Тонка структура поверхонь поділу в металах і сплавах

координаційних чисел, що характеризуються високою локальною напруженістю електричного поля. Напруженість польового випаровування таких атомів на 8-12% нижче порогової напруженості випаровування зі сходинок щільноупакованних площин {211} і {110}. У цих експериментах значення середньої енергії іонів, що бомбардують, були істотно нижче порогового значення енергії катодного розпилення і утворення стабільних френкелівських пар точкових дефектів. У зв'язку з цим для опису ерозії поверхні під дією низькоенергетичного іонного бомбардування не можуть бути застосовані відомі динамічні механізми формування атомної шорсткості поверхні. Показано, що при низькоенергетичному бомбардуванні іонами гелію в умовах, коли практично виключені динамічні канали ерозії, істотну роль можуть грати релаксаційні процеси в поверхневих шарах, насичених прониклими атомами гелію. Аналіз отриманих даних свідчить про можливості абсорбції атомів гелію приповерхніми шарами бездефектних кристалів. Наявність атомів гелію в приповерхневих шарах виявляється при температурі 300 К мас-спектрометрично за допомогою двоімпульсного атомного зонду-польового іонного мікроскопу. Зсув поверхневих атомів металу в результаті виділення енергії утворення міжвузлових атомів гелію може вносити істотний вклад в ерозію поверхні. Виникнення атомної шорсткості в процесі іонного бомбардування - зсув атомів у низькокоординаційні положення на поверхні приводить до підвищення міграційної рухливості, і може розглядатися при феноменологічному описі як радіаційно-стимульоване зниження енергії поверхневої самодифузії.

Вивчені особливості ерозії поверхні голчастих автоемітерів під дією великодозного бомбардування іонами гелію. Встановлено, що при збільшенні флюєнса до 5·10¹⁸- 10¹⁹ іон/м² крім одиночних адатомов на поверхні утворяться мікровиступи поперечником 1-5 нм. Частина таких мікровиступів виникала стрибкоподібно, приводячи до відповідних стрибків автоелектронного струму. Такий процес може розглядатися як наноблістерінг. При цьому, як показав аналіз розподілу електронної щільності, у приповерхньому шарі є мінімум у центрі октаедричної пустоти. Відповідно до теорії В.І. Герасименко, ці пустоти можуть бути пастками для атомів гелію. У результаті значна частина атомів гелію захоплюється в приповерхньому шарі кристала, приводячи до наноблістерінгу.

Встановлено, що аморфні й аморфно-кристалічні голчасті емітери виявляють високу механічну стабільність. У процесі польового випаровування зразків розвивалися механічні напруження до 17 ГПа, що не призводили, однак, до руйнування зразків. Це напруження варто розглядати як нижчий поріг міцності вольфраму не тільки в аморфному стані, але й в аморфно-кристалічному, що характеризуються наявністю меж фаз.

Показано, що в процесі формування вістрійних зондів бомбардуванням неоном робоча (напівсферична) частина зондів трансформується в осесемитричну поверхню, яку можна представити у вигляді параболоїда, з'єднаного з півсферою радіусом 4-6 нм, істотно меншим головного радіуса кривизни у вершини параболоїда. У результаті такого формування на порядок підвищувалася локальність мікрозондування і забезпечувалось атомне розрізнення скануючих тунельних мікроскопів.

У восьмому розділі “Формування поверхні металів польовим випаровуванням” проаналізовані і експериментально обґрунтовані можливості спрямованої зміни морфології поверхні металів за допомогою високопольових методів. Систематичні дослідження анізотропії низькотемпературного польового випаровування металів з ОЦК ґратками - вольфраму і ГЦК ґратками - іридію показали, що мінімальна порогова напруженість поля, що випаровує, спостерігається в області виходу на поверхню полюсів щільноупакованих площин, що характеризуються максимальними значеннями міжплощинних відстаней.

Досліджено статичний пробій, ініційований ударами субмікронних часток, що відриваються під дією пондеромоторних сил від вістрійних анодів, що знаходяться в сильних електричних полях. Встановлено, що при високих значеннях напруженості поля (~ 10¹⁰ В/м) поріг ініціювання статичного вакуумного пробою лежить у нанометровому діапазоні середніх радіусів кривизни заряджених часток, що бомбардують, і, відповідно, зміщено енергетичний поріг ініціювання розряду.

