Інжекційно-термічні та рекомбінаційні процеси в багатобарґєрних А3В5 - напівпровідникових випромінювачах інфрачервоного діапазону
Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 29.07.2014 |
| Размер файла | 47,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
8. Експериментально виявлено наявність аномальної деградації фізичних параметрів ІЧ-діодів на основі GaInAs/InAs в процесі довгострокової експлуатації, яка пояснена в межах феноменологічної теорії, що передбачає рекомбінацію за участю двох груп центрів (стабільних і нестабільних) при слабкій ефективності каналу ОР. Враховано інжекційно-термічну взаємодію і перетворення цих центрів: розпад і зменшення концентрації рекомбінаційно-ефективних нестабільних центрів та одночасне зростання концентрації стабільних центрів безвипромінювальної рекомбінації. Показано, що у випадку превалювання ОР над рекомбінацією Шоклі-Холла-Ріда спостерігається нормальна деградація параметрів ІЧ-діодів.
СПИСОК ПУБЛІКАЦІЙ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЙНОЇ РОБОТИ
1. Сукач Г.А., Сыпко Н.И., Богословская А.Б. Тепловые процессы в светоизлучающих диодах при импульсном возбуждении // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1987. - Вып.11. - С. 41 - 47.
2. Влияние низкодозового облучения на характеристики излучающих структур на основе компенсированного арсенида галлия / Г.А. Сукач, Н.И. Сыпко, А.Б. Богословская, А.Е. Гафт, Е.А. Глушков, В.Д. Лисовенко, А.А. Литвин, В.А. Шевченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1993. - Вып.26. - С.64 - 70.
3. Разогрев в гетероструктурах на основе GaInAsSb / Н.М. Колчанова, А.А. Попов, А.Б. Богословская, Г.А. Сукач // Письма в журнал технической физики. - 1993. - Т.19, вып. 21. - С. 61-65.
4. Исследование распределения примеси в области гетерограницы р - GaInAsSb/ р - GaAlAsSb / А.Б. Богословская, Н.М. Колчанова, Ф.И. Маняхин, А.А. Попов, Г.А. Сукач // ФТП. - 1993. - Т.27, вып.27. - С.1574-1577.
5. Тепловые процессы в светодиодных гетероструктурах на основе GaInAsSb / Н.М. Колчанова, А.А. Попов, Г.А. Сукач, А.Б. Богословская // ФТП. - 1994. - Т.28, №12. - С.2065-2072.
6. Тепловые параметры многоэлементных шкальных индикаторов при различном возбуждении / А.Б. Богословская, А.В. Бушма, П.Ф. Олексенко, Г.А. Сукач // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1996. - Вып.31. - С.84-89.
7. Инжекционно-термическая эволюция физических параметров ИК-излучателей на основе соединений InGaAs / Г.А. Сукач, А.Б. Богословская, Ю.Ю. Билинец, Н.Г. Сукач // Український фізичний журнал. - 1997. - Т.42, №1. - С. 77 - 84.
8. Тепловые и оже - процессы в p-n переходах на основе GaInAs/InAs и GaInAsSb/InAs / Г.А. Сукач, П.Ф. Олексенко, А.Б. Богословская, Ю.Ю. Билинец, В.Н. Кабаций // Журнал технической физики. - 1997. - Т.67,№9. - С.68-71.
9. Effect of Auger recombination on thermal processes in InGaAs and InGaAsSb IR-emitting diodes / G. A. Sukach, A. B. Bogoslovskaya, P. F. Oleksenko, Yu.Yu. Bilinets, V.N. Kabatciy. // Inrared Phys. & Techn. - 2000. - V.41. - P. 299-306.
10. Богословская А.Б., Сукач Г.А. Рекомбинационные процессы в оптоэлектронных структурах ИК-диапазона на основе соединений АIIIВV // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып.36. - С.127-160.
11. Излучательные и тепловые свойства приборных структур на основе гетероэпитаксиальных пленок GaAs/GaAlAs / Г.А. Сукач, Т.Т. Пиотровски, Э.Б. Каганович, А.Б. Богословская // IV Международная конференция по физике и технологии тонких пленок. Тезисы докладов. Ивано-Франковск (Украина). - 1993. - С.122.
