Фізичні властивості напівпровідників кадмій - ртуть - телур та фотодіодних структур на їх основі для багатоелементних фотоприймалних пристроїв ІЧ діапазону
Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 28.08.2015 |
| Размер файла | 84,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Результати розрахунків та співставлення з експериментом свідчіть про те, що довгохвильова частина спектру визначається як експоненційною формою крайового поглинання, так і товщиною структури фотодіоду, а абсолютна величина максимуму ампер-ватної чутливості в значній мірі залежить від товщини фоточутливих шарів КРТ.
В четвертому розділі досліджується електричні характеристики фотодіодів та МОН (метал-окисел-напівпровідник) транзисторів схеми прямої інжекції багатоелементних ФПП.
Однією з основних задач при розробці багатоелементних ФПП є вибір оптимальної електричної схеми з'єднання ФД з пристроями зчитування. Загальновизнано, що для КРТ ФД, які чутливі у спектральному діапазоні 8ч12 мкм, найбільш ефективно працює схема прямої інжекції заряду. Вибір робочої точки UД (зворотного зміщення) ФД здійснюється за допомогою потенціалу REF0 МОН-транзистору, вхідний заряд накопичується на ємності UC1 та UC2. Вхідний пристрій (ВП) схеми зчитування не тільки узгоджує характеристики КРТ фотодіодів, а й виконує кілька додаткових функцій [4,5].
По перше, конструкція ВП за допомогою транзистора-ключа TEST1 дозволяє підключити зовнішній резистор RН і таким чином перевірити проходження заряду по всіх каналах схеми зчитування за відсутності фотодіодів [4]. Транзистор прямої інжекції REF0 задає робочу точку як ФД (UД), так і резистора (UR). По-друге, накопичувальна ємність складається з трьох комірок: UC1, FPS та UC2, що дозволяє робити операції віднімання постійної складової та ділення вхідного заряду у випадку, коли струм від ФД завеликий. По-третє, щоб уникнути переповнення заряду, у ВП за допомогою транзистора FPC та потенціалу VCC реалізовано [4] режим «антіблюмінгу». Хоча основними елементами схеми прямої інжекції є ФД та транзистор REF0 з відомими властивостями, для оптимізації параметрів ФПП важливо встановити, як поводить себе система ФД+REF0 вхідного пристрою.
Струм фотодіодів IФД складається з темнового струму IТ та фотоструму Iph: IФД=IТ+Iph. В кращих з досліджених ФД площею 30Ч30 мкм2 струм IТ5ч15 нА при зміщенні UД ~ 50 мВ. Під дією фонового випромінювання з температурою 0Т~300 К струм IФД збільшується в кілька десятків разів. Для КРТ ФД, чутливих в спектральному діапазоні 8ч12 мкм, характерними є струми IФД5ч500 нА.
Схема прямої інжекції характеризується ефективністю інжекції фотоструму Iph:
,(6)
де ID - струм стоку транзистору REF0, gm = gm(ID) - крутизна затворної характеристики транзистору REF0, Rd = Rd(UД) _ динамічний опір ФД. З (6) випливає умова оптимального узгодження електричних параметрів ФД та транзистора REF0: gmRd>>1.(7)
Наприклад, при =0,95 gmRd=20.
Якщо умова (7) не виконується ефективність починає залежати від ID та UД, що призводить до нелінійності перетворення Iph в ID і звуженню динамічного діапазону. В цьому випадку вибір робочої точки UД, який здійснюється потенціалом UREF0, потребує оптимізації. В багатоелементному ФПП потенціал UREF0 подається на всі схеми прямої інжекції одночасно, що унеможливлює підлаштування UД до кожного окремого ФД. В зв'язку з неоднорідністю вольт-амперних характеристик ФД та наявного розкиду порогової напруги транзистору REF0 можуть з'явитися канали реєстрації зі зменшеним динамічним діапазоном.
В п'ятому розділі проводиться аналіз шумів вихідних сигналів багатоелементних ФПП ІЧ діапазону, представлені дані експериментів по визначенню інтегральної вольт_ ватної чутливості та питомої виявної здатності ФПП.
