Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором

Размещено на http://www.allbest.ru

Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна

УДК 621.373.826

Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором

01.04.05 - оптика, лазерна фізика

Автореферат

дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата

фізико-математичних наук

Іванов Павло Сергійович

Харків 2004

Дисертацією є рукопис

Роботу виконано на кафедрі фізичних основ електронної техніки Харківського національного університету радіоелектроніки Міністерства освіти і науки України

Науковий керівник:

доктор фізико-математичних наук, доцент Сухоіванов Ігор Олександрович, професор кафедри фізичних основ електронної техніки Харківського національного університету радіоелектроніки

Офіційні опоненти:

доктор фізико-математичних наук, професор Кузьмічов Володимир Михайлович, професор кафедри квантової радіофізики Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна

кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Мачехін Юрій Павлович, заступник директора Науково-дослідного інституту метрології

Провідна установа:

Національний університет ім. Тараса Шевченка, кафедра квантової радіофізики, м. Київ

Захист відбудеться “__12_” ___березня___ 2004 року о _1600_ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.051.03 у Харківському національному університеті ім. В.Н. Каразіна (61077, м. Харків, пл. Свободи, 4, ауд. ім. К.Д. Сінельникова).

З дисертацією можна ознайомитись у Центральній науковій бібліотеці Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна за адресою 61077, м. Харків, пл. Свободи, 4.

Автореферат розісланий “__11_” _лютого_____ 2004 р.

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Пойда В.П.

Іванов П.С. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико - математичних наук за спеціальністю 01.04.05 - оптика, лазерна фізика. - Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, 2004.

У роботі подано теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром на їх статичні та динамічні характеристики. Для цього було модифіковано деталізовану дифузійно-динамічну модель за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій, що поліпшило збігання чисельних методів і скоротило час розрахунку. З використанням даної моделі було досліджено модуляційні характеристики лазера з вертикальним резонатором в одно - і багатомодових умовах і показано, що одномодовий лазер має більш широку смугу модуляції, а створення одномодових умов відомими методами виражається в зменшенні потужності випромінювання. Таким чином, виявлено фактори, що обмежують збільшення дальності і швидкості передавання інформації у волоконно-оптичних мережах зв'язку, які використовують такі лазери, та вказано на необхідність пошуку альтернативного методу поперечного обмеження оптичного поля в резонаторі.

Досліджена можливість використання хвилеводного каналу, який утворено внесенням просторового дефекту в двомірному фотонному кристалі в резонатор досліджуваного лазера. Розглянуто два типи просторових дефектів у двомірному фотонному кристалі, утворених пропуском одного чи декількох отворів, та доведено що дефект першого типу найбільш ефективний при його використанні для утворення одномодових умов в таких лазерах.

Запропоновано і використано методику, яка дозволила знайти умови розмежування одно- і багатомодових умов в досліджуваних лазерах, а також отримано параметри двомірного фотонного кристала, які забезпечують ефективне утворення одномодових умов випромінювання.

Розроблено комплекс рішень і рекомендацій щодо утворення одномодових умов у лазері з вертикальним резонатором та у хвилеводних каналах, утворених просторовим дефектом у двомірному фотонному кристалі.

Наведено результати вимірювання ватт - амперних і спектральних характеристик лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном та двомірними фотонними кристалами, які були виготовлені з використанням даних, отриманих теоретично. Експериментальні результати підтвердили коректність розробленої теоретичної моделі.

Отримані результати були використані при розробці напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном та двомірним фотонним кристалом, а також можуть бути застосовані у проектуванні одномодових напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором і поясненні явищ, які спостерігаються при практичному дослідженні таких лазерів.

Ключові слова: напівпровідниковий лазер з вертикальним резонатором, ватт-амперні, спектральні, статичні та динамічні характеристики, одномодовий режим, фотонні кристали, напівпровідникові лазери з вертикальним резонатором та двомірним фотонним кристалом.

Иванов П.С. Влияние модового состава на рабочие характеристики полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором. - Рукопись.

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико - математических наук по специальности 01.04.05 - оптика, лазерная физика. - Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина, Харьков, 2004.

В работе изучено и дано теоретическое описание влияния модового состава излучения полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором, оксидным окном и квантоворазмерным активным слоем на их статические и динамические характеристики. Для этого была модифицирована детализированная диффузионно-динамическая модель за счет введения анализа в терминах концентраций, что улучшило схождения численных методов и сократило время расчета. Рассмотрена возможность управления модовым составом оптического излучения за счет внесения двумерного фотонного кристалла в резонатор лазера данного типа.

