Оптические и магнитооптические свойства тонких пленок Zn0,99Mn0,01O
Анализ оптической плотности пленок Zn0,99Mn0,01O при температурах Т = 78К и 300К. Сравнение спектров фотолюминесценции и оптической плотности пленок. Анализ спектра магнитного кругового дихроизма пленки Zn0,99Mn0,01O дополнительно легированной азотом.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 22.06.2015 |
| Размер файла | 176,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Оптические и магнитооптические свойства тонких пленок Zn0,99Mn0,01O
И.Р. Гапдулхаков , В.О. Пеленович, А.В. Яшин
Национальный Университет Узбекистана, Ташкент, Узбекистан.
Отдел теплофизики АН РУз., Ташкент, Узбекистан.
Тонкие (200300nm) пленки Zn0,99Mn0,01O, легированные и не легированные азотом, были выращены на кварцевых подложках методом ультразвукового распыления водного раствора ацетатов [1]. На рис.1 представлены спектры оптической плотности, измеренные при температурах Т = 78 и 300К (на вставке) на пленках Zn0,99Mn0,01O, легированных и нелегированных азотом. Оптическое разрешение экспериментальной установки [2] в исследуемой области спектра составляет E = 11мэВ.
Рис. 1. Оптическая плотность пленок Zn0,99Mn0,01O при температурах Т = 78К и 300К
На рис.2 сравниваются спектры фотолюминесценции и оптической плотности для тех же пленок при температуре Т=78К. В спектре фотолюминесценции образца нелегированного азотом самая мощная линия излучения - линия свободного экситона А, хорошо совпадает с первым максимумом полосы поглощения образца легированного азотом.
Пики оптического поглощения наблюдаемые при 3,38 и 3,42 эВ для пленки нелегированной азотом и пики при 3,37 и 3,41 эВ для пленки легированной азотом принадлежат свободным экситонам А и В и их возбужденным состояниям, третьи максимумы лежащие при 3,46 и 3,47 эВ, по-видимому, принадлежат свободному экситону С [3]. Краю поглощения при температуре 78К для обеих пленок соответствует 3,36 эВ.
Рис. 2. Спектры фотолюминесценции и поглощения Zn0,99Mn0,01O, нелегированногои легированного азотом, измеренные при Т = 78К
оптический магнитооптический свойство пленка
На рис.3 показан спектр МКД, измеренный при комнатной температуре вблизи края поглощения для пленки Zn0,99Mn0,01O дополнительно легированной азотом.
Рис. 3. Спектр МКД пленки Zn0,99Mn0,01O легированной азотом измеренный при Т = 300К. Для сравнения приведен спектр МКД пленки Zn0,98Mn0,02O из [4]
Оптическое разрешение используемого магнитооптического спектрометра в исследуемой области спектра не превышало E = 6 мэВ. Полученный спектр МКД сравнивается с МКД пленки Zn0,98Mn0,02O выращенной на сапфире [4]. Наблюдается хорошее совпадение по величине сигнала МКД. Максимальная величина полученного МКД составила ~ 3 град/м*Э при энергии 3,32 эВ (374 нм).
Литература
1. Sh.U. Yuldashev, G.N.Panin, T.W. Kang, R.A. Nusretov, I.V. Khvan, J.Applied Physics 100, 013704 (2006).
2. U.V. Valiev, J.B. Gruber, B. Zandi, U.R. Rustamov, A.S. Rakhmatov, D. R. Dzhuraev, N. M. Narzullaev, Phys. Stat. Sol. (b) 242, 933 (2005).
3. A. Teke, Ь. Цzgьr, S. Dogan, X. Gu, and H. Morkoз, Phys. Rev. B 70, 195207 (2004).
4. J. R. Neal, A. J. Behan, R. M. Ibrahim, H. J. Blythe, M. Ziese, A. M. Fox, and G. A. Gehring, Phys. Rev. Lett. 96, 197208 (2006).
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Основные модели токопереноса и фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. Технология получения и физические свойства тонких пленок PbS. Вольтамперные характеристики пленок сульфида свинца. Температурные зависимости образцов PbS31.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 19.01.2012Анализ физических свойств перовскитов, в которых сосуществуют электрическая и магнитная дипольные структуры. Общая характеристика пленок феррита висмута BiFeO3. Особенности взаимодействия электромагнитной волны и спиновой подсистемой магнитного кристалла.