Встановлено, що стрибкоподібне переміщення дислокацій супроводжується формуванням хвиль, що поширюються в площині ковзання . Виявлені хвилі являли собою сукупність регулярно переміжних одномірних збурень, що переміщуються вздовж напрямків [001] і . Показано високий ступінь просторової локалізації фронту хвилі, що може бути відповідальна за порушення поверхневих атомів, яке ініціює електричний вакуумний пробій.

Досліджено закономірності формування поверхні металів хімічно стимульованим польовим випаровуванням. Встановлено, що виявлене раніше на системі вольфрам-азот збіг порогів іонізації хімічно активного газу і стимульованого польового випару спостерігається для широкого класу систем: Nb - H₂, W - H₂О, Mo - N₂, Ni - H₂, Тi - H₂, Nb-50at. %Ti - H₂, Zr₄₁Ti₁₄Cu_12.5Ni₁₀Be_22.5 - H₂. Метод формування хімічно стимульованим випаровуванням характеризується високою механічною стабільністю оброблюваних мікрооб'єктів і забезпечує ідеальність полірування поверхні. Розроблено метод створення емітерів з локалізованою емісією і мікрохірургічних інструментів нового покоління з атомно-гладкою поверхнею, заснований на явищі польового випаровування, стимульованого активними газами.

Полікристалічні голчасті емітери характеризуються зниженою стійкістю до впливу пондеромоторних сил електричного поля в процесі формування їхньої поверхні. Однак дослідження ножеподібних вістрійних зразків, виготовлених з вольфрамового дроту з різним розсіюванням текстури, показали, що з підвищенням гостроти текстури спостерігається зростання міцності мікрокристалів, пов'язане зі збільшенням частки спеціальних меж зерен.

У висновках приведені основні результати, одержані в дисертаційній роботі.

ВИСНОВКИ

Дисертаційна робота є комплексним експериментальним і теоретичним дослідженням атомної структури поверхонь поділу в металах та сплавах. Одержані в роботі експериментальні дані і результати комп'ютерного моделювання, розвинуті в ній уявлення про фізичну природу процесів на поверхнях поділу забезпечили рішення проблеми визначення тонкої атомної структури меж поділу в металах і сплавах, а також розробку фізичних основ методів формування поверхні. Результати проведених комплексних досліджень зводяться до таких основних висновків:

1. Створено новий напрямок у фізиці дефектів ґратки - математичне моделювання структури поверхонь поділу в оберненому просторі в наближенні парних потенціалів. Показана можливість адекватного опису релаксаційних процесів і тонкої структури меж поділу в термінах жорсткого зсуву кристалографічних площин і створена в рамках наближення парних потенціалів аналітична база дослідження поверхонь поділу в оберненому просторі. Принциповою перевагою цього методу є вперше реалізована можливість визначення структури меж зерен загального типу.

2. Кристалогеометрічний аналіз нанотопографії меж зерен у відпаленому вольфрамі показав, що бездислокаційні уступи на сингулярних межах зерен не є енергетично вигідними конфігураціями зерномежевих уступів. Домінуючими елементами нанотопографії меж зерен є дисконекції з висотою уступів, меншою за міжплощинні відстані в ґратках співпадаючих вузлів, зв'язані з геометрично обумовленими дислокаціями. Атомні уступи, характерні для часткових моношарових дисконекцій, можуть виникати при розщепленні на межах зерен повних граткових дислокацій. На спеціальних межах зерен виявлене зерномежеве поліморфне перетворення, що здійснюється шляхом переміщення часткових дисконекцій.

3. У рамках моделі жорсткої зерномежевої релаксації отримане аналітичне рівняння, що описує в оберненому просторі залежність енергії міжатомної взаємодії в бікристалах від мікро- та макроскопічних параметрів структури меж зерен. Енергія міжзеренної адгезії в несумірній межі знижується зі зменшенням щільності пакування атомних шарів, що сполучаються на межах. Зерномежева дилатація на несумірних межах зерен монотонно зростає із зменшенням відстаней між площинами, паралельними межі. Виявлено збільшення зерномежевої дилатації, що супроводжує процес кластерізації вакансій у межі зерен.