12. Физические процессы в активной области гетероэпитаксиальных ИК-излучателей на основе GaInAsSb / Г.А. Сукач, А.Б. Богословская, Н.М. Колчанова, А.А. Попов // IV Международная конференция по физике и технологии тонких пленок. Тезисы докладов. Ивано-Франковск (Украина). - 1993. - С.128.
13. Разогрев электронного газа в гетероструктурах на основе GaInAsSb / А.Б. Богословская, Н.М. Колчанова, А.А. Попов, Г.А. Сукач // I Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, Н.-Новгород (Россия). - 1993. - С. 94.
14. Nonmonotonic profile of impurity dominant in the active region of GaInAsSb- based double heteroepitaxial structure / A.B. Bogoslovskaya, N.M. Kolchanova, A.A. Popov, G.A. Sukach // Proc. 6 Int. Conf “Thin Solid Films”, Herson (Ukraine). - 1995. - v.1. - Р.174-177.
15. Оже - процессы в двойных гетероструктурах на основе GaInAsSb / Г.А. Сукач, А.Б. Богословская, Н.М. Колчанова, А.А. Попов // V Международная конференция по физике и технологии тонких пленок. Тезисы докладов. Ивано-Франковск (Украина). - 1995. - ч.2 - С.262.
16. Auger recombination and thermal processes IR radiators based on GaInAs/InAs and GaInAsSb/InAs heterostructures / G.A. Sukach, P.Ph. Oleksenko, A.B. Bogoslovskaya, Yu.Yu. Bilinets, V.N. Kabatsiy // Internanional Workshop on Advanced Techn. оf Multicomp. Solid Films and Structures, Uzgorod (Ukraine). - 1996. - Р.57.
17. Богословская А.Б., Сукач Н.Г., Кабаций В.Н. Дефектообразование и релаксационные процессы в p-n-структурах на основе эпитаксиальных пленок соединений InGaAs / VI Международная конференция по физике и технологии тонких пленок. Тезисы докладов. Ивано-Франковск (Украина). - 1997. - С.27-28.
18. Effect of auger recombination on thermal processes in InGaAs and InAsSbP IR-emitting diodes / G.A. Sukach, P.Ph. Oleksenko, A.B. Bogoslovskaya, N.G. Sukach // VII Intern. Conf. “Phys. Techn. of Thin Films”, Iv.-Frankivsk (Ukraine). - 1999. - P.121.
19. Сукач Г.А., Богословская А.Б. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики излучателей ИК-диапазона // II Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. УНКФН-2. Тези доповідей. - Чернівці (Україна). - 2004. - С. 528.
20. Сукач Г.О., Богословська А.Б., Чайкін В.І. Деградаційні процеси в ІЧ - випромінювачах на основі гетероструктур InGaAs/InAs // Матеріали X Міжнародної конференції з фізики та технології тонких плівок. Тези доповідей. Івано-Франківськ (Україна). - 2005. - т.2 - С.43-44.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Основні властивості неупорядкованих систем (кристалічних бінарних напівпровідникових сполук). Характер взаємодії компонентів, її вплив на зонні параметри та кристалічну структуру сплавів. Електропровідність і ефект Холла. Аналіз механізмів розсіювання.
реферат [558,1 K], добавлен 07.02.2014Опис основних фізичних величин електрики та магнетизму. Класифікація ватметра по призначенню та діапазону (низькочастотні, радіочастотні, оптичні). Характеристика аналогових приладів вимірювання активної потужності в однофазних колах змінного струму.
реферат [1,0 M], добавлен 07.02.2010Загальна характеристика електричного струму і основної мішені його впливу - м'язів. Застосування в медицині теплового ефекту для прогрівання тканин. Розгляд дії інфрачервоного і найбільш значимих типів іонізуючого випромінювання на організм людини.
реферат [356,4 K], добавлен 27.01.2012Дослідження перехідних процесів в лінійних ланцюгах першого порядку (диференцюючи та интегруючи ланцюги), нелінійних ланцюгів постійного струму, ланцюгів, що містять несиметричні нелінійні єлементи. Характеристики і параметри напівпровідникових діодів.
