Ефективність фотоелектричного перетворення в тонкоплівкових сонячних елементах та Х-променевих детекторах на основі CdTe

З'ясовано вплив параметрів поглинаючого шару (його товщини, часу життя носіїв заряду, швидкості поверхневої рекомбінації, концентрації некомпенсованих домішок) у їх комплексі на струм короткого замикання тонкоплівкової гетероструктури CdS/CdTe.

На основі генераційно-рекомбінаційного механізму переносу заряду, доповненого надбар'єрним струмом неосновних носіїв при підвищених напругах, знайдено залежності напруги розімкненого кола та коефіцієнта корисної дії сонячного елемента CdS/CdTe від параметрів діодної структури.

Уперше з'ясовано можливості застосування тонкоплівкових бар'єрних структур на основі CdTe в детекторах з прямим перетворенням Х-променевого зображення в електричні сигнали. Визначено механізми процесів, що визначають темновий струм і спектральний розподіл детектуючої ефективності в таких пристроях.

Практичне значення одержаних результатів

Результати проведених досліджень поглиблюють розуміння причинних зв`язків параметрів застосовуваних матеріалів і діодної структури з фізичними процесами в тонкоплівкових сонячних елементах на основі CdS/CdTe і детекторах з прямим перетворенням Х-променевого зображення в електричні сигнали. Результати дослідження впливу зазначених параметрів у їх комплексі на роботу пристроїв дозволили виробити конкретні рекомендації щодо цілеспрямованого керування процесами фотоелектричного перетворення з метою поліпшення їх характеристик. Одержані результати можуть бути застосовані в розробці і виробництві конкурентно здатних пристроїв такого типу.

Публікації і особистий внесок дисертанта

За матеріалами дисертаційної роботи опубліковано 18 наукових праць. З них: 7 статей в наукових журналах, 11 тез конференцій (перелік наведено нижче). Особистий внесок дисертанта у працях [1*, 2*, 12*, 13*] полягає у проведенні експериментальних досліджень спектральних характеристик, комп'ютерній обробці одержаних результатів, їх зіставленні з експериментальними даними. У публікаціях [3*, 5*, 8*, 9*, 11*, 15*] дисертанту належить проведення комп'ютерних розрахунків, в публікаціях [6*, 7*, 10*, 16*] - проведення експериментальних досліджень електричних характеристик зразків, комп'ютерна обробка результатів вимірювань та розрахунків фотоелектричних характеристик, в публікаціях [4*, 14*, 17*] - обробка експериментальних результатів і комп'ютерні розрахунки. Аналіз одержаних результатів, їх інтерпретація і формулювання основних висновків роботи зроблені дисертантом або самостійно, або разом із співавторами опублікованих праць.

Апробація результатів дисертації

Основні результати досліджень, викладені у дисертаційній роботі, доповідались і обговорювались на семінарах кафедри фізики напівпровідників і гетероструктур та кафедри оптоелектроніки ЧНУ, а також представлені на таких наукових конференціях (особисто або співавторами): ІІ Міжнародна наукова конференція молодих учених «Молодь і досягнення науки у вирішенні проблем сучасності» (Чернівці, 2005), XIV International Materials research Congress (Cancun, Mexico, 2005), XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Warsaw, 2005), E-MRS Spring Meeting (Nice, France, 2006), XXXV International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Warsaw, 2006), ХІ Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок (Івано-Франківськ, 2007), III Всеукраїнська наукова конференція з фізики напівпровідників (Одеса, 2007), XVI International Materials Research Congress (Cancun, Mexico, 2007), XXXVII International School on the Semiconducting Compounds (Jaszowiec, Poland, 2008), IX международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии» (Одесса, 2008), The 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (San Diego, USA, 2008), E-MRS Spring Meeting. Symposium L: Thin film chalcogenide photovoltaic materials (Strasbourg, France, 2008).

Структура і об'єм дисертації

Дисертаційна робота складається зі вступу, аналітичного огляду з теми дослідження (розділ 1), чотирьох оригінальних розділів, висновків, списку використаних літературних джерел з 103 найменувань. Загальний обсяг дисертації становить 147 сторінок, 51 рисунків.

Основний зміст роботи

У вступі обґрунтовано актуальність теми дисертаційної роботи та її зв'язок з науковими програмами і темами Чернівецького національного університету, сформульовано мету і задачі досліджень, наукову новизну і практичне значення отриманих результатів, наведено дані про апробацію роботи, список публікацій та особистий внесок дисертанта.

