Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основі

Оскільки прилади на основі Si працюють також у космосі, де основою космічного випромінювання при спалахах на Сонці є протони (85 97) %, досліджувались особливості дефектоутворення в Si при опроміненні 6,8 і 50 МеВ протонами.

Показано, що опромінення 6,8 МеВ протонами утворює цілий ряд дефектів за участю атомів водню, які проявляються як смуги ІЧ-поглинання. Так, смуга 2161 см^-1 обумовлена дефектом, до складу якого входить водень у вигляді моносилану (SiH₄).

За відпалу при температурі 600 С спостерігається розрив Si-H зв'язків і утворення скупчень (бульбашок) атомів водню. При цьому від кристала відшаровується його частина, товщина якої дорівнює довжині пробігу протонів.

Опромінення 50 МеВ протонами показало, що порівняно із швидкими нейтронами реактора утворюється на 2 - 3 порядки більше точкових дефектів (А-центрів, тощо); концентрація кластерів (основних центрів компенсації) при порівняльних флюенсах приблизно однакова.

Ці особливості пов'язуються з різним механізмом взаємодії заряджених і нейтральних частинок з атомами Si.

У шостому розділі описуються характеристики аварійних і технологічних дозиметрів, запропонованих на основі описаних у попередніх розділах результатах. У випадку ядерних аварій потрібне експресне вимірювання отриманих персоналом доз і, що найважливіше, сепарування нейтронної та гамма-складової отриманої дози, оскільки їхня біологічна дія різна. Вимогам експресного вимірювання найкраще відповідають дозиметри на основі напівпровідникових структур - р-i-n-діод як аварійний дозиметр нейтронів [17], а МОН-структура як аварійний -дозиметр [18] у змішаних -n-полях.

У раніше запропонованих р-i-n-діодах з товстою базою основним параметром, який змінювався під дією опромінення, був час життя нерівноважних носіїв струму () в базі діода. Зменшення часу життя () з дозою опромінення приводить до збільшення падіння прямої напруги в діоді за фіксованого значення прямого струму через р-i-n-діод. Чутливість діода , яка визначається як приріст падіння напруги до одиниці поглиненої дози, описується співвідношенням з [17]:

,

де - постійна пошкодження часу життя; - час життя носіїв струму до опромінення; - доза (флюенс) швидких нейтронів; - складна функція товщини бази D і довжини дифузії носіїв L.

Описані в літературі діоди [17] виготовлялись з n-Si з ~ 10 100 Ом см. Їхня чутливість для D = 1,2 мм становила 1 мВ/рад, а лінійність показів зберігалась до ~ 1,5 10³ рад (рис. 13, криві б, в). Тут зміни ВАХ обумовлені зміною .

Враховуючи високу чутливість високоомного n-Si до швидких нейтронів, нами запропоновані р-i-n-структури з n-Si з >> 1 кОм см, де на зміну ВАХ впливали крім , також зміни . Результати проведених нами вимірів наведено на. З рисунків видно, що наші діоди, порівняно з чеськими (крива б) та шведськими (крива в) кращі за чутливістю (5 мВ/рад, проти 1 мВ/рад) та й діапазон лінійності показів значно більший. При виготовленні сенсорів з НЛК n-типу з 40 кОм см, досягнута чутливість ~ 50 мВ/рад. Діоди з промислового n-Si з = 1 кОм см, для яких верхня межа лінійної залежности становила 2 10⁴ рад, мали чутливість ~ 4 мВ/рад. Коефіцієнт дискримінації по відношенню до гамма-фотонів становив ~ 10³. Це зумовлено більшою ефективністю утворення нейтронами радіаційних дефектів порівняно з гамма-фотонами.

З'ясовано, що р-i-n-діоди, виготовлені у вигляді об'ємних паралелепіпедів, можна паралельно використовувати для реєстрації -фотонів у рахунковому режимі.

Показана можливість виготовлення діодів з використанням планарної технології. Як і для об'ємних структур, чутливість залежить від товщини за законом ~ D², тільки тут товщиною є віддаль між омічним контактом і р-n-переходом.

Певним недоліком р-i-n-дозиметрів є часткове зменшення (до 20 %) показів з часом зберігання, це так званий “федінг”, якого можна позбутися 5-хвилинним прогріванням сенсорів у киплячій воді, тоді покази зберігаються достатньо довго. Показано, що по наборі максимальної дози можна частково (на 70 %) “стерти” набрану дозу шляхом відпалу імпульсами струму або ультразвуком.