реферат [512,3 K], добавлен 20.06.2010Тонкопленочные слои; назначение тонких пленок, методы их нанесения. Устройство вакуумного оборудования для получения тонких пленок. Основные стадии осаждения пленок и механизмы их роста. Контроль параметров технологических процессов и осажденных слоев.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 11.09.2014Исследование методами комбинационного рассеяния света ультрананокристаллических алмазных пленок. Влияние мощности лазерного излучения на информативность спектров. Перспективность UNCD пленок как нового наноматериала для применения в электронике.
курсовая работа [3,9 M], добавлен 30.01.2014Явление кругового дихроизма. Методы анализа спектров кругового дихроизма белков. Инфракрасные спектры поглощения белков. Поглощение белков в ИК-области. Методы анализа ИК-спектров белков. Работа с пакетом программ STRUC по анализу ИК-спектров белков.
методичка [141,1 K], добавлен 13.12.2010Оптические свойства полупроводников. Механизмы поглощения света и его виды. Методы определения коэффициента поглощения. Пример расчета спектральной зависимости коэффициента поглощения селективно поглощающего покрытия в видимой и ИК части спектра.
реферат [1,2 M], добавлен 01.12.2010Способы нанесения оксидных пленок. Физические основы работы магнетронных распылительных систем. Особенности нанесения оксидов дуальной магнетронной распылительной системы. Процессы роста и параметры тонких пленок. Ионно-плазменная установка "Яшма".
дипломная работа [2,8 M], добавлен 15.06.2012Зависимость оптической плотности от концентрации вещества в растворе и толщины поглощающего слоя. Ознакомление с устройством и принципом работы спектрального прибора, его назначение; определение плотности и концентрации вещества на спектрофотометре.
лабораторная работа [34,1 K], добавлен 05.05.2011Сущность понятий магнетизма, ферромагнетизма, магнитной анизотропии, доменов. Анализ явления гистерезиса в ферромагнетике, перехода из парамагнетика в ферромагнетик и природа ферромагнетизма. Методы исследования тонких ферромагнитных пленок, их сравнение.
дипломная работа [6,5 M], добавлен 05.11.2009Сущность полиморфизма, история его открытия. Физические и химические свойства полиморфных модификаций углерода: алмаза и графита, их сравнительный анализ. Полиморфные превращения жидких кристаллов, тонких пленок дийодида олова, металлов и сплавов.
курсовая работа [493,4 K], добавлен 12.04.2012Компьютерное исследование поведения ультратонких пленок аргона, сжатых между алмазными поверхностями с периодическим атомарным рельефом. Его сравнение с поведением ультратонких пленок воды и аргона, заключенных между гладкими и шероховатыми пластинами.
дипломная работа [6,5 M], добавлен 27.03.2012Сущность закона преломления света. Условие максимума и минимума интерференции. Соотношение для напряженностей падающей и отраженной волны. Определение скорости уменьшения толщины пленки. Сущность оптической длины пути и оптической разности хода.
контрольная работа [68,4 K], добавлен 24.10.2013Прохождение тока через электролиты. Физическая природа электропроводности. Влияние примесей, дефектов кристаллической структуры на удельное сопротивление металлов. Cопротивление тонких металлических пленок. Контактные явления и термоэлектродвижущая сила.
реферат [24,0 K], добавлен 29.08.2010История развития устройств хранения данных на магнитных носителях. Причины появления доменов, а также запоминающие устройства на тонких магнитных пленках. Доменная структура тонких магнитных пленок. Запоминающие устройства на гребенчатых структурах.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 23.12.2012Составление схемы установки для исследования энергетической и кристаллохимической структуры твердого тела методом изучения во внешних полях. Принцип действия используемых установок, получение спектров поглощения, результаты измерений и их обсуждение.
реферат [268,2 K], добавлен 30.06.2009Физические процессы, лежащие в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС). Механизмы ЭОС, область ее применения. Относительная вероятность проявления оже-эффекта. Глубина выхода оже-электронов. Анализ тонких пленок, преимущества ионного распыления.
реферат [755,3 K], добавлен 17.12.2013Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.
курсовая работа [548,5 K], добавлен 29.04.2014Применение фотоколориметрии в биологии, медицине, фармации. Природа и основные характеристики оптического излучения, закономерности поглощения света веществом. Понятие об оптической плотности, светопропускании, светопоглощении. Схема фотометра КФК-3.
методичка [374,7 K], добавлен 30.04.2014Получение, применение функциональных пленок характеризуется ростом в отраслях промышленности и занимает ключевые позиции. Особенно это относится к электронной технике, где тонкие пленки являются элементами устройств крупносерийного производства.
дипломная работа [94,4 K], добавлен 09.06.2008
