Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-ge та n-si
З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 23.08.2014 |
| Размер файла | 54,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Встановлено вплив -долин зони провідності на характер перерозподілу носіїв заряду в c-зоні для n-Ge в температурному інтервалі 290380 K при сильних одновісних деформаціях.
Обчислено в -опроміненому n-Si при T = 125 K величину деформаційних змін енергетичної щілини (E) між глибоким рівнем (EC-0,17)eB і дном зони провідності в широкому діапазоні механічних напружень для кристалографічних напрямків [110] і [111].
Досліджено характер зміни температурної залежності положення рівня Фермі в монокристалах германію n-та p-типу провідності при наявності в забороненій зоні глибоких енергетичних рівнів
Аннотация
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков. - Волынский государственный университет имени Леси Украинки, Луцк, 2004.
При использовании методов измерения продольного пьезосопротивления и пьезо-холл-эффекта на монокристаллах германия и кремния с периодическим распределением легирующей примеси исследовано влияние слоистых периодических неоднородностей (СПН) на анизотропию электрофизических характеристик. Экспериментально установлено, что дозы -облучения 81016кв/см2 для n-Ge (ne=2,61013см-3) и 1,251017кв/см2 для n-Si (ne=1,21014см-3) при наличии СПН в их объеме существенно влияют на подвижность носителей заряда.
Исследовано влияние СПН при разных интенсивностях освещения на пьезосопротивление -облученных монокристаллов n-Ge и n-Si. Экспериментально установлено качественно различный ход зависимостей продольного пьезосопротивления для германия и кремния n-типа при разных интенсивностях подсветки. Показано, что при увеличении интенсивности освещения и механической деформации амплитуда потенциального рельефа уменьшается вследствие увеличения концентрации экранирующих носителей заряда, что обусловлено как фотоионизацией глубоких уровней радиационных дефектов (EC-0,2)eB в n-Ge и (EC-0,17)eB в n-Si, так и уменьшением с деформацией энергетического зазора между этими уровнями и дном зоны проводимости.
На основании экспериментальных исследований и теоретических расчетов впервые определена зависимость параметра анизотропии подвижности, а также продольной // и поперечной компонент подвижности в отдельно взятом изоэнергетическом эллипсоиде от дозы -облучения и интенсивности освещения. Показано, что компонента // практически не зависит от дозы облучения и интенсивности освещения, в отличие от , которая резко изменяется при выше упомянутых физико-активных влияниях. Изменение поперечной компоненты подвижности под влиянием радиации и света определяется изменением параметра анизотропии времен релаксации K .
Исследовано продольное пьезосопротивление в n-Ge в температурном интервале 77380 K для всех кристаллографических направлений и показано, что при температурах T >290 K нужно учитывать влияние -долин зоны проводимости на характер перераспределения носителей заряда в c-зоне.
Определено в широком диапазоне механических напряжений в -облученном n-Si при T=125 K величину деформационных изменений энергетического зазора (E) между глубоким уровнем (EC-0,17)eB и дном зоны проводимости для кристаллографических направлений [110] и [111]. Проведенные расчеты показали, что величина (E) при условии X//J//[110] составляет 1,3610-3eB на каждые 1000 кГ/см2, а при X//J//[111] - 0,8410-3eB соответственно.
Описан характер изменения температурной зависимости положения уровня Ферми в облученных монокристаллах германия разного типа проводимости при наличии в запрещенной зоне глубоких энергетических уровней. Выявлено, что для n-Ge с глубоким энергетическим уровнем (EC-0,2)eB радиационного и технологического происхождения и Ge после np-конверсии с глубоким энергетическим уровнем EV+0,27eB не наблюдаются аномальные температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми, как в работах других авторов, поскольку исследуемые глубокие энергетические уровни находятся приблизительно в полтора раза ближе к краям зоны проводимости и валентной зоны соответственно чем в приведенных роботах, где глубокие уровни размещены около середины запрещенной зоны.
Annotation
Zakharchuk D.A. Influence of technological and radiation defects on the phenomena of transfer in many-valley semiconductors n-Ge and n-Si . - Manuscript.
Thesis for the scientific degree of candidate of the physics-mathematical sciences. Specialty 01.04.10 - semiconductors and dielectric physics. Lesia Ukrainka Volyn State University, Lutsk, 2004.
With the use of methods of longitudinal piezoresistance and piezo-hall-effect in monocrystals of the germanium and silicon with the periodic distribution of alloying admixture the stratified periodic heterogeneity influence at the different doses of -irradiation and light intensities on anisotropy of electro-physical sizes is explored. First it is got for n-Ge dependence of longitudinal // and transversal constituents of mobility in the separately taken isoenergetic ellipsoid from dose of -irradiation and light intensity. An independence of // from the given physic active influence is set. It is shown, that change mobility components in case of increase of dose of -irradiation and light intensity is determined by the change of parameter of anisotropy of times of relacsation K .
An influence of -conductivity area valleys on nature of redistribution of charge transmitters in c-zone is set for n-Ge in the temperature interval 290380 K in case of uniaxial elastic deformation.
It is calculated in exposed n-Si to -irradiation at T=125 K size of deformation changes of power crack (E) between the deep level (EC-0,17)eB and conductivity zone bottom in the wide range of mechanical tensions for the crystallographic directions [110] and [111].