Для технологічної мети запропоновано оптичний спосіб вимірювання флюенсів. У монокристалах Si по мірі опромінення біля краю власного поглинання з'являється неселективне поглинання, яке монотонно збільшується зі збільшенням частоти світла. Як видно з рисунку, на це білякрайове поглинання (БКП) накладається смуга з максимумом при 1,8 мкм, що відноситься до дивакансій [7, 16]. На сучасну пору БКП пов'язують зі складними пошкодженнями гратниці типу областей розупорядкування (кластерами).

Встановлено, що виникнення кластерів не залежить від виду і концентрації домішок у кристалах, оскільки ці дефекти первісні і їхня концентрація залежить від флюенсу швидких нейтронів. Показано, що нахил кривих для різних хвильових чисел однаковий і описується лінійною залежністю , де - коефіцієнт пропорційности для певного . Спосіб визначення флюенсу опробованого в межах флюенсів 10¹⁵ 5 10¹⁸ н/см² і певною мірою він є прямим.

Для реєстрації гамма-компоненти з змішаних - n⁰ полях при аварії разом з р-i-n-діодом зручно користуватись МОН-структурою на основі р-Si, оскільки вона нечутлива до нейтронів і спосіб зчитування інформації схожий (електричний).

Принцип роботи оснований на утворенні під дією іонізуючого гамма-випромінювання об'ємного заряду в окисі SiO₂, який захоплюється на пастки, якими слугують обірвані зв'язки в окисі або домішкові атоми.

Найчутливішим параметром до вбудованого заряду є порогова напруга U_м польового транзистора (МОН-структура). Її зміна з дозою опромінення (U_т) для фіксованого значення струму I через канал описується формулою з [18]:

,

де - доза опромінення; - чутливість. Остання визначається структурою діелектрика і пропорційна , де - концентрація пасток, t - товщина окису.

Промислові n-канальні польові транзистори мають t 0,1 мкм і відповідно малі . Розробка нами технології по збільшенню товщини окису до 1 мкм, чим збільшується кількість пасток в окисі, дала можливість досягти чутливості 1 мВ/рад (проти 0,01 мВ/рад) і використовувати МОН-структури як аварійні сенсори в діапазоні 20 - 5000 рад.

При використанні активного режиму - прикладанні напруги до затвору, що зменшує негативний вплив об'ємного заряду на розділення електронів і дірок, спостережено значне підвищення чутливости і розширення діапазону лінійної реєстрації доз.

Показано також принципову можливість використання р-канальної МОН-структури (на основі Si n-типу) як однокристального дозиметра -фотонів і нейтронів. В якості дозиметра нейтронів використовуються переходи стік - база і витік - база. Отримана чутливість до нейтронів була дуже мала (~ 0,3 мВ/рад) оскільки матеріалом бази був низькоомний n-Si, з товщиною бази 0,3 мм.

Розроблені -дозиметри використовувались при ліквідації аварії на ЧАЕС. Покази штатних термолюмінесцентних (ТЛД) та наших -дозиметрів. З неї добре видно збіг показів. З'ясована також можливість повторного використання МОН-дозиметрів після максимально набраної дози шляхом “стирання” показів нагріванням при температурі 250 С. Після цього МОН-структури покращують повторні дозові залежності - значно зменшується розкид у межах партії.

Вияснена також можливість використання наших МОН-структур в якості дозиметрів протонів, які, на відміну від нейтронів, взаємодіють з електронною підсистемою твердого тіла і створюють значну концентрацію електронно-діркових пар. Для 50 МеВ протонів чутливість складає (0,2 0,4) мВ/рад, що на порядок менше, ніж при -фотонах Cs¹³⁷/ Різниця в чутливості обумовлена меншими іонізаційними втратами протонів порівняно з -фотонами.

ВИСНОВКИ

І. Електрофізичні властивості напівізолювальних монокристалів CdTe, сильно леґованих й сильно компенсованих власними дефектами, характеризуються, як і передбачала теорія, наступним:

Наявністю активаційної та стрибкової електропровідності. Вперше на цих кристалах виявлено дільниці стрибкової провідності, описуваної законом Шкловського ln у ~ Т^-1/2;

Якісно підтверджено висновки теорії про обернено пропорційну залежність середньоквадратичної глибини ям великомасштабних флуктуацій та характерної енергії Д, яка визначає нахил кривих білякраєвого поглинання, від концентрації електронів у зоні провідності.