У першому розділі подано аналітичний огляд літератури з теми дослідження. Висвітлено місце і роль тонкоплівкового CdTe в напівпровідниковій сонячній енергетиці та в засобах діагностики з прямим перетворенням Х-променевого зображення в електричні сигнали. Існуючі пристрої обох типів розроблені переважно на емпіричній основі, а подальший прогрес у поліпшенні їх параметрів стримується браком результатів дослідження фізичних процесів, що визначають параметри і характеристики пристроїв.

Другий розділ присвячений дослідженню спектрального розподілу фотоелектричного квантового виходу з(л), необхідного для знаходження одного з ключових параметрів сонячного елемента, яким є струм короткого замикання сонячного елемента. Наведено результати експериментального дослідження (рис. 1) та комп'ютерних розрахунків з(л) з урахуванням основних процесів, що відбуваються в тонкоплівковій CdS/CdTe гетероструктурі (рис. 2 і 3): поглинання випромінювання, участь у формуванні фотоструму дрейфової й дифузійної компонент, оптичні й рекомбінаційні втрати в області просторового заряду та на межах поділу.

Квантова ефективність та її спектральний розподіл досліджувались, виходячи з рівняння неперервності. Точний розв'язок рівняння для діода Шотткі з урахуванням рекомбінації на поверхнях поглинаючого шару призводить до доволі громіздкого виразу для внутрішнього фотоелектричного квантового виходу [1], який можна спростити, враховуючи специфіку діода, й отримати формулу (1) для дрейфової компоненти фотоелектричного квантового виходу. Для дифузійної компоненти фотоелектричного квантового виходу з урахуванням поверхневої рекомбінації на тильній поверхні шару CdTe, використовувався точний вираз (2) для сонячного елемента з p-n переходом.

Результати розрахунків повного фотоелектричного квантового виходу

= _drift + _dif

з використанням експериментальних кривих пропускання скла з ІТО покриттям, T_ITO(), і шару CdS, T_CdS(), показують, що, варіюючи значеннями концентрації некомпенсованих акцепторів N_a - N_d і часу життя електронів ф_n, можна отримати спектральні залежності різної форми, включаючи подібні до експериментально виміряних кривих (рис. 3).

Ефективність збирання заряду в збідненому шарі визначається формулою Гехта, але з урахуванням неоднорідності електричного поля в діодній структурі (рис. 4) [3]. З аналізу отриманих даних випливає важливий висновок: при часі життя носіїв заряду 10-⁸ с рекомбінаційними втратами в області просторового заряду можна знехтувати в широких межах зміни концентрації некомпенсованих акцепторів N_a - N_d 10¹⁴ см-³ в той час, як для = 10-¹⁰-10-¹¹ с це можливо, коли тільки N_a - N_d перевищує 10¹⁶ см-³.

У третьому розділі розглядається струм короткого замикання сонячного елемента CdS/CdTe. Знаючи спектр випромінення Сонця, поданий у таблицях Міжнародної організації стандартизації ISO 9845-1, густину струму короткого замикання J_sc можна знайти за формулою.

Для знаходження дрейфової компоненти J_sc у формулі (3) використовувався вираз (1). Розрахунок проведений при швидкості поверхневої рекомбінації на фронтальній поверхні шару S = 10⁷ см/с і S = 0 (рис. 5). Коли S = 0, струм короткого замикання неперервно зростає з розширенням W, досягаючи максимального значення J_sc = 28.7 мА/см² при W > 10 мкм. Поверхнева рекомбінація знижує значення струму короткого замикання за умови, що електричне поле в області просторового заряду не є достатньо високим (при N_a - N_d 10¹⁵ см-³).

Для мінімізації втрат, зумовлених поверхневою рекомбінацією на межі поділу CdS/CdTe, слід прийняти N_a - N_d = 10¹⁷ см-³, а щоб компенсувати зменшення дрейфової компоненти, _n доводиться прирівняти максимально можливому для CdTe значенню 310-⁶ с. При товщині шару CdTe декілька мікрон дифузійна компонента квантового виходу, розрахована за формулами (2) і (3), як функція товщини d шару CdTe, при швидкості поверхневої рекомбінації S = 10⁷ см/с і S = 0 достатньо мала (рис. 6). У разі S = 0 повне збирання заряду в нейтральній області (J_dif = 17.8 мA/см²) досягається, коли величина d наближається до 15 мкм.

