Дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію - кремній та метал-кремній

х [ exp (qV/ kT) - exp (-qV/ kT]] ^{(LM/ LM+1)} [ exp (qV/ kT) -1] ^{(1/ LM+1)} ,

де A ^**- модифікована постійна Річардсона, Т - температура, S - площа контакта, Ц_а - висота потенційного бар'єру метал-кремній, Ц_b - висота потенційного бар'єру дислокації, V - величина зовнішньої електричної напруги, к - постійна Больцмана.

Вираз (2) можна застосовувати при розрахунку вкладу однієї дислокації у результуюче струмоперенесення в контактах метал-кремній з бар'єром Шоткі.

Для створення діодних структур метал-хімічно модифікований р-кремній з поверхні окисленого р-кремнію віддаляли шар діоксида кремнію, далі поверхня кремнію оброблялась селективним хімічним травником Сіртля або Секо до отримання дислокаційних сіток та острівків субмікронного та наноструктурованого кремнію. Методом термичного напилення в вакуумі наносився шар металу (паладію) товщиною до 500 мкм з послідуючою літографією з метою отримати окремі діоди Шоткі та відпалом при температурах від 523 К до 573 К. На рис.13 наведена типова вольт-амперна характеристика вивчаємих діодних структур при прямих та зворотніх електричних напругах.

Встановлено, що прямий струм змінюється з електричною напругою як I ~ U ² , а зворотний струм змінюється з напругою як I ~ exp (б |U|), тобто при прямих електричних напругах властивості бар'єру Шоткі не впливають на процес струмоперенесення. На цей процес впливає механізм подвійної інжекції дірок з р-кремнію та електронів з металевого контакту в область острівкового кремнію. Зворотний струм має експоненційний характер залежності від електричної напруги, що свідчить про вплив властивостей бар'єру Шоткі та дислокаційних бар'єрів на результуюче струмоперенесення. Рухливість дірок м_p можна розрахувати, якщо застосувати вираз для зворотного струму насичення в межах дрейфово-дифузійної теорії

м _p = J _p ее ₀ q ^-2 N -²_d W exp[Ц _b/kT], (3)

де J _p - густина зворотного струму в насиченні, е - діелектрична постійна кремнію, е ₀ - - електрична постійна , q - заряд електрону, N _d - концентрація дірок, W - ширина зони просторового заряду, Ц _а - висота потенційного бар'єру метал-хімічно модифікований р- -кремній, T - температура.

Для висоти потенційного бар'єру паладій -хімічно модифікований р-кремній (КДБ-10 (100) Ц _а = 0,74 эВ та для всіх вищенаведених параметрів і для експериментально отриманого зворотного струму при T = 300 K можна отримати значення рухливості м _p= 0,24·10-⁴ м²/Всек. Це отримане значення рухливості дірок приблизно на три порядка менше, ніж у випадку звичайного бездислокаційного кремнію. Цей факт може знайти своє пояснення, коли згадати, що в просторовій області кремнію розташовані дислокаційні сітки, які складаються з 60⁰ дислокацій з густиною до 10¹⁰ м^-2, при взаємодії з якими рухливість значно зменшується. Значення рухливості дірок в р-кремнію з дислокаціями можна отримати, якщо застосувати прямий розрахунок у відповідності з теорією розсіяння на дислокаціях та з врахуванням взаємного розташування дислокацій і напрямком руху дірок за виразами

м _pq = q ф _p (m ^*) ^-1 , ф _pq =(3/8)(10 R N v ) -¹ ,м_p ^-1 = м ^-1_pq + м _qf -¹ , (4)

де ф _pq - середній час при розсіянні дірок на дислокаціях, m ^* - ефективна маса дірок, R - радіус просторового заряду дислокації, N - густина дислокацій, v - теплова швидкість дірок, м_p - результуюча рухливість дірок, м _qf - рухливість дірок при розсіянні на фононах. Розрахунок у відповідності із виразами (4) давав значення рухливості м _p = 0,4 ·10-⁴ м ² /В с, що добре співпадає в межах похибки з результатами, які експериментально отримані.

Вивчення електрофізичних властивостей діодних структур метал-хімічно модифікований р-кремний дало можливість отримати інформацію про механізми струмоперенесення в присутності розвинутої дефектної структури та отримати значення рухливості носіїв заряду.

У четвертому розділі - «Процеси дефектоутворення в кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних системах» наведено результати експериментальних досліджень процесів дефектоутворення в польових МОН- та pin-фотоприймальних приладних системах. Визначено основні дефектозалежні параметри приладних систем та механізми впливу на них різного типу мікро- та макродефектів. Запропоновано фізико-математичну модель струмоперенесення в польових МОН-системах з врахуванням реальної структури каналу, де здійснюється струмоперенесення.

Враховуючи те, що структури діоксид кремнію-кремній та метал-кремній складають невід'ємну частину кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем, то всі основні процеси дефектоутворення в цих структурах характерні для даних систем.

При проведенні експериментальних досліджень процесів дефектоутворення в польових МОН-системах, характеристики яких суттєво відрізнялись від теоретично розрахованих, встановлено, що в канальній приповерхневій області кремнію (у підзатворній області) присутній сильно розупорядкований шар кремнію та шар кремнію, який вміщував дислокаційні сітки. При більш детальному розгляді цієї підзатворної області кремнію після віддаленя затворної металізації та діоксида кремнію спостерігався стрибок рівня щільності станів захоплення електронів, який спостерігався при дослідженні структур діоксид кремнію- кремній і пояснювався присутністю стрибка рівня механічних напружень в процесі окислення при прискореній дифузії атомів кисню вздовж дислокацій. Товщини шарів розупорядкованого кремнію та кремнію, який вміщює дислокаційні сітки, залежать від рівня механічних напружень та деформацій в цій області, який залежить, крім всіх інших параметрів, від товщини нанесеного металу та товщини діоксида кремнію. У переважних випадках товщина шару розупорядкованого кремнію складала лише біля 10 % від всієї ширини перехідної області кремнію. Встановлено, що залежність струму в польовій МОН-системі від наявності дефектів в каналі відбувається, коли в цій області рухливість носіїв заряду при розсіянні на дефектах стає рівною рухливості при розсіянні на фононах, на межі поділу діоксид кремнію- кремній та на іонізованих домішках, а на порогову напругу переважно впливають дефектні стани на межі поділу діоксид кремнію-кремній. На величину струму в польовій МОН-системі також впливає величина омічного опору контактів стоку та істоку. При дослідженні шарів кремнію під металевими омічними контактами спостерігалась поява шарів розупорядкованого кремнію і шарів, які вміщували дислокаційні сітки з густиною дислокацій до 10¹² м^-2, що суттєво впливає на омічність контактів. Ширина області розупорядкованого кремнію та області з дислокаційними сітками залежала від рівня механічних напружень та деформацій, які визначались параметрами металу, кремнію, параметрами процесу іонного легування та наявністю дефектів у вихідному кремнію.