Виявлено ряд властивостей компенсованих кристалів, непередбачуваних теорією:

У температурних залежностях ВАХ великомасштабні флуктуації потенціалу проявляються як пастки, спектр яких в забороненій зоні характеризується експоненціальним розподілом за енергіями.

Наявність великомасштабних пасток зумовлює в температурних залежностях ВАХ появу закономірностей, характерних для СОПЗ. За температури 77К також виявлено як відтворювальні (перемикання) дільниці з від'ємним диференціальним опором, зумовлені появою додаткової кількости електронів, які делокалізуються полем з пасток, так і незворотні дільниці (пам'ять). В стані пам'яти зразки мають металеву провідність, яка може бути пов'язана з випадінням атомів Cd або проникненням атомів металу електродів в об'єм кристала при шнуруванні струму. Стан пам'ті можна стерти імпульсами струму або нагріванням до 130 ^ОС.

Виявлено аномальну фотопровідність (різновид “замороженої” чи залишкової), передбачувану С. М. Ривкіним для фоточутливих напівпровідників з великомасштабними флуктуаціями потенціалу. Енергетичний інтервал засвітки для її виявлення в наших кристалах становив 0.8 ч 1.2 мкм (0.6 ч 1.6 еВ).

За механічної обробки кристалів p-CdTe та часткового стравлення дефектного дислокаційного шару з n-типом провідности виявлено аномальні температурні й струмові залежності опору, які трактуються як можливі прояви високотемпературної надповідності екситонної природи.

Опромінення гамма-фотонами Со⁶⁰ напівізолювальних монокристалів СdTe дозволяє зменшувати величину початкової самокомпенсації, що приводить до зменшення концентрації великомасштабних пасток і, відповідно, до збільшення добутку µ·ф.

По опроміненні детекторів на основі таких кристалів вони стають придатними для спектрометрії заряджених частинок.

Разом з тим показано, що наряду з відомим леґуванням CdTe при вирощуванні Cl, можна з допомогою радіації покращити їхні електрофізичні параметри і робити придатними для практичного використання в якості спектрометрів ядерного випромінювання .

ІІ. Вивчення властивостей кремнію, компенсованого шляхом введення радіаційних дефектів з допомогою опромінення певним видом проникливої радіації, показало ряд цікавих фактів.

Вперше (1967, 1971 рр.) зафіксовано збільшення рухливості носіїв струму в монокристалах Si p- типу провідності після опромінення малими дозами гамма-фотонів Со⁶⁰ (ефект малих доз).

Дослідження спектрів люмінесценції в плівках CdS та кристалах ZnSe блочної структури показало, що під дією малих доз гамма-радіації (< 10³ Гр) відбувається впорядкування їхніх структур: в CdS - ріст мікрокристалітів, в ZnSe - твердофазова перекристалізація, у тестовіих ґетероструктурах Si_0.75Ge_0.25/Si спостерігається зменшення деформаційних напружень. Показано, що ефект малих доз спостерігається і при опроміненні швидкими нейтронами ZnSe <Te> сцинтиляторів, кристалів Si й діодних структур на його основі.

Виявлено підвищену радіаційну стійкість НЛК і зауважено ефект впливу попереднього гамма- і нейтронного опромінення на процеси відпалу дефектів та підвищення радіаційної стійкости Si, обумовлену утворенням різноманітних мікродефектів - ефективних стоків (гетерів). Це знаходить практичне застосування для підвищення радіаційної стійкости сенсорів ядерних випромінювань.

На основі вивчення відпалу нейтронно опроміненого кремнію шляхом вимірювання оптичних та електричних характеристик зроблено висновок про існування двох типів складних дефектів, компенсаторів електропровідності, а саме ікластерів вакансійного й міжвузловинного типів.

Вивчення впливу гамма-опромінення на електропровідність кремнію вітчизняного та зарубіжного виробника, а також аналіз літератури показують, що граничне положення рівня Фермі в надчистому Si пов'язано з залишковою концентрацією бору (~10¹² см^-3), а не дивакансіями, як вважалось раніше.