Для повного збирання заряду у разі, коли S = 10⁷ см/с, товщина шару CdTe має бути значно більшою і становить уже 50 мкм. Товщина шару CdTe може бути меншою без значних втрат при меншому часі життя електронів _n, а отже, і меншій дифузійній довжині електронів L_n = (_nD_n)^1/2.

При достатньо великих значеннях L_n має місце практично повне збирання заряду й густина повного струму короткого замикання J_sc досягає свого максимального значення 28.7 мA/см² (рис. 7а). Якщо ж область просторового заряду є надто широкою, електричне поле стає слабким і струм короткого замикання зменшується внаслідок поверхневої рекомбінації.

При товщині плівки CdTe 5 мкм, що часто має місце в сонячних елементах на основі CdTe, і _n 10-⁸ с густина струму короткого замикання дорівнює 26-27 мA/см² при N_a - N_d > 10¹⁶ см-³ (рис. 7б). Для коротших часів життя електронів, максимальне значення J_sc досягається, коли N_a - N_d знаходиться в межах (1-3)10¹⁵ см-³.

У четвертому розділі аналізується напруга холостого ходу, фактор заповнення і коефіцієнт корисної дії CdS/CdTe гетероструктури. Експериментальні I-V характеристики структури, як і їх еволюція при зміні температури, добре описуються теорією генерації-рекомбінації Саа-Нойса-Шоклі [4]. спектральний квантовий напруга детектор

У загальному вигляді швидкість генерації-рекомбінації U(x,V) визначається концентрацією електронів n і дірок p в дозволених зонах, ефективними часами життя електронів і дірок у збідненому шарі (_no і _po), енергетичною віддалю E_t рекомбінаційного рівня від вершини валентної зони,:

p₁ = Nexp(-E_t/kT) і n₁ = N_cexp[- (E_t- E_g)/kT]

де

N_c = 2(m_nkT/2h²)^3/2

N = 2(m_pkT/2h²)^3/2

ефективні густини станів у зоні провідності і валентній зоні, m_n и m_p - ефективні маси електронів і дірок.

Густина рекомбінаційного струму при прямому зміщенні і генераційного при зворотному знаходиться інтегруванням U(x,V) по всьому збідненому шарі:

При низьких і помірних прямих зміщеннях домінуючим механізмом переносу заряду є рекомбінація в збідненому шарі. Однак при наближені qV до висоти бар'єру _o надбар'єрний дифузійний струм стає порівняним з рекомбінаційним і може перевищувати його завдяки різкішій залежності від напруги. Оскільки бар'єр для дірок набагато вищій, ніж для електронів, у надбар'єрному струмові переважає електрона компонента.

I-V характеристики досліджуваних CdS/CdTe сонячних елементів, суттєво залежать від питомого опору CdTe поглинаючого шару (рис. 8а).

Значення питомого опору, знайдені із залежностей диференціального опору R_dif діодних структур при прямому зміщенні (рис. 8б), знаходяться в межах від 20 до 410⁷ Омсм. Для зразків з низьким питомим опором при прямих напругах V < 0.7-0.8 В спостерігається протяжна ділянка, де виконується залежність I exp(qV/nkT) при n 1.9. При вищих V має місце відхилення від експоненти в бік більших напруг, яке зумовлене не спадом напруги на опорі нейтральної частини CdTe шару R_s, а особливостями механізму переносу заряду в тонкоплівковій CdS/CdTe гетероструктурі. При ще вищих напругах ( 1 В) спостерігається різкіше зростання струму, зумовлене надбар'єрною компонентою струму.

Отже, густину струму слід представити сумою генераційно-рекомбінаційної й надбар'єрної компонент:

Результати розрахунків за формулою (6) добре узгоджується з результатами вимірів як прямого, так і оберненого струмів при прийнятних значеннях ефективних часів життя _no і _po, енергії іонізації генераційно-рекомбінацій-ного центру E_t = 0.73 еВ і концентрації некомпенсованих акцепторів (рис. 9).

Напруга холостого ходу V_oc і фактор заповнення FF за умов опромінення, разом зі струмом короткого замикання J_sc визначають коефіцієнт корисної дії сонячного елемента. Вольт-амперні характеристики гетероструктури CdS/CdTe, розраховані за умов опромінення АМ1.5 і J_sc = 26 мА/см², засвідчують залежність V_oc і FF від питомого опору , _no і _po (рис. 10). У розповсюдженому випадку, коли =_no=_po=10-⁹ с, V_oc зростає від 0.8 до 0.9 В при зменшенні від 10³ до 0.1 Омсм. Залежно від фактор заповнення FF зростає при збільшені від 0.81-0.82 до 0.9.