Враховуючи складну структуру перехідної області кремнію в стуктурах діоксид кремнію- кремній, запропоновано модель струмоперенесення в польових МОН-системах в наближенні плавного каналу та з врахуванням постійного значення рухливості носіїв заряду у кожному шарі перехідної області кремнію. Вираз для струму стоку I _d має вигляд

I _d = W L^-1 V_d (V _g - V _t) C _i ( У м _i d _i ), (5)

де W L^-1 - відношення ширини каналу до його довжини, V_d - стокова електрична напруга, V_g - затворна електрична напруга, V_t - порогова напруга, C_i - емність діоксида кремнію, м_i d_i - - добуток рухливості в i-му шарі на його товщину.

Отриманий вираз дозволив аналізувати різні складові струму в залежності від геометрічних розмірів та значень рухливості у кожному шарі перехідної області кремнію.

При дослідженні причин відхилу основних параметрів кремнієвих pin-фотоприймальних систем, таких як коефіцієнт підсилення струму та квантова ефективність, від теоретично розрахованих параметрів встановлено присутність за межою фронту дифузії легуючої домішки бору в високоомній i-області наявність дефектів у вигляді розупорядкованого кремнію та дислокаційних сіток, густиною до 10¹⁰ м-². Причиною появи дефектів є механічні напруження, які призводять до пластичної деформації кремнію і які утворюються внаслідок значного локального перевищення концентрації легуючою домішки середніх значень та внаслідок наявності макродефектів у вихідному кремнію. Розрахунки часу життя та часу релаксації носіїв заряду в кремнію показують, що при такій виявленій густині дислокацій відбувається найбільший вплив макродефектів типу дислокацій на вищенаведені параметри pin-фотоприймальних систем. Крім вищенаведених дефектів, спостерігалась поява макродефектів у вигляді дефектів шаруватої недосконалості, причиною появи яких є шарувата структура пластин високоомних епітаксіальних структур, яка виникає внаслідок недосконалності процесу вирощування високоомного епітаксіального шару. Точкові мікродефекти можуть впливати на параметри кремнієвих pin-систем як прямо, утворюючи генераційно-рекомбінаційні стани у забороненій зоні кремнію, які впливають на час життя носіїв зарядів, так і непрямо, змінюючи параметри структурних макродефектів типу дислокацій. Наприклад, атом кисню, який локалізується біля ядра 60⁰ дислокації, взаємодіє з «ненасиченим» зв'язком дислокації і утворює донорний центр за схемою

O_m + V _si = O _si , O _si + Z = O²⁺_si Z _n^- +e ^-1 , (6)

де O_m - атом міжвузольного кисню, O_si - атом кисню у вузлі кристалічної гратки кремнію, V_{s i} - - вакансія кремнію, Z - «ненасичений» зв'язок, який розташован коло атома вузольного кисню. Перша реакція переводить атом міжвузольного кисню в атом вузольного кисню. Друга реакція показує, як атом вузольного кисню з'єднується з «ненасиченим» зв'язком. В результаті такої взаємодії первісний стан енергетичного рівня «ненасиченого» зв'язку дислокації у зобороненій зоні кремнію змінюється, що впливає на функцію заповнення «ненасичених» зв'язків дислокації та радіус просторового заряду дислокації та, як наслідок, змінює рухливість носіїв заряду при розсіянні на дислокаціях та результуючу рухливість.

Встановлено, що енергетичні рівні (кисень + вузли перетину дислокацій у сітці) пов'язані з виникненням енергетичних рівнів у зобороненій зоні кремнію D ₁ та D₂ , а рівні D ₃ та D ₄ проявляються при дослідженні фотолюмінесцентних спектрів, пов'язаних з 60⁰ одничними дислокаціями, на положення яких впливають атоми кисню. Таким чином, на параметри pin-фотоприймальних систем точкові мікродефекти впливають як прямо, так і непрямо, враховуючи взаємодію точкових та макродефектів типу дислокацій, в результаті якої електрична активність макродефектів типу дислокацій змінюється, що впливає на процеси розсіяння носіїв заряду дислокаціями та результуючу рухливість носіїв заряду.