Концентрація дірок в надчистому р-Si хвилеподібно осцилює з дозою гамма-опромінення, найвірогідніше, це результат утворення Е-центрів та появи атомів бору й вуглецю в міжвузловинах (за ефектом Воткінса) з подальшим утворенням комплексів CiCs.

На основі явища компенсації електропровідності за опромінення швидкими нейтронами надчистих монокристалів n-Si розроблено у вигляді p-i-n діодів новий тип аварійного дозиметра нейтронів.

Показано можливість використання планарної технології для їхнього виготовлення.

Запропоновано покращений тип аварійного гамма-дозиметра на основі МОН-структур зі збільшеною товщиною окисла до 1 мкм. Показано можливість реєстрації цими структурами тканинно-еквівалентних доз протонного випромінювання.

Для технологічних потреб запропоновано дозиметр нейтронів на основі вимірювання в монокристалах кремнію коефіцієнтів поглинання в білякрайовій області інфрачервоного спектру поглинання.

Проведені дослідження показують, що для збільшення ресурсу експлуатації сенсорів (детекторів) ядерних випромінювань слід використовувати надчистий кремній р-типу-провідности частково підкомпенсований фосфором, введеним нейтронним легуванням.

Розроблені г- n- сенсори лягли в основу аварійного дозиметра “Допинг” для окремої реєстрації г- і n-компонент в змішаних полях цих випромінювань. Дозиметри “Допинг” знайшли практичне застосування в Інституті експериментальної фізики (Арзамас, Росія), використані при ліквідації аварії на ЧАЕС та для визначення радіаційних випромінювань на прискорювачі в ЦЕРНі.

Автори дозиметра “Допинг” відзначені Дипломом ІІ ступеня та нагороджені срібними Медалями Головними комітетами ВДНГ України (1988 р.) та ВДНГ СРСР (1989 р.).

Таким чином, приведені в дисертації результати показують плідність для теорії і практики способу управління властивостями напівпровідників та структур на їх основі шляхом опромінення їх різними дозами проникаючої радіації. На основі зміни компенсації електропровідності надчистого кремнію запропоновано фізичні принципи створення нового покоління гамма-нейтронних аварійних дозиметрів та сенсорів високоенергетичних ядерних випромінювань.

Вирішена проблема аварійної дозиметрії гамма-нейтронних випромінювань на основі експресних електричних вимірювань параметрів напівпровідникових сенсорів.

СПИСОК ЦИТОВАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ

1. Электронная теория неупорядоченных полупроводников / Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайнер Р., Миронов А. Г., Эндерлан П., Эссер Б. - М.: Наука, 1981. - 384 с.

2. Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника // ЖЭТФ. - 1972. - Т. 62, вып. 3. - С. 1156 - 1165.

3. Гаджиев А. Р., Рывкин С. М., Шлимак И. С. Компенсированный быстрыми нейтронами и Ge - как модель аморфного полупроводника. // Письма в ЖЭТФ. - 1972. - Т. 15, вып. 10. - С. 605 - 608.

4. Агринская Н. В., Аркадьева Е. Н. Край полосы поглощения компенсированных кристаллов CdTe // ФТП. - 1972. - Т. 6, вып. 8 - С. 1630 - 1631.

5. Агринская Н. В., Крымова Е. Д. Хвосты плотности состояний в компенсированных кристаллах CdTe // ФТП. - 1972. - Т. 6, вып. 9. - С. 1783 - 1786.

6. Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. - М.: Наука, 1979. - 416 с.

7. Конозенко И. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в кремнии. - Киев: Наук. думка, 1974. - 199 с.

8. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. - М.: Мир, 1973. - 416 с.

9. Яременко Н. Г., Потапов В. Г., Ивлева В. С. - ФТП. - 1972. - Т. 6, вып. 7. - С. 1238.

10. Андроник И. К., Лукиян Ф. М. Край основного поглощения в монокристаллах Z_nxCd_1-xTe // ФТП. - 1980. - Т. 18, вып. 8. - С. 1615 - 1617.

11. Корсунский М. И. Аномальная фотопроводимость. - М.: Наука, 1972. - 192 с.

12. Галушка А. П., Мак В. Т., Заславский Ю. И. CdS + Cu дозиметр -излучения с повышенной радиационной стойкостью // ПТЭ. - 1977. - № 1. - С. 62 - 63.