4. Вперше в строгій постановці вирішена задача про атомну будову меж зерен загального типу. Були переборені принципові розрахункові труднощі, зв'язані з наближенням до нескінченності періоду ідентичності структури несумірних меж. Показано, що характерним для межі крутіння загального типу є високий ступінь локалізації дилатації. Поблизу межі зерен загального типу виявлені осциляції міжплощинних відстаней. На відміну від осциляцій на когерентних межах двійників, амплітуда осциляцій на несумірній межі значно менше величини міжзеренної дилатації. Період і декремент згасання осциляцій в обох випадках практично однаковий. Побудована узагальнена аналітична модель скомпенсованих лінійно розподілених поверхневих сил, що задовільно описує поля пружних деформацій біля меж зерен широкого класу (меж двійників, симетричних спеціальних меж зерен і меж зерен загального типу).

5. Методом високороздільного атомного зондування проведено аналіз особливостей хімічного складу в наноструктурованому двофазному надпровідному сплаві ніобій-титан. Встановлено, що параметр упорядкування атомів титана дорівнює одиниці, і у сплаві відсутні кластеризація атомів та хімічний близький порядок. У комп'ютерних експериментах вперше була встановлена можливість утворення зерномежевих фаз, структура і симетрія яких істотно відрізняється від об'ємних.

6. Методами високороздільної польової емісійної мікроскопії в об'ємному металевому склі ZrTiCuNiBe виявлені внутрішні межі поділу. Визначено енергію зв'язку атомів на міжкластерних межах. Виявлено наявність субкластерних неоднорідностей в будові об'ємного аморфного сплаву з характерним масштабом в нанометровому діапазоні.

7. Виявлено явище некінкового польового випаровування атомів на щільноупакованих гранях, що полягає в кращому випаровуванні не атомів на зломах сходинок, яким властива аномально висока стабільність, а сусідніх з ними атомів. Встановлено, що некінкове випаровування може трансформуватися в альтернативне польове випаровування, в результаті якого на поверхні формуються невідомі раніше атомні конфігурації з подвоєними міжатомними відстанями. Показано, що виявлені аномалії низькотемпературного польового випаровування зв'язані з нормальними до поверхні зсувами атомів на зломах сходинок. Цей ефект може бути використаний для кількісного визначення диференціального зсуву атомів. Встановлено, що аномальне зростання швидкості низькотемпературного польового випаровування атомних комплексів на грані (211) монокристалів вольфраму зі зменшенням їхніх розмірів зв'язано із змінами субатомних зсувів атомів на сходинках.

8. На атомному рівні досліджені елементарні акти ерозії поверхні при низьких температурах під дією бомбардування прискореними атомами та іонами гелію. Встановлено, що порушення регулярності розташування поверхневих атомів зв'язано з виділенням енергії утворення власних міжвузлових атомів при виході їх на поверхню. При енергіях іонів гелію нижче порога дефектоутворення істотний внесок в ерозію поверхні металів вносить механізм виділення енергії утворення міжвузлових атомів гелію. При великодозному бомбардуванні приповерхневі шари вольфраму служать пастками для атомів гелію. У результаті значна частина атомів гелію захоплюється в приповерхневому шарі кристала, що приводить до наноблистерінгу.

9. Систематичні дослідження анізотропії низькотемпературного польового випаровування металів з ОЦК ґратками - вольфраму і ГЦК ґратками - іридію показали, що мінімальний поріг значення напруженості поля, що випаровує, спостерігається в області виходу на поверхню полюсів щільноупакованих площин, що характеризуються максимальними значеннями міжплощинних відстаней.

10. Встановлено, що стрибкоподібне переміщення дислокацій супроводжується формуванням хвиль, що поширюються в площині ковзання . Показано високий ступінь просторової локалізації фронту хвилі, що може бути відповідальна за порушення поверхневих атомів, які ініціюють електричний вакуумний пробій в процесі високопольової обробки поверхні.

11. Розроблено метод обробки поверхні металів і сплавів хімічно стимульованим польовим випаровуванням для широкого класу систем. Показано, що хімічне стимулювання знижує електричне поле випаровування металів до рівня макроскопічної міцності матеріалу і забезпечує високий ступінь полірування поверхні. Розроблені фізичні основи формування поверхні металів дозволили вирішити ряд прикладних задач: створити мікрохірургічні інструменти нового покоління з атомно-гладкою ріжучо-колючою крайкою, польові емітери з локалізованою емісією і мікрозонди для скануючих тунельних мікроскопів.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНІ В РОБОТАХ

1. Бойко В.С. Сидоренко И.Н., Мазилова Т.И. Компьютерное моделирование атомной структуры двойниковых границ в высокотемпературном сверхпроводнике YBaCuO // ФНТ. - 1992. - T.18, N4. - С. 434-436.

2. Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Особенности атомного строения границ зерен вблизи уступов и тройных стыков // Письма в ЖТФ. - 1995. - Т.21, Вып. 24. - С. 55-59.

3. Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Жесткие трансляции атомных плоскостей на симметричных границах зерен // Кристаллография. - 1997. - Т.42, №5. - С. 796-801.

4. Бакай А.С., Михайловский И.М., Саданов Е.В., Великодная О.А., Мазилова Т.И. Атомная структура и микротопография границ кристаллической и аморфной фаз в вольфраме // Письма в ЖЭТФ. - 1997. - Т.66, Вып. 7. - С. 475-480.

5. Михайловский И.М., Ксенофонтов В.А., Мазилова Т.И. Анизотропия низкотемпературного полевого испарения металлов // Письма в ЖЭТФ. - 1997. - Т. 65, Вып.7. - С. 516-520.

6. Бакай А.С., Вандерка Н., Махт М.-П., Михайловский И.М., Мазилова Т.И. Полевая эмиссионная микроскопия объемного сплава Zr₄₁Ti₁₄Cu_12,5Ni₁₀Be_22,5 // Металлофизика и новейшие технологии. - 1998. - Т.20, №4. - С. 58-62.

7. Великодная О.А., Е.И. Луговская, Мазилова Т.И. Наноструктура быстрозакаленного магнитного сплава NdFeB // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т.24, №4. - С. 36-40.

8. Мазилова Т.И. Особенности трансляционного состояния границ зерен вблизи тройных стыков // Металлофизика и новейшие технологии. - 1998. - Т.20, №10. - С. 65-68.

9. Мазилова Т.И. Полевая реконструкция плотноупакованных комплексов на поверхности вольфрама // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т.24, № 24. - С. 1-6.

10. Березняк П.А., Мазилова Т.И. Нуль-мерные зернограничные дислокации и радиационно-стимулированное зернограничное проскальзывание // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - Т.21, N3. - С. 60-68.

11. Мазилова Т.И. Трехмерные зернограничные структуры в вольфраме // Физика металлов и металловедение. - 1999. - Т. 87, N1. - С. 72-74.

12. Мазилова Т.И. Радиационно-стимулированное формирование микрозондов сканирующих туннельных микроскопов // ЖТФ. - 2000. - Т.70, Вып.2. - С. 102-105.

13. Мазилова Т.И., Михайловский И.М., Вандерка Н. Аномальное низкотемпературное полевое испарение и атомная релаксация поверхности вольфрама // ФНТ. - 2000. - Т.26, N 12. - С. 1236-1240.

14. Луговская Е.И., Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Осцилляции атомной плотности в окрестности симметричных границ зерен в металлах // ФТТ. -

2001. - Т.43, Вып.6. - С. 965-967.

15. Герасименко В.И., Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Аналитическая модель жесткой релаксации межзеренных границ в металлах // Физика металлов и металловедение. - 2001. - Т.91, №4. - С. 15-19.

16. Мазилова Т.И., Михайловский И.М., Саданов Е.В. Механизм низкотемпературной поверхностной самодиффузии, активированной ионной бомбардировкой // Письма в ЖЭТФ. - 2001. - Т.73, Вып.8. - С. 475-478.

17. Адаменко С.В., Березняк П.А., Михайловский И.М., Стратиенко В.А., Толмачев Н.Г., Адаменко А.С., Мазилова Т.И. Инициирование электрического вакуумного разряда ускоренными наночастицами // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т.27, №16. - С. 15-20.

18. Мазилова Т.И., Михайловский И.М., Ксенофонтов В.А. Радиационно-стимулированная эрозия поверхности автоэлектронных эмиттеров // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т.27, Вып.18. - С. 71-77.

19. Мазилова Т.И. Волновой механизм смещения атомов при контактном взаимодействии дислокаций // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - Т.23, №12. - С. 1589-1593.

20. Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Эрозия поверхности автоэмиттеров под действием низкоэнергетичной ионной бомбардировки // ЖТФ. - 2002. - Т.72, Вып.7. - С. 117-121.

