Надпровідні та ненадпровідні купратні оксиди в напівпровідникових гетероструктурах

На рис.8 наведені дані досліджень методами рентгенівської дифракції впливу температури ізотермічного відпалу структур ВаО-Sі в атмосфері кисню на процеси формування шару ортосилікату барію (t=1год.). При невисоких Т_відп=400-500^оС зародження силікатної фази відбувається переважно на структурних дефектах поверхні кремнію, силікатний шар є досить неоднорідним. В спектрах переважають рефлекси окислів ВаО, ВаО₂, SiО₂. При Т_відп=700-800^оС силікатоутворення активно проходить по всій поверхні кремнію, спостерігається часткова кристалізація силікатних фаз. При Т_відп>800-850^оС спостерігається розростання зерен, збільшення неоднорідності поверхні. В рентгенодифракційному спектрі зґявляються максимуми, обумовлені утворенням збагачених кремнієм домішкових фаз. Оптимальні умови формування буферного шару ортосилікату барію: відпал структур ВаО-Sі в атмосфері кисню при Т=700-750^оС.

Сформовані в оптимальних умовах буферні шари ортосилікату барію характеризуються діелектричними параметрами близькими до об'ємних: питомим опором 10¹³-10¹⁵ Ом.см та значенням діелектричної сталої е =13-15. Нанесені на такий буферний шар плівки YBa₂Cu₃O_7-х характеризуються температурою критичного переходу в надпровідний стан Т_с=89-90 К.

Буферні шари з металічною провідністю на основі дисиліциду кобальту дозволяють формувати якісні ВТНП плівки на кремнієвій підкладці з одночасним забезпеченням низькоомного омічного контакту як до кремнію, так і до високотемпературного надпровідника. Попередня іонна імплантація Со⁺ призводить до суттєвої аморфізації поверхневого шару кремнію і відповідно до зменшення впливу дезорієнтуючих ефектів на формування силіцидного шару. При відпалі імплантованих Со⁺ структур взаємодія кобальту з кремнієм супроводжується утворенням вузького шару дископодібних преципітатів в приповерхневому шарі кремнію. В вольт-фарадній характеристиці контактних структур СоSi₂ - nSi спостерігається мінімум ємності, обумовлений наявністю д-подібного шару преципітатів Со в об`ємі напівпровідника.

Нанесення на поверхню кремнію тонких покриттів на основі оксидів барію може бути одним із способів зменшення порогу електронної емісії і підвищення стабільності характеристик. Досліджено вплив атмосфери кисню і нагрівання кремнієвої підкладки на рентгеноелектронні спектри поверхні кремнію з тонким покриттям оксиду барію. Товщина шару ВаО складала d<10 нм, тиск кисню - р(О₂)=10⁵ Па, відпал структури здійснювався при температурі Т_п=500^оС протягом 5 хв. Нанесення тонкого шару BaО інтенсифікує процес окислення кремнію, ступінь окислення поверхні кремнію зростає при збільшенні товщини нанесеного шару BaО. З ростом концентрації кисню в камері рівень Si2р зсувається далі до положення Si⁴⁺ в SiО₂ і стабілізується на рівні 103,2 еВ.

Дані рентгено-фотоелектронних спектрів дозволяють пояснити процеси формування структур BaО-Si в припущенні механізму електронного обміну між атомами осаджуваного шару і кремнієвої підкладки. На початковому етапі перехід електронного заряду від атомів Ва до атомів Si обумовлює процеси їх іонного зв'язку, що є характерним для лужних металів на кремнії. Ковалентні зв'язки Si-Si руйнуються, атоми Si дифундують до зовнішньої поверхні, забезпечуючи проходження процесу окислення. Відпал в присутності кисню призводить до термічної стимуляції окислення кремнію і до активізації хімічної взаємодії між оксидами ВаО і SiО₂. Процес взаємодії на межі розділу ВаО-Si здійснюється в кілька стадій: адсорбція часток окислювача (О₂) на зовнішній поверхні ВаО, дифузія часток окислювача до межі ВаО-Si, взаємодія кисню з кремнієм і утворення SiО₂, хімічна взаємодія в системі ВаО-SiО₂ і формування силікатних фаз. В умовах розірваних координаційних зв'язків Si-Si при відпалі в атмосфері кисню переважно утворюється багата металом ортосилікатна фаза Ва₂SiО₄, в якій атоми кремнію оточені атомами Ва і О.

