Исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектриков

Размещено на http://www.allbest.ru/

Исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектриков

Цель работы: исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектриков, экспериментальное наблюдение связи электростатической индукции с напряженностью поля в сегнетоэлектрике, установление зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля.

Приборы и принадлежности: установка для исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков.

Установка для исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков (см. рисунок), используемая в работе, содержит исследуемый образец, представляющий собой конденсатор Сх с диэлектриком из исследуемого сегнетоэлектрика и конденсатор Со с диэлектриком, диэлектрическая проницаемость которого не зависит от напряженности электрического поля (“линейный” конденсатор). Конденсаторы Сх и Со могут быть подключены (будучи соединеными последовательно с помощью П1 и П2).

к источнику постоянного напряжения U1.Конденсатор Сх при необходимости может подключаться к источнику переменного (50 Гц) напряжения U2, обеспечивающего деполяризацию исследуемого образца. Напряжение, снимаемое с потенциометра R2 подается также на полупроводниковый индикатор (на рисунке не показан), по интенсивности свечения которого можно судить о величине деполяризующего напряжения. Заряд на конденсаторе Со измеряется с помощью операционного усилителя ОУ с конденсатором С в цепи обратной связи.

Исследуемые закономерности

Диэлектрики, у которых в определенном интервале температур наблюдаются макроскопические области спонтанной (самопроизвольной) поляризации, называют сегнетоэлектриками. По аналогии с ферромагнетиками области спонтанной поляризации называют доменами. Несмотря на наличие доменов, обладающих макроскопичесской поляризацией, сегнетоэлектрик в целом может быть не поляризован, так как поляризация одних доменов компенсируется противоположно направленной поляризацией других. При наложении внешнего электрического поля происходит как рост самих доменов с направлением поляризации близким к направлению внешнего поля за счет сокращения размеров доменов с существенно отличным направлением поляризации, так и переориентация доменов, что создает эффект очень сильной поляризации.

Именно этим объясняются свойственные сегнетоэлектрикам сверхвысокие (десятки и сотни тысяч) значения диэлектрической проницаемости и нелинейная зависимость электрической индукции поля в веществе сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля.

Зависимость электрической индукции (D) от напряженности (Е) электрического поля называют основной кривой поляризации сегнетоэлектрика. Видно, что при некоторой напряженности поля рост D c увеличением Е становится менее заметным, что соответствует состоянию технического насыщения, когда все домены оказываются ориентированными по полю. Незначительное возрастание индукции на участке насыщения обусловлено процессами индуцированной поляризации. При расширении доменов под действием внешнего поля доменная стенка наталкивается на дефекты кристаллической решетки и примеси и останавливается. При дальнейшем увеличении индукции стенка скачкообразно перемещается дальше. На кривой поляризации эти скачки сглажены.

Основная кривая поляризации сегнетоэлектрика

Для характеристики свойств сегнетоэлектрика используют понятия статической

и дифференциальной

диэлектрической проницаемости. Из основной кривой поляризации видно, что как , так и _д не являются постоянными. Можно определить статическую начальную _н и максимальную _max диэлектрические проницаемости, а также коэффициент нелинейности

.

Наличие нелинейности в сегнетоэлектрике используется для управления емкостью в специальных конденсаторах - варикондах. Нелинейные свойства являются основой для использования сегнетоэлектрика в параметрических усилителях, фазовращателях, умножителях частоты и др. Важнейшим применением сегнетоэлектриков остается использование их в малогабаритных низкочастотных конденсаторах большой удельной емкости.

Методика проведения эксперимента

В работе использован уникальный способ наблюдения кривой поляризации статическим методом. Последовательно с исследуемым конденсатором Сх подключается “линейный” конденсатор Со, емкость которого Со>>Сх. Последовательное соединение конденсаторов реализуется, если оба переключателя П1 и П2 находятся в положении 1. На последовательно соединенные конденсаторы подается постоянное напряжение U1, которое можно менять потенциометром R1 от нуля до некоторого максимального значения U1_max. Так как конденсаторы соединены последовательно, их заряды равны, а напряжение

,

т. е. практически все напряжение U1 приложено к конденсатору Сх. При известном U1 легко найти напряженность поля в конденсаторе Сх

,

где d - расстояние между обкладками конденсатора Сх (указано на панели установки). Учитывая, что D = ?, где ??- поверхностная плотность свободных зарядов, можно, измерив заряд на конденсаторе Со (следовательно на Сх), вычислить значение D для данного значения Е.