21. Вандерка Н., Михайловский И.М., Мазилова Т.И. Флуктуации концентрации элементов в наноструктурированном сплаве ниобий-титан // Металлофизика и новейшие технологии. - 2002. - Т.24, №1. - С. 35-39.

22. Бакай А.С., Михайловский И.М., Мазилова Т.И., Вандерка Н. Полевая эмиссионная микроскопия кластерной и субкластерной структуры объемного металлического стекла Zr-Ti-Cu-Ni-Be // ФНТ. - 2002. - Т.28, №4. - С. 400-405.

23. Mikhailovskij I.M., Smith G.D.W., Wanderka N., Mazilova T.I. Non-kink wise field evaporation and kink relaxation on stepped W(112) surface // Ultramicroscopy. - 2003. - Vol.95. - P. 157-163.

24. Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Осцилляции атомной плотности вблизи границ зерен общего типа // Металлофизика и новейшие технологии. - 2003. - Т. 25, №7. - С. 915-923.

25. Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Морфология зернограничных дисконнекций в вольфраме // Металлофизика и новейшие технологии. - 2003. - Т. 25, №8. - С. 1027-1042.

26. Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Атомная релаксация на изломах ступенек поверхности {112} вольфрама // Письма в ЖТФ. - 2003. - Т. 29, Вып. 23. - С. 46-50.

27. Пат. 2117359 Россия, МПК 6 Н01J37/285. Зондирующий эмиттер для сканирующего туннельного микроскопа / Великодная О.А., Дранова Ж.И., Мазилова Т.И., Михайловский И.М.; Великодная О.А., Дранова Ж.И., Мазилова Т.И., Михайловский И.М. (UA). - №95122249; Заявл. 28.12.95; Опубл. 10.08.98; Бюл. № 22 - 3 с.

28. Пат. 25067 Україна, МПК 6 Н01J37/285. Зондувальний емітер для скандувального тунельного мікроскопа / Велікодна О.А., Дранова Ж.І., Мазилова Т.І., Михайловський І.М.; Національний науковий центр „Харківський фізико-технічний інститут”(UA).-№95083863; Заявл. 21.08.95; Опубл. 25.12.98; Бюл. № 6. - 4 с.

29. Пат. 2114572 С1 Россия, МПК 6 А61В 17/32. Режущий микрохирургический инструмент / Великодная О.А., Мазилова Т.И., Михайловская Т.В., Михайловский И.М.; Национальный научный центр “Харьковский физико-технический институт” (UA).-№96105875; Заявл. 28.03.96; Опубл. 10.07.98; Бюл. №19. - 5 с.

30. Пат. 30575 А Україна, МПК 6 А61В17/32. Різальний мікрохірургічний інструмент / Велікодна О.А., Мазилова Т.І., Михайлівська Т.В., Михайловський І.М.; Національний науковий центр „Харківський фізико-технічний інститут”(UA).-№95125186; Заявл. 07.12.95; Опубл. 15.12.2000; Бюл. № 7-ІІ. - 4 с.

31. Пат. 40257 А Україна, МПК 7 А61В17/32. Спосіб виготовлення колюче-різального мікрохірургічного інструмента / Вандерка Н., Мазілова Т.І., Михайловський І.М.; Національний науковий центр „Харківський фізико-технічний інститут”(UA).-№2000116241; Заявл. 03.11.2000; Опубл. 16.07.2001; Бюл. № 6 - 4 с.

32. Пат. 28387 А Україна, МПК 6 Н01J37/285. Спосiб виготовлення вістряного автоемітера з локалізованою емісією / Михайловський І.М., Велікодна О.О., Єресько А.П., Мазилова Т.І., Полтинін П.Я.; Національний науковий центр „Харківський фізико-технічний інститут”(UA).-№96124494; Заявл. 02.12.96; Опубл. 16.10.2000; Бюл. № 5-ІІ - 8 с.

33. Пат. 39823 A Україна, МПК 7 Н01J37/285. Спосіб виготовлення вістряного автоемітера з локалізованою емісією /Адаменко С.В., Мазілов О.В., Михайловський І.М., Стратієнко В.О., Толмачов М.Г., Мазилова Т.І., Луговська О.І.; Національний науковий центр „Харківський фізико-технічний інститут”(UA).-№99074321; Заявл. 27.07.99; Опубл. 15.06.2001; Бюл. № 5. - 4 с.

