Електронні явища в вузькощілинних та без щілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури
Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 27.07.2014 |
| Размер файла | 90,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
34. Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Старый С.В., Шепельский Г.А., Бойко В.А. Повышение квантового выхода инфракрасного излучения в узкощелевых полупроводниках в упругонапряженном состоянии // ФТП. - 2002.-Т.36, №4.-С. 426-432.
35. Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А. Электрическая активность дислокаций и дефектов деформационного происхождения в кристаллах CdxHg1-xTe // ФТП. - 2003.-Т.37, №1.-С. 8-16.
36. Gasan-zade S.G., Salkov E.A., Shepelskii G.A., Sizov F.F., Svechnikov G.S. On thermal radiation detecting in Far Infrared and MM ranges // Proc.SPIE. - 1998. - V.3505, P.200-208.
37. Gasan-zade S.G., Shepelskii G.A., Staryi S.V., Strikha M.V., Vasko F.T. Stimulated emission of far infra-red radiation from uniaxially strained gapless Hg1-xCdxTe //Proc.SPIE. - 1999.-Vol.3890, P.35-39.
38. Gasan-zade S.G., Shepelskii G.A., Strikha M.V. Low-temperature anomalies of photomagnetic effect in p-Hg1-xCdxTe // Proc.SPIE. - 1999.-Vol.3890, P.264-269.
39. Gasan-zade S.G., Kollyuch A.G., Linnyk L.F., Shepelskii G.A., Staryi S.V., Strikha M.V., Boiko V.A. Enhancement of quantum efficiency of narrow-gap semiconductors infrared emission // Proc.SPIE. - 2001.-Vol.4355, P.155-160.
40. Gasan-zade S.G., Shepelskii G.A., Staryi S.V., Strikha M.V. Electronic activity of dislocations and point defects of deformation origin in Hg1-xCdxTe // Proc.SPIE. - 2003.-Vol.5065, P.174-180.
41. Способ локального измерения концентрации носителей тока в полупроводниках, полуметаллах и пленках на их основе: А.с. 1321319 СССР, H01L21/66 / С.Г. Гасан-заде, В.Д. Лисовенко, В.А. Ромака, В.М. Рябиков, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский (СССР). - №3936127; Заявлено 11.07.85; Зарегистр. 01.04.87.
42. Пат. 28569А Україна, Н01L31/00, H01L31/04. Двокоординатний позиційно-чутливий фотоелемент: Пат. 28569А Україна, 6 Н01L31/00, H01L31/04 / І.П. Жадько, Е.Ф. Венгер, С.Г. Гасан-заде. Е.О.Зінченко, В.О. Романов, М.І. Тарбаєв, Г.А. Шепельський (Україна); ІФН НАНУ. - №97073473; Заявл. 02.07.1997; Опубл. 29.12.1999. Бюл. №8 і 16.10.2000 Бюл. №5-11.
43. Пат. 35809А Україна, Н01S3/025, 3/085. Напівпровідниковий лазер зі змінною довжиною хвилі випромінювання субміліметрового діапазону: Пат. 35809А Україна, Н01S3/025, 3/085 / Ф.Т. Васько, Е.Ф. Венгер, С.Г. Гасан-заде, С.В. Старий, М.В. Стріха, Г.А. Шепельський (Україна); ІФН НАНУ. - №98105519; Заявл. 20.10.1998; Опубл. 16.04.2001. Бюл. №3.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Способи вирощування кристалів. Теорія зростання кристалів. Механічні властивості кристалів. Вузли, кристалічні решітки. Внутрішня будова кристалів. Міцність при розтягуванні. Зростання сніжних кристалів на землі. Виготовлення прикрас і ювелірних виробів.
реферат [64,9 K], добавлен 10.05.2012Вплив умов одержання, хімічного складу і зовнішніх чинників на формування мікроструктури, фазовий склад, фізико-хімічні параметри та електрофізичні властивості склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник.
автореферат [108,5 K], добавлен 11.04.2009Основні властивості неупорядкованих систем (кристалічних бінарних напівпровідникових сполук). Характер взаємодії компонентів, її вплив на зонні параметри та кристалічну структуру сплавів. Електропровідність і ефект Холла. Аналіз механізмів розсіювання.
реферат [558,1 K], добавлен 07.02.2014Характеристика основних властивостей рідких кристалів. Опис фізичних властивостей, методів вивчення структури рідких кристалів. Дослідження структури ліотропних рідких кристалів та видів термотропних.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 17.06.2010Електрофізичні властивості гранульованих плівкових сплавів в умовах дії магнітного поля. Дослідження електрофізичних властивостей двошарових систем на основі плівок Ag і Co, фазового складу та кристалічної структури. Контроль товщини отриманих зразків.