С использованием данной модели были исследованы модуляционные характеристики лазера с вертикальным резонатором в одно- и многомодовых условиях и показано, что одномодовый лазер обладает более широкой полосой модуляции, а создание одномодовых условий за счет сокращения диаметра оксидного окна приводит к сокращению ширины токоведущего канала и разогреву активной области. Вследствие этого, ограничивается максимально достижимая мощность излучения ППЛ данного типа и сокращается дальность передачи информации. Таким образом, выявлены факторы, ограничивающие увеличение дальности и скорости передачи информации в волоконно-оптических сетях связи и указано на необходимость поиска альтернативного метода поперечного ограничения оптического поля в резонаторе.

Исследована возможность использования волноводного канала, полученного пространственным дефектом в двумерном фотонном кристалле, для поперечного ограничения оптического излучения, распространяющегося в продольном направлении резонатора. Рассмотрено два типа пространственных дефектов в двумерном фотонном кристалле, созданных пропуском одного или нескольких отверстий, и показано, что дефект первого типа наиболее эффективен при его использовании для создания одномодового режима в данных лазерах.

Изучены оптические свойства двумерного фотонного кристалла, изготовленного в и посредством расчета дисперсионных диаграмм. Показано, что оптическое поле в пространственных дефектах фотонного кристалла ограничивается не за счет полного внутреннего отражения волн от границ раздела полупроводник - воздух, созданных отверстиями.

Показано, что применение анализа модовых свойств данных волноводов на основе общепринятых подходов - диаграмм существенно затруднено вследствие сложностей определения эффективного размера сердцевины волноводов. Для ухода от этой сложности, предложена и реализована методика, которая позволила найти условия разграничения одно- и многомодовых условий в исследуемых лазерах. Получены параметры двумерного фотонного кристалла, которые обеспечивают эффективное создание одномодовых условий излучения при его минимальном поперечном размере и изучена зависимость распределений основной оптической моды от геометрических параметров фотонного кристалла.

Разработан комплекс решений и рекомендаций по созданию одномодовых условий в лазерах с вертикальным резонатором и в волноводных каналах, созданных пространственным дефектом в двумерном фотонном кристалле.

Представлены результаты измерения ватт - амперных и спектральных характеристик лазеров с вертикальным резонатором, оксидным окном и двумерным фононным кристаллом, изготовленных по полученным теоретическим данным. Экспериментальные результаты подтвердили корректность разработанной теории.

Полученные результаты были использованы при разработке полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором, оксидным окном и двумерным фотонным кристаллом, а также могут быть использованы при проектировании одномодовых полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором и объяснении явлений, которые наблюдаются при экспериментальном исследовании данных лазеров.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер с вертикальным резонатором, ватт - амперные, спектральные, статические и динамические характеристики, одномодовый режим, фотонные кристаллы, полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором и двумерным фотонным кристаллом.

Ivanov P.S. Influence of optical mode composition on operating characteristics of vertical-cavity surface-emitting semiconductor lasers. - Manuscript.

Thesis for a Doctor philosophy degree (Ph.D.) in physical - mathematical science by according to scientific speciality 01.04.05. optics, laser physics. - Kharkiv national university of M.N. Karazin, Kharkiv, 2004.

In the work, the influence of the optical mode composition on operating characteristics of oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers with quantum-well active region on their static and dynamic characteristics is researched and theoretically described. In order to do this, the diffusion-dynamical model had been modified by representing processed in the laser in terms of densities. It had improved the convergence of numerical methods and decreased the computation time. Modulation characteristics of the oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser structure had been investigating in single-mode and multimode regimes using the model. It had shown, that the single-mode laser has wider modulation bandwidth and a creation of single-mode conditions by known methods leads to a decrease of the output power of the laser. Thus, the factors which limit the increase of the distance and the speed of the data transmission in fiber-optical networks were described. In result, the necessity of an alternative method of the single-mode condition creation had been shown.

The application of the photonic-crystal waveguide incorporated with the laser cavity is investigated. It has been considered two types of defects creating the waveguide in the two-dimensional photonic crystal made by removing one or several holes. Those investigations demonstrated that the defect area made by removing one hole is much effective for creation of single-mode conditions in the lasers.