13. Мак В. Т. Роль радіаційно-стимульованих процесів в модифікації властивостей напівпровідників і напівпровідникових приладів: Автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук / Чернівецький держ. ун-т. - Чернівці, 1997. - 30 с.

14. Holiney R. Yu., Matveeva L. A., Venger E. F. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers // SPQEO. - 1999. - Vol. 2, No. 4. - P. 10 - 12.

15. Венгер Е. Ф., Матвеева А. А. Оптические свойства и энергетический спектр гетеросистемы Si_xGe_{x - 1}/GaAs. // Неорганические материалы. - 1997. - Т. 33, № 2. - С. 153 - 157.

16. Семенюк А. К. Радіаційні ефекти в багатодолинних напівпровідниках. - Луцьк: Надстир'я, 2001. - 324 с.

17. Swartz J. M., Thurston M. O. Analysis of the effect of fast neutron bombardment of the current-voltage characteristic of a conductivity-modulated p-i-n diode // J. Appl. Phys. - 1966. - Vol. 37, No. 2. - P. 745 -755.

18. Adams L., Holmes-Siedle A. The development of MOS dosimetry unit for use in space // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 1978. - Vol. 25, No. 6. - P. 1607.

19. Вавилов В. С., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в Si и на поверхности. - М.: Наука, 1990. - 212 с.

СПИСОК ОСНОВНИХ ПУБЛІКАЦІЙ АВТОРА

1. Дидковский А. П., Хиврич В. И. Эффекты переключения и памяти в CdTe // ФТП. - 1974. - Т. 8, вып. 5. - С. 990 - 992.

2. Didkovskii A. P., Khivrich V. I. Electrical properties of semi insulating CdTe // Phys. Stat. Sol. (a). - 1975. - Vol. 32. - P. 621 - 629.

3. Об аномальных фото- и темновой проводимости / А. П. Дидковский, В. В. Матлак, В. И. Куц, В. И. Хиврич // ФТП. - 1976. - Т. 10, вып. 12. - С. 2349 - 2351.

4. Управление околокраевым поглощением в полуизолирующем CdTe / А. П. Дидковский, В. И. Куц, В. И. Хиврич, Д. И. Цюцюра // ФТП. - 1978. - Т. 12, вып. 7. - С. 1435 - 1437.

5. Хіврич В. І., Дідковський О. П. Про ознаки високотемпературної надпровідності в монокристалах CdTe p-типу // УФЖ. - 2003. - Т. 48(3), № 1. - С. 290.

6. Хіврич В. І. Аномалії в монокристалах CdTe як можливі прояви високотемпературної надпровідності // Зб. наук. праць Ін-ту ядерних досл. - 2004. - № 1 (12). - С. 56 - 60.

7. Дидковский А. П., Матлак В. В., Хиврич В. И. Об электрических свойствах CdTe, легированного германием // ФТП. - 1983. - Т. 17, вып. 2. - С. 373 - 374.

8. Ерицян Г. Н., Конозенко И. Д., Хиврич В. И. О некоторых радиационных эффектах в Si р-типа // Изв. АН АрССР. Сер. Физика. - 1967. - Т. 2, вып. 2. - С. 141 - 142.

9. Влияние нейтронной и -радиации на свойства высокоомного Si, выращенного в атмосфере водорода / И. Д. Конозенко, Л. В. Левчук, А. П. Галушка, В. И. Хиврич // ФТП. - 1971. - Т. 5, вып. 4. - С. 747 - 750.

10. Манжара В. С., Мак В. Т., Хиврич В. И. Влияние -облучения на излучательную рекомбинацию поликристаллических пленок CdS // УФЖ. - 1988. - Т. 33, вып. 5. - С. 694 - 697.

11. Влияние гамма-облучения на ширину запрещенной зоны ZnSe / В. Т. Мак, В. С. Манжара, В. И. Бейзим, В. И. Хиврич // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28, вып. 18. - С. 13 - 17.

12. Гроза А. А., Хиврич В. И. Околокраевое поглощение в Si, облученном нейтронами и 1,5 МэВ электронами // ФТП. - 1979. - Т. 13, вып. 5. - С. 870 - 874.

13. Дидковский А. П., Саакова А. К., Хиврич В. И. Некоторые электрические свойства высокоомного радиационно-легированного кремния // ФТП. - 1976. - Т. 10, № 3. - С. 543 - 545.