дипломная работа [3,9 M], добавлен 08.07.2014Електрофізичні властивості напівпровідників та загальні відомості і основні типи напівпровідникових розмикачів струму. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів, дрейфовий діод з різким відновленням, силові діоди на базі P-N переходів.
дипломная работа [254,4 K], добавлен 24.06.2008Сутність оптичної нестабільності (ОП). Модель ОП системи. Механізми оптичної нелінійності в напівпровідникових матеріалах. Оптичні нестабільні пристрої. Математична модель безрезонаторної ОП шаруватих кристалів. Сутність магнітооптичної нестабільність.
дипломная работа [2,5 M], добавлен 13.06.2010Методи створення селективних сенсорів. Ефект залежності провідності плівки напівпровідникових оксидів металів від зміни навколишньої атмосфери. Види адсорбції. Природа адсорбційних сил. Установка для вимірювання вольт-амперних характеристик сенсора.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 27.05.2013Некристалічні напівпровідникові халькогеніди застосовуються в системах реєстрації, збереження й обробки оптичної інформації. При взаємодії світла з ними в них відбуваються фотостимульовані перетворення, які приводять до зміни показника заломлення.
курсовая работа [410,3 K], добавлен 17.12.2008Природа електронних процесів, що відбуваються при високоенергетичному збудженні і активації шаруватих кристалів CdI2. Дослідження спектрів збудження люмінесценції і світіння номінально чистих і легованих атомами металів свинцю кристалів йодистого кадмію.
курсовая работа [666,8 K], добавлен 16.05.2012Структура і фізичні властивості кристалів Sn2P2S6: кристалічна структура, симетрійний аналіз, густина фононних станів і термодинамічні функції. Теорія функціоналу густини, наближення теорії псевдо потенціалів. Рівноважна геометрична структура кристалів.
дипломная работа [848,2 K], добавлен 25.10.2011Комбінаційне і мандельштам-бріллюенівське розсіювання світла. Властивості складних фосфорвмісних халькогенідів. Кристалічна будова, фазові діаграми, пружні властивості. Фазові переходи, пружні властивості, елементи акустики в діелектричних кристалах.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 25.10.2011Характеристики та класифікація напівпровідників. Технологія отримання напівпровідників. Приготування полікристалічних матеріалів. Вплив ізохорного відпалу у вакуумі на термоелектриці властивості і плівок. Термоелектричні властивості плюмбум телуриду.
дипломная работа [4,4 M], добавлен 09.06.2008Аналіз умов експлуатації судна і режимів роботи суднової енергетичної установки. Конструкція головного двигуна. Комплектування систем двигуна. Обґрунтування суднової електростанції. Розрахунок навантаження суднової електростанції в ходовому режимі.
дипломная работа [1,0 M], добавлен 20.12.2012Розрахунок параметрів схеми заміщення трансформатора, напруги короткого замикання, зміни вторинної напруги та побудова векторної діаграми. Дослідження паралельної роботи двох трансформаторів однакової потужності з різними коефіцієнтами трансформації.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 16.08.2011Дослідження явищ діамагнетизму, феромагнетизму та парамагнетизму. Розгляд кривої намагнічування та форми петлі гістерезису. Виокремлення груп матеріалів із особливими магнітними властивостями. Вимоги до складу і структури магнітно-твердих матеріалів.
дипломная работа [34,3 K], добавлен 29.03.2011Застосування тензометрів для зміни деформацій у деталях машин і механізмів. Дротові, напівпровідникові, фольгові тензометричні датчики. Зворотний зв'язок у магнітних підсилювачах. Використання електромагнітних реле та систем автоматичного регулювання.
контрольная работа [136,7 K], добавлен 23.10.2013Кристалічна структура та фононний спектр шаруватих кристалів. Формування екситонних станів у кристалах. Безструмові збудження електронної системи. Екситони Френкеля та Ваньє-Мотта. Екситон - фононна взаємодія. Екситонний спектр в шаруватих кристалах.
курсовая работа [914,3 K], добавлен 15.05.2015Зміни властивостей на передкристилізаційних етапах. Причини високої корозійної стійкості аморфних сплавів. Феромагнетизм і феримагнетизм аморфних металів. Деформація і руйнування при кімнатній температурі. Технологічні особливості опору аморфних сплавів.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 20.12.2013