У п'ятому розділі - «Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем» - наведені результати практичного використання проведених досліджень процесів дефектоутворення у вихідному монокристалічному, епітаксіальному кремнію, структурах діоксид кремнію-кремній та приладних польових МОН- та pin-фотоприймальних систем на їх основі. Аналізуються вимоги щодо властивостей вихідного кремнію, структур діоксид кремнію- -кремній. Показано, що присутність у вихідних кремнієвих пластинах дендритів, двійникових ламелей та дефектів шаруватої недосконалості не припустима, а критична густина не преципітованих дислокацій в структурах діоксид кремнію-кремній та приладних системах не повинна перевищувати 10¹² м- ² . Наведені основні методи гетерування дефектів у вихідному кремнію, структурах діоксид кремнію-кремній та причини довгочасової і катастрофічної деградації параметрів польових кремнієвих МОН- та pin-фотоприймальних систем. Встановлено, що найкращим методом гетерування дефектів у вихідному кремнії є метод термообробки в наступних режимах: для відпалу власних вакансійних дефектів застосовується відпал при температурах 423 К873 К. При таких температурах найбільш ймовірним є процесс взаємодії міжвузольних атомів кремнію з вакансіями кристалічної гратки кремнію, який призводить до активованного переміщення міжвузольного атома у напрямку кремнієвої вакансії; для відпалу дефектів типу атом домішки - вакансія (в залежності від типу атомів домішки) застосовується відпал в інтервалі температур 673 К873 К. При таких температурах дефекти типу «атом домішки - вакансія» розпадаються та підвищується ймомірність активованого переміщення атомів домішки у вузли кристалічної гратки кремнію з послідуючою електричною активацією домішкових атомів. Для гетерування дефектів типу дислокацій та дефектів пакування пластини кремнію необхідно попередньо окислити при температурі біля 1173 К з послідуючим віддаленням діоксида кремнію. Запропонований метод дозволить видаляти зруйнований при технологічній обробці шар на поверхні кремнію та преципітовані на поверхні кремнію домішкові атоми. Для отримання шарів діоксида кремнію з добрими діелектричними та механічними характеристиками застосовують метод окислення поверхні кремнію в атмосфері сухого кисню з додаванням сухого HCl або трихлоретілену. Атоми хлору, які з'єднуються з атомами лужних металів у діоксиді кремнію, утворюють солі лужних металів, які не є електрично активними, а водень пасивує енергетичні стани ,що призводить до зниження рівня фіксованого та рухливого заряду у діоксиді кремнію та на межі поділу діоксид кремнію-кремній. Зроблено висновок, що найбільш оптимальна з точки зору мінімальної густини поверхневих станів та пробівної напруги є витрата трихлоретілену 6 л /год (Таблиця).

Таблиця Залежність пробівних електричних напруг та густини поверхневих станів від величини расходу трихлоретілену.

Процеси катастрофічної деградації параметрів кремнієвих польових МОН та pin- -фотоприймальних систем залежать від дефектності вихідних кремнієвих пластин та обумовлені процесами взаємодифузії атомів, що приведе до виникнення інтерметалічних та силіцидних сполук, які змінюють механічні та електрофізичні властивості струмопровідних з'єднань та приконтактних областей (рис. 15). Процеси катастрофічної деградації параметрів також пов'язані з недоліками технологічних процесів виготовлення приладів, таких як фотолітографія та металізація. У місцях розташування дефектів спостерігається підвищена адгезія металу до кремнію. На межі кремній-метал відбувається накопичення механічних напружень, величина яких може доходити до порогу пластичної течії кремнію та металу, що приведе до руйнування контактного з'єднання та струмопровідних доріжок. При утворенні інтерметалевих та силіцидних сполучень в місцях контактних з'єднань погіршуються їх механічні властивості, що при зовнішніх механічних впливах призводить до катастрофічного руйнування контактного металевого з'єднання. Процеси довгочасової деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin- -фотоприймальних систем, в основному, пов'язані з процесами дифузії іонів лужних металів на межу поділу діоксид кремнію-кремній, з процесами електричної активації мікродефектів типу кисню та з процесами зміни електричної активності макродефектів внаслідок процесу взаємодії макродефектів з мікродефектами (по схемі, наведеній за виразом 6).

Запропоновано технологію виготовлення детекторів поглиненої дози іонізуючих випромінювань, яка базується на властивостях кремнієвих МОН-структур при дії іонізуючого випромінювання накопичувати у діоксиді кремнію та на межі поділу діоксид кремнію- кремній позитивний заряд, який модулює провідність області просторового заряду в кремнію.

Технологія виготовлення детекторів іонізуючого випромінювання на основі використання польових МОН-систем включає додаткові технологічні операції та операції контролю, які дозволяють отримати прилади з такими радіаційними та термопольовими параметрами: польові кремнієві МОН-системи кільцевої топології з параметрами каналу: (W / L) = 100, де (W / L) - відношення ширини каналу до його довжини, легування під омічні контакти п⁺ ~ 2 10²⁴ м-³, товщина шару діоксиду кремнію ? 1мкм, коефіцієнт радіаційної чутливості не меньш - 3 мВ / рад (для гама випромінювання), коефіцієнт температурної нестабільності не більш 10 мВ / град (у режимі постійного струму сток-істок - 55 мкА), що в декілька разів краще, ніж у кращих закордонних аналогів.

ВИСНОВКИ

Сукупність наукових результатів, одержаних, сформульованих та обґрунтованих у дисертаційній роботі, складає вирішення проблеми з'ясування закономірностей процесів дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній та метал-кремній та приладних системах на їх основі.

У дисертаційній роботі були отримані такі результати:

1. За допомогою сучасних методів досліджень встановлено, що процес дефектоутворення на поверхні кремнію при термічному окисленні пов'язаний з процесом накопичення механічних напружень, які призводять до пластичної деформації, рівень якої залежить від параметрів процесу окислення, параметрів утвореного діоксида кремнію та кремнію, товщини діоксида кремнію та наявності вихідних структурних дефектів. В процесі окислення існує можливість прискоренної дифузії атомів кисню вздовж структурних макродефектів типу дислокацій, що призводить до появи додаткових механічних деформацій за основним фронтом дифузії кисню.

2. Виконаний порівняльний аналіз процесів дефектоутворення у монокристалічному та епітаксіальному кремнію дозволив встановити, що основним видом дефектів є дислокації, преципітовані домішками (в основному, киснем), дефекти пакування (преципітація не спостерігалась). Макродефекти у вигляді дендритів складались з атомів лужних металів або їх солей. Двійникові ламелі складались із міжвузольних атомів кремнію. Дефекти шаруватої недосконалості спостерігались у вигляді концентричних кілець, в центрі яких були розташовані структурні макродефекти. Причиною появи картини дефектів шаруватої недосконалості є шарувата структура кремнієвих пластин.

