Изучение параметров и вольтамперных характеристик диодов

Реальная вольтамперная характеристика германиевых и кремниевых диодов. Важнейшая особенность изменения температуры при фиксированном токе. Анализ номинального напряжения стабилизации. Основная сущность схемы тиристорной структуры и стабилитрона.

Рубрика Физика и энергетика
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 06.03.2015
Размер файла 76,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Лабораторная работа Диоды

Цель работы.

Изучение параметров и вольт-амперных характеристик диодов.

Теоретическое введение.

Полупроводниковый диод - электронный прибор с двумя выводами от p-n перехода анодом и катодом. Идеальный диод имеет сопротивление, равное нулю при "прямой" полярности напряжения (плюс на аноде, минус на катоде) и бесконечно большое сопротивление при обратной полярности. Условное обозначение диода и вольтамперная характеристика (ВАХ) идеального диода приведены на рисунке 1.

Реальная вольтамперная характеристика германиевых и кремниевых диодов при положительных напряжениях аппроксимируется экспоненциальной функцией вида

I = Is(T).(exp(U/mUT -1),

где Is - обратный ток (100 нА для германиевых диодов, 100 пА - для кремниевых), UT - термический потенциал UT = kT/e = 0.863.10-4T (примерно 25 мВ при комнатной температуре), m - поправочный коэффициент (от 1 до 2).

Значения прямого напряжения при токе Imax/10 составляют около 0.35 В для германиевых и 0.62 - для кремниевых диодов. Изменение прямого напряжения на 60 - 120 мВ приводит к изменению тока в 10 раз, т.е. при напряжении 0.6 В ток через кремниевый диод составит лишь 1/100 Imax. Изменение температуры при фиксированном токе приводит к изменению напряжения приблизительно на -2 мВ на градус.

Рисунок 1 - обозначение и идеализированная вольтамперная характеристика диода.

К основным параметрам диодов относятся: - средний прямой ток Iпр.ср., допустимое обратное напряжение Uобр.max, среднее прямое напряжение Uпр.ср, - средний обратный ток Iобр при Uобр.max, fm - верхнее значение частоты, при которой сохраняются основные параметры.

На рисунке 2 приведены условное обозначение стабилитрона, идеальная вольтамперная характеристика и ВАХ с идеальной характеристикой в первом квадранте и линеаризованной реальной характеристикой в третьем квадранте.

Рисунок 2 - обозначение и вольтамперные характеристики стабилитрона.

Для стабилитронов в справочниках приводят следующие параметры: - номинальное напряжение стабилизации Uст.ном и разброс напряжения стабилизации при номинальном токе (Uст.min, Uст.max) - дифференциальное сопротивление Rдиф - минимальный и максимальный ток стабилитрона Iст.min, Iст.max - допустимая рассеиваемая мощность Pmax.

В группу приборов «тринисторы» входят полупроводниковые приборы, структура которых представляет четыре чередующихся кремниевых слоя типа р и n. В эту группу входят двухэлектродный прибор - динистор и приборы с тремя выводами: тиристор и симистор.

Основная схема тиристорной структуры представлена на рисунке 3. Она представляет собой четырёхполюсный p-n-p-n прибор, содержащий три последовательно соединённых p-n перехода J1, J2, J3. Контакт к внешнему p-слою называется анодом, к внешнему n-слою -- катодом. В общем случае p-n-p-n прибор может иметь два управляющих электрода (базы), присоединённых к внутренним слоям. Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором (или динистором). Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором (или просто тиристором).

Рисунок 3. - структура неуправляемого и управляемого тринистора

Обозначение и характеристики диинистора приведены на рисунке 4.

Тринисторы обладают в прямом направлении двумя устойчивыми состояниями - состоянием низкой проводимости (закрыт) и состоянием высокой проводимости (открыт).

Рисунок 4. - обозначения и вольтамперные характеристики диинистора.

Подготовка к работе

Освоить основные положения теоретического введения.

Занести в лабораторную тетрадь вольтамперные характеристики и условные обозначения диодов.

Вычертить в лабораторной тетради схемы проведения эксперимента (рисунки 5 - 11). вольтамперный диод ток стабилитрон

Порядок выполнения работы и обработки экспериментальных результатов

Исследование параметров выпрямительного диода.