Коефіцієнт корисної дії гетероструктури помітно зростає від 15-16 % до 21-27 % при збільшені часу життя носіїв і питомого опору шару CdTe в зазначених межах. Величина при = 10-¹⁰-10-⁹ с знаходиться в околі 17-18.5 %, причому зниження питомого опору шару CdTe дозволяє збільшити всього на 0.5-1.5%.

У п'ятому розділі розглядається можливості заміни шару Se, застосовуваного в детекторах з прямим перетворенням Х-променевого зображення, тонкоплівковим CdTe з діодом Шотткі. Завдяки більшому коефіцієнту поглинання Х-променів в області енергії квантів 50-80 кеВ, більшому добутку рухливості носіїв на час життя носіїв і меншій енергії утворення електронно-діркової пари при ударній іонізації, можна забезпечити вищу чутливість CdTe до рентгенівського випромінювання, а значить знизити дозу опромінення організму людини при обстеженні. Одночасно можна знизити робочу напругу детектора і зменшити витрати матеріалу.

Зіставлення експериментальних I-V характеристик зворотного струму для діодів Ni/n-CdTe та Al/p-CdTe з залежностями зворотного струму від напруги, розрахованими згідно дифузійної, надбар'єрної і генераційно-рекомбінаційної теорій свідчать про коректність останнього механізму переносу заряду в тонко-плівкових діодах Шотткі (рис. 12).

Залежності ефективності збирання заряду _c від координати, розраховані при N_d - N_a = 10¹⁴ см-³ і різних значеннях _n = _p = для Al/p-CdTe діода, показують, що через меншу рухливість дірок порівняно з електронами в найменш сприятливих умовах збирання заряду виявляються електронно-діркові пари, що виникають біля фронтального електрода (рис. 13). Для Ni/n-CdTe діода в найменш сприятливих умовах збирання заряду виявляються електронно-діркові пари, що виникають на границі області просторового заряду з нейтральною областю діодної структури. Величина _c істотно залежить від часу життя носіїв заряду. Для практичних застосувань важливим є те, що при часі життя меншому 10⁷ с ефективність збирання заряду значно нижча одиниці. Однак при збільшенні концентрації некомпенсованих донорів ефективність збирання заряду істотно поліпшується, завдяки звуженню області просторового заряду.

Розрахунок спектрального розподілу ефективності детектування в Ni/n-CdTe й Al/p-CdTe діодних структурах при реальному для CdTe, часу життя носіїв = 310-⁶ с, показують, що ефективність детектування Al/p-CdTe структури істотно вища, ніж Ni/n-CdTe оскільки електрони мають більшу рухливість, ніж дірки (рис. 14). Для рентгеноскопії м'яких тканин ефективність = 0.5-0.7 більш ніж достатня, однак і для рентгеноскопії кісток з урахуванням переваг фотопровідника з бар'єром Шотткі ефективність = 0.2-0.4 є цілком прийнятною.

У разі Al/p-CdTe діода варіювання прикладеної напруги, як і зміна концентрації некомпенсованих акцеп-торів при N_a - N_d 10¹⁵ см-³, практично не впливає на ефективність детектування, що є ще однією перевагою Al/p-CdTe детектора.

Основні результати та висновки

Проведені дослідження фізичних процесів у тонкоплівкових бар'єрних структурах на основі CdTe залежно від параметрів діодних структур і застосовуваних матеріалів дозволили виявити суттєві закономірності та сформулювати важливі для практики висновки.

1. Експериментально досліджено спектри фотоелектричного квантового виходу тонкоплівкових сонячних елементів CdS/CdTe в інтервалі 246-356 К. Для пояснення експериментальних даних запропоновано теоретичну модель, яка враховує дифузійну і дрейфову компоненти фотоструму, рекомбінаційні втрати в області просторового заряду, на межі поділу CdS-CdTe і на тильній поверхні шару CdTe, а також оптичні втрати. Отримано кількісне узгодження результатів розрахунку з виміряними спектрами фоточутливості сонячного елемента.