3. Вперше запропоновано та апробовано метод підвищення ефективності виявлення дефектів, який полягає у використанні попередньої хімічної обробки пластин кремнію в суміші Каро та перекисноаміачному розчині перед обробкою у селективному хімічному травнику та з наступним використанням електронної скануючої мікроскопії. Використання такої попередньої обробки дозволило підсилити процеси окислення з послідуючим поліпшенням процесу травлення утвореного оксиду кремнію.

4. Основним механізмом, який призводить до характерної поведінки спектрів фотолюмінесценції, які вперше спостерігались при опромінені хімічно модифікованої поверхні кремнію в районі знаходження дислокаційних сіток, є ефекти, пов'язані з внутрішньо-центровою рекомбінацією (але не екситонною, оскільки для неї характерні часи життя носіїв зарядів більш за 100 нс) в області сильного спотворення кристалічної гратки в присутності вбудованого електричного поля.

5. Присутність області сильно розупорядкованого кремнію в структурах діоксид кремнію- -кремній призводить до появи енергетичних станів в забороненій зоні кремнію, на яких під дією іонізуючих випромінювань локалізується додатковий (по відношенню до заряду в діоксиді кремнію) позитивний радіаційно-індукований заряд. Двухступеневий процес відпалу радіаційно-індукованого заряду після припинення дії іонізуючого випромінювання є доказом запропонованого механізму утворення цього заряду і ролі приповерхневої області кремнію в цьому процесі.

6. Однією з причин утворення іоннозалежної деградації параметрів структур діоксид кремнію- кремній є іони лужних металів (натрію або калію), які переміщувались з вихідного кремнію на межу поділу діоксид кремнію-кремній в процесі окислення або в процесі роботи приладів. Атоми лужних металів можуть утворювати дендритні сполуки або локалізуватись у районі розташування структурних макродефектів у вихідному кремнію.

7. Аморфний діоксид кремнія вміщує в якості дефектів кристаличні включення - кристобаліти, які преципітовані атомами домішок, які змінюють зарядові властивості діоксида кремнію при дії зовнішніх електричних напруг та радіаційного опромінення.

8. Процес дефектоутворення, який спостерігався в структурах метал-кремній, пов'язан з процесом накопичення механічних напружень в процесі металізації, величина яких залежить від параметрів металу та кремнію, товщини металу та наявності вихідних макродефектів типу дислокацій, вздовж яких спостерігався процес прискореної дифузії атомів металу, що призводило до появи додаткових механічних напружень за фронтом основної дифузії. Перехідна область кремнію на межі поділу метал-кремній складається з області розупорядкованого кремнію та області, яка вміщує дислокаційні сітки. На межі областей розупорядкованого кремнію та області дислокаційних сіток вперше спостерігався стрибок густини рівнів захоплення електронів, який виникає внаслідок стрибка рівня механічних напружень та деформацій і обумовлюється процесами прискореної дифузії атомів металу вздовж дислокацій за фронтом дифузії атомів металу. Ширина перехідної області кремнію залежить від рівня механічних напружень та деформацій, які локалізуються на межі поділу метал-кремній та в самій перехідній області кремнію.

9. Проведено фізико-математичне моделювання процесу струмоперенесення в структурах метал-кремній в межах існуючих модельних уявлень та наближень та з врахуванням реальної структури перехідної області кремнію, яка складається з розупорядкованої області та області дислокаційних сіток. Отримані математичні вирази дозволяють врахувати вклад у результуюче струмоперенесення як системи дислокаційних сіток, так і одиничної дислокації.

10. Використовуючи результати вимірювання вольт-амперних характеристик контактів метал-хімічно модифікований кремній здійснено розрахунок значень рухливості носіїв зарядів у присутності дислокаційних сіток, який з доброю точністю співпадає з даними прямого розрахунку рухливості носіїв зарядів у відповідності з теорією Риду. Зроблено висновок, що прямий струм крізь структуру метал-р-кремній добре описується процесом подвійної інжекції із металевого контакту та об'єму кремнію, а зворотний струм обмежений властивостями бар'єру Шоткі. 11. Використовуючи результати експериментальних досліджень структури приповерхневої області кремнію в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній вперше розроблена фізико-математична модель струмоперенесення в реальних польових МОН-системах. В основу моделі покладено експериментально встановлений факт існування в приповерхневій області шарів кремнію різної структури та різної провідності. Отриманий вираз для струму стоку можна використовувати для будь якої кількості шарів у приповерхневій області кремнію з різною провідністю.

12. Точкові мікродефекти впливають на параметри польових МОН- та pin-фотоприймальних систем як прямо, створюючи систему генераційно-рекомбінаційних рівнів в забороненій зоні кремнію, що змінює час життя неосновних носіїв заряду, так і опосередковано, впливаючи на параметри макродефектів, що змінює їх електричну активність і призводить до зміни часу вільного пробігу та результуючої рухливості носіїв заряду.

13. Процеси катастрофічної та довгочасової деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем залежать від дефектності вихідних пластин кремнію, процесів взаємодифузії атомів, що призводе до виникнення інтерметалевих та силіцидних сполук, які змінюють механічні, електрофізичні властивості струмопровідних з'єднань та приконтактних областей.

14. Для отримання детекторів поглиненної дози іонізуючих випромінювань на основі використання польових кремнієвих МОН-систем з необхідними високими радіаційно- -чутливими та термостабільними параметрами необхідно використати технологічні операції хлорного окислення, температурного відпалу, які нейтралізують та стабілізують рухливий заряд позитивно заряджених іонів лужних металів в діоксиді кремнію та гетерують дефекти у вихідному кремнію.

СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Кулинич О.А. О повышении выявляющей способности избирательного травления монокристаллов кремния / О.А. Кулинич, А.А. Лисовская, Н.Н. Садова // УФЖ. - 1990.- т.35, № 11.- С.1691 - 1694.