Зменшення роботи виходу після формування оксидного або силікатного шару барію і утворення на поверхні підкладки підвищень з високою кривизною обумовлюють зростання емісійного струму порівняно з чистою поверхнею кремнію. Для структур ВаО-Sі флуктуації емісійного струму в більшій мірі проявляються в області середніх полів, при яких процеси міграції поверхневих атомів найбільш інтенсивні. Значне зростання емісійного струму після створення поверхневого шару ВаО або Ва₂SіО₄ свідчить про визначальну роль поверхні катоду в формуванні потоку заряджених часток.

У шостому розділі проведено дослідження процесів адсорбції в поверхнево-бар'єрних структурах на з проміжним шаром поруватого купратного оксиду.

В поруватих купратних матеріалах (кераміках, плівках) для міжзеренних границь характерним є існування як потенціальних барґєрів, так і спечених між собою зерен. Якщо D/2L_D>1, (D - діаметр зерна, L_D - довжина екранування), то зміни електропровідності визначаються процесами адсорбції у провідному вузькому каналі (для спечених зерен) або модуляцією висоти міжкристалітних барґєрів (для системи окремих зерен). В нанорозмірних кристалітах при D/2L_D<1 області просторового заряду перекриваються і процеси переносу носіів заряду описуються в наближенні плоских зон. Розглянуті процеси модифікації властивостей міжкристалітних барґєрів при контактуванні зерен з різним хімічним складом. Ємність керамічних двофазових композитів CuО-SnО₂ в 2-3 рази перевищує ємність однофазних зразків, що обумовлено існуванням на межах зерен крім ізотипних гетеропереходів SnО₂-SnО₂ та CuО-CuО міжкристалітних р-n переходів рCuО-nSnО₂. В середовищі парів ацетону двофазові композитні структури характеризуються більшими значеннями газової чутливості.

Теоретично проаналізовано особливості впливу адсорбції на електричні характеристики поверхнево-барґєрних структур метал - проміжний шар поруватого оксиду - напівпровідник. Показано, що газова чутливість таких структур визначається змінами провідності та діелектричної сталої проміжного оксидного шару, висоти потенціального бар`єру Шотткі, перерозподілу падіння напруги. Запропонований метод роздільного визначення впливу адсорбції на електричні параметри проміжного діелектричного шару і гетерограниці на основі аналізу залежності другої похідної d²I/dV² від прикладеної напруги. Положення характерного максимуму V_m в залежності визначається висотою потенціального барґєру Шотткі ц_b та значеннями опорів проміжного шару R_d та обґєму напівпровідника r, а значення струму І_m визначається лише опорами R_d та r:

; (11)

Оптимальним для дослідження роздільного впливу адсорбції на параметри проміжного шару і області Шотткі є співвідношення їх товщин d~L.

Проведено порівняльний аналіз вплив одного і того ж газового середовища (парів аміаку) на електрофізичні характеристики структур метал (Ni, Ті) - кремній з різною природою проміжного оксидного шару (структури з надтонкими металевими шарами, структури метал-SnO₂-кремній, структури метал-CuO-кремній). Контакти метал-кремній з надтонкими (3-30нм) шарами Ni та Ті характеризуються острівковою структурою несуцільної металевої плівки. Процеси адсорбції молекул аміаку на поверхні структури призводять до перерозподілу заряду на міжатомних електронних звґязках межі розділу метал-кремній, що еквівалентно зміні діелектричної проникності перехідного шару. Зміни діелектричної проникності локалізуються в місцях контактування окисленого металу (р-NiO або n-ТіО₂) на периферійних ділянках металевих острівців з кремнієвою підкладкою.

В поверхнево-барґєрних структурах з проміжним шаром поруватого оксиду (SnO₂, CuO) чутливість до середовища аміаку визначається зміною електричних параметрів проміжного оксидного шару і межі розділу між оксидом і підкладкою. При малій товщині оксидного шару проникнення до гетерограниці молекул NH₃ забезпечує доставку надлишкового заряду, обумовлюючи збільшення (для кремнію n-типу) або зменшення (для кремнію р-типу) загальної провідності контактної структури. Збільшення товщини проміжного шару обумовлює зростання ролі його провідності, зміни якої відбуваються у відповідності з донорними властивостями адсорбованих молекул аміаку (зростання провідності для n-SnO₂ і зменшення для р-CuO). При підвищенні температури в структурах метал-CuO-кремній зростає інтенсивність дисоціативної адсорбції, в результаті якої вивільнений водень дифундує через проміжний діелектричний шар, що призводить до зміни концентрації електронних станів гетерограниці і відповідно до змін електричних характеристик. Ефекти розтікання та перерозподіл напруги між проміжним оксидним шаром та областю барґєра Шотткі визначають немонотонність залежності газової чутливості від прикладеної напруги.