За час tн в схемі прямої інжекції на ємності UC1 накопичується заряд Q=e·N, N - кількість електронів. За допомогою ПЗЗ регістрів цей заряд передається на перетворювач заряд_ напруга, який і утворює вихідний сигнал ФПП. Існує максимальний заряд Q0 і, відповідно, максимальна вихідна амплітуда сигналу U0. Величини Q0 та U0 задаються на етапі проектування ФПП і визначають коефіцієнт передачі заряд-напруга kQU= U 0/Q 0.
Внаслідок Пуассонівського характеру шумів середньоквадратична флуктуація кількості електронів Nnoise дорівнює Nnoise= N1/2, флуктуаціі (шуми) вихідного сигналу Unoise= kQU·e·Nnoise= kQU·e·N1/2 і остаточно [8]:
(8)
Формула (8) дозволяє визначити вимоги до системи реєстраці. Наприклад при Q0=2,2 пКл та U0=6 В мінімальний вихідний сигнал з амплітудою Umin=1 В буде шуміти на рівні Unoise=0,67 мВ. Отже, щоб зареєструвати мінімальний Umin та максимальний U0 вихідні сигнали, динамічний діапазон системи реєстрації має бути не гіршим, ніж 80 дБ. Неоднорідність амплітуд вихідних сигналів ФПП вимагає збільшення динамічного діапазону системи, оскільки менші сигнали потребують більш точного вимірювання.
Коли вимірянні значення шумів ФПП значно перевищують розраховані за формулою (8) необхідно провести додаткові дослідження. Причиною може бути як низька якість ФД, так і електромагнітні завади системи реєстрації. З метою встановлення природи шумів запропоновано визначити спектри вихідних сигналів ФПП за допомогою алгоритму швидкого перетворення Фур'є. Як правило, спектри шумів ФД спостерігаються як «білий» шум і шум 1/f. Спектри електромагнітних завад ідентифікуються як окремі лінії (наприклад 50 Гц).
Зазначені методики застосовувались при вимірюванні питомої виявної здатності D*max багатоелементних ФПП.
Висновки
В дисертаційній роботі викладено результати проведених досліджень оптичного поглинання в області фундаментального краю монокристалічного та епітаксійного КРТ, спектральних характеристик чутливості КРТ фотодіодів, електричних характеристик схеми прямої інжекції багатоелементного ФПП дальнього ІЧ діапазону спектра, фотоелектричних характеристик та електричних шумів ФПП.
Основні наукові та практичні результати роботи полягають у наступному:
1. Експериментально встановлено аномально високе значення константи двофотонного поглинання у монокристалічному Hg1-xCdxTe (x ~0,20) при температурах ~300 К, яке дорівнювало = 830 см/МВт на довжині хвилі 10.6 мкм. Показано, що основним механізмом нелінійного оптичного поглинання в таких зразках є двоступеневе поглинання: спочатку оптичні переходи здійснюються в області експоненційного (Урбахівського) краю, а потім відбувається поглинання нерівноважними носіями заряду в межах валентної зони та зони провідності.
2. Експериментально встановлено, що на довжині хвилі 10.6 мкм зміна температури монокристалічного Hg1-xCdxTe (x ~ 0.20) майже не впливає на лінійне оптичне пропускання T0, проте істотно впливає на величину нелінійного оптичного пропускання Тн. При зміні температури зразка від 293 К до 353 К значення T0 змінювалось від 4 % до 3.9 % відповідно, а значення Тн від 0.9 % до 3.7 % при інтенсивності випромінювання I0 = 300 кВт/см2.
3. Максимум спектральної характеристики чутливості Smax КРТ фотодіодів зміщений у короткохвильову частину спектру відносно довжини хвилі Eg, яка відповідає енергії кванта випромінювання Eg, де Eg -ширина забороненої зони. Встановлено, що величина зсуву = Eg - max та абсолютне значення чутливості Smax в максимумі залежать не тільки від ширини забороненої зони Eg, але і від товщини фоточутливого шару d фотодіодів. За допомогою математичного моделювання спектрів S() отримані емпіричні залежності max та Smax від d та Eg: Smax = Smax (Eg, d) та max = max (Eg, d).
