Расчёт функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе

Размещено на http://www.allbest.ru/

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

АСТРАХАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Электрооборудования и автоматики судов

Курсовая работа

по дисциплине «Физические основы электроники»

На тему: «Расчёт функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе»

Вариант № 44

Выполнил: ст.гр. ДТА - 21

Коротин В.

Принял: д.т.н., проф.

Надеев А.И.

Астрахань

2006

1. Задание

микросхема цоколёвка микросхема усилитель

Тип микросхемы: К544УД2В

Функциональное устройство судовой автоматики: неинвертирующий усилитель, формирующий на выходе напряжение 6 В, при подаче на вход напряжения 16 мВ.

Расшифровка системы условных обозначений микросхемы К544УД2В.

2. Описание технологии изготовления микросхем

Тактико-технические, конструктивно-технологические, эксплуатационные и экономические характеристики ЭВМ и систем определяют примененные в них микросхемы, выполняющие функции преобразования, хранения, обработки, передачи и приема информации.

Микросхемой (интегральной микросхемой - ИМС, интегральной схемой - ИС) называют функционально законченный электронный узел (модуль), элементы и соединения в котором конструктивно неразделимы и изготовлены одновременно в едином технологическом процессе в общем кристалле-основании. Теория, методы расчета и изготовления микросхем составляют основу микроэлектроники - современной наукоемкой отрасли техники.

По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы делятся на полупроводниковые и гибридно-пленочные. Полупроводниковые микросхемы имеют в своей основе монокристалл полупроводникового материала (обычно кремния), в поверхностном слое которого методами литографии и избирательного легирования создаются транзисторы, диоды, резисторы и (иногда)

конденсаторы, а соединения между ними формируются по поверхности кристалла с помощью тонкоплёночной технологии. Полупроводниковые микросхемы могут быть однокристальными (монолитными) и многокристальными (микросборками). Однокристальная микросхема может иметь индивидуальный герметизированный корпус с внешними выводами для монтажа на коммутационной (печатной) плате, или быть бескорпусной и входить в состав микросборки. Многокристальная микросхема (микросборка) представляет собой совокупность бескорпусных микросхем, смонтированных на общей коммутационной плате. В качестве компонентов в микросборке могут присутствовать бескорпусные согласующие резисторы и развязывающие конденсаторы. Вследствие высокой насыщенности связей коммутационная плата выполняется многоуровневой и, таким образом, является миниатюрным аналогом многослойной печатной платы. При изготовлении коммутационной платы может быть использована как тонкоплёночная, так и толстоплёночная технологии. Гибридно-плёночные микросхемы включают в себя плёночные пассивные элементы (резисторы и конденсаторы), коммутационные проводники, нанесённые непосредственно на подложку из изоляционного материала, и бескорпусные полупроводниковые кристаллы (транзисторы, диоды, диодные матрицы, несложные микросхемы), монтируемые на той же подложке. Пассивные элементы и проводники могут быть выполнены по тонкоплёночной или толстоплёночной технологии.

В качестве активных элементов в полупроводниковых микросхемах используются униполярные (полевые) транзисторы со структурой “металл - диэлектрик (оксид) - полупроводник” (МДП- или МОП-транзисторы) и биполярные транзисторы. В соответствии с этим все полупроводниковые микросхемы делятся на три основные вида: биполярные, униполярные (МДП или МОП) и биполярно-полевые. Число элементов в интегральной микросхеме характеризует ее степень интеграции. По этому параметру все микросхемы условно делят на малые (МИС - до 102 элементов на кристалл), средние (СИС - до 103), большие (БИС - до 104), сверхбольшие (СБИС - до 106), ультрабольшие (УБИС - до 109) и гигабольшие (ГБИС - более 109 элементов на кристалл). Наиболее высокой степенью интеграции обладают цифровые интегральные схемы с регулярной структурой: схемы динамической и статической памяти, постоянные и перепрограммируемые ЗУ. Это связано с тем, что в таких схемах доля участков поверхности ИС, приходящаяся на межсоединения, существенно меньше, чем в схемах с нерегулярной структурой.