It had been proposed and used a methodology for determination of the delineation between single-mode and multimode conditions in vertical-cavity surface-emitting lasers with incorporated two-dimensional photonic crystal. Parameters of the two-dimensional photonic crystal allowing the single-mode conditions were found.

The system of solutions and recommendations for creations of the single-mode conditions in the lasers and waveguides made by removing one or more holes is developed.

Measurement results of output power versus injection current and radiated spectrum of oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers with incorporated two-dimensional crystal made following theoretically obtained results are presented. Those results confirmed good accuracy of the developed theoretical model.

Data obtained in the PhD work had been applied during the development of the oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers with incorporated two-dimensional photonic crystal. They can by used in an education, an explanation of experimentally observed events in the lasers and the development of single-mode semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers.

Key words: semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser, output power versus injection current, spectral and dynamical characteristics, single-mode, photonic crystal, semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser with incorporated two-dimensional photonic crystal.

1. ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Як перетворювачі енергії при створенні ВОСП, використовуються напівпровідникові лазери (НПЛ) різних конструкцій. Зараз в Україні і в світі зростає увага до локальних ВОСП (довжиною до 10 км) внаслідок прагнення збільшити швидкість передачі та об'єм інформації в локальних системах ВОСП підприємств за рахунок переходу від електричних кабелів до використання оптичних волокон. Це обумовлює посилений інтерес до НПЛ з вертикальним резонатором та активною зоною, яка утворена квантоворозмірними шарами (КРШ), тому що цей клас лазерів найкраще задовольняє вимогам локальних ВОСП.

Основною вимогою до НПЛ з точки зору його використання в ВОСП є можливість реагування на зміни малої амплітуди струму накачки високої частоти. Режим випромінювання НПЛ, який має місце при малих відхиленнях струму накачки від його стаціонарного режиму прийнято називати режимом малого сигналу.

Теорія динаміки малосигнального режиму НПЛ з вертикальним резонатором вже достатньо добре розроблена. Найбільш поширеним методом дослідження динамічних характеристик НПЛ є метод швидкісних рівнянь, який дозволяє одержати досить точні результати для великої кількості практичних задач. Проведені дослідження стосуються головним чином тих випадків, коли випромінювання НПЛ з вертикальним резонатором відбувається в одномодовому режимі, при діаметрах оксидного вікна менше ніж 4 мкм. Це пов'язано з тим, що одномодове випромінювання є ідеальним випадком, який відбивається в зменшенні витрат лазерного випромінювання при з'єднанні даних НПЛ з оптичним волокном і зменшенні рівня шуму. Одномодові НПЛ з вертикальним резонатором, що були одержані обмеженням оптичного поля за рахунок малого розміру оксидного вікна, мають малі значення максимально досяжної вихідної потужності у порівнянні з багатомодовими приладами. Це пов'язано з тим, що оксидне вікно обмежує і розтікання струму інжекції, отже, зі зменьшенням його розміру посилюється рівень розігріву струмової зони, що виявляється в різкій зміні характеристик НПЛ і навіть в його руйнуванні (явище температурної деградації). Таким чином, розігрів і температурна деградація багатомодових НПЛ з вертикальним резонатором має менший вплив на їх характеристики, ніж в одномодових НПЛ.

Однак, у сучасній теорії динаміки НПЛ з вертикальним резонатором, багатомодовий режим випромінювання майже не розглядається. Це не дозволяє проводити порівняльний аналіз переваг чи недоліків одно- і багатомодових лазерів з точки зору їх модуляційних властивостей. Крім того, існуючі моделі лазерів даного типу не дозволяють досліджувати просторові залежності динаміки носіїв заряду, фотонів, температури, модуляційних характеристик і вплив ефекту просторового випалювання діри.

Так як одномодові лазери з вертикальним резонатором і оксидним вікном характеризуються відносно малим значенням потужності випромінювання, то фахівці прагнуть збільшити дальність передачі оптичного сигналу в ВОСП при максимально можливій швидкості передачі інформації. Це стимулює роботи по створенню одномодових НПЛ зі збільшеною апертурою лазерного променя. Найбільш перспективним напрямком при цьому слід вважати пошук нових методів обмеження оптичного поля в лазерному резонаторі. Один із перспективних методів оптичного обмеження передбачає використання нових оптичних середовищ - двомірних фотонних кристалів (ФК).