2. Кулинич О.А. Вплив структурних дефектів у приповерхневих шарах кремнію на рухливість носіїв заряду в каналі МОН-транзисторів та порогову напругу / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Н.Н. Садова // УФЖ.- 2002. - т. 47, № 8.- С. 779 - 783.

3. Кулинич О.А. О связи фотолюминесцентных свойств пористого кремния с его реальной структурой / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Н.Н. Садова // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2004.- № 7. - С. 96 - 99.

4. Кулинич О.А. Влияние дефектов на коэффициент усиления фототока и квантовую эффективность кремниевых фотоприёмников / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2005. - № 5. - С. 101 - 106.

5. Kulinich O. The mechanism of formation and properties of stratified- inhomogeneity defects in silicon / Oleg Kulinich // Russian Physics Journal.- 2006.- v.49, # 3.- P. 233 - 238.

6.Кулініч О.А. Дослідження приповерхневих шарів кремнію при його окисленні / О.А. Кулініч, М.А. Глауберман // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - №1.- С.65 - 68

7. Моделювання процесу струмопереносу в реальних структурах метал-кремній з бар'єром Шоттки / В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, І.Р.Яцунский // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - № 4. - C.656 - 660.

8. Вплив структурних дефектів у приповерхневих шарах кремнію на перетворювальні властивості інжекційно-інверсійної магніточутливої структури / М.А. Глауберман, О.А. Кулініч, В.В. Єгоров, Н.А. Каніщева, В.В. Козел // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - т. 5, № 1.- С. 38 - 43.

9. Вплив дефектів на розподіл концентрації легуючої домішки та дефектоутворення при легуванні кремнію / В.А. Сминтина., О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, Е.Т. Роговська, Г.Г. Чемересюк, І.Р. Яцунський, О.В. Свіридова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - т.8, № 4. - С. 698 - 702.

10. Кулініч О.А. Вольт-амперні характеристики структур мета-хімічно-модифікований кремній-p-кремній / О.А. Кулініч // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006.- т.7, № 4.- С.771-774.

11. Кулинич О.А. Механизм возникновения и свойства дефектов слоистой неоднородности в кремнии Известия вузов. Физика.- 2006.- № 3. - С.3 - 7.

12. Кулинич О.А. Исследование приповерхностных слоёв кремния в структурах SiO₂-Si

/ О.А Кулинич, М.А. Глауберман, Н.Н. Садова // Известия вузов. Физика.-2003.- № 10. - С. 63 - 66.

13. Кулинич О.А.Исследование причин катастрофической деградации параметров кремниевых сенсоров на основе МОП-транзисторов / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман // Сенсор.- 2004. - № 1. - С. 29 - 32.

14. Кулинич О.А.Связь параметров и структурного совершенства кремниевых pin- фотоприёмников. Физика. - 2004.- № 12. - С. 47 - 53.

15. Кулинич О.А.Исследование фотолюминесцентных свойств химически-модифицированной приповерхностной области кремния в структурах оксид кремния-кремний / О.А. Кулинич // Сенсор.- 2004.- № 2. - С.13 - 16.

16. Порівняльний аналіз механізмів дефектоутворення в кремнії при іонному легуванні та оксидуванні / В.А. Сминтина., О.А. Кулініч, І.Р.Яцунський, М.А. Глауберман // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - т.9, № 4. - С.701 - 706.

17. Кулинич О.А. Моделирование процесса токопереноса в реальной полевой приборной структуре диоксид кремния-кремний с инверсионным каналом / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына // Сенсор. - 2005. - № 2.- С.49 - 53.

18. Исследование механизма изменения радиационной чувствительности дозиметров поглощенной дозы ионизирующих излучений на основе структур металл-диоксид кремния- кремний / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Г.Г.Чемересюк, И.Р. Яцунский // Сенсор. - 2005. - № 4.- С.18 - 23.

19. Investigation of the causes of silicon MOS-transistor parameters catastrophic degradation / O. Kulinich., M. Glauberman, G. Chemeresuk, I. Yatsunsky// Sensor electronics and microsystems technology. - 2005.- № 1.- P. 85 - 89.

20. Поріг пластичної течії в напівпровідниковому кремнії. Чинники впливу / О.А. Кулініч, В.А. Сминтина, О.В. Свірідова, М.А.Глауберман // Фізика і хімія твердого тіла.- 2009. - т.10, № 3. - С.542 - 546.

21. Кулинич О.А Источники ионно-зависимой нестабильности параметров сенсорных кремниевых МОП-структур / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына // Сенсор.- 2005.- № 5.- С. 40-44.

22. The structure investigation of near-surface layers in silicon-dioxide systems / O.A. Kulinich, V.A. Smyntyna, M.A. Glauberman, I.R. Yyatsunsky // Phonoelectronics. - 2008. - v.17.- P.61 - 63.

23. Влияние дефектов на распределение концентрации легирующей примеси по пластине монокристаллического кремния / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, Э.Т.

Роговская, Г.Г. Чемересюк , И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // Сенсор.- 2006. - № 3.- С.19 - 23.

24. Кулинич О.А. Дозиметр поглощённой дозы ионизирующих излучений на основе МДП- структур / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Н.Н. Садова // Фотоэлектроника.- 2002.- вып.11.- С. 106 - 108.

25. Биоэквивалентный детектор ионизирующих излучений / О.А. Кулинич, Н.Н. Садова, М.А. Глауберман, А.Н. Сазонов // Фотоэлектроника.- 2000.- вып. 9. - С. 46 - 48.

26. Current flow process simulation in metal-silicon structures / O.A. Kulinich, V.A. Smyntyna, M.A.Glauberman, G.G. Chemeresuk , I.R. Yaсunsky // Photoelectroniсs.- 2006.- №15.- С.84 - 88.

27. Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский // Техн.и констр. в электр.апар.- 2008. - № 5. - С.62 - 64.

28. О влиянии различных механизмов изменения подвижности носителей заряда в канале на вольт-амперные характеристики кремниевых МОП-транзисторов / О.А. Кулинич, Ш.Д. Курмашёв, А.А. Лисовская, Н.Н.Садова // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. - 1991.- вып.3.- С. 48 - 51.