Вообще же существует четыре основных технологических процесса изготовления микросхемы:

Фотолитография - в процессе фотолитографии слой фоторезиста экспонируется в соответствии с рисунком покрытия, имеющегося на фотошаблоне. Фотошаблон - стеклянная пластина (подложка) с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем - покрытием, образующим трафарет с прозрачными и непрозрачными для оптического излучения участками. Подложку фотошаблона выполняют либо из обычного стекла (при экспонировании светом с длиной волны л более 300 нм), либо из кварцевого стекла (при л менее 300 нм). В качестве материала маскирующего слоя фотошаблона обычно используется хром, оксиды хрома, железа и др., образующие твердые износостойкие покрытия.

Травление используют для того, чтобы с участков, незащищенных задубленным фоторезистором, плавиковой кислотой стравить диоксид кремния. В результате в оксидной плёнке образуются окна, через которые и производится диффузия.

Диффузия - процесс, с помощью которого на поверхности или внутри пластины полупроводника получают p- или n- области путём введения акцепторных или донорных примесей.

Эпитаксией называют процесс выращивания одного монокристалла на грани другого. Следует отметить, что процесс эпитаксии при изготовлении полупроводниковых элементов может заменить процесс диффузии.

3. Цоколёвка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы

Микросхемы К544УД2 представляют собой операционные дифференциальные усилители с высоким входным сопротивлением и повышенным быстродействием по сравнению с К544УД1. Применяются при создании видеоусилителей, импульсных усилителей, усилителей фотоприемников, генераторов высокочастотных колебаний. Могут использоваться вместо ОУ КР574УД1, КР574УД3, КР140УД11.

Электрическая схема ИС содержит входной дифференциальный каскад на полевых транзисторах с p-n переходом, промежуточный дифференциальный каскад на p-n-p транзисторах, однотактные согласующие повторители и выходной двухтактный повторитель напряжения. Частотная коррекция осуществляется внутренним интегрирующим конденсатором и резистором. Внутренние элементы частотной коррекции обеспечивают стабильность в различных режимах обратной связи, в том числе при полной отрицательной обратной связи в повторителе напряжения. Для расширения возможностей применения К544УД2, один из выводов цепи коррекции внутри ИС не подключен, а соединен с выводом 8. Включение коррекции происходит при внешнем замыкании выводов 1 и 8. Если выводы 1 и 8 не соединены между собой, то цепь коррекции отключена. При этом ИС имеет наибольшее значение скорости нарастания входного напряжения (100 В/мкс) и произведения усиления на полосу пропускания (200 МГц на уровне усиления 100). Такой режим обеспечивает стабильность и применяется, когда коэффициент обратной связи Kooc 0,05. При глубокой отрицательной связи, когда 1 Kooc 0,05, применяется режим полного включения обратной коррекции, осуществляемый замыканием между собой выводов 1 и 8. Возможен режим частичного включения коррекции с использованием внешнего конденсатора, подключаемого между выводами 1 и 8 и ослабляющего действие внутренних элементов. Такой режим применяется вместо полной коррекции для повышения широкополосности и скорости нарастания входного напряжения ИС.

Содержит 69 интегральных элемента. Корпус типа 301.8-2, масса не более 2 г и 2101.8-1, масса не более 1 г.

Корпус К544УД2

Корпус КР544УД2

Условное графическое обозначение

Схема балансировки напряжения смещения К544УД2, КР544УД2

Схемы коррекции

Электрическая схема

Назначение выводов: 1 - баланс, коррекция, 2 - инвертирующий вход, 3 - неинвертирующий вход, 4,7 - напряжение питания, 5 - баланс, 6 - выход, 8 - коррекция.