Розроблені методи формування гетероструктур Ni-CuO-п,рSi з різною структурою проміжного шару купратного оксиду. Показано, що гетероструктури Ni-CuO-n, рSi дозволяють реалізувати подвійну функцію плівки CuO: мембрани для молекул газу і газочутливого елементу. В структурах з відкритою системою пор в плівці CuO чутливість до впливу газового середовища (парів води, ацетону) визначається як зміною опору проміжного шару, так і зміною висоти потенціального барґєра на гетерограниці. Газова чутливість структур з впорядкованою структурою плівки CuO в основному визначається зміною резистивних властивостей проміжного шару. Основними механізмами проходження струму в гетероструктурах Ni-CuO-п,рSi є термоелектронна емісія і емісія Пула-Френкеля. Вклад кожної складової визначається товщиною та структурою проміжного шару та інтервалом прикладеної напруги. Модифікація поверхні плівки CuO каталітично активним металом (Рt, Pt) дозволяє зменшити температуру максимальної чутливості гетероструктур. Польові залежності газової чутливості мають немонотонний характер, що дозволяє вибирати оптимальний діапазон напруг з максимальною чутливістю.

Кінетику впливу газового середовища на електричні параметри поверхнево-барґєрних структур можна проаналізувати з наведених на рис.10 часових залежностей зміни струму при постійному значенні прикладеної напруги. Структури є малоінерційними, виходять в режим насичення на протязі кількох хв. Час релаксації залежить від тиску і температури, стану поверхні і не залежить від процесів знегажування. В атмосфері парів води суттєвим є час повернення до вихідних параметрів і для прискорення цього процесу необхідний додатковий нагрів структур. Різниця між першою ізотермою, що включає фізично адсорбовану, хемосорбовану та прореаговану воду і послідуючими обумовлюється необоротністю процесів взаємодії молекул води з поверхнею купратного оксиду.

Процеси адсорбції і конденсації води в порах призводять до суттєвих змін електричного імпедансу структур метал-CuO-кремній, що обумовлено аномально високими значеннями діелектричної проникності води (е=81). Це може бути використано як для створення сенсора вологості ємнісного типу, так і для оцінки розмірів пор в плівці CuO методами адсорбційно-ємнісної порометрії. Поруватий шар СuO наносився на поверхню попередньо термічно вирощеного на кремнії тонкого шару SіО₂ (d=0,05-0,1мкм), який обмежує дифузію молекул Н₂О до гетерограниці і сприяє отриманню близьких до ідеальних МДН-структур вольт-фарадних хзарактеристик. Різниця між значеннями ємності поруватої оксидної плівки при відносній вологості (RH?0) і в сухій атмосфері (RH=0) визначається:

 (12)

Враховуючи, що е_Н2О>>е_Аir і в режимі акумуляції ДC_eff?ДС_max (С_maх - ємність контактної структури в режимі акумуляції), згідно (12) із ємнісних вимірювань можна визначити обґєм адсорбованої в порах води V_Н2О і, відповідно, значення відносної вологості RH. Згідно електронно-мікроскопічних досліджень отримані плівки СuO характеризуються середнім розміром пор 30-50нм, що дозволяє їх віднести до класу мезопористих адсорбентів. Для мезопор характерним механізмом адсорбції є капілярна конденсація води, що описується рівнянням:

(13)

де RH=p/p₀, р - тиск парів, р₀ - тиск насичених парів, Т- температура. V_m - молярний обґєм рідини, у - коефіцієнт поверхневого натягу, r_k- радіус капіляра, R - газова стала. Згідно (12) всі пори плівки з радіусом меншим критичного r_k є заповненими для даного значення відносної вологості RH. Наведені ізотермічні залежності еффективної діелектричної проникності е_eff проміжного поруватого шару в поверхнево-барґєрних структурах Ni-CuO-nSi. Адсорбція парів води обумовлює ефективне збільшення діелектричної проникності поруватого шару. Розраховані значення поруватості плівки CuO складали б=30-35%. Визначений згідно (11) обґєм конденсованої вологи при RH=90% зростає до V_Н2О=2.10^-9см^-3 (Т=20^оС) і V_Н2О=4.10^-9см^-3 (Т=50^оС). В рамках циліндричної моделі визначено, що для капілярного механізму конденсації вологи максимальний вклад в зміну діелектричної проникності поруватого шару CuO вносять пори з розміром r_k <20-30 нм.