курс лекций [389,7 K], добавлен 21.02.2009Види аналізаторів спектру, їх особливості. Призначення і функціональні схеми базових приладів. Пояснення до функціональної схеми аналізатора частотного спектру генератора звукового та ультразвукового діапазону коливань. Вольтметр універсальний В7-16.
курсовая работа [303,0 K], добавлен 31.01.2014Застосування індуктивних нагромаджувачів, розрахунок параметрів. Процеси розмикання струму та генерації електронного пучка. Дослідження характеристик електронного прискорювача з плазмоерозійним розмикачем в залежності від індуктивності нагромаджувача.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 22.09.2011Термічні параметри стану. Термодинамічний процес і його енергетичні характеристики. Встановлення закономірностей зміни параметрів стану робочого і виявлення особливостей перетворення енергії. Ізобарний, політропний процес і його узагальнююче значення.
контрольная работа [912,9 K], добавлен 12.08.2013Некристалічні напівпровідникові халькогеніди застосовуються в системах реєстрації, збереження й обробки оптичної інформації. При взаємодії світла з ними в них відбуваються фотостимульовані перетворення, які приводять до зміни показника заломлення.
курсовая работа [410,3 K], добавлен 17.12.2008Електрофізичні властивості напівпровідників та загальні відомості і основні типи напівпровідникових розмикачів струму. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів, дрейфовий діод з різким відновленням, силові діоди на базі P-N переходів.
дипломная работа [254,4 K], добавлен 24.06.2008Розмірні і температурні ефекти та властивості острівцевих плівок сплаву Co-Ni різної концентрації в інтервалі товщин 5-35 нм та температур 150-700 К. Встановлення взаємозв’язку морфології, структури та електрофізичних властивостей надтонких плівок.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 12.12.2011Методи створення селективних сенсорів. Ефект залежності провідності плівки напівпровідникових оксидів металів від зміни навколишньої атмосфери. Види адсорбції. Природа адсорбційних сил. Установка для вимірювання вольт-амперних характеристик сенсора.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 27.05.2013Природа і спектральний склад сонячного світла, характер його прямого та непрямого енергетичного перетворення. Типи сонячних елементів на основі напівпровідникових матеріалів. Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 17.06.2014Вивчення проблеми управління випромінюванням, яка виникає при освоєнні діапазону спектру електромагнітних коливань. Особливості модуляції світла і його параметрів, що включає зміну поляризації, напрямку поширення, розподілу лазерних мод і сигналів.
контрольная работа [53,7 K], добавлен 23.12.2010Сутність оптичної нестабільності (ОП). Модель ОП системи. Механізми оптичної нелінійності в напівпровідникових матеріалах. Оптичні нестабільні пристрої. Математична модель безрезонаторної ОП шаруватих кристалів. Сутність магнітооптичної нестабільність.
дипломная работа [2,5 M], добавлен 13.06.2010Основнi поняття перехiдних процесів в лiнiйних електричних колах. Закони комутацiї i початковi умови. Класичний метод аналiзу перехiдних процесiв. Вимушений i вiльний режими. Перехідні процеси в колах RL і RC. Увiмкнення джерел напруги до кола RC.
реферат [169,2 K], добавлен 13.03.2011Сутність електрофізичних, електрохімічних, термічних та хіміко-термічних методів обробки конструкційних матеріалів. Математичні моделі процесу електрохімічного травлення голки тунельного мікроскопу. Заточування голки за допомогою явища електролізу.
курсовая работа [516,1 K], добавлен 16.06.2014Розробка системи районного електропостачання: вибір трансформаторів вузлових підстанцій, потужностей пристроїв, що компенсують реактивну потужність ГПП. Розрахунок робочих режимів мережі. Визначення діапазону регулювання напруги на трансформаторах.
курсовая работа [658,6 K], добавлен 21.10.2011Вимоги до роботи нагрівальних печей. Основні сучасні способи економії енергії в камерних нагрівальних і термічних печах: зменшення теплового дефіциту металу, зниження втрат теплоти в навколишнє середовище і підвищення коефіцієнта її використання.
курсовая работа [45,5 K], добавлен 22.09.2012Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014