Электрические параметры:

Номинальное напряжение питания Uп .±15 В ± 10%

Выходное напряжение при Uп ...10 В

Напряжение смещения нуля при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В ....50 мВ

Средний входной ток при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В 1 нА

Разность входных токов при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В ..1 нА

Ток потребления при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В 7 мА

Коэффициент усиления напряжения при Uп= 15 В, Uвых= 4 В, Rн=2 кОм ..20000

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В, Uвх= 5 В .70 дБ

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В....300 мкВ/В

Средний температурный дрейф напряжения смещения нуля при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В 100 мкВ/ ° C

Частота единичного усиления при Uп= 15 В, Uвых= 0,02 В...15 МГц

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения при Uп= 15 В, Uвых=-10 В, Uвх=-10 В ..10 В/мкс

Входное сопротивление....1 · 1011 Ом

Предельно допустимые режимы эксплуатации:

Напряжение источников питания Uп1, Uп2 (13,5...16,5) В

в предельном режиме.(5...16,6) В

Входные синфазные напряжения 10 В

в предельном режиме12 В

Максимальная рассеиваемая мощность .260 мВт

в предельном режиме ..280 мВт

Сопротивление нагрузки ...2 кОм

в предельном режиме ....1 кОм

Емкость нагрузки....500 пФ

Температура окружающей среды -45...+70 ° C

4. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы

Формовка выводов микросхем

При подготовке микросхем к монтажу на печатные платы выводы подвергаются растяжению, изгибу и сжатию. Поэтому при выполнении операций по формовке необходимо следить, чтобы растягивающее усилие было минимальным. В зависимости от сечения выводов микросхем оно не должно превышать определённое значение (например, для сечения выводов от 0,1 до 2 мм2 -- не более 0,245...19,6 Н).

Формовка выводов прямоугольного поперечного сечения должна производиться с радиусом изгиба не менее удвоенной толщины вывода, а выводов круглого сечения -- с радиусом изгиба не менее двух диаметров вывода (если в ТУ не указывается конкретное значение). Участок вывода на расстоянии 1 мм от тела корпуса не должен подвергаться изгибающим и крутящим деформациям. Обрезка незадействованных выводов микросхем допускается на расстоянии 1 мм от тела корпуса.

В процессе операций формовки и обрезки не допускаются сколы и насечки стекла и керамики в местах заделки выводов в тело корпуса и деформация корпуса. В радиолюбительской практике формовка выводов может проводиться вручную с помощью пинцета с соблюдением приведенных мер предосторожности, предотвращающих нарушение герметичности корпуса микросхемы и его деформацию.

Присоединение пайкой. Выбор метода присоединения пайкой определяется конструкцией корпуса микросхемы и формой его выводов. Корпуса со штырьковыми выводами запаивают в металлизированные отверстия печатных плат в специальных установках многопозиционной пайки: волной припоя, общим и селективным погружением.

При пайке волной припоя печатную плату с односторонним расположением микросхем перемещают горизонтально, соприкасая с верхней кромкой волны припоя, подаваемой с помощью насоса из нижних слоев ванны через продольную щель.

При пайке с общим погружением плату с микросхемами опускают до соприкосновения с поверхностью расплавленного припоя и выдерживают в течение определенного времени. Для исключения образования перемычек между токоведущими дорожками платы используют специальный трафарет, т.е. селектор (пайка с селективным погружением), который устанавливают на плату со стороны пайки. Планарные выводы корпусов микросхем, располагающихся с одной или с обеих сторон печатных плат, вне зависимости от метода присоединения подпаивают только по одному за операцию. Пайку осуществляют паяльником с постоянным или импульсным нагревом, с расплавлением дозированного припоя в месте соединения, с помощью струи горячего воздуха или газа, за счет теплоты, выделяемой при прохождении электрического тока через паяемые детали. Так как выводы располагают с постоянным шагом, а распределение микросхем по плоскости платы регулярное, то все эти методы могут быть автоматизированы.

Пайку паяльником с постоянным нагревом производят как с предварительной дозировкой припоя, так и с захватом припоя жалом паяльника.

Пайку паяльником с импульсным подогревом осуществляют только с предварительной дозировкой припоя. Когда жало паяльника поджимает вывод с таблеткой припоя к контактной площадке, через него пропускается импульс тока, который разогревает паяльник и место пайки до необходимой температуры.

При пайке струёй горячего газа вывод микросхемы вместе с дозой припоя поджимают к контактной площадке, на место пайки направляют струю нагретого воздуха или газа, а корпус микросхемы обдувают струёй холодного воздуха для исключения перегрева. Выводы микрокорпуса обрезают на длину 0,5--0,7 мм, подгибают и после установки корпуса на нагретую керамическую плату спаивают дозой припоя путем обдува струёй горячего воздуха.