Дослідження оптичних властивостей ФК показали можливість їх використання у виготовленні одномодових НПЛ з вертикальним резонатором. У 2000 році В. Цоу і О. Паінтер створили перші експериментальні зразки інжекційних лазерів з вертикальним резонатором і двомірними фотонними кристалами, які працювали в одномодовому режимі. У подальшому інтерес до виробництва та експериментального дослідження структур лазерів з ФК значно виріс, і було виготовлено декілька різних зразків таких лазерів.

Об'єкт дослідження - напівпровідникові інжекційні лазери з вертикальним резонатором, оксидним вікном та квантоворозмірною активною ділянкою.

Предмет дослідження - вплив властивостей оптичного резонатора та умов генерації випромінювання на статичні та динамічні характеристики НПЛ з вертикальним резонатором і оксидним вікном, а також альтернативний метод одержання одномодової генерації за допомогою розташування двомірного ФК в резонаторі НПЛ.

Для отримання вхідних даних були розраховані характеристики оптичних мод резонатора, такі, як радіальний розподіл мод (рис. 1) та їх резонансні довжини хвиль (табл. 1) в залежності від радіуса оксидного вікна. Для цього були застосовані метод матриці переносу випромінювання та чисельний розв'язок скалярного рівняння Гельмгольца.

Для розглянутої конструкції НПЛ вперше отримано збільшення смуги прямої струменевої модуляції основної оптичної моди на 0,5 ГГц більше, ніж у моди , що дозволяє вказати на позитивний вплив зменшення розміру оксидного вікна з точки зору перспективи збільшення смуги (рис. 2).

Вперше показано, що в центрі площини верхнього дзеркала НПЛ з вертикальним резонатором і оксидним вікном модуляційна характеристика має максимальну смугу. Таким чином, для отримання максимальної швидкості передавання оптичних сигналів бажаним є найбільший рівень направлення випромінювання НПЛ із центральної ділянки дзеркала. За рахунок того, що дифузійно-динамічна модель враховує температурні ефекти, показано, що спроби отримання одномодового випромінювання НПЛ з вертикальним резонатором і оксидним вікном при зменшенні діаметру оксидного вікна приводять до розігріву активної зони та різких стрибків в розподілі носіїв заряду і температури внаслідок впливу ефекту просторового випалювання діри.

Ці ефекти приводять до зміни оптичних властивостей резонатора та його руйнування при відносно малих значеннях струму. Таким чином, необхідно шукати новий метод поперечного обмеження оптичного поля в резонаторі досліджуваних НПЛ, який створює одномодові умови випромінювання і не обмежує апертуру струму.

У четвертому розділі “Умови одномодового випромінювання в лазерах з вертикальним резонатором і двомірним фотонним кристалом” проведені теоретичні і експериментальні дослідження одномодових умов в НПЛ з вертикальним резонатором, оксидним вікном та двомірними ФК. Наведено результати заміру експериментальних характеристик НПЛ з вертикальним резонатором, оксидним вікном і двомірним ФК, а також проведено їх порівняльний аналіз з теоретичними результатами.

Запропоновано альтернативний метод визначення одномодових умов в досліджених НПЛ на підставі розрахунку залежності нормованої константи розповсюдження хвилеводної моди від константи розповсюдження у вакуумі (- діаграм) для поперечних хвилеводних каналів НПЛ, що утворені просторовими дефектами в двомірному фотонному кристалі. Цей метод дозволив однозначно визначити границі розмежування одно- і багатомодових режимів, на відміну від оцінок, які застосовують - діаграми.

Вперше теоретично досліджено оптичне поле в хвилеводних каналах, утворених пропусканням одного чи декількох отворів в двомірному ФК. У структурах першого типу теоретично показані одномодові умови при , в залежності від довжини хвилі (рис. 4). Аналіз залежності значення ефективного показника заломлення ФК від його геометричних параметрів дозволив зробити висновок, що одномодовий режим можливий при значно меншому співвідношенні , ніж у хвилеводів першого типу.