Висновки

Представлені в роботі результати та наукові положення вирішують наукову проблему - створення фізичних основ роботи поверхнево-барґєрних напівпровідникових структур з тонкими шарами купратних оксидів (надпровідних та ненадпровідних).

З'ясовані механізми електронного переносу в контактах надпровідник - напівпровідник та метал - надпровідний напівпровідник; визначені механізми структурно-хімічних перетворень в контактах ВТНП-метал та ВТНП-кремній, встановлені закономірності формування методами твердофазного синтезу буферних шарів на кремнії з діелектричними та металічними властивостями, створені ефективні газові сенсори з оксидними шарами. Отримані результати можуть бути використані для подальшого розвитку теорії гібридних ВТНП-напівпровідникових структур та для створення нових функціональних елементів мікроелектроніки.

Основні наукові та практичні результати роботи:

Термічний розпад надпровідної фази та хімічна взаємодія з газовими компонентами оточуючої атмосфери визначають процеси утворення ненадпровідних фаз на поверхні ВТНП купратних оксидів. Електричні та оптичні характеристики ненадпровідних купратних фаз знаходять роз'яснення в рамках моделі напівпровідників з малою рухливістю носіїв заряду (10^-1-10^-3 см²/В.с). Наявність малорухливих носіїв типу поляронів визначає характер частотної залежності провідності в інтервалі низьких температур, де домінуючим є стрибковий механізм переносу носіїв заряду. Купратні оксиди в системі 1:2:3 (YBa₂Cu₃O_7-д, CuО, BaCuО₂, Y₂BaCuО₅) мають близькі експериментальні значення енергій зв'язку поляронних станів: Е_р =0,1-0,15 еВ.

Одержані аналітичні вирази для термоелектронної і тунельної компоненти струму в контакті надпровідник - напівпровідник з проміжним діелектричним шаром. Перехід металу в надпровідний стан призводить до зменшення прямого і збільшення зворотного надбарґєрного струму. В тунельному контакті надпровідник-напівпровідник параметр нелінійності зменшується при збільшенні відносної товщини проміжного діелектричного шару і ступеня легування напівпровідника. Значення тунельно-резонансного струму за участю глибоких центрів в області просторового заряду напівпровідника за їх достатньої концентрації та низьких температур може перевищувати відповідні значення надбарґєрного і тунельного струмів.

В рамках діодної теорії розраховані вольт-амперні характеристики контакту метал - надпровідний напівпровідник. Наявність енергетичної щілини 2Д в густині станів напівпровідника обумовлює зменшення надбарґєрного струму в близькому до висоти потенціального бар'єра інтервалі напруги: . Зменшенню надбарґєрного струму сприяють більші значення параметра Д і зниження температури. При виконанні умови в контакті метал - надпровідний напівпровідник стає можливим ефект зворотного випростування.

Контакти метал - ВТНП з хімічно неактивними металами (Аg, Au, Pd, Pt) характеризуються малими значеннями контактного опору 10^-7-10^-9 Ом.см². Властивості межі розділу в таких контактах визначаються двома основними факторами: дифузією кисню і проникненням металу в приповерхневий шар ВТНП матеріалу. В контактах метал - ВТНП з хімічно активними металами (Ті, Ni, Al та ін.) процеси хімічної взаємодії і утворення нових сполук на межі розділу обумовлюють зростання контактного опору. Температурні залежності контактного опору знаходять пояснення на основі уявлень про проходження носіїв заряду в надпровідній перколяційній сітці. Зниження ефективної розмірності перколяційної сітки в області контакту і локалізація струму призводить до руйнування джозефсонівських звґязків при значно меншій порівняно з обґємом густині струму.

