Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования

Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 09.03.2015
Размер файла 190,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.


Подобные документы

  • Суть гальваномагнитных явлений в полупроводниковых материалах. Эффекты Холла, Эттингсгаузена и Нернста. Закономерности, структура и химическая связь соединений типа АIIIВV. Изопериодные гетероструктуры. Подвижность носителей заряда в полупроводниках.

    курсовая работа [3,6 M], добавлен 09.12.2010

  • Экспериментальные методы измерения подвижности носителей зарядов в диэлектриках. Эффект переключения диэлектрических пленок в высокопроводящее состояние. Исследование подвижностей носителей заряда времяпролетным методом. Изготовление пленочных образцов.

    дипломная работа [484,3 K], добавлен 13.10.2015

  • Исследование спектров электролюминесценции, вольт-амперных и люкс-амперных характеристик "фиолетовых" и "желтых" светодиодов в температурном диапазоне 300-90 К. Анализ процессов токопереноса, генерации и рекомбинации носителей заряда в гетероструктурах.

    контрольная работа [245,8 K], добавлен 11.08.2010

  • Сущность внутреннего фотоэффекта. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Измерение фотоэлектромагнитного эффекта. Особенности p-n переходов в полупроводниках, барьер Шоттки для электронов.

    курсовая работа [788,8 K], добавлен 27.11.2013

  • Принцип действия регулятора ВРН-30, работающего в широком диапазоне частот вращения вала двигателя. Получение динамических и винтовых характеристик судового двигателя. Уравнение динамики измерителя, усилителя, связей регулятора и дифференцирующего рычага.

    курсовая работа [2,1 M], добавлен 03.10.2012

  • Магнитные вещества, фазовые переходы второго рода и температура Кюри. Основные методы определения температуры Кюри ферро- и ферримагнетиков по температурной зависимости динамической восприимчивости в слабых полях. Установка для определения точки Кюри.

    курсовая работа [103,2 K], добавлен 16.04.2015

  • Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой.

    реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012

  • Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.

    презентация [150,3 K], добавлен 27.11.2015

  • Понятие и свойства полупроводника. Наклон энергетических зон в электрическом поле. Отступление от закона Ома. Влияние напряженности поля на подвижность носителей заряда. Влияние напряжённости поля на концентрацию заряда. Ударная ионизация. Эффект Ганна.

    реферат [199,1 K], добавлен 14.04.2011

  • Структуры с квантовым ограничением за счет внутреннего электрического поля. Модуляционно- и дельта-легированные структуры. Баллистический транспорт носителей заряда. Схематическая зонная диаграмма квантовой ямы. Строение полупроводниковых сверхрешеток.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 24.04.2014

  • Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015

  • Общая характеристика уровней легирования и схема энергетических уровней кристалла Nd: YAG. Сущность эффекта Штарка. Особенности работы непрерывного Nd: YAG-лазера. Методика расчета средней выходной мощности лазера, работающего в режиме одной моды ТЕМ00.

    реферат [800,8 K], добавлен 28.12.2010

  • Явления оптической и термической перезарядки, их роль в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Особенности оптических переходов при наличии нескольких глубоких и мелких уровней в запрещённой зоне, в основном, при комбинированном возбуждении.

    реферат [35,2 K], добавлен 22.06.2015

  • Разработка источника питания для заряда аккумуляторной батареи, с реализацией тока заряда при помощи тиристорного моста на основе вертикального способа управления. Расчет системы защиты, удовлетворяющей данную схему быстродействием при КЗ на нагрузке.

    курсовая работа [479,8 K], добавлен 15.07.2012

  • Понятие термодинамической температуры. Способы получения низких температур. Принцип работы холодильника. История изобретения холодильных аппаратов и достижений в получении низких температур. Метод получения сверхнизких температур, магнитное охлаждение.

    реферат [21,8 K], добавлен 10.07.2013

  • Предпосылки и история развития процесса открытия электрона. Опыты Томсона и Резерфорда и методы открытия электрона. Метод Милликена: описание установки, вычисление элементарного заряда. Метод визуализации Комптона. Научное значение открытия электрона.

    реферат [362,3 K], добавлен 21.05.2008

  • Определение сопротивления ограничивающего резистора. Расчет максимального тока через стабилитрон. Вычисление мощности, выделяемой на резисторе. Определение изменения напряжения стабилитрона в заданном диапазоне температур. Схема включения стабилитрона.

    контрольная работа [43,4 K], добавлен 19.06.2015

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

  • Сущность понятий "электрический ток", "блок питания", "мультиметр", "вольтметр". Закон Ома для участка цепи. Мгновенное значение напряжения на конденсаторе во время заряда и релаксации. Погрешности косвенных измерений, практический пример их расчета.

    лабораторная работа [68,9 K], добавлен 30.10.2013

  • Особенности проектирования электрического аппарата на базе микропроцессора, способного измерять, регулировать температуру в заданном диапазоне температур. Обзор температурных датчиков. Обоснование выбора. Методы электрического расчета электронагревателей.

    дипломная работа [1,3 M], добавлен 21.09.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.