,

где С - емкость конденсатора в цепи обратной связи ОУ, S - площадь пластин конденсатора Сх (указаны на панели установки), U - напряжение на выходе ОУ.

Измерение D сследует проводить на деполяризованном диэлектрике конденсатора Сх. Деполяризация проводится следующим образом. Переключатель П2 переводится в положение 2. При этом на конденсатор Сх с потенциометра R2 подается переменное напряжение, величина которого может меняться от U2_max до нуля. Установив с помощью потенциометра R2 максимальное значение U2 (при этом индикатор горит наиболее ярко), плавно уменьшают это напряжение до нуля.

Далее, с помощью потенциометра R1 устанавливают U1 = 0 и только после этого переключатели П1 и П2 устанавливают в положение 1. Полученное состояние сегнетоэлектрика и конденсатора Сх будет характеризоваться значениями D = 0; E = 0; ???????Следующую точку снимают при возможно более низком значении напряжения U1 (не более 5 В). Затем последовательно увеличивают напряжение U1 (через 5 - 10 В) до значения, которое соответствует состоянию насыщения.

Заметим, что кривая поляризации должна сниматься при последовательном изменении напряжения U1 в одном направлении. Попытка скорректировать какое-либо значение U1 в противоположном направлении исказит весь ход кривой и потребует повторения деполяризации.

Задание по подготовке к работе: при подготовке к работе учащийся должен

1) изучить описание работы и продумать ответы на контрольные вопросы;

2) подготовить общую часть отчета по лабораторной работе, содержащую титульный лист, краткое описание исследуемых закономерностей, задачи эксперимента, описание (схема или эскиз) лабораторной установки и методики проведения эксперимента;

3) подготовить протокол наблюдений с соответствующими таблицами.

Указания по проведению наблюдений

1. Включить измерительную установку.

2. Переключатели П1 и П2 перевести в положение 2.

3. Нажатием кнопки К разрядить конденсатор С, установив тем самым “0” на выходе ОУ

4. Деполяризовать сегнетоэлектрик конденсатора Сх, для чего установить потенциометром R2 максимально напряжение U2 и, плавно уменьшая, довести его до нуля, ориентируясь на яркость свечения индикатора.

5. Установить переключатели П1 и П2 в положение 1, зарядив теме самым конденсаторы Сх и Со.

6. Нажатием кнопки К проверить наличие нуля на выходе ОУ.

7. Переключатель П1 перевести в положение 2, что соответствует измерению заряда на конденсаторе Со (Сх) и записать максимальное значение (U_i) изменения выходного напряжения ОУ.

8. Наблюдения по п. 3, 4, 5, 6, и 7 выполнить, плавно увеличивая напряжение U1 через 5 - 10 В до состояния насыщения сегнетоэлектрика.

Задание по обработке результатов

1. Рассчитать значения величин напряженности E_i и индукции D_i электрического поля, пользуясь соответствующими формулами описания и данными на панели установки. Построить основную кривую поляризации сегнетоэлектрика.

2. Построить зависимости статической и дифференциальной диэлектрических проницаемостей от напряженности электрического поля. Оценить коэффициент нелинейности исследуемого сегнетоэлектрика, как отношение значения максимальной статической диэлектрической проницаемости к ее начальному значению.

электрический поле индукция сегнетоэлектрика

Контрольные вопросы

Чем объясняется нелинейная зависимость вектора поляризации сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля?

Оцените емкость сегнетоэлектрического конденсатора, исследуемого в данной работе, при напряжении на нем 50 В.

Чем объясняется рост индукции D c ростом напряженности Е в области технического насыщения?

Что такое начальная диэлектрическая проницаемость?

Что произойдет, если значения емкостей Со и С изменить?

Что такое коэффициент нелинейности?

Размещено на Allbest.ru