A nature of change of temperature dependence of level position Fermi in single crystals germanium n- and p-conductivity type at presence of deep power levels in the restricted area is explored.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
дипломная работа [1,0 M], добавлен 14.08.2008Фізичні основи процесу епітаксія, механізм осадження кремнію з газової фази. Конструкції установок для одержання епітаксійних шарів кремнію. Характеристика, обладнання молекулярно-променевої епітаксії. Легування, гетероепітаксія кремнію на фосфіді галію.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 29.10.2010Суть та використання капілярного ефекту - явища підвищення або зниження рівня рідини у капілярах. Історія вивчення капілярних явищ. Формула висоти підняття рідини в капілярі. Використання явищ змочування і розтікання рідини в побуті та виробництві.
презентация [889,7 K], добавлен 09.12.2013Моделі структур в халькогенідах кадмію і цинку. Області існування структур сфалериту і в’юрциту. Радіуси тетраедричних і октаедричних порожнин для сфалериту і в’юрциту. Кристалічна структура і антиструктура в телуриді кадмію. Кристалоквазіхімічний аналіз.
дипломная работа [281,1 K], добавлен 09.06.2008Система Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів Френзеля у кристалах Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у халькогенідах свинцю на основі експериментальних даних.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 09.06.2008Виникнення полярного сяйва, різноманітність форм та кольору. Пояснення явища веселки з точки зору фізики, хід променів у краплині. Види міражів, механізм їх появи, припущення і гіпотези щодо виникнення. "Брокенський привид": специфіка оптичного ефекту.
реферат [4,1 M], добавлен 25.03.2013Характеристика основних даних про припої та їх використання. Особливості пайки напівпровідників, сполук припоїв і режимів пайки германія й кремнію. Сполуки низькотемпературних припоїв, застосовуваних при пайці германія й кремнію. Паяння друкованих плат.
курсовая работа [42,0 K], добавлен 09.05.2010Оптика – вчення про природу світла, світлових явищах і взаємодії світла з речовиною. Роль оптики в розвитку сучасної фізики. Предмет і його віддзеркалення. Явища, пов'язані з віддзеркаленням та із заломленням світла: міраж, веселка, північне сяйво.
курсовая работа [32,1 K], добавлен 05.04.2008Моделі структур в халькогенідах кадмію і цинку. Характеристика областей існування структур сфалериту і в’юрциту. Кристалічна структура і антиструктура в телуриді кадмію. Кристалоквазіхімічний аналіз. Процеси легування. Утворення твердих розчинів.
дипломная работа [703,8 K], добавлен 14.08.2008Визначення показника заломлення скла. Спостереження явища інтерференції світла. Визначення кількості витків в обмотках трансформатора. Спостереження явища інтерференції світла. Вимірювання довжини світлової хвилі за допомогою дифракційної решітки.
лабораторная работа [384,9 K], добавлен 21.02.2009Електромагнітна хвиля як змінне електромагнітне поле, що розповсюджується в просторі. Властивості електромагнітних хвиль. Опис закономірностей поляризації світла, види поляризованого світла. Закон Малюса. Опис явища подвійного променезаломлення.
реферат [277,9 K], добавлен 18.10.2009Поняття конвекції як переносу теплоти при переміщенні і перемішуванні всієї маси нерівномірно нагрітих рідини чи газу. Диференціальні рівняння конвекції. Основи теорії подібності. Особливості примусової конвекції. Теплообмін при поперечному обтіканні.
реферат [722,3 K], добавлен 12.08.2013Отримання спектрів поглинання речовин та визначення домішок у речовині. Визначення компонент речовини після впливу плазми на досліджувану рідину за допомогою даних, отриманих одразу після експерименту, та через 10 годин після впливу плазми на речовину.
лабораторная работа [1018,3 K], добавлен 02.04.2012Поверхневий натяг рідини та його коефіцієнт. Дослідження впливу на поверхневий натяг води розчинення в ній деяких речовин. В чому полягає явище змочування та незмочування, капілярні явища. Як залежить коефіцієнт поверхневого натягу від домішок.
лабораторная работа [261,2 K], добавлен 20.09.2008Історія розвитку фізики. Фізика в країнах Сходу. Електричні і магнітні явища. Етапи розвитку фізики. Сучасна наука і техніка. Використання електроенергії, дослідження Всесвіту. Вплив науки на медицину. Розвиток засобів зв'язку. Дослідження морських глибин
реферат [999,0 K], добавлен 07.10.2014Кристалічна структура металів та їх типові структури. Загальний огляд фазових перетворень. Роль структурних дефектів при поліморфних перетвореннях. Відомості про тантал та фазовий склад його тонких плівок. Термодинамічна теорія фазового розмірного ефекту.
курсовая работа [8,1 M], добавлен 13.03.2012Види оптичних втрат фотоелектричних перетворювачів. Спектральні характеристики кремнієвих ФЕП. Відображення в інфрачервоній області спектру ФЕП на основі кремнію. Вимір коефіцієнта відбиття абсолютним методом. Характеристика фотометра відбиття ФО-1.
курсовая работа [3,6 M], добавлен 17.11.2015Суть проблеми електромагнітної сумісності у лініях передачі. Джерела електромагнітних впливів. Основні положення теорії взаємних впливів. Взаємні впливи в симетричних та коаксіальних колах. Основні параметри взаємних впливів між колами ліній передачі.
реферат [348,1 K], добавлен 21.03.2011Процеси взаємодії іонізуючого випромінювання з речовиною клітин. Біологічна дія іонізуючих випромінювань. Етапи розвитку променевої хвороби. Деякі міри захисту від зовнішнього і внутрішнього опромінення. Характер радіаційного впливу на живий організм.
реферат [81,7 K], добавлен 12.04.2009