При пайке используют различные припои и флюсы. Критерий их выбора - максимально допустимая температура пайки.

Монтаж методами сварки. При монтаже корпусов микросхем с планарными выводами может быть применена сварка двусторонняя контактная точечная, односторонняя точечная сдвоенным электродом, ультразвуковая, импульсная дуговая, лазерным лучом, металлизацией, например путем напыления при электрическом взрыве проволоки или фольги. Основное требование при монтаже сваркой - правильный выбор размеров контактной площадки. Сварное соединение будет надежным и прочным, если ширина контактной площадки составляет не менее 3-5 диаметров или ширины привариваемого вывода, а длина ее-5-8 диаметров. Двусторонняя контактная точечная сварка нашла применение при использовании специальных штырей конусной формы, изготовляемых из углеродистой стали и покрываемых медью и индием. Такие штыри монтируют в металлизированные отверстия печатных плат и приваривают к ним выводы микросхем. При запрессовке штырей в отверстия индий диффундирует в металлическое покрытие отверстия, благодаря чему образуется надежное электрическое и механическое соединение. Достоинство данного метода-возможность многократной замены микросхем. При приварке планарных выводов к печатным контактам лазерным или электронным лучом применяют соединения торцовое, точечное или заклепочное При торцовом соединении часть луча попадает на вывод, а другая часть- на контактную площадку платы. В соединении точечного типа луч полностью направляют на вывод. При заклепочном соединении луч направляют на вывод, в котором имеется просверленное отверстие диаметром, меньшим диаметра луча.

Установка микросхем на платы. Установка и крепление микросхем на платах должны обеспечивать их нормальную работу в условиях эксплуатации РЭА.

Микросхемы устанавливаются на двух- или многослойные печатные платы с учетом ряда требований, основными из которых являются:

1.получение необходимой плотности компоновки;

2.надежное механическое крепление микросхемы и электрическое соединение ее выводов с проводниками платы;

3.возможность замены микросхемы при изготовлении и настройке узла;

4.эффективный отвод теплоты за счет конвенции воздуха или с помощью теплоотводящих шин;

5.исключение деформации корпусов микросхем, так как прогиб платы в несколько десятых миллиметра может привести либо к растрескиванию герметизирующих швов корпуса, либо к деформации дна и отрыву от него подложки или кристалла;

6.возможность покрытия влагозащитным лаком без попадания его на места, не подлежащие покрытию.

Шаг установки микросхем на платы должен быть кратен 2,5; 1,25 или 0,5 мм (в зависимости от типа корпуса). Микросхемы с расстоянием между выводами, кратным 2,5 мм, должны располагаться на плате так, чтобы их выводы совпадали с узлами координатной сетки платы.

Если прочность соединения всех выводов микросхемы с платой в заданных условиях эксплуатации меньше, чем утроенное значение массы микросхемы с учетом динамических перегрузок, то используют дополнительное механическое крепление.

В случае необходимости плата с установленными микросхемами должна быть защищена от климатических воздействий. Микросхемы недопустимо располагать в магнитных полях трансформаторов, дросселей и постоянных магнитов.

Микросхемы со штырьковыми выводами устанавливают только с одной стороны платы, с пленарными выводами -- либо с одной стороны, либо с обеих сторон платы.

Для ориентации микросхем на плате должны быть предусмотрены «ключи», определяющие положение первого вывода микросхемы.

Устанавливать микросхемы в корпусах типа 1 на плату в металлизированные отверстия следует без дополнительного крепления с зазором 1 мм между установочной плоскостью и плоскостью основания корпуса.

Для улучшения механического крепления допускается устанавливать микросхемы в корпусах типа 1 на изоляционных прокладках толщиной 1,0x1,5 мм. Прокладка крепится к плате или всей плоскости основания корпуса клеем или обволакивающим лаком. Прокладку следует размещать под всей площадью корпуса или между выводами на площади не менее 2/3 площади основания; при этом ее конструкция должна исключать возможность касания выступающих изоляторов выводов.