14. Механізми тензоефектів, зумовлені дефектною структурою нейтронно-легованого і гамма-опроміненого кристалів n-Si(p) / С. І. Будзуляк, Є. Ф. Венгер, Ю. П. Доценко, В. М. Єрмаков, В. В. Коломоєць, В. Ф. Мачулін, Л. І. Панасюк, В. І. Хіврич // Доп. НАН України. - 2000. - № 9. - С. 79 - 87.

15. Особенности действия быстрых и тепловых нейтронов, электронов на оптические, электрические и структурные свойства Si / П. Г. Литовченко, А. А. Гроза, М. Д. Варенцов, В. И. Хиврич, Л. В. Томчук, Л. Г. Николаева, Ю. И. Заславский, М. И. Старчик, Г. Г. Шматко // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. - 1981. - Вып. 3(17). - С. 75 - 77.

16. High purity Si as a basic material for manufacturing of radiation detectors and integral neutron radiation dosimeters / V. I. Khivrich, M. D. Varentsov, P. G. Litovchenko, I. E. Аnokhin, O. S. Zinets, M. I Reinhard., A. B. Rozenfeld, M. Carolan, D. Alexiev // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 1996. - Vol. 43, No. 6. - P. 2687 - 2692.

17. Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of Si and InAs / P. G. Litovchenko, W. Wahl, A. A. Groza, A. P. Dolgolenko, A. Ya. Karpenko, V. I. Khivrych, O. P. Litovchenko, V. F. Lastovetsky, V. I. Sugakov, V. K. Dubovy // Semic. Phys. Quantum Electr. and Optoelectr. - 2001. - Vol. 4, No. 2. - P. 85 - 90.

18. Radiation hardening of Si for detectors by preliminary irradiation / P. G. Litovchenko, D. Bisello, A. Candelori, A. P. Litovchenko, A. A. Groza, A. P. Dolgolenko, V. I. Khivrich, L. I. Barabash, V. F. Lastovetsky, L. A. Polivtsev, W. Wahl, J. Wyss // Solid State Phenomena. - 2004 - Vols. 95 - 96. - P. 399 - 404.

19. Оптичні і структурні дослідження протонно-опроміненого монокристалічного кремнію / В. І. Варніна, А. А. Гроза, П. Г. Литовченко, М. Б. Пінковська, Л. А. Полівцев, М. І. Старчик, В. І. Хіврич, Г. Г. Шматко. - Укр. фіз. журн. - 2003. - Т. 48, № 3. - С. 269 - 274.

20. Гроза А. А., Куц В. И., Литовченко П. Г., Хиврич В. И. Влияние облучения 50 МэВ протонами на ИК-поглощение в Si. - ФТП. - 1989. - Т. 23, вып. 6. - С. 975 - 977.

21. P-i-n diodes with wide measurement range of fast neutron doses / A. B. Rosenfeld, I. E. Anokhin, L. I. Barabash, O. S. Zinets, P. G. Litovchenko, V. I. Khivrich // Radiation protection dosimetry. - 1990. - Vol. 33, No. ј. - P. 175 - 178.

22. Использование Si и структур на его основе как датчиков в аварийной и технологической дозиметрии / П. Г. Литовченко, А. Б. Розенфельд, В. И. Хиврич, А. А. Гроза // Весці АН БССР. Сер. физико-математических наук. - 1991. - № 3. - С. 93 - 97.

23. Application of p-i-n diodes and MOSFets for dosimetry in and n radiation fields / A. Rosenfeld, G. Kaplan, M. Carolan, B. Allent, I. Anokhin, O. Zinets, V. Khivrich, P. Litovchenko // Radiation protection dosimetry. - 1999. - Vol. 84. - No. 1 - 4. - P. 349 - 352.

24. Development of semiconductor sensors for dosimetry of mixed radiation fields / A. Rosenfeld, V. Khivrich, O. Zinets et al. // Radiation protection in Australia. - 1994. - Vol. 12, No. 4. - P. 156 - 163.

25. MOS structure for emergency gamma and proton dosimetry / P. G. Litovchenko, L. I. Barabash, A. B. Rosenfeld, V. I. Khivrich et al. // Rad. Prot. Dos. - 1990. - Vol. 33, No. 1 - 4. - P. 179 - 182.