Зміна електрофізичних властивостей контактів метал - ВТНП під дією іонізуючого випромінювання визначається двома основними механізмами: утворенням структурних дефектів і радіаційною стимуляцією процесів взаємодії на межі розділу між контактуючими матеріалами. Основна причина дефектоутворення обумовлена іонізаційною дією г-опромінення і розривом слабких звґязків в ланцюжках Cu-О. В контактах з хімічно активним металом при збільшенні дози іонізуючого опромінення зростає роль радіаційно-стимульованих процесів взаємодії на межі розділу між контактуючими матеріалами.

В контактних структурах YВaCuO-кремній основні зміни хімічного складу відбуваються в перехідному шарі між плівкою та підкладкою і є результатом зустрічної дифузії атомів барію, кисню та кремнію. Переважним результатом хімічної взаємодії в інтервалі температур 600-800^оС С є утворення на межі розділу шару силікатів барію, товщина якого зростає з температурою і тривалістю відпалу. Висока швидкість надходження атомів барію в зону реакції обумовлює лінійну залежність росту товщини силікатного шару від часу відпалу.

Природа глибоких центрів в гетероструктурах YВaCuO-кремній визначається процесами дефектоутворення та формування сторонніх фаз на межі розділу. В приповерхневій області підвищення температури формування призводить до зміни енергетичних характеристик глибоких центрів, що обумовлено зміною структури та розмірів силікатних включень в напівпровідниковій матриці. Польова стимуляція спустошення мікроскопічних пасток описується ефектом Пула-Френкеля.

В невзаємодіючих притискних структурах ВТНП - напівпровідник спостерігаються типові для контактів метал - напівпровідник з барґєром Шотткі випростуючі характеритстики. Висота потенціального барґєру має значення ц_b?0,8еВ для контактів YBaCuO-nSi і ц_b?0,5еВ для контактів YBaCuO-рSi. Запропоновано спосіб оцінки ступеню неоднорідності межі розділу в такого типу гетероструктурах методами математичного моделювання електрофізичних характеристик.

Ортосилікат барію Ва₂SiО₄ є ефективним матеріалом для буферного антидифузійного бар'єру в структурах ВТНП - кремній, що забезпечується узгодженістю кристалоструктурних параметрів ортосилікату барію з відповідними параметрами надпровідної плівки та кремнію, наявністю в його складі спільних елементів як з плівкою (Ва,О) так і з підкладкою (Si,O). Визначено оптимальні умови (відпал в атмосфері кисні при Т=750-780^оС) формування шару ортосилікату барію. Нанесені на такий буферний шар плівки YBaCuO мають задовільні надпровідні властивості при Т_с=89-90 К.

Визначені взаємозв'язки між процесами хімічної взаємодії в системі оксид барію - кремній і емісійними характеристиками виготовлених структур. Нанесення на поверхню кремнію тонких покриттів на основі оксидів барію обумовлює зменшення порогу електронної емісії і підвищення стабільності емісійних характеристик.

Буферні шари з металевим типом провідності на основі дисиліциду кобальту дозволяють вирішити проблему формування якісних ВТНП плівок на кремнієвій підкладці з одночасним забезпеченням низькоомного омічного контакту як до кремнію, так і до надпровідної плівки. Попередня іонна імплантація Со⁺ призводить до суттєвої аморфізації поверхневого шару кремнію і відповідно до зменшення впливу дезорієнтуючих ефектів на формування силіцидного шару. Мінімум ємності в вольт-фарадній характеристиці легованих іонами Со⁺ контактних структур СоSi₂ - nSi обумовлений наявністю д-подібного шару преципітатів кобальту в об`ємі напівпровідника.

Механізм впливу адсорбції на електричні характеристики поверхнево-барґєрних структур метал - проміжний шар поруватого купратного оксиду - напівпровідник визначається змінами провідності та діелектричної сталої проміжного шару, висоти потенціального бар`єру Шотткі, перерозподілу падіння напруги в структурі. Запропонований метод роздільного визначення впливу адсорбції на електричні параметри проміжного шару і гетерограниці на основі аналізу залежності другої похідної від прикладеної напруги.

Розроблені методи формування гетероструктур Ni-CuO-п,рSi з різною структурою проміжного шару купратного оксиду. Показано, що в гетероструктурах Ni-CuO-n,рSi реалізується подвійна функція плівки купратного оксиду: мембрани для молекул газу і газочутливого елементу. Модифікація поверхні плівки CuO каталітично активним металом (Pt,Pd) призводить до зменшення температури максимальної чутливості гетероструктур.