29. Дозиметр поглощённой дозы ионизирующих излучений / О.А. Кулинич, Н.Н. Садова, А.А Лисовская, И.А. Марусан // Измерительная техника. Метрология. - 1991.- № 6. - С. 19 - 22.

30. А.с. 1634057 СССР , H 01 L 21 / 66. Способ определения наличия блоков в структуре металл- кремний / О.П. Канчуковский, О.А. Кулинич (СССР). - № 4612062/25; заявл.31.10.89; опубл. 08. 11. 90.

31. А.с. 1634056 СССР , H 01 L 21 / 66. Способ определения плотности дислокаций в структуре металл-кремний / О.П. Канчуковский, О.А. Кулинич (СССР). - № 4612062/25; заявл.31.10. 89; опубл. 08. 11. 1990.

32. Исследование причин катастрофической деградации параметров кремниевых МОП- транзисторов / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский // СВЧ- техника и микроволновые технологии (КрымМиКо-2004): 14-я Международная Крымская микроволновая конференция, 2004 г.: труды конф. - Севастополь, 2004.- С. 557 -559.

33. Влияние структурных дефектов на токоперенос в канале кремниевого МОП- транзистора / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, И.Р. Яцунский // СВЧ-техника и микроволновые технологии (КрымМиКо-2005): 15-я Международная Крымская микроволновая конференция, 2005 г.: труды конф. - Севастополь, 2005. - С.640 - 642.

34. Влияние дефектов исходного кремния на процессы дефектообразования в диоксидах кремния / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, И.Р. Яцунский // СВЧ-техника и микроволновые технологии (КрымМиКо-2006): 16-я Международная Крымская микроволновая конференция, 2006 г.: труды конф. - Севастополь, 2006.- С. 608 - 609.

35. Метод определения параметров процесса окисления, основанный на изучении картины дефектообразования в кремниевых инверсионных МОП-структурах / О.А. Кулинич,

В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, И.Р Яцунский // СВЧ-техника и микроволновые технологии (КрымМиКо-2007): 17-я Международная Крымская микроволновая конференция, 2007 г.: труды конф. - Севастополь, 2007. - С. 556- 557.

36. Связь структуры затворной области и надежности работы кремниевого полевого МОП-транзистора / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, И.Р. Яцунский // СВЧ- техника и микроволновые технологии (КрымМиКо-2008): 18-я Международная Крымская микроволновая конференция, 2008 г.: труды конф. - Севастополь, 2008. - С. 569 - 570.

37. Основы физической модели контакта металл-полупроводник с дислокациями / О.А. Кулинич, О.П. Канчуковский, В.А. Преснов, Н.Н.Садова // Физика и применение контакта металл-полупроводник : Всесоюзн. Конференция, 1987 г.: тез. докл. - Киев, 1987.- С. 8.

38. Кулинич О.А. Расчёт критических давлений при проектировании тензодатчиков на основе контакта металл-кремний / О.А. Кулинич, О.П. Канчуковский // Методы и средства тензометрии и их применение в народном хозяйстве Тензометрия-89: Всесоюзная конференция, 1989 г.: мат. конф. - Свердловск, 1989. - С. 79 - 80.

39. Кулинич О.А. Исследование монокристаллов кремния методами электронной сканирующей микроскопии и Оже-электронной спектроскопии / О.А. Кулинич, О.П. Канчуковский // Физические методы диагностирования в задачах управления качеством, надёжностью и физике отказов: IV научно-техническая конференция, 1989 г.: материалы конф.- Чернигов, 1989. - С. 92.

40. Исследование возможности использования МОП-структур в качестве микроэлектронных датчиков ионизирующих излучений / О.А. Кулинич, А.А. Лисовская, Н.Н. Садова, И.А. Марусан, А.Б. Розенфельд // Микроэлектроника в машиностроении: всесоюзная научно-техн. конф.,1989 г.: тезисы докл. - Ульяновск, 1989. - С. 52.

41. Исследование ростовых и примесных дефектов в кремнии методами селективного травления и растровой электронной микроскопии с рентгеновским микроанализом примесного состава / О.А. Кулинич, А.А. Лисовская., А.В. Макаров, Н.Н. Садова // Физические проблемы МДП-интегральной электроники: VI-я Республик.конференция, 1990г.: материалы конф. - Севастополь, 1990.- С. 123.

42. Кулинич О.А. Моделирование номограмм тестового контроля плотности дислокаций в полупроводниках / О.А. Кулинич, А.А. Лисовская, Н.Н. Садова // Моделирование радиационных и других дефектов в кристаллах: ХХХ постоянный семинар, 1990 г.: материалы сем. - Одесса, 1990.- С.34 - 36.

43. Системный подход к проблеме контроля параметров изделий электронной техники/ О.А. Кулинич, Н.Н. Садова, А.А Лисовская, Е.А. Кулинич // Cостояние элементной базы и технологии произв. и контроля ИЭТ: науч.-технич. семинар,1991 г.: мат. сем.- Пенза, 1991. - С.13 - 14.

44. Кулинич О.А. Комплексный подход к проблеме контроля технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов / О.А. Кулинич, Н.Н. Садова // Приборостроение-94: науч.-технич. конф. с междунар. участием, 1994 г.: мат. конф.- Новый Свет (Крым), 1994. - С.139.

45. Kulinich O.A . Diagnostics of the causes of field-effect and photodetector semiconductor device parameter drift / O.A. Kulinich, M.A. Glauberman, N.N. Sadova // 1998: mat.- Odessa,1998. - Р. 63.

46. Kulinich O.A Investigation of silicon single crystals, used for production of mos-transistors / O.A. Kulinich, M.A. Glauberman., N.N. Sadova // Sensors springtime in Odessa: techn. Dig. 2-nd Workshop,1999.: - Odessa, 1999.- P. 54.