Вперше після розрахунку - діаграм було досліджено рівень обмеження основної моди в центрі хвилеводу. Визначено, що максимальний рівень обмеження в одномодовому режимі спостерігається поблизу переходу до багатомодовогу режиму. Подальше збільшення рівня обмеження супроводжується появою - моди, а також веде до зменшення розміру плями моди. Таким чином, для виготовлення одномодового НПЛ з вертикальним резонатором та двомірним ФК найбільш доцільним є виготовлення двомірного фотонного кристала з співвідношенням = 0,38. Внаслідок цього будуть забезпечені одночасно і одномодовість пристрою, і найбільший рівень обмеження моди в центральній ділянці хвилеводного каналу.

Виготовлено НПЛ з вертикальним резонатором та оксидним вікном і експериментально досліджено їх спектральні та ват-амперні характеристики. Показано, що лазери з меншим діаметром оксидного вікна мають менший пороговий струм, менші значення струму температурної деградації, менші значення максимально досяжної потужності випромінювання та багатомодову поведінку випромінювання.

дифузійний випромінювання лазер

СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ ЗДОБУВАЧА ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Ivanov P.S., Lysak V.V., Sukhoivanov I.A. Advanced model for simulation of surface-emitting quantum-well lasers // International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields. - 2001. - Vol. 14, № 4. - P. 379-394.

2. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A., Lysak V.V. Extended Model of a VCSEL with Non-Uniform Laser Structure // Phys. Stat. Sol. (a). - 2001. - Vol. 188, № 3. - P. 961-966.

3. Иванов П.С., Сухоиванов И.А. Динамическая модель полупроводникового лазера с многочисленными квантоворазмерными слоями // Радиоэлектроника и информатика. - 1999. - №4. - С. 31-34.

4. Иванов П.С., Унольд Х., Лысак В.В., Сухоиванов И.А. Фотонные кристаллы в оптических коммуникационных системах // Радиоэлектроника и информатика. - 2002. - №2. - С. 34 - 37.

5. Иванов П.С., Х. Унольд, Шулика А.В., Кублик А.В., Сухоиванов И.А. Локализация света в дефекте полупроводникового фотонного кристала // Радиоэлектроника и информатика. - 2002. - №3. - С. 42 - 45.

6. Ivanov P.S., Lysak V.V., Sukhoivanov I.A. Mode Characteristics of Oxide-Confined VCSELs // Proc. of SPIE: ICONO2001: Nonlinear Optical Phenomena and Nonlinear Dynamics of Optical Systems. - 2002. - Vol. 4751. - P. 572-576.

7. Иванов П.С. Условия одномодовой генерации в лазерах с вертикальным резонатором и двумерным фотонным кристаллом // Радиотехника. - 2002. - №129. - С. 132 - 138.

8. Иванов П.С., Лысак В.В. Численные решения системы скоростных уравнений для полупроводниковых GaAs гетеролазеров: расчет и анализ // Сборник трудов 1-го международного форума “Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке”. - Харьков. - 1997. - C. 128.

9. Иванов П.С. Перенос носителей в многоквантовослойных полупроводниковых лазерах // Збірник наукових праць 3-го міжнародного молодіжного форуму “Радіоелектроніка і молодь у XXI ст.”. - Частина 1. - Харків. - 1999. - С. 156 - 160.

10. Иванов П.С., Криг М., Фройдэ В., Сухоиванов И.А. Математическая модель полупроводникового лазера с многочисленными квантовыми слоями // Сб. научных трудов 6-ой международной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации“. - Туапсе (Украина). - 2000. - С. 576-577.

11. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A., Lysak V.V., Kublik A.V. Thermal properties of semiconductor oxide-confinement vertical-cavity lasers // Proc. International Workshop on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling (LFNM'2000). - Kharkiv (Ukraine). - 2000. - P. 53 - 56.

12. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A. Diffusion dynamic model for study of nonuniform carrier distribution effects in VCSEL // Conf. on laser and electro - optics Europe (CLEO'2000). - Nice (France). - 2000. - Paper CWF87.

13. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A. Calculation of temperature characteristics in the oxide confined VCSEL including non-uniform carrier distribution // Proc. international conf. on transparent opt. networks (ICTON'2000). - Gdansk (Poland). - 2000. - P. 213 - 216.

14. Сухоиванов И.А., Иванов П.С., Лысак В.В. Применение расширенной модели квантоворазмерного лазера для описания поведения VCSEL // Труды III международной конференции по квантовой электронике. - Минск (Беларусь). - 2000. - С. 45-48.

15. Sukhoivanov I.A., Lysak V.V., Ivanov P.S. Modeling of mid-infra red VCSEL // Proc. European Semicond. Workshop. - Germany (Berlin). - 2000. - P. 14-16.