Собрать схему для измерения сопротивления диода (рисунок 5).
(модель диода general2 - BY228)

Измерить сопротивление при токах (ohmmeter current) 0,01; 1, 10 мкА и 1 мА.

Эти же измерения выполнить для диода 1N4001

Рисунок 5 - схема измерения прямого сопротивления диода

Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1 - зависимость сопротивления диода от величины тока

Диод BY228

Диод 1N4001

Ток

Сопротивление

Ток

Сопротивление

0,01 мкА

0,01 мкА

1 мкА

1 мкА

10 мкА

10 мкА

1 мА

1 мА

Собрать схему для исследования вольтамперной характеристики диода (рисунок 6)

• Собрать схему

• В текстовом редакторе создать файл:

• 0 0

• 1 1.5

• Щелкнуть по иконке источника PLS, указать путь к файлу, пуск.

• Зарисовать в масштабе осцилограмму

Рисунок 6 - схема для исследования вольтамперной характеристики диода

Собрать схему для исследования характеристик стабилитрона (рисунок 7).

• создать файл: name.txt:

• 0 0

• 1 8

• Зарисовать осциллограммы.

• Определить дифференциальное сопротивление для обратной ветви стабилитрона

Рисунок 7 - схема для исследования характеристик стабилитрона.

Исследование параметров динистора.

Собрать схему согласно рисунку 8. Функциональный генератор включить для выходного сигнала в форме «пилы» или синусоиды с амплитудой 50 В и частотой 100 Гц.

Наблюдать и зарисовать форму входного напряжения и напряжения на динисторе.

Определить - при каком напряжении начинается открытие динистора (Uотк).

Определить - при каком напряжении динистор закрывается(Uзак).

Измерить остаточное напряжение на динисторе при максимальном напряжении на входе (Uост).

Измеренные данные записать в таблицу 2.

Таблица 2 - параметры динистора

Uотк (В)

Uзак (В)

Uост (В)

Рисунок 8. - схема для исследования параметров динистора.

На рисунке 9 приведена схема так называемого релаксационного генератора. Схема включает интегрирующую цепочку (RC). Когда напряжение на конденсаторе достигнет напряжения Uост динистора, он разрядится через лампу. Частота импульсов зависит от постоянной времени RC. Осциллограф измеряет напряжение на конденсаторе и на лампе R2.

Рисунок 9 - генератор импульсов на динисторе.

Соберите схему. Выполните измерение периода импульсов при значениях сопротивления резистора . R1 6 до 24 кОм с шагом 6 кОм. Результаты измерений и значения постоянной времени цепочки (R1C1) запишите в таблицу 3.

Таблица 3 - зависимость периода импульсов от постоянной времени интегрирующей цепочки.

Постоянная времени RC1

Период импульсов

Требования к отчету

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

- Условные обозначения диодов и их вольтамперные характеристики.

- Схемы для проведения исследований в среде Multisim (Electronics Workbench)

- Осциллограммы входного напряжения и напряжения на диоде, стабилитроне, динисторе и на выходе генератора импульсов..

- Таблицу зависимости сопротивления диода от тока (таблица 1)

- Таблицу с параметрами динистора (таблица 2)

- Результаты измерений частоты генератора на динисторе (таблица 3)

Контрольные вопросы

- Какие приборы включаются в группу диодов.

- Как называются выводы приборов из группы диодов.

- Назовите основные параметры выпрямительного диода.

- Назовите основные параметры стабилитрона.

- Назовите основные параметры динистора.

- При каких условиях происходит включение динистора.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Исследование вольтамперных характеристик диодов, снятие характеристик при различных значениях напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов, функции первой и второй степени, экспоненты. Исходный код программы и полученные данные.

    лабораторная работа [1,6 M], добавлен 24.07.2012

  • Построение схем с диодом из библиотеки SimElectronics и электрическим диодом из библиотеки Simscape и графиков зависимости тока от напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов различными методами при 2-х разных температурах.

    контрольная работа [1,6 M], добавлен 08.07.2012

  • Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 04.05.2011

  • Понятие диодов как электровакуумных (полупроводниковых) приборов. Устройство диода, его основные свойства. Критерии классификации диодов и их характеристика. Соблюдение правильной полярности при подключении диода в электрическую цепь. Маркировка диодов.