47. Кулинич О.А. Влияние дефектов на радиационную чувствительность и стабильность дозиметров поглощённой дозы на основе МДП-структур / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Н.Н. Садова. // 1-я Укр. научн. конф. по физике полупров. с международн. участием: межд.конф. (УНКФН-1), 2002 г. : тезисы докладов, т. 2. - Одесса, 2002 . - С.191.

48. Кулинич О.А. Способы получения и методы исследования пористого монокристаллического кремния / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Н.Н. Садова //4-я конференция СИЭТ: Международная научно-практическая конф., 2003 г.: труды конф. - Одесса, 2003.- С. 264.

49. Kulinich O.A. Bioeqvivalent indicator for low dose rates of ionazing radiation./ O.A Kulinich, L.N Lisetski, Yu.Shapiro// Sensors springtime in Odessa: techn. Dig. Workshop,1998: mat.- Odessa, 1998. - Р. 62.

50. Кулинич О.А. Исследование деградации параметров оптических сенсоров современными методами исследований/ О.А. Кулинич, М.А. Глауберман // 5-я науч.-практич. конфер. СИЭТ: Межд.науч.-прак.конф., 2004 г.: труды конф. - Одесса, 2004. - С. 229.

51. Кулинич О.А. Исследование влияния фиксированного радиационно-индуцированного заряда на процессы деградации параметров кремниевых сенсоров / О.А. Кулинич // Междунар.науч.-техн.конф. СЭМСТ-1: Межд.конф., 2004г.: тез.докл.- Одесса, 2004.- С. 282.

52. Кулинич О.А. Физические аспекты интегральной нанотехнологии / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Н.Н. Садова. // 4-я Международная научно-практическая конференция СИЭТ: Межд.науч.-практич.конф., 2003 г.: труды конф.- Одесса, 2003 г.. - С. 272.

53. Кулініч О.А. Детектор поглиненої дози іонізуючих випромінювань Наукові розробки Одеського університету. - Одесса: Астропринт, 2004.- С.75.

54. Кулініч О.А Дослідження дефектоутворення в контактах металл-кремній / О.А. Кулініч, М.А. Глауберман // 2-й УНКФП: Межд.конф., 2004 г : тезисы докл.- Черновцы, 2004. - С. 296 - - 297.

55. Моделирование процесса токопереноса в полевых кремниевых МОП-структурах / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский. // 6-я Международная науч.-практич. конфер. СИЭТ: междун.науч.-прак.конф., 2005 г.: труды конф.- Одесса, 2005. - С. 347.

56. Дослідження процесів деградаії в кремнієвих польових МОН-структурах / О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский // Х-а МКФТТП: Міжнар.конф., 2005 г.: тези доп. - Івано-Франківськ, 2005. - С.156 - 157.

57. Фотолюминесцентні властивості хімічно-модіфікованої поверхні монокристаличного кремнія / О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, І.Р. Яцунский,О.В. Свиридова // Фізика в Україні: 1-й Всеукраїнський з'їзд, 2005 р.: тези доповіді. - Одеса, 2005. - С. 165.

58. Кулинич О.А. Деградация параметров сенсоров на основе слоистых структур диоксид кремния-кремний / О.А. Кулинич // Конфер. СЭМСТ-2 : науч.-техн.конф. 2006 г.: тезисы докл. - Одесса, 2006. - С.263.

59. Сравнительный анализ процесса дефектообразования в низкотемпературных и высокотемпературных диоксидах кремния / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // 7-я конфер. СИЭТ: Межд. науч-практич.конф., 2006 г.: труды конф.- Одесса, 2006.- С. 95.

60. Температурная зависимость параметров кремниевых МОП- и PIN-фотоприемных структур при наличии структурных дефектов / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, О.В. Свиридова // Конф. СЭМСТ-2: науч.-техн.конф., 2006 г.: тезисы конф. - Одесса, 2006. - С. 262.

61. Кулинич О.А. Изучение макродефектов в кремнии современными методами исследований / О.А. Кулинич, М.А. Глауберман // 2-я УНКФП: Межд.конф., 2004 г.: тезисы докл.- Черновцы, 2004. - С. 390.

62. Структурные преобразования поверхности кремния при легировании и окислении / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский // 8-я конф. СИЭТ: Межд.науч.-прак. конф., 2007 г.: труды конф.- Одесса, 2007. - С. 388.

63. Структурно-полиморфные изменения макродефектов в кремнии при температурном воздействии / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский, О.В.Свиридова.// 3-я УНКФП: Межд.конф., 2007 г.: тезисы конф.- Одесса, 2007.- С. 433.

64. Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский // 9-я конфер. СИЭТ: Межд.науч.-прак.конф., 2008 г.: труды конф.- Одесса, 2008.- С.194.

65. Деградація параметрів кремнієвих сенсорів / О.А. Кулініч, В.А. Сминтина, М.А. Глауберман, И.Р. Яцунский // 3-я СЭМСТ: Міжнар.наук.-тех.конф., 2008 р.: тези доп.- Одесса, 2008. - С. 360.

66. Вплив кисню на рівень механічної напруги в приповерхневій області кремнію в структурах Si-SiO₂ / О.А. Кулініч, В.А. Сминтина, М.А. Глауберман, І.Р. Яцунський, Г.Г. Чемересюк // Актуальні проблеми фізики напівпровідників: 6-а Міжнародна школа-конф., 2008 р.: тези доп. - Дрогобич, 2008. - С. 178 - 179.

АНОТАЦІЇ

Кулініч О. А. Дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній та метал-кремній. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10. - фізика напівпровідників та діелектриків. - Одеський національний університет імені І.І. Мечникова

Дисертаційна робота присвячена з'ясуванню закономірностей процессів дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній і метал-кремній і приладних системах на їх основі, встановленню механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики, моделюванню процесів струмоперенесення в цих структурах та системах.