4. Швидкість спаду довгохвильової частини спектральної характеристики чутливості планарних КРТ фотодіодів обумовлена робочою температурою фотодіодів, товщиною фоточутливого шару та експоненційною формою краю оптичного поглинання КРТ. За допомогою математичного моделювання спектрів S() отримані емпіричні залежності (для температури ФД ~ 80 К) довгохвильової границі фоточутливості 0,5 та 0,9 (по рівню 0,5 та 0,9 відповідно) від d та Eg: 0,5 = 0,5(Eg, d) та 0,9 = 0,9(Eg, d).
5. Неоднорідність ампер-ватних чутливостей та вольт-амперних характеристик КРТ фотодіодів в багатоелементних ФПП, розкид порогової напруги n-канальних МОН транзисторів у схемі прямої інжекції ФПП, призводить до зменшення динамічного діапазону ФПП та нелінійності вольт _ ватної передаточної характеристики окремих фоточутливих елементів.
6. Формула для розрахунку електричних шумів Unoise ФПП за середнім значенням вихідного сигналу Uвих дозволяє контролювати достовірність вимірювання шумів вихідного сигналу ФПП.
7. Використовуючи ефект двоступеневого оптичного поглинання при температурах ~300 К, запропоновано безконтактну методику визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду монокристалічного КРТ, що важливо при контролі однорідності зразків КРТ.
8. Розроблено автоматизований стенд та програмне забезпечення для вимірювання вольт _ амперних характеристик невеликих за розмірами (30х30 та 50х50 мкм2 ) КРТ фотодіодів зондовим методом при температурах рідкого азоту. Розроблено автоматизований стенд та програмне забезпечення для вимірювання спектрів оптичного пропускання епітаксійного та монокристалічного КРТ в спектральному діапазоні 2ч12 мкм. Розроблено автоматизований стенд та програмне забезпечення для вимірювання електричних характеристик схем зчитування для багатоелементних ФПП. Розроблено автоматизований стенд та програмне забезпечення для вимірювання вольт-ватної чутливості та питомої виявної здатності багатоелементних ФПП дальнього ІЧ діапазону спектру.
випромінювання оптика ртуть телур
Список опублікованих праць за темою дисертації
1. Spectral sensitivity dependencies of backside illuminated planar MCT photodiodes / A.G. Golenkov, F.F. Sizov, Z.F. Tsybrii, Darchuk L.A. // Infrared Phys. Technol. - 2006. - V. 47. - P. 213-219.
2. 4x288 Readouts and FPAs Properties / F.F. Sizov, V.P. Reva, A.G. Golenkov, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov // Optoelectr. Review. - 2006. - V. 14. - P. 67-74.
3. Багатоелементний тепловізор з високою температурною чутливістю та телевізійною частотою кадрів / Ф.Ф. Сизов, О.В. Бехтір, Є.О. Білевич, О.Г. Голенков, Е.Ю. Гордієнко, М.Т. Грінченко, Ж.В. Гуменюк-Сичевська, С.Є. Духнін, В.В. Забудський, П.В. Завадський, І.І. Ільницький, С.Л. Кравченко, В.М. Крайовий, В.П. Рева, С.В. Корінець, Л.О. Писаренко, Ю.В. Фоменко, А.В. Шевчик, Г.В. Шустакова // Наука та інновації. - 2005. - Т. 1, С. 20-33.
4. MCT heteroepitaxial 4288 FPA / V.V. Vasilyev, A.G. Klimenko, I.V. Marchishin, V.N. Ovsyuk, N.Ch. Talipov, T.I. Zahar'yash, A.G. Golenkov, Yu.P. Derkach, V.P. Reva, F.F. Sizov, V.V. Zabudsky // Infrared Physics and Technology. - 2004. - V. 45. - P. 13- 23.