Микросхемы в корпусах типа 2 следует устанавливать на платы с металлизированными отверстиями с зазором между платой и основанием корпуса, который обеспечивается конструкцией выводов.

Микросхемы в корпусах типа 3 с неформируемыми (жесткими) выводами устанавливают на плату с металлизированными отверстиями с зазором 1 мм между установочной плоскостью и плоскостью основания корпуса. Микросхемы с формуемыми (мягкими) выводами устанавливают на плату с зазором 3 мм. Если аппаратура подвергается повышенным механическим воздействиям при эксплуатации, то при установке микросхем должны применяться жесткие прокладки из электроизоляционного материала. Прокладка должна быть приклеена к плате и основанию корпуса и ее конструкция должна обеспечивать целостность гермовводов микросхемы (место заделки выводов в тело корпуса). Установка микросхем в корпусах типов 1-3 на коммутационные платы с помощью отдельных промежуточных шайб не допускается. Микросхемы в корпусах типа 4 с отформованными выводами можно устанавливать вплотную на плату или на прокладку с зазором до 0,3 мм; при этом дополнительное крепление обеспечивается обволакивающим лаком. Зазор может быть увеличен до 0.7 мм, но при этом зазор между плоскостью основания корпуса и платой должен быть полностью заполнен клеем. Допускается установка микросхем в корпусах типа 4 с зазором 0,3, 0,7 мм без дополнительного крепления, если не предусматриваются повышенные механические воздействия. При установке микросхем в корпусах типа 4 допускается смещение свободных концов выводов в горизонтальной плоскости в пределах ± 0,2 мм для их совмещения с контактными площадками. В вертикальной плоскости свободные концы выводов можно перемещать в пределах ± 0,4 мм от положения выводов после формовки.

Приклеивание микросхем к платам рекомендуется осуществлять клеем ВК-9 или АК-20, а также мастикой ЛН. Температура сушки материалов, используемых для крепления микросхем на платы, не должна превышать предельно допустимую для эксплуатации микросхемы. Рекомендуемая температура сушки 65 ± 5° С. При приклеивании микросхем к плате усилие прижатия не должно превышать 0,08'мкПа.

Не допускается приклеивать микросхемы клеем или мастикой, нанесенными отдельными точками на основание или торцы корпуса, так как это может привести к деформации корпуса.

Для повышения устойчивости к климатическим воздействиям платы с микросхемами покрывают, как правило, защитными лаками УР-231 или ЭП-730. Оптимальная толщина покрытия лаком УР-231 составляет 35-55 мкм, лаком ЭП-730 -- 35-100 мкм. Платы с микросхемами рекомендуется покрывать в три слоя.

При покрытии лаком плат с микросхемами, установленными с зазорами, недопустимо наличие лака под микросхемами в виде перемычек между основанием корпуса и платой.

При установке микросхем на платы необходимо избегать усилий, приводящих к деформации корпуса, отклеиванию подложки или кристалла от посадочного места в корпусе, обрыву внутренних соединений микросхемы.

Защита микросхем от электрических воздействий

Из-за малых размеров элементов микросхем и высокой плотности упаковки элементов на поверхности кристалла они чувствительны к разрядам статического электричества. Одной из причин их отказов является воздействие разрядов статического электричества. Статическое электричество вызывает электрические, тепловые и механические воздействия, приводящие к появлению дефектов в микросхемах и ухудшению их параметров.

Статическое электричество отрицательно влияет на МОП- и КМОП-приборы, некоторые типы биполярных приборов и микросхемы (особенно ТТЛШ, пробивающиеся при энергии СЭ в 3 раза меньшей, чем ТТЛ). МОП-приборы с металлическим затвором более восприимчивы к СЭ, чем приборы с кремниевым затвором.

Статическое электричество всегда накапливается на теле человека при его движении (хождении, движении руками или корпусом). При этом могут накапливаться потенциалы в несколько тысяч вольт, что при разряде на. чувствительный к СЭ элемент может вызвать появление дефектов, деградацию его характеристики или разрушение из-за электрических, тепловых и механических воздействий.