За допомогою теоретичних та експериментальних методів сучасних досліджень встановлено властивості та запропоновано топологічну модель реальної МОН-структури, яка основана на дослідженні механізма утворення пластичної деформації на межі поділу діоксид кремнію-кремній, що призводить до виникнення перехідної області кремнію. Розроблені фізичні моделі струмоперенесення в контактах метал-кремній в межах існуючих наближень та модель струмоперенесення в реальних польових МОН-системах в наближенні плавного каналу, які основані на результатах досліджень приповерхневої області кремнію в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній та метал-кремній. Моделі струмоперенесення побудовані на основі досліджено встановленого факту існування в приповерхневій області кремнію шарів з різною провідністю. Запропоновано механізм формування та вивченні властивості макродефектів у вигляді дефектів шаруватої недосконалості, дендритів та двійникових ламелей в кремнію. Встановлено, що картина дефектів шаруватої недосконалості виникає внаслідок шаруватої структури пластин кремнію у місцях скупчення структурних макродефектів. Вивчено тонку структуру, состав дендритів та двійникових ламелей, визначено температури їх дисоціації. Вперше вивчено та запропоновано механізм формування фотолюмінесценції в хімічно- модифікованій приповерхневій області кремнію в шаруватих структурах діоксид кремнію- -кремній. Механізм накопичення додаткового позитивного заряду при опроміненні польових кремнієвих МОН-систем іонизуючим випромінюванням пов'язаний з присутністю енергетичних станів у приповерхневій області кремнію. На основі здійснених досліджень запропоновані методи, які дозволили отримати структури та приладні системи зі стабільними параметрами.

Ключові слова: шаруваті структури діоксид кремнію-кремній, метал-кремній, моделювання, дендріти, дислокації, процеси дефектоутворення, електронна скануюча мікроскопія, енергетичні стани, заборонена зона, поріг пластичної течії.

Кулинич О. А. Дефектообразование в слоистых структурах диоксид кремния-кремний и метал-кремний. - Рукопись.

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10. - физика полупроводников и диэлектриков. - Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова.

Диссертационная работа посвящена установлению закономерностей процессов дефектообразования в слоистых структурах диоксид кремния-кремний и метал-кремний и приборных системах на их основе, установлению механизмов влияния дефектов на электрофизические характеристики, моделированию процессов токопереноса в этих структурах и системах. При помощи теоретических и экспериментальных методов современных исследований установлены свойства и предложена топологическая модель реальной структуры приповерхностной области в кремниевых слоистых структурах диоксид кремния-кремний, которая основана на исследовании механизма возникновения пластической деформации на границе раздела, что приводит к образованию дефектов в переходной области кремния. Разработанные физические модели токопереноса в контактах металл-кремний в рамках существующих приближений и модель токопереноса в реальных полевых МОП-системах в приближении плавного канала, основаны на результатах исследования приповерхностной области кремния в слоистых структурах диоксид кремния-кремний и металл-кремний.

Модели токопереноса построены на основе экспериментально установленного факта существования в приповерхностной области кремния слоев с разной проводимостью.

Предложен механизм формирования и изучены свойства макродефектов в виде дефектов слоистой неоднородности, дендритов и двойниковых ламелей.Установлено, что картина дефектов слоистой неоднородности возникает вследствие слоистой структуры пластин в местах скопления макродефектов. Изучена тонкая структура, состав дендритов и двойниковых ламелей,определены температуры их диссоциации. Впервые изучен и предложен механизм формирования фотолюминесценции в химически модифицированной приповерхностной области кремния в слоистых структурах диоксид кремния-кремний.

Механизм накопления положительного дополнительного заряда при облучении полевых кремниевых МОП-систем ионизирующим излучением связан с присутствием энергетических уровней в приповерхностной области кремния. На основе проведенных исследований предложены методы, позволяющие получать структуры и приборные системы со стабильными параметрами. Ключевые слова: слоистые структуры диоксид кремния-кремний, металл-кремний, моделирование, дендриты, дислокации, процессы дефектообразования, электронная сканирующая микроскопия, энергетические уровни, порог пластического течения.

Kulinich O. A. Defects formation of in layered structures silicon dioxide-silicon and metal-silicon. - the Manuscript. The dissertation on competition of a scientific degree of the doctor of physical and mathematical sciences on a speciality of the 01.04.10.- physics of semiconductors and dielectrics. - the Mechnikov Odessa's national university. Dissertational work is devoted to an establishment of laws of processes defect foundation in layered structures silicon dioxide-silicon and metal-silicon and instrument systems on their basis, to an establishment of mechanisms of influence of defects on electrophysical characteristics, to modelling of processes current flow in these structures and systems. By means of theoretical and experimental methods of modern researches properties are established and the topological model of real structure transitive is offered to area in silicon layered structures silicon dioxide-silicon which is based on research of the mechanism of occurrence of plastic deformation on border of section, as bring to formation defects in transitive area of silicon. The developed physical models current flow in contacts metal-silicon within the limits of existing approch and model current flow in real field МОS- systems in approach of the “smooth” channel, are based on results of research transitive areas of silicon in layered structures silicon dioxide-silicon and metal-silicon. Models current flows are constructed on the basis of experimentally established the fact of existence in transitive areas of silicon of layers with different conductivity. The mechanism of formation is offered and properties of macrodefects in the form of defects of layered heterogeneity, dendrites and double lamellas are studied. It is established, that the picture of defects of layered heterogeneity arises owing to layered structure of plates in places of a congestion of macrodefects the thin structure, structure dendrites and double lamellas. Is studied, their temperatures dissociation are certain. For the first time it is studied and offered formations mechanism of photoluminescent properties chemically modified transitive to area of silicon in layered structures silicon dioxide-silicon. The mechanism of accumulation of an additional positive charge at an irradiation field silicon MOS-systems is connected by an ionizing radiation with presence of power levels in transitive areas of silicon. On the basis of the lead researches the methods, allowing to receiving structure and instrumenting systems with stable parameters are offered. Keywords: layered structures dioxide silicon-silicon, metal-silicon, modelling, dendrites, dispositions, process of defects foundation, electronic scanning microscopy, the power levels.

Размещено на Allbest.ru