    презентация [388,6 K], добавлен 05.10.2015

  • Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.

    дипломная работа [3,5 M], добавлен 29.12.2014

  • Классификация диодов в зависимости от технологии изготовления: плоскостные, точечные, микросплавные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные. Виды диодов по функциональному назначению. Основные параметры, схемы включения и вольт-амперные характеристики.

    курсовая работа [909,2 K], добавлен 22.01.2015

  • Расчет напряжения на переходе при прямом включении при заданном прямом токе. Влияние температуры на прямое напряжение. Сопротивление диода постоянному току. Вольт-амперная характеристика диода. Параметры стабилизатора напряжения на основе стабилитрона.

    контрольная работа [219,8 K], добавлен 14.01.2014

  • Формирование двух различных схем включения стабилитрона, направления их исследования и взаимодействия элементов. Зависимость тока стабилитрона от его напряжения полярность при изменении напряжения питания исследуемой схемы переменных резистором.

    лабораторная работа [172,8 K], добавлен 07.10.2013

  • Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.

    контрольная работа [233,1 K], добавлен 25.07.2013

  • Исследование спектров электролюминесценции, вольт-амперных и люкс-амперных характеристик "фиолетовых" и "желтых" светодиодов в температурном диапазоне 300-90 К. Анализ процессов токопереноса, генерации и рекомбинации носителей заряда в гетероструктурах.

    контрольная работа [245,8 K], добавлен 11.08.2010

  • Расчёт трансформатора и параметров интегрального стабилизатора напряжения. Принципиальная электрическая схема блока питания. Расчет параметров неуправляемого выпрямителя и сглаживающего фильтра. Подбор выпрямительных диодов, выбор размеров магнитопровода.

    курсовая работа [151,6 K], добавлен 14.12.2013

  • Схема компенсационного стабилизатора напряжения на транзисторах. Определение коэффициентов пульсации, фильтрации и стабилизации. Построение зависимости выходного напряжения от сопротивления нагрузки. График напряжения на входе и выходе стабилитрона.

    лабораторная работа [542,2 K], добавлен 11.01.2015

  • Определение сопротивления ограничивающего резистора. Расчет максимального тока через стабилитрон. Вычисление мощности, выделяемой на резисторе. Определение изменения напряжения стабилитрона в заданном диапазоне температур. Схема включения стабилитрона.

    контрольная работа [43,4 K], добавлен 19.06.2015

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

  • Определение максимального и минимального значений выпрямленного сетевого напряжения, диаграммы работы преобразователя. Выбор выпрямительных диодов, трансформатора, транзистора, выпрямителя и элементов узла управления. Расчет демпфирующей цепи и КПД.

    курсовая работа [392,9 K], добавлен 18.02.2010

  • Механизм действия полупроводникового диода - нелинейного электронного прибора с двумя выводами. Работа стабилитрона - полупроводникового диода, вольтамперная характеристика которого имеет область зависимости тока от напряжения на ее обратном участке.

    презентация [182,4 K], добавлен 13.12.2011

  • Разработка функциональной и принципиальной схемы коллекторного двигателя. Выбор диодов для выпрямителя. Расчет генератора, сечения и длины проводов для схемы подключения. Схемы соединений и подключений. Монтаж, наладка и эксплуатация устройства.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 25.10.2012

  • Экспериментальное определение и построение вольтамперных характеристик нелинейных резистивных элементов. Проверка достоверности графического метода расчёта нелинейных электрических цепей. Основные теоретические положения, порядок выполнения работы.

    лабораторная работа [297,6 K], добавлен 22.12.2009

  • Вольтамперная характеристика фотоэлемента. Анализ изменения эффективности различных типов полупроводниковых преобразователей солнечной энергии. Изучение параметров органических и гибридных фотоэлементов. Концепция объемного и планарного гетеро-перехода.

    презентация [2,0 M], добавлен 25.11.2014

  • Определение напряжения на переходе при прямом включении при заданной температуре и заданном токе. Влияние температуры на прямое напряжение при увеличении температуры на указанное число градусов. Сопротивление диода постоянному току при прямом включении.

    контрольная работа [2,9 M], добавлен 21.07.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.