Определение ширины запрещенной зоны полупроводников
Определение ширины запрещенной зоны германия на основании измерений температурной зависимости электропроводимости. Вид лабораторной установки. Результаты измерений и вычислений. Зависимость электропроводимости материала от температуры. Пример расчетов.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 26.12.2014 |
| Размер файла | 45,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на Allbest.ru
ОТЧЕТ
о лабораторной работе по курсу
ОБЩАЯ ФИЗИКА
"Определение ширины запрещенной зоны полупроводников"
Работу выполнил
студент группы № 2051
АБРАМОВ Д.А.
С-ПЕТЕРБУРГ - 2000 г.
1. Цель работы
Цель работы: определение ширины запрещенной зоны германия на основании измерений температурной зависимости электропроводимости.
2. Описание лабораторной установки
3. Результаты измерений и вычислений
германий температурный электропроводимость лабораторный
Таблица 4.1
|
T, K |
299 |
303 |
313 |
323 |
333 |
343 |
353 |
363 |
|
|
Ux,B |
1 |
1 |
1,03 |
1,09 |
1,14 |
1,2 |
1,26 |
1,28 |
|
|
I, мА |
38 |
36,5 |
36 |
36 |
36,5 |
38,5 |
43,5 |
53 |
|
|
ух |
31,67 |
30,42 |
29,13 |
27,52 |
26,68 |
26,74 |
28,77 |
34,51 |
|
|
Lgу |
1,50 |
1,48 |
1,46 |
1,44 |
1,43 |
1,43 |
1,46 |
1,54 |
|
|
1/T |
3,34 |
3,30 |
3,19 |
3,10 |
3,00 |
2,92 |
2,83 |
2,75 |
|
|
t, C |
373 |
383 |
393 |
403 |
413 |
423 |
433 |
||
|
Ux,B |
1,27 |
1,38 |
2,98 |
0,33 |
0,52 |
0,36 |
0,1 |
||
|
I, мА |
68 |
120 |
200 |
49 |
140 |
94 |
36 |
||
|
ух |
44,62 |
72,46 |
55,93 |
123,74 |
224,36 |
217,59 |
300,00 |
||
|
Lgу |
1,65 |
1,86 |
1,75 |
2,09 |
2,35 |
2,34 |
2,48 |
||
|
1/T |
2,68 |
2,61 |
2,54 |
2,48 |
2,42 |
2,36 |
2,31 |
4. Пример расчетов
Вывод
Определили ширину запрещенной зоны германия:
Из графиков мы видим интересную зависимость проводимости от Т, что при более высоких температурах проводимость возрастает резче. И по этому при нахождении ширины запрещенной зоны мы берем более высокие температуры
Графики
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.
контрольная работа [301,6 K], добавлен 11.02.2014Полупроводниковый кремний как один из важнейших полупроводниковых материалов, используемых в настоящее время. Ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.
контрольная работа [417,4 K], добавлен 25.11.2012Импульсные лазеры как источник высокоэнергетического излучения. Исследование концентрационной зависимости параметра кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны твердого раствора методами рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии.
реферат [1,9 M], добавлен 26.06.2010Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015Расчет температурной зависимости концентрации электронов в полупроводнике акцепторного типа. Определение и графическое построение зависимости энергии уровня Ферми от температуры: расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 15.02.2013Изучение методики обработки результатов измерений. Определение плотности металлической пластинки с заданной массой вещества. Расчет относительной и абсолютной погрешности определения плотности материала. Методика расчета погрешности вычислений плотности.
лабораторная работа [102,4 K], добавлен 24.10.2022Традиционные термоэлектрические материалы, теллуриды висмута и свинца. Улучшение термоэлектрической добротности однородных материалов. Термовольтаический эффект в поликристаллическом SmS. Выбор оптимальной концентрации носителей и ширины запрещённой зоны.
дипломная работа [1,3 M], добавлен 11.07.2015Средства измерений и их виды, классификация возможных погрешностей. Метрологические характеристики средств измерений и способы их нормирования. Порядок и результаты проведения поверки омметров, а также амперметров, вольтметров, ваттметров, варметров.
курсовая работа [173,0 K], добавлен 26.02.2014Критерии грубых погрешностей. Интервальная оценка среднего квадратического отклонения. Обработка результатов косвенных и прямых видов измерений. Методика расчёта статистических характеристик погрешностей системы измерений. Определение класса точности.
курсовая работа [112,5 K], добавлен 17.05.2015Четыре основы метрологического обеспечения измерений: научная, организационная, нормативная и техническая. Методика выполнения измерений, государственный метрологический надзор. Закон "Об обеспечении единства измерений", специальные и вторичные эталоны.
контрольная работа [118,1 K], добавлен 28.02.2011Методика выполнения измерений как технология и процесс измерений. Формирование исходных данных, выбор методов и средств измерений. Разработка документации методики выполнения измерений напряжения сложной формы на выходе резистивного делителя напряжения.
курсовая работа [100,1 K], добавлен 25.11.2011Исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектриков в зависимости от напряженности внешнего электрического поля и температуры осциллографическим методом. Определение и основные группы сегнетоэлектриков, их особые свойства и способы измерений.
лабораторная работа [630,9 K], добавлен 04.06.2009Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011Свойства звукоизоляции и звукопроницаемости материалов. Определение звукоизоляции образца звукоизоляционного материала с помощью акустического интерферометра. Характеристики погрешности измерений. Оценка погрешности измерений звукоизоляции образца.
дипломная работа [3,4 M], добавлен 24.06.2012С ростом температуры кристалла за счет теплового расширения постоянная решетки увеличивается. Поэтому при повышении температуры у полупроводников, как правило, запрещенная зона уменьшается.
реферат [10,8 K], добавлен 22.04.2006Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.
презентация [150,3 K], добавлен 27.11.2015Определение погрешностей средства измерений, реализация прибора в программной среде National Instruments, Labview. Перечень основных метрологических характеристик средства измерений. Мультиметр Ц4360, его внешний вид. Реализация виртуального прибора.
курсовая работа [628,7 K], добавлен 09.04.2015Энергетические зоны в полупроводниках. Энергетическая диаграмма процесса переноса электрона с энергетического уровня в зону проводимости. Пример внедрения трехвалентного атома в решетку кремния. Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.
реферат [730,0 K], добавлен 26.08.2015Обеспечение единства измерений и основные нормативные документы в метрологии. Характеристика и сущность среднеквадратического отклонения измерения, величины случайной и систематической составляющих погрешности. Способы обработки результатов измерений.
курсовая работа [117,3 K], добавлен 22.10.2009