Для обнаружения и контроля уровня СЭ и его устранения или нейтрализации используются различные приборы и приспособления, обеспечивающие одинаковый потенциал инструментов операторов и полупроводниковых приборов путем применения электропроводящих материалов или заземления. Например, заземляющие (антистатические) браслеты, укрепляемые на запястье и соединенные через высокое сопротивление (1...100 МОм) с землей (для защиты работающего), является одним из наиболее эффективных средств нейтрализации СЭ, накапливающегося на теле человека, так как через них заряд СЭ может стекать на землю.

Кроме того, используются защитные токопроводящие коврики, столы и стулья из проводящего покрытия, заземленная одежда операторов (халаты, нарукавники, фартуки) из антистатического материала (хлопчатобумажный или синтетический материалы, пропитанные антистатическими растворами, материал с вплетенным экраном из пленки из нержавеющей стали).

Для уменьшения влияния статического электричества необходимо пользоваться рабочей одеждой из малоэлектризующихся материалов, например халатами из хлопчатобумажной ткани, обувью на кожаной подошве. Не рекомендуется применять одежду из шелка, капрона, лавсана.

Для покрытия поверхностей рабочих столов и полов малоэлектризующимися материалами необходимо принять меры по снижению удельного поверхностного сопротивления покрытий. Рабочие столы следует покрывать металлическими листами размером 100x200 мм, соединенными через ограничительное сопротивление 106 Ом с заземляющей шиной.

Оборудование и инструмент, не имеющие питания от сети, подключаются к заземляющей шине через сопротивление 10 Ом. Оснастку и инструмент, которые питаются от сети, подключают к заземляющей шине непосредственно.

Должен быть обеспечен непрерывный контакт оператора с «землей» с помощью специального антистатического браслета, соединенного через высоковольтный резистор (например, типа КЛВ на напряжение 110 кВ). В рабочем помещении рекомендуется обеспечивать влажность воздуха не ниже 50--60%.

Демонтаж микросхем. Если демонтируются микросхемы с пленарными выводами, то следует удалить лак в местах пайки выводов, отпаять выводы по режиму, не нарушающему режим пайки, указанной в паспорте микросхемы, приподнять концы выводов в местах их заделки в гермоввод, снять микросхему с платы термомеханическим путем с помощью специального приспособления, нагреваемого до температуры, исключающей перегрев корпуса микросхемы выше температуры, указанной в паспорте. Время нагрева должно быть достаточным для снятия микросхемы без трещин, сколов и нарушений конструкции корпуса. Концы выводов допускается приподнимать на высоту 0,5... 1 мм, исключая при этом изгиб выводов в местах заделки, что может привести к разгерметизации микросхемы.

При демонтаже микросхем со штырьковыми выводами удаляют лак в местах пайки выводов, отпаивают выводы специальным паяльником (с отсосом припоя), снимают микросхему с платы (не допуская трещин, сколов стекла и деформаций корпуса и выводов). При необходимости допускается (если корпус прикреплен к плате лаком или клеем) снимать микросхемы термомеханическим путем, исключающим перегрев корпуса, или с помощью химических растворителей, не оказывающих влияния на покрытие, маркировку и материал корпуса.

Возможность повторного использования демонтированных микросхем указывается в ТУ на их поставку.

5. Разработка на базе микросхемы КР544УД2В неинвертирующего усилителя, Uвых =6 В, Uвх =16 мВ

Усилитель может быть включен таким образом, что его выходное напряжение совпадает по фазе с входным. Такой вариант включения ОУ называется неинвертирующим. Входной сигнал подается на неинвертирующий вход, а инвертирующий вход соединен с резистором ОС.

Для расчёта коэффициента усиления неинвертирующего усилителя примем, что токи через R0 и Roc равны (считая Ii ? 0), тогда:

Если Roc » R0 , то

Пусть R0 =1,3 кОм, тогда Roc = 374 * 1,3 = 486,2 (кОм)

Литература и сайты

1. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. «Электроника»

2. Кауфман М., Сидман А. «Практическое руководство по расчетам схем в электронике». Справочник в 2-х томах.

3. Интегральные схемы: Операционные усилители. Том 1.

4. http://xradio.net.ru

5. http://www.einfo.ru

6. http://www.ua4fn.ru

Размещено на Allbest.ru