23. Дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній та метал-кремній / О.В. Свірідова, В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, І.Р. Яцунський // IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників, 15-19 вер. 2009 р.: тези доп. - Запоріжжя, 2009. - С. 218.

24. Defect formation processes in layered silicon dioxide - silicon and metal- silicon structures / V.A. Smyntyna, O.A. Kulinich, O.V. Sviridova, I.R. Yatsunskiy // 13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, 18-23 October 2009: conference paper. - Antalya, 2009. - P. 156.

25. Свиридова О. Анализ критических плотностей структурных дефектов, влияющих на фотоэлектрические параметры кремниевых p-i-n-фотоприемников / О. Свиридова // Международная конференция студентов и молодых ученых по теоретической и экспериментальной физике ЭВРИКА-2010, 19-21 мая 2010 г.: тезисы докл. - Л., 2010. - С. А 36.

26. Анализ температурной зависимости коэффициента усиления фототока для различных плотностей дислокаций в инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемниках / О.В. Свиридова, В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский // Конференция молодых ученых по физике полупроводников "Лашкаревские чтения - 2010", 5-7 октября 2010 г.: тезисы докл. - К., 2010. - С. 84-86.

27. Smyntyna V.A. Transformation of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxydation / V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova // Advances in Applied Physics & Material Science - APMAS2011, 12-15 May 2011: conference paper. - Antalya, 2011. - P. 163.

АНОТАЦІЯ

Свірідова О.В. Вплив вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисленні. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників та діелектриків. - Одеський національний університет імені І.І. Мечникова, Одеса, 2011.

Дисертацію присвячено дослідженню закономірностей впливу вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисленні.

У дисертації досліджено процеси дефектоутворення в кремнії, структурах і приладах на основі кремнію, встановлені механізми трансформації вихідних дефектів в процесах легування і окислення кремнію, а саме: запропоновано і експериментально підтверджено роботами інших авторів механізм утворення двох областей, що розташовані на різних глибинах від поверхні і містять дефекти, які утворюються при іонному легуванні пластин кремнію; встановлено механізм зміцнення кристалів p-кремнію, що містять фонову домішку кисню, яка преципітує на дислокаціях; показано, що шаруватість пластин монокристалічного кремнію є першопричиною виникнення дефектів упаковки в окислених пластинах; описано і експериментально підтверджено механізм трансформації мікродефектів у дефекти упаковки внаслідок окислення пластин кремнію.

Побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП при зростанні густини дислокацій; показано, що відбір p-i-n-ФП за S-образністю ВАХ може бути використаний для виявлення фотоприймачів, які містять області розупорядкування у вигляді полікристалічного кремнію.

Ключові слова: кремній, дислокації, свірл-дефекти, дефекти упаковки, легування, окислення, p-i-n-фотоприймачі.

АННОТАЦИЯ

Свиридова О.В. Влияние исходных дефектов кремния на процессы дефектообразования при легировании и окислении. - Рукопись.

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков. - Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, Одесса, 2011.

Диссертация посвящена исследованию закономерностей влияния исходных дефектов кремния на процессы дефектообразования при легировании и окислении.

В диссертации исследованы процессы дефектообразования в кремнии, структурах и приборах на основе кремния, установлены механизмы трансформации исходных дефектов в процессах легирования и окисления кремния, а именно: предложен и экспериментально подтвержден работами других авторов механизм образования двух областей, расположенных на разных глубинах от поверхности и содержащих дефекты, образующиеся при ионном легировании пластин кремния; установлен механизм упрочнения кристаллов p-кремния, содержащих фоновую примесь кислорода, преципитирующую на дислокациях; показано, что слоистость пластин монокристаллического кремния является первопричиной возникновения дефектов упаковки в окисленных пластинах; описан и экспериментально подтвержден механизм трансформации микродефектов в дефекты упаковки вследствие окисления пластин кремния.

Построены температурные зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников для разной поверхностной плотности дислокаций; установлены механизмы изменения формы температурной зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников при увеличении поверхностной плотности дислокаций; показано, что отбор p-i-n-фотоприемников по S-образности ВАХ может быть использован для выявления фотоприемников, содержащих области разупорядочения в виде поликристаллического кремния.

В результате исследования температурной зависимости коэффициента усиления фототока инфракрасных кремниевых p-i-n-ФП, в p-области которых содержатся дислокации различных поверхностных плотностей , () установлено, что при поверхностной плотности дислокаций коэффициент усиления фототока инфракрасных кремниевых p-i-n-ФП не зависит от наличия дислокаций и равен коэффициенту усиления фототока в бездислокационном p-i-n-ФП. Такое поведение коэффициента усиления фототока связано с тем, что величина определяется значениями и , которые, как было установлено, при данных плотностях дислокаций равны значениям подвижностей носителей заряда при рассеянии на фононах, а, значит, не зависят от наличия дислокаций.

Установлено, что при плотностях дислокаций квантовая эффективность не зависит от поверхностной плотности дислокаций . Независимость квантовой эффективности от поверхностной плотности дислокаций обусловлена тем, что при поверхностной плотности дислокаций подвижность носителей заряда определяется только рассеянием носителей заряда на фононах.

Ключевые слова: кремний, дислокации, свирл-дефекты, дефекты упаковки, легирование, окисление, p-i-n-фотоприемники.

SUMMARY

Sviridova O.V. Influence of initial defects on defect formation processes in doping and oxydation. - Manuscript.

Thesis for a candidate of physics and mathematics sciences degree, by specialty 01.04.10 - physics of semiconductors and isolators. - I.I. Mechnikov Odessa National University, Odessa, 2011.

In dissertation defect formation processes in silicon, structures and devices on the basis of silicon are investigated, mechanisms of transformation of initial defects in processes of silicon doping and oxidation are determined, namely: the mechanism of formation of two areas located on different depths from a surface and containing defects, formed at ionic doping of silicon plates, is offered and experimentally confirmed by works of another authors; the mechanism of hardening of p-silicon crystals containing background impurity of oxygen, precipitating on dislocations is established; it is shown, that lamination of monocrystalline silicon plates is an original cause of stacking faults` occurrence in oxidized plates; the mechanism of transformation of microdefects in stacking faults owing to oxidation of silicon plates is described and experimentally confirmed.

Temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of infrared silicon p-i-n-photodetectors for different superficial density of dislocations are constructed; mechanisms of change of temperature dependence form of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency for infrared silicon p-i-n-photodetectors at increase in superficial density of dislocations are obtained; it is shown, that selection of p-i-n-photodetectors on S-figurativeness of current-voltage characteristic can be used for revealing photodetectors containing areas of disarrangement in the form of polycrystalline silicon.

Keywords: silicon, dislocations, swirl-defects, stacking faults, doping, oxydation, p-i-n-photodetectors.

Размещено на Allbest.ru