5. MCT Linear Arrays and Associated Silicon Readouts / F.F. Sizov, Yu.P. Derkach, S.A. Dvoretski, A.G. Golenkov, J.V. Gumenyuk-Sichevska, V.P. Reva, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, N.Kh. Talipov, V.V. Vasiliev, V.V. Zabudsky // Proc. SPIE. - 2004. - V. 5251. - P. 16-25.
6. Composite readouts with TDI and “dead” elements deselection / F.F. Sizov, V.P. Reva, Yu.P. Derkach, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, S.V. Korinets // Proc. SPIE. - 2003. - V. 5074. - P. 911 - 917.
7. Фотоэлектрические параметры многоэлементных фотоприемников на основе 264 КРТ фотодиодных линеек и ПЗС-устройств считывания / А.Г. Голенков, В.П. Рева, Ф.Ф. Сизов, В.В. Забудский // Прикладная физика. - 2003. - № 1. - С. 100-104.
8. Noise Measurements of HgCdTe LWIR Arrays with CCD Readouts / F.F. Sizov, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, V.P. Reva // Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - V.5. - P. 398-402.
9. Dark-current transport mechanisms in narrow-gap heterojunctions for IR arrays / F.F. Sizov, J.V. Gumenjiuk-Sichevskaya, Yu.G. Sidorov, V.V. Vasil'ev, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, V.P. Reva, Yu.P. Derkach, V.V. Tetyorkin // Proc. SPIE. - 2001. - V. 4454. - P. 123-134.
10. HgCdTe MBE grown LWIR linear arrays / F.F. Sizov, V.V. Vasil'ev, D.G. Esaev, V.N. Ovsyuk, Y.G. Sidorov, V.P. Reva, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, J.V. Gumenjuk-Sychevskaya // Opto-Electronics Review. - 2001. - V. 9. - P. 391-396.
11. 2Ч64 linear LWIR arrays on the base of HgCdTe MBE grown layers and CCD silicon readouts / V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretski, D.G. Esaev, T.I. Zahariyash, A.G. Klimenko, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, V.P. Reva, Yu.P. Derkach, S.G. Korinets, A.G. Golenkov, S.D. Darchuk, V.V. Zabudsky // Proc. SPIE. - 2001. - V. 4355. - P.48-52.
12. Properties of 2Ч64 linear HgCdTe MBE grown LWIR arrays with CCD silicon readouts / F.F. Sizov, V.V. Vasilyev, D.G. Esaev, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, V.P. Reva, Yu.P. Derkach, A.G. Golenkov // Proc. SPIE. - 2001. - V. 4288. - P. 345-353.
13. Properties of 264 Linear HgCdTe molecular beam-epitaxy-grown long wavelength infrared arrays with charged coupled devices silicon readouts / F.F. Sizov, V.V. Vasil'ev, D.G. Esaev, V.N. Ovsyuk, Y.G. Sidorov, V.P. Reva, A.G. Golenkov, Y.P. Derkach // Sensors and Materials. - 2000. - V. 12. - P. 435-444.
14. IR-sensor readout devices with source input circuits / F.F. Sizov, V.P. Reva, Yu.P. Derkach, S.D. Darchuk, Yu.G. Kononenko, D.A. Filenko, A.G. Golenkov, S.V. Korinets // Semiconductor Physics Quantum Electronics and optoelectronics. - 1999. - V. 2. - P. 102-110.
15. Голенков О. Г. Вплив температури на нелінійне оптичне поглинання монокристалів CdHgTe у дальній інфрачервоній ділянці спектру / О.Г. Голенков, С.Д. Дарчук, Ф.Ф. Сизов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - Т. 33. - С. 181-185.
16. Golenkov A. G. Nonlinear optical transmission of Cd0.2Hg0.8Te single crystals at room temperature / A.G. Golenkov, S.D. Darchuk, F.F. Sizov // Proc. SPIE. - 1997. - V. 3182. - P. 166-169.
