням моделей ідеальної та в’язкої рідини. Чисельне розв`язання рівнянь Нав’є-Стокса для ламінарного та турбулентного режимів. Застосування моделей та методів механіки рідин та газів.
автореферат [460,1 K], добавлен 16.06.2009Анализ теорий, устанавливающих связи между измеряемыми на опыте величинами и свойствами молекул. Идеальный газ как газ, взаимодействие между молекулами которого пренебрежимо мало. Причины возникновения давления газа в молекулярно-кинетической теории.
презентация [151,4 K], добавлен 08.01.2015Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
дипломная работа [1,0 M], добавлен 14.08.2008Проведение исследования механических и пароструйных вакуумных насосов. Анализ высоковакуумной установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и импульсного-лазерного испарения "Smart NanoTool MBE/PLD". Роль вакуума в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 18.11.2021Методи наближеного розв’язання крайових задач математичної фізики, що виникають при моделюванні фізичних процесів. Використання засобів теорії наближень атомарними функціями. Способи розв’язання крайових задач в інтересах математичного моделювання.
презентация [8,0 M], добавлен 08.12.2014Розміри та маси атомів, їх будова. Заряд і маса електрону. Квантова теорія світла, суть лінійчатого характеру атомних спектрів. Квантово-механічне пояснення будови молекул. Донорно-акцепторний механізм утворення ковалентного зв’язку. Молекулярні орбіталі.
лекция [2,6 M], добавлен 19.12.2010Сутність технології GаАs: особливості арсеніду галію і процес вирощування об'ємних монокристалів. Загальна характеристика молекулярно-променевої епітаксії, яка потрібна для отримання плівок складних напівпровідникових з’єднань. Розвиток технологій GаАs.
курсовая работа [3,4 M], добавлен 25.10.2011Характеристика законов Бойля-Мариотта, Бойля-Мариотта, Авогадро. Парциальное давление как давление, которое оказывал бы каждый газ смеси, если бы он один занимал объем, равный объему смеси. Знакомство с положениями молекулярно-кинетической теории газа.
презентация [625,5 K], добавлен 06.12.2016Складання моделі технічних об’єктів в пакеті Simulink, виконання дослідження динаміки об’єктів. Моделювання динаміки змінення струму якісної обмотки та швидкості обертання якоря електричного двигуна постійного струму. Електрична рівновага моделі.
лабораторная работа [592,7 K], добавлен 06.11.2014Понятие и основные положения молекулярно-кинетической теории. Диффузия как самопроизвольное перемешивание соприкасающихся веществ. Броуновское движение – беспорядочное движение частиц. Молекула - система из небольшого числа связанных друг с другом атомов.
презентация [123,0 K], добавлен 06.06.2012Природа і спектральний склад сонячного світла, характер його прямого та непрямого енергетичного перетворення. Типи сонячних елементів на основі напівпровідникових матеріалів. Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 17.06.2014Розрахунок статичної моделі і побудова статичної характеристики повітряного ресиверу для випадку ізотермічного розширення газу. Значення ресивера в номінальному статичному режимі. Моделювання динамічного режиму. Розрахункова схема об’єкту моделювання.
контрольная работа [200,0 K], добавлен 26.09.2010Дослідження електрообладнання верстата ФВ та ФСШ. Аналіз електричної схеми верстата ФВ та ФСШ при 380 В. Будова і принцип дії апаратури управління. Загальні відомості про асинхронні двигуни. Обслуговування електродвигунів. Характеристика безпеки праці.
реферат [4,1 M], добавлен 28.08.2010