34. Бойко В.С., Мазилова Т.И., Сидоренко И.Н. Компьютерное моделирование на атомном уровне взаимодействия точечных, линейных и поверхностных дефектов // Труды Международной конференции по радиационному материаловедению. - Т.5. - Харьков: ХФТИ. - 1990. - С.134-141.

35. KsenofontovV.A. Mikhailovskij I.M., Chulaev V.M., Velikodnaya O.A., Fedorova L., Mazilova T.I., Poltinin P.Ja., Mamontova T.V. Field evaporation phenomen and it's application // Physics, Chemistry and Aplication of Nanostructures. - Minsk: Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics. - 1995. - P. 244-245.

36. Великодная О.А., Мазилова Т.И., Михайловский И.М., Шулаев В.М. Высоковакуумное полевое формирование поверхности острийных зондов сканирующих туннельных микроскопов // Труды Украинского вакуумного общества. - Т.1. - Киев: Институт металлофизики НАН Украины. - 1995. - С. 44-45.

37. Лазарев Б.Г., Дранова Ж.И., Дроздовская В.С., Михайловский И.М., Великодная О.А., Мазилова Т.И. Зернограничный дизайн поликристаллов вольфрама с волокнистой микроструктурой // Тезисы докладов Межотраслевого научно-практического семинара “Вакуумная металлизация”. - Харьков: ННЦ ХФТИ. - 1996. - С.96.

38. Мазилова Т.И. Атомная структура симметричных границ зерен в вольфраме // Труды Украинского вакуумного общества. - Т.2. - Харьков: ННЦ ХФТИ. - 1996. - С. 175-180.

39. Mazilova T.I., Mikhailovskij I.M., Sadanov E.V, Velikodnaja O.A. Thin structure of twin and near-twin boundaries // Тезисы докладов “43^rd International Field Emission Symposium”. - Moscow: ITEP Russia. - 1996. - P. P-60.

40. Gerasimenko V.I., Gonchar V.Jy., Mazilova T.I., Mikhailovskij I.M. Field adsorption of helium above close-packed atomic chains // Abstracts of 45 International Field Emission Symposium.- Irbid: Jordan University of Science and Technology. - 1998. - P. 123.

41. Mazilova T.I., Mikhailovskij I.M., Wanderka N., Velikodnaja O.A., Mazilov A.V., Lugovskaja E.I. High-field technology for producing a microsurgical instruments with zero level of microroughness // Труды третьего международного симпозиума “Вакуумные технологии и оборудование”. - Харьков: ННЦ ХФТИ. -1999. - С. 295-298.

42. Lugovskaja E.I., Mazilova T.I. Fine structure of high-angle grain boundary in pure tungsten // Сборник докладов 7-го Международного симпозиума “Чистые металлы”. - Харьков: ННЦ ХФТИ. - 2001. - С. 224-225.

43. Mikhailovskij I.M., Smith G.D., Wanderka N., Mazilova T.I. Nonkink-wise evaporation and kink relaxation on stepped W(112) surface // Abstr. of the 47-th International Field Emission Symposium. - Berlin (Germany) - 2001. - P. EO.25.

44. Mikhailovskij I.M., Ksenofontov V.A., Mazilova T.I., Lugovskaja E.I. Atomic relaxation at grain boundaries in metals // Abstr. of the 47-th International Field Emission Symposium. - Berlin (Germany) - 2001. - P. IP 14.

45. Mikhailovskij I.M., Wanderka N., Naundorf V., Mazilova T.I. Microstructure of Nb-Ti superconducting alloy // Abstr. of the 47-th International Field Emission Symposium. - Berlin (Germany) - 2001. - P. IP 08.

46. Mikhailovskij I.M., Wanderka N., Mazilova T.I. Nonkink-wise field evaporation and problem of atomic surface relaxation // Technical digest of the 15-th International Vacuum Microelectronics Conference & 48-th International Field Emission Symposium. - Vol.2/2. - Lyon (France) - 2002. - P. PT. 71.1 - PT. 71.2.

47. Mazilova T.I., Mikhailovskij I.M. Radiation-induced erosion of field electron emitters // Technical digest of the 15-th International Vacuum Microelectronics Conference & 48-th International Field Emission Symposium. - Vol.2/2. - Lyon (France) - 2002. - P. PT. 70.1 - PT. 70.2.

Размещено на Allbest.ru