Зміни електричного імпедансу МДН-структур з проміжним шаром купратного оксиду при адсорбції води є основою для створення сенсора вологості ємнісного типу і можуть використовуватися для оцінки розмірів пор в плівці оксиду методами адсорбційно-ємнісної порометрії. В рамках циліндричної моделі пор визначено, що при капілярному механізмі конденсації вологи максимальний вклад в зміну діелектричної проникності плівки CuO вносять пори з розміром r_k <20-30нм. Залежність відносної зміни ємності в газовому середовищі від прикладеної напруги має немонотонний характер, що дозволяє вибирати діапазон напруги з максимальною чутливістю.

Основні публікації по темі дисертаційної роботи

1. Алфеев В.Н., Груша С.А., Кузнецов Г.В., Угрин М.И. Экспериментальное исследование джозефсоновских переходов с полупроводниковым барьером и контактов сверхпроводник-полупроводник. //Радиотехника и электроника. -1979. -т. 24, №11. -с. 2320-2325.

2. Кузнецов Г.В. Вольт-амперная характеристика туннельного контакта сверхпроводник-полупроводник. /В кн.: Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. - Киев: Наукова думка. -1979. -с. 140-146.

3. Бузанева Е.В., Кузнецов Г.В., Стриха В.И. О прохождении туннельного резонансного тока в контактах металл-полупроводник. //Радиотехника и электроника. -1982. -т. 27, № 3. -с. 615-617.

4. Бузанева Е.В., Ветров А.П., Кузнецов Г.В., Мунтян Ю.Г. Влияние глубоких уровней радиационных дефектов в кремнии на характеристики структур Al-V-nSi после г-облучения. //Радиотехника и электроника. -1985. -т. 30, № 11. -с. 2291-2293.

5. Кузнецов Г.В., Стриха В.И. Анализ детального хода вольт-амперной характеристики контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. //Вестник Киевского университета. Сер. Физика. -1986. -№ 27. -с. 50-60.

6. Бузанева Е.В., Кузнецов Г.В., Стриха В.И. Температурные изменения электронных состояний границы раздела металл-кремний. //Микроэлектроника. -1986. -т. 15, № 3. -с. 275-277.

7. Богуславский Ю.М., Кузнецов Г.В., Руденко Э.М., Стриха В.И. Электрофизические характеристики контактных структур Cr-YBaCuO. /В кн.: Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. - Киев. -1988. -с. 60-61.

8. Кузнецов Г.В., Левандовский В.Г., Стриха В.И. Моделирование контакта металл-высокотемпературный сверхпроводник в условиях планарно-неоднородного прохождения туннельного тока. /В кн.: Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. - Киев: - Наукова думка. - 1989. -с. 59-62.

9. Кузнецов Г.В., Робур Е.Г., Скрышевский В.А., Стриха В.И. ИК-спектроскопия границы раздела металл-ВТСП. /Сб. материалов 11 всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости. - Киев. -1989. -т. 2. -с. 160-161.

10. Кузнецов Г.В., Левандовский В.Г., Стриха В.И. О механизмах прохождения тока в контактных структурах металл - высокотемпературный сверхпроводник. /Сб. материалов 11 всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости. -Киев. -1989. -т. 2. -с. 216-217.

11. Авраменко В.А., Кузнецов Г.В., Стриха В.И., Шека Д.И. N-образная вольт-амперная характеристика диодной структуры с переменной топологией области обеднения. //Микроэлектроника. -1989. -18. -№ 5. -с. 470-472.

12. Белоусов И.В., Дядюн Ю.А., Кузнецов Г.В., Полищук А.О. Способ изготовления джозефсоновского перехода. А. с. СССР №1464836 от 08.08.1989.

13. Авраменко В.А., Кузнецов Г.В., Стриха В.И., Шека Д.И. Структура области обеднения и вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с омическими включениями. //Известия ВУЗов. Сер. Физика. -1990. т. 33, № 4. -с. 21-25.

14. Ветров А.П., Кузнецов Г.В., Панасюк В.Н.,Смирнов В.И., Стриха В.И. Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниковых структурах. А. с. СССР № 1570563 от 08.02.1990.