17. Голенков О. Г. Математичне моделювання та дослідження нелінійного оптичного пропускання вузькощілинних напівпровідників Cd0.2Hg0.8Te при кімнатній температурі на довжині хвилі 10.6 мкм / О.Г. Голенков, С.Д. Дарчук, Ф.Ф. Сизов // Український фізичний журнал. - 1997. - Т. 42. - С. 1123-1127.
18. Деклараційний патент на винахід 56653А, Україна. Фотоприймальний прилад тепловізора / Сизов Ф.Ф., Маслов В.П., Рева В.П., Забудський В.В., Голенков О.Г., Ліхоліт М.І., Саєнко І.Я., Ріділа О.С., Яровой О.Т., Краєв Ю.О.; Інститут фізики напівпровідників НАН України. - № 2002086596; заявлено 08.08.2002, опубліковано 15.05.2003, Бюл. № 5.
19. Голенков А. Г. Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в монокристаллическом КРТ методами нелинейной оптики / А. Г. Голенков // XX Международная научно - техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения: Россия, Москва, НПО “Орион”, 27-30 мая 2008 г.: тезисы докл. - 2008. - С. 179.
20. Стенд для измерения параметров интегральных схем считывания многоэлементных ИК ФПУ / С.Е. Духнин, В. В. Забудский, А. С. Станиславский, А. Г. Голенков, С. В. Коринец, В. П. Рева // XX Международная научно - техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения: Россия, Москва, НПО “Орион”, 27-30 мая 2008 г.: тез. докл. - 2008. - С. 149.
21. Гетероструктурные гибридные ФПУ / Ф.Ф. Сизов, В.О. Билевич, В.В. Васильев, А.Г. Голенков, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, С.А. Дворецкий, В.В. Забудский, Т.И. Захарьяш, А.Г. Клименко, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, В.П. Рева, Ю.Г. Сидоров, Талипов Н.Х. // Нанофизика и Наноэлектроника: пятый междунар. рос.-укр. семинар, Россия, Санкт_Петербург, ФТИ им. Иоффе РАН, 17-19 июня 2004 г.: тезисы докл. - 2004. - С. 29.
22. Composite readouts with TDI and “dead” elements deselection / F.F. Sizov, V.P. Reva, Yu.P. Derkach, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, S.V. Korinets // Infrared Technology and Applications XXIX: int. conf. SPIE, Orlando, FL, USA, 21 April 2003.: тезисы докл. - 2003.
23. Многоэлементные гибридные фотоприемные устройства на основе узкощелевых полупроводников / В.В. Васильев, А.Г. Голенков, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, Ю.П. Деркач, С.А. Дворецкий, В.В. Забудский, Т.И. Захарьяш, А.Г. Клименко, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, В.П. Рева, Ю.Г. Сидоров, Ф.Ф. Сизов, Талипов Н.Х. // Нанофизика и Наноэлектроника: четвертый междунар. укр.-рос. семинар, Киев, 15-18 сентября 2003 г.: тез. докл. - 2003. - С. 14-15.
24. Схемы считывания для многоэлементных КРТ - ФПУ / В.П. Рева, Ф.Ф. Сизов, Ю.П. Деркач, А.Г. Голенков, С.В. Коринец, Л.А. Писаренко // Фотоника-2003: совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Россия, Новосибирск, ИФП СО РАН, 28_31 августа 2003 г., тезисы докл. - 2003. - С. 30.
25. Многоэлементные гибридные ФПУ на основе КРТ-фотодиодов / В.В. Васильев, А.Г. Голенков, В.В. Забудский, И.В. Марчишин, В.П. Рева, В.Н. Овсюк, Ю.Г. Сидоров, Ф.Ф. Сизов // Фотоника_2003: совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Россия, Новосибирск, ИФП СО РАН, 28_31 августа 2003 г., тезисы докл. - 2003. - С. 18.