26. MosFets dosimeters: the role of encapsulation on dosimetric characteristics in mixed -n- and megavoltage x-rays fields / A. B. Rosenfeld, M. G. Carolan, G. I. Kaplan, B. J. Fllen, V. I. Khivrich et al. // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 1995. - Vol. 42, No. 6. - P. 2870 - 1877.

27. P-channel MOS sensor for measurement of emergency - and neutron irradiation / P. G. Litovchenko, L. I. Barabash, V. I. Kuts, A. B. Rosenfeld, V. I. Khivrich // Rad. Prot. Dos. - 1996. - Vol. 66, No. 1 - 4. - P. 225 - 228.

28. Use of Ukrainian semiconductor dosimeters in a CERN particle Accelerator field / A. Rosenfeld, V. Khivrich, V. Kuts et al. // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 4, No. 6. - P. 1009 - 1014.

29. Neutron dosimentry with planar silicon p-i-n diodes / A. B. Rosenfeld, M. Yudelov, M. Lerch, I. Cornelius, P. Griffin, V. L. Perevertailo, V. I. Khivrich, M. B. Pinkovska // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 2003. - Vol. 50, No. 6. - P 2367 - 2372.

30. Radiation-hard semiconductor detectors for SuperLHC / M. Bruzzi, J. Adey, A. Al-Ajili ... V. Khivrich et al. / Nuclear Instr. and Meth. in Physics Research. - 2005. - Vol. A 541. - P. 189 - 201.

31. Подолян А. А., Хиврич В. И. Влияние ультразвука на отжиг радиационных дефектов в Si при комнатных температурах. - Письма в ЖТФ. - 2005. - Т. 31, вып. 10. - С. 11 - 15.

32. Silicon dosimetric diode for BNCT using epithermal neutron sources / M. G. Carolan, A. B. Rosenfeld, S. Wallace, H. Meriaty, G. J. Storr, V. I. Khivrich, R. L. Moss, B. J. Allen // Proc. of the 1-st Intern. Workshop on accelerator: Based Neutron Sources for Boron Neutron Capture Therapy, 1994. - Vol. 1. - P. 299 - 309.

33. Radiation hardness study of high purity detector grade silicon / M. Reinhard, A. Rosenfeld, V. I. Khivrich, M. D. Varentsov, P. G. Litovchenko, I. E. Anokhin, O. S. Zinets // Proc. of the conf. on optoelectronic and microelectronic materials and devices / Ed. by C. Jagadish. - Australia, Canberra, 1996. - P. 479 - 482.

34. Semiconductor dosimeters for selective determination of the components in mixed - and n-fields / P. G. Litovchenko, L. I. Barabash, V. I. Kuts, V. I. Khivrich, I. A. Marusan, M. B. Pinkovska // Proc. of the Inter. Congress on Radiation Protection. Vienna, 1996. - Vol. 4. P35 - 70. - P. 365 - 367.

35. Компенсатор уменьшения чувствительности фотосцинтиляторного детектора: А. с. 1774740 / П. Г. Литовченко, В. Д. Рыжиков, В. И. Куц, А. Б. Розенфельд, В. С. Манжара, В. И. Хиврич. - Опубл. 03.05.1990.

36. Способ изготовления полупроводниковых детекторов типа dE/dх: А. с. 2957952 / С. В. Бердниченко, П. Г. Литовченко, Л. И. Барабаш, О. Ф. Немец, С. И. Гашенко, Э. С. Фалькевич, В. И. Хиврич. - Опубл. 16.07.80.

37. Интегральный пассивный дозиметр - нейтронного излучения: А. с. 1556355 / П. Г. Литовченко, Л. И. Барабаш, А. Б. Розенфельд, В. И. Хиврич и др. - Опубл. 28.03.88.

38. Способ изготовления чувствительного элемента дозиметра быстрых нейтронов: А. c. 1540580 / П. Г. Литовченко, Л. И. Барабаш, А. Б. Розенфельд, В. И. Хиврич, А. И. Хатюшин, А. Ткаченко, А. И. Думик - Опубл. 26.01.88.

39. Способ изготовления чувствительного элемента дозиметра -излучения: А. с. 1457722 / П. Г. Литовченко, Л. И. Барабаш, В. И. Хиврич, А. Б. Розенфельд и др. - Опубл. 27.03.87.