15. Вдовенкова Т.В., Ильченко В.В., Кузнецов Г.В., Стриха В.И. Влияние отжига на свойства структур металл - ВТСП. /В кн.: Физика и технология тонких пленкок сложных полупроводников. Труды V респ. конференции. -Ужгород. -1992. -с. 192-194.

16. Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V. Contact effects in heterostructures based on high temperature superconductors YBaCuO. //Proc. of Int. Conf. "Physics in Ukraine". Radiophysics and Electronics. - Kiev. -1993. - p. 125-128.

17. Вєтров О.П. Кузнецов Г.В. Метод дослідження вольт-амперних характеристик нелінійних елементів. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. -1993. -№ 2. -с. 166-171.

18. Вelousov I.V., Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V., Strikha V.I. Effects of interаction in YBaCuO-GaAs structures with chemical active silicide buffer layer. //Physica C. -1994. -v. 235-240. -p. 607-608.

19. Вєтров О.П., Кузнецов Г.В. Ємнісний спектрометр глибоких рівнів. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. -1994. -с. 293-300.

20. Вelousov I.V., Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V., Ruban A.I., Skryshevsky V.A. YBaCuO-Si structures with barium silicаte buffer layers. //Proc. of Int. Workshop on Advanced Technologies of Multicomponent Solid Films and Structures. -Ujgorod. -1994. -p. 28-29.

21. Вдовенкова Т.В., Ільченко В.В., Кузнецов Г.В., Неволін В.С., Стріха В.І. Вплив температури кремнієвої підкладинки на взаємодію з плівкою оксидного надпровідника типу 1:2:3. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. -1994. -с. 385-393.

22. Вelousov I.V., Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V., Ruban A.I., Strikha V.I. Superconducting YBaCuO thin films on silicon with barium silicate buffer layers. //IEEE Trans. Appl. Superconducting. -1995. -v.5. -№ 2. -pаrt. 2. -p. 1510-1512.

23. Belousov I.V., Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V., Rudenko E.M. Investigation of the electrical properties of heterostructures YBaCuO-Si with silicide buffer layer. //Mater. of Int. Workshop on Superconductivity. -Maui. -1995. -p. 458-459.

24. Belayev A.I., Bykov V.I., Buzaneva E.V., Vdovenkova T.V., Kuznetsov G.V., Pechen E.V., Brunner B., Schoenberger R. SPM view of surface morfology and atomic structure of YBCO films on Si with buffer layers. //Abstracts. 6-th Europ. Conf. On Applications of Surface and Interface Analysis. -Montreux. -1995. -p. SU-9.

25. Boyko P.A., Kuznetsov G.V., Loboda P.I., Tsyganova A.I. Barium silicate buffer layer for HTSC-silicon structures. //Functional Materials. -1996. v. 3.-№ 3. -p. 283-287.

26. Ільченко В.В., Кузнецов Г.В., Скурський В.В., Циганова Г.І. Процеси фазоутворення в системі ВаО-SіО₂. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. -1997. -№ 2. -с. 263-269.

27. Бiлоусов І.В., Ільченко В.В., Кузнецов Г.В., Стріха В.І. Спосіб виготовлення надпровідних оксидних плівок на кремнії. Патент України № 18067 А від 17.06.1997 р.

28. Ильченко В.В., Кузнецов Г.В., Скурский В.В., Цыганова А.И. Формирование бариевосиликатного слоя на кремнии. //Микроэлектроника. -1998. -т. 27. -№ 5. -с. 340-345. (Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V., Skursky V.V., Tsiganova A.I. Formation of Ba₂SiO₄ buffer layer on Si structures. //Microelectonics. -1998. -v. 27. -№ 5. -р. 291-296).

29. Бомк О.Й., Ільченко Л.Г., Ільченко В.В., Кузнецов Г.В., Пінчук О.М., Стріха В.І. Механізм газової чутливості до аміаку структур нікель-п-кремній. //Український фізичний журнал. -1998. -т.43. -№1. -с.125-128.

30. Кузнецов Г.В. Вплив хімічного складу на електрофізичні властивості ненадпровідних купратних фаз. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. -1998. -№ 1. -с. 256-261.