26. Image acquisition and processing with LWIR (8-10.5 microns) multielement FPA based on 264 MCT photodiode array and CCD silicon readouts / F.F. Sizov, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, V.P. Reva // Перша Українська наукова конференція з фізики напівпровідників: Одеса, 10 - 14 вересня 2002 р., тези доп. - 2002. - С. 169.
27. Голенков А.Г. Температурный эквивалент шума (NETD) многоэлементного ФПУ для дальней (8ч10.5 мкм) инфракрасной области спектра на основе 2Ч64 фотодиодной КРТ линейки и кремниевой схемы считывания / А.Г. Голенков, В.В. Забудский, В.П. Рева // XVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения: Россия, Москва, НПО “Орион”, 27-31 мая 2002 г.: тезисы докл. - 2002. - С. 98-99.
28. Многоэлементные ФПУ с ВЗН 4х288 для дальней инфракрасной области спектра на основе КРТ _ соединений / А.Г. Голенков, В.П. Рева, В.В. Забудский, Ю.П. Деркач, Ф.Ф. Сизов, В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, И.В. Марчишин, Т.И. Захарьяш, А.Г. Клименко // XVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения: Россия, Москва, НПО “Орион”, 27-31 мая 2002 г.: тез. докл. - 2002. - С. 11.
29. Устройства считывания для многоэлементных фотодиодных линеек на ИК- диапазон на основе HgCdTe / А.Г. Голенков, С.Д. Дарчук, Ю.П. Деркач, С.В. Коринец, В.В. Рева, Ф.Ф. Сизов, Д.А. Филенко // XVI Международная научно - техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения: Россия, Москва, НПО “Орион”, 25-27 мая 2000 г.: тезисы докл. - 2000. - С. 15-16.
30. Golenkov A.G. Nonlinear optical transmission of Hg1-xCdxTe at room temperature / A.G. Golenkov, S.D. Darchuk // Material Science and material properties for infrared optoelectronics: int. conf. SPIE, Uzgorod, Ukraine, 30 September - 02 October 1996,: abstracts - 1996. - P. 53.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Моделі структур в халькогенідах кадмію і цинку. Області існування структур сфалериту і в’юрциту. Радіуси тетраедричних і октаедричних порожнин для сфалериту і в’юрциту. Кристалічна структура і антиструктура в телуриді кадмію. Кристалоквазіхімічний аналіз.
дипломная работа [281,1 K], добавлен 09.06.2008Метод математичного моделювання фізичних властивостей діелектричних періодичних структур та їх електродинамічні характеристики за наявності електромагнітної хвилі великої амплітуди. Фізичні обмеження на управління електромагнітним випромінюванням.
автореферат [797,6 K], добавлен 11.04.2009Розповсюдження молібдену в природі. Фізичні властивості, отримання та застосування. Структурні методи дослідження речовини. Особливості розсіювання рентгенівського випромінювання електронів і нейтронів. Монохроматизація рентгенівського випромінювання.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.01.2010Загальна характеристика електричного струму і основної мішені його впливу - м'язів. Застосування в медицині теплового ефекту для прогрівання тканин. Розгляд дії інфрачервоного і найбільш значимих типів іонізуючого випромінювання на організм людини.
реферат [356,4 K], добавлен 27.01.2012Природа та одержання рентгенівського випромінювання. Гальмівне та характеристичне рентгенівське випромінювання, його спектри. Рентгенівські спектри атомів. Поглинання та розсіяння рентгенівського випромінювання, застосування в медицині, хімії, біології.
реферат [623,6 K], добавлен 15.11.2010Поняття теплового випромінювання, його сутність і особливості, основні характеристики та спеціальні властивості. Різновиди випромінювання, їх відмінні риси, джерела виникнення. Абсолютно чорне тіло, його поглинаючі властивості, місце в квантовій теорії.
реферат [678,2 K], добавлен 06.04.2009Характеристики та класифікація напівпровідників. Технологія отримання напівпровідників. Приготування полікристалічних матеріалів. Вплив ізохорного відпалу у вакуумі на термоелектриці властивості і плівок. Термоелектричні властивості плюмбум телуриду.