40. Способ измерения флюэнса быстрых нейтронов: А. с. 1468226 / А. А. Гроза, П. Г. Литовченко, Л. Г. Николаева, В. И. Хиврич и др. - Опубл. 17.03.87.

41. Способ изготовления чувствительного элемента дозиметра быстрых нейтронов: А. с. 1235337 / П. Г. Литовченко, Л. И. Барабаш, А. Б. Розенфельд, В. И. Хиврич, В. Ф. Ластовецкий, Н. Ф. Карушкин, А. А. Тухаринов, В. Г. Липявка, В. Н. Кутлахметов, А. П. Белов - Опубл. 22.06.84.

42. Особенности изменения фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных кремниевых диодов при облучении нейтронами и -квантами / П. Г. Литовченко, В. Т. Мак, Л. И. Барабаш, А. Б. Розенфельд, В. И. Хиврич // Тез. докл. ХХХІІІ совещ. по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - М., 1983. - С. 558.

43. Эффект малых доз нейтронов в Si / Л. И. Барабаш, О. А. Бартновский, М. Д. Варенцов, П. Г. Литовченко, Г. Г. Манукян, В. Т. Мак, А. Б. Розенфельд, В. И. Хиврич // Радиационная физика полупроводников и родственных материалов. - Ташкент: ФАН, 1984. - С. 46.

44. Электрофизические свойства поликристаллического кремния / В. И. Хиврич, М. Д. Варенцов, Г. О. Варданян, А. П. Дидковский, В. И. Куц // Физические проблемы МДП-интегральной электроники: Тез. докл. V Респ. конф. - Дрогобыч, 1987. - С. 179.

45. Использование реактора РБМК для нейтронного легирования кремния / О. Ф. Немец, В. П Брюханов., П. Г. Литовченко, М. А. Лютов, Ю. В. Маковецкий, В. П. Акинфиев, А. В. Литовченко, В. К. Дубовой, В. Ф. Ластовецкий, Н. С. Озимай, И. Е. Сухорученков, В. И. Хиврич // ІІІ Всесоюз. совещ. по радиационной технологии полупроводниковых материалов. - Обнинск, 1981. - С. 9.

46. Особенности воздействия проникающего излечения на МОП-структуры с толстым окислом / П. Г. Литовченко, Л. И. Барабаш, М. Б. Пинковска, А. Б. Розенфельд, В. И. Хиврич. В. И. Куц, В. Я. Киблик, А. А. Серба, В. А. Марусан, В. М. Белеля, Г. И. Гаврилюк, А. И. Думик // V Республиканская конф. „Физические проблемы МДП - интегральной электроники” (Май 1987 г., г. Дрогобыч): Тез. докл. - К., 1987. - С. 124.

47. Хіврич В. І., Дідковський О. П., Павлов А. Р. Вплив -фотонів Co⁶ на детектори з CdTe // Тези Міжнар. наук.-техн. конф. “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”. - Одеса, 2004. - С. 153.

48. Перевертайло В. Л., Хіврич В. І., Дубовий В. К. P-i-n структури планарної технології для дозиметрії швидких нейтронів // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології: Тези доп. Міжнар. наук.-техн. конференції. - Одеса, 2004. - С. 312.

49. Хіврич В. І., Дідковський О. П., Матлак В. В. Вплив радіації на великомасштабні пастки в CdTe // Тези доповідей: ІІ Українська наук. конф. з фізики напівпровідників. - Т. 2. - Чернівці, 2004. - С. 134 - 135.

50. Вплив конструктивних особливостей та радіаційно-термічної обробки на дозиметричні характеристики МДН-структури / Г. І. Гаврилюк, П. Г. Литовченко, Л. І. Барабаш, М. Б. Пінковська, В. І. Хіврич // ІІ Українська наукова конф. з фізики напівпровідників: Тези доповідей. (Чернівці - Вижниця, 20 - 24 вересня, 2004 р.). - Чернівці, 2004. - С. 233 - 234.

51. Исследование влияния облучения -фотонами Со⁶⁰ на гетероструктуры Si_0,75Ge_0,25/Si / Р. Е. Ю. Колядина, А. О. Матвеева, А. А. Подолян, В. И. Хиврич // V Міжнар. школа-конференція “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”: Тези доповідей. - Дрогобич, 2005. - С. 38.

Размещено на Allbest.ru