31. Бомк О.Й., Ільченко Л.Г., Ільченко В.В., Кузнецов Г.В., Пінчук О.М., Пінчук В.М., Стріха В.І. Про природу чутливості до аміаку газових сенсорів на основі структур надтонка металева плівка - кремній. //Український фізичний журнал. -1999. -т. 44. -№ 6. -с. 759-763.

32. Кузнецов Г.В. Поляронний транспорт в діелектричних купратних оксидах. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. -1999. № 4. -с. 271-274.

33. Bomk O.I., Ilchenko L.G., Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V., Pinchuk A.M., Pinchuk V.M., Strikha V.I. About the gas sensitivity of contacts metal - silicon with the superthin nickel and titanium films to the ammonia environment. //Sensors and actuators. -2000. -v. В62. -р. 131-135.

34. Білоусов І.В., Ільченко В.В., Кузнецов Г.В. Вплив імплантації іонів Со⁺ в кремній на формування силіциду кобальту. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. -2000. -№ 2. -с. 382-390.

35. Bomk O.I., Ilchenko L.G., Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V. The influence of the superthin metallic film structure on the gaz sensivity of the metal - silicon surface barrier sensors. //Proc. the 14-th European conference on solide-state transducers. Eurosensors-14. - Copenhagen. -2000. -p. 189-191.

36. Ильченко В.В., Кузнецов Г.В. Влияние кислорода на взаимодействие и работу выхода в структурах Ва-Si и ВаО-Si. //Письма в ЖТФ. - 2001. -т. 27. -№ 8. - с. 58-63. (Ilchenko V.V., Kuznetsov G.V. Effect of oxygen on the chemical reactions and electron work function in Ba-Si and BaO-Si structures. //Technical Rhysics Letters.-2001.-v. 27.-№ 4.-p. 333-335).

37. Кузнецов Г.В. Термоэлектронный ток в контактe металл - сверхпроводящий полупроводник. //Письма в ЖЭТФ. -2001. -т. 74. -№ 10. - с. 556-559. (Kuznetsov G.V. Тhermionic сurrent in a metal - superconducting semiconductor junction. //JETF Letters. -2001. -v. 74. -№ 10. -p. 495-497).

38. Kuznetsov G.V., Skryshevsky V.A., Tsyganova A.I., Vdovenkova T.A., Gorostiza P., Sanz F. Platinum electroless deposition on silicon from hydrogen fluoride solutions: electrical properties. //Journal Еlectroсhem. Society. -2001. -v. 148. -№ 8. -p. 528-532.

39. Ильченко В.В., Кузнецов Г.В., Телега В.Н., Цыганова А.И. Влияние условий формирования на эмиссионные характеристики тонкопленочных структур ВаО-Si. //Proc. of the 12-th Int. Symp."Thin films in erlectronics”. -Kharkov. -2001. -p. 96-99.

40. Кузнецов Г.В. Прохождение носителей заряда в контакте металл - сверхпроводящий полупроводник. //Физика и техника полупроводников. -2002. -т. 36. -№ 9. -с. 1077-1083. (Kuznetsov G.V. Charge carrier transport through the contact of metal with a superconducting semiconductor. //Semiconductors. -2002. -v. 36, № 9. -p. 1001-1007).

41. Kilchitskaya T.S., Kuznetsov G.V., Skryshevsky V.A., Tretyak O.V., Sanz F. Electrical and gas sensing properties of porous silicon formed by platinum electroless deposition on silicon from hydrogen fluoride solutions. //Mater. of the 3-th Int. Conf. "Porous semiconductors - science and technology".- Tenerife, 2002.-р. 115-116.

42. Belousov I., Buzaneva E., Gorchinskiy A., Kuznetsov G., Lysko O., Lytvyn P., Popova G., Veblaya T., Vysokolyan O., Zherebeskyy D. Self formation of Si nanostructured layer at the metal silicide/silicon interface. //Materials Science and Engineering C. -2003. -v. 23. -p. 181-186.

43. Кузнецов Г.В., Третяк О.В. Влияние адсорбции воды на емкость структур металл - пористая пленка купратного оксида - кремний. //Сб. докладов Международного симпозиума “Функциональные покрытия на стеклах” (FCG-1). - Харьков. -2003. -с. 213-217.

44. Кузнецов Г.В., Циганова А.І. Вплив структури проміжного шару на газову чутливість контактів метал - оксид міді - кремній. //Вісник Київського університету. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2003. -№ 3. -с. 289-293.

Размещено на Allbest.ru