16. Ivanov P.S., Degtev A., Nefedov I.S., Morozov Yu.A., Sukhoivanov I.A. Characteristics of Lasers with Photonic Band Gap Structures and Microcavities // Proc. international workshop on laser and fiber-optical networks modeling (LFNM'2001). - Kharkiv (Ukraine). - vol. 1. - 2001. - P. 2-4.

17. Ivanov P.S., Vukusic J., Rouillard Y., Perona A., Joullie A., Sukhoivanov I.A. Mode characteristics of MQW lasers // Proc. Int. Workshop on Laser and Fiber-Opt. Networks Modeling (LFNM'2001). - Kharkiv (Ukraine). - vol. 2. - 2001. - P. 69-72.

18. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A., Lysak V.V., Prigoda A.A., Kokhan Y., Zaslonkin Y.A., Shulika A.V., Kublik A.V. LaserCAD III - Software Package for Quantum Well Laser Simulation // Proc. VI international conference on experience of designing and application of CAD systems in microelectronics, Slavsko (Ukraine). - 2001. - P. 2 - 4.

19. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A., Lysak V.V. Extended model of VCSEL with non-uniform laser structure // Proc. int. workshop microcavity light sources. - Paderborn (Germany). - 2001. - P. 16.

20. Sukhoivanov I.A., Ivanov P.S. Spatial characteristics of oxide-confined VCSEL in single and multimode conditions // Proc. int. workshop on optical waveguide theory and numerical modeling. - Paderborn (Germany). - 2001. - P. 20.

21. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A., Kuzemin A.Ya. LaserCADIII - software package for laser simulation // Proc. conf. of Ukr. Association of Distant Educat. - pp. 253-257.

22. Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A. Mode characteristics of oxide-confined VCSELs // Proc. international conf. on coherent and nonlinear optics (ICONO'2001). - Minsk (Belarus). - 2001. - Paper FT37.

23. Ivanov P.S., Unold H.J., Michalzik R., Mederer F., Maehnss J., Ebeling K.J., Sukhoivanov I.A. Theoretical investigation of transverse modes in photonic crystal surface-emitting lasers // Proc. 4nd international conf. transparent opt. networks (ICTON'2002), Warshaw (Poland). - 2002. - Vol. 1. - P. 136-139.

24. Lysak V.V., Sukhoivanov I.A., Ivanov P.S., Marciniak M. Dynamics of oxide confinement vertical cavity semiconductor lasers // Proc. international conf. on transparent optical networks (ICTON'2002). - Warshaw (Poland). - 2002. - Vol. 2. - P. 136-139.

25. Ivanov P.S., Unold H.J., Michalzik R., Maehnss J., Ebeling K.J., Sukhoivanov I.A. Single-mode conditions in photonic crystal vertical cavity surface-emitting lasers // Proc. international workshop on laser and fiber-optical networks modeling (LFNM'2002). - Kharkiv (Ukraine). - 2002. - P. 141 - 144.

26. Sukhoivanov I.A., Kublik A.V., Lysak V.V., Ivanov P.S. Photonic crystals: application in laser physics // International conference on physics of laser crystals (ICPLC'2002). - Kharkiv (Ukraine) . - 26.08.2002 - 02.09.2002. http://icplc2002.narod.ru .

27. Сухоиванов И.А., Иванов П.С., Унольд Х., Кублик А.В., Лысак В.В. Одномодовые полупроводниковые лазеры на основе фотонных кристаллов для быстродействующих полностью оптических систем // Труды 1-го международного форума “Прикладная радиоэлектроника. Состояние и перспективы развития“.- Харкiв (Украина). - Часть 2. - 2002. - С. 418 - 419.

28. Lysak V.V., Ivanov P.S., Sukhoivanov I.A. Pulse dynamics of oxide confinement vertical cavity semiconductor lasers // International quantum electronics conference: conference for young scientists and engineers (IQEC/LAT-YS'2002). - Moscow (Russia). - 2002. - Paper YMC5.

29. Ivanov P.S., Unold H.J., Michalzik R., Maehnss J., Ebeling K.J., Sukhoivanov I.A. Application of photonic crystal effective index model for defining single-mode conditions in PCSELs // Proc. LEOS Annual Meeting. - Glasgow (Scotland). - 2002. - P. 221 - 222.

Размещено на Allbest.ru