дипломная работа [4,4 M], добавлен 09.06.2008Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014Теорія поглинання світла молекулами. Апаратура для вимірювання поглинання у видимому та ультрафіолетовому світлі. Методика спектрофотометричних вимірювань. Фактори, що впливають на абсорбціонні властивості хромофора. Поглинання поляризованого світла.
курсовая работа [4,4 M], добавлен 31.10.2014Електрофізичні властивості гранульованих плівкових сплавів в умовах дії магнітного поля. Дослідження електрофізичних властивостей двошарових систем на основі плівок Ag і Co, фазового складу та кристалічної структури. Контроль товщини отриманих зразків.
дипломная работа [3,9 M], добавлен 08.07.2014Природа електронних процесів, що відбуваються при високоенергетичному збудженні і активації шаруватих кристалів CdI2. Дослідження спектрів збудження люмінесценції і світіння номінально чистих і легованих атомами металів свинцю кристалів йодистого кадмію.
курсовая работа [666,8 K], добавлен 16.05.2012Природні джерела випромінювання, теплове випромінювання нагрітих тіл. Газорозрядні лампи високого тиску. Переваги і недоліки різних джерел випромінювання. Стандартні джерела випромінювання та контролю кольору. Джерела для калібрування та спектроскопії.
курсовая работа [2,7 M], добавлен 13.12.2010Отримання спектрів поглинання речовин та визначення домішок у речовині. Визначення компонент речовини після впливу плазми на досліджувану рідину за допомогою даних, отриманих одразу після експерименту, та через 10 годин після впливу плазми на речовину.
лабораторная работа [1018,3 K], добавлен 02.04.2012Аналіз програми в випускному класі при вивченні ядерної фізики. Основні поняття дозиметрії. Доза випромінювання, види поглинутої дози випромінювання. Біологічна дія іонізуючого випромінювання. Методика вивчення біологічної дії іонізуючого випромінювання.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 24.06.2008Види оптичних втрат фотоелектричних перетворювачів. Спектральні характеристики кремнієвих ФЕП. Відображення в інфрачервоній області спектру ФЕП на основі кремнію. Вимір коефіцієнта відбиття абсолютним методом. Характеристика фотометра відбиття ФО-1.
курсовая работа [3,6 M], добавлен 17.11.2015Характеристика електромагнітного випромінювання. Огляд фотометрів на світлодіодах для оцінки рівня падаючого світла. Використання фотодіодів на основі бар'єрів Шотткі і гетеропереходів. Призначення контактів використовуваних в пристрої мікросхем.
курсовая работа [1010,0 K], добавлен 27.11.2014Випромінювання Вавілова-Черенкова. Ефект Доплера, фотонна теорія світла. Маса та імпульс фотона. Досліди Боте та Вавилова. Тиск світла. Досліди Лебедєва. Ефект Комптока. Вивчення фундаментальних дослідів з квантової оптики в профільних класах.
дипломная работа [661,8 K], добавлен 12.11.2010Взаємодія електромагнітних хвиль з речовиною. Особливості поширення електромагнітних хвиль радіочастотного діапазону в живих тканинах. Характеристики полів, що створюються тілом людини. Електронні переходи в збудженій молекулі. Фоторецепторні клітини.
реферат [238,5 K], добавлен 12.02.2011Поняття і класифікація діелектриків, оцінка впливу на них випромінювання високої енергії. Ознайомлення із властивостями діелектриків - вологопроникністю, крихкістю, механічною міцністю, в'язкістю, теплопровідністю, стійкістю до нагрівання та охолодження.
реферат [124,3 K], добавлен 23.11.2010Теплове випромінювання як одна з форм енергії. Теплові і газоразрядні джерела випромінювання. Принцип дії та призначення світлодіодів. Обґрунтування та параметри дії лазерів. Характеристика та головні властивості лазерів і можливість їх використання.
контрольная работа [51,0 K], добавлен 07.12.2010