2. Доведено, що втрати, зумовлені рекомбінацією на межі поділу CdTe з CdS, можуть помітно знижувати густину струму короткого замикання, але є несуттєвими, якщо концентрація некомпенсованих акцепторів N_a - N_d в CdTe шарі перевищує 10¹⁶ см-³, а часи життя носіїв заряду більші або рівні 10-¹⁰ с. Для повного збирання заряду, фотогенерованого в області просторового заряду, час життя носіїв має бути не меншим 10-⁸ с.

3. Показано, що повне збирання заряду, фотогенерованого у нейтральній частині шару CdTe, можна здійснити, якщо час життя електронів _n становить хоча б кілька мікросекунд, а товщина шару CdTe - 20-30 мкм, тобто більша порівняно з типовими модулями (3-5 мкм). При типовому значенні _n = 10-⁹-10-¹⁰ с розрахована густина струму короткого замикання J_sc збігається з його значеннями для кращих із отриманих зразків сонячних елементів CdTe/CdS.

4. Втрати, зумовлені відбиванням випромінювання від меж поділу повітря-скло, скло -ІТО, ІТО-CdS, CdS-CdTe, призводять до зменшення густини струму короткого замикання на ~ 10 %, а абсорбційні втрати, зумовлені поглинанням у CdS шарі при його товщині (50-80 нм), - на 13-18 %.

5. При типових значеннях ефективного часу життя носіїв в області просторового заряду = 10-¹⁰-10-⁹ с і питомого опору поглинаючого шару = 10-¹-10³ Омсм розраховані значення коефіцієнта корисної дії CdS/CdTe сонячного елемента = 17-19 %, що відповідає ефективності кращих зразків, описаних у літературі. Поліпшуючи кристалічну структуру шару CdTe і, тим самим, збільшуючи , можна помітно підвищити напругу розімкненого кола V_oc, а отже, величину. Наближення до теоретичної межі (25-27%) можливе лише при збільшенні _n до 10-⁷-10-⁶ с і зменшенні питомого опору CdTe до 0.1-1 Омсм.

6. Коефіцієнт корисної дії з гетероструктури CdS/CdTe значно зменшується з підвищенням температури, причому ці зміни зростають зі збільшення питомого опору с шару CdTe від 20-30 % для с = 1 Ом·см до 40-50 % для с = 10⁶ Ом·см в температурному інтервалі від - 40 С до 100 С (температурні коефіцієнти 6.3 % і 8.1 % на 1 С, відповідно). Температурний коефіцієнт струму короткого замикання завдяки зміні спектрального розподілу чутливості не перевищує 0.02 % на 1С.

7. З'ясовано можливості практичного застосування тонкоплівкового CdTe з діодом Шотткі в детекторах з прямим перетворенням Х-променевого зображення в електричні сигнали. Наявність бар'єрної структури Ni/n-CdTe або Al/p-CdTe забезпечує малі значення темнового струму, порівняні зі струмами в існуючих a-Se детекторах, а концентрація електричного поля в області просторового заряду знімає проблему збирання фотогенерованого заряду, якщо час життя неосновних носіїв 10-⁷ с, а концентрація некомпенсованих домішок вища 10¹⁴ см-³.

8. Результати дослідження детектуючої ефективності з_det діодної структури Al/p-CdTe показують, що при часі життя електронів кілька мікросекунд з_det становить 50-70% і 20-40% в області енергії квантів 20-30 кеВ та 50-80 кеВ, відповідно. Такі показники цілком прийнятні для застосування тонкоплівкового CdTe в детекторах Х-променевого зображення для клінічного обстеження організму людини при низьких дозах опромінення.

Основні результати дисертаційної роботи викладені в таких публікаціях

Recombination losses in thin-film CdS/CdTe photovoltaic devices / Kosyachenko L.A., Grushko E.V., Motushchuk V.V. // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2006. - V. 90, №15. - P. 2201-2212.

Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure / Kosyachenko L.A., Mathew X., Grushko E.V., [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2007. - V. 10. - P. 15-20.

Dependence of charge collection in thin-film CdTe solar cells on the absorber layer parameters / Kosyachenko L.A., Grushko E.V., Savchuk A.I. // Semicond. Sci. Technol. -2008. - V. 23. - P. 025011 (7pp).

CdTe-based Schottky diode X-ray detectors for medical imaging / Gnatyuk V.A., Kosyachenko L.A., Grushko E.V., [et al.] // Proc. SPIE. -2008. - V. 7008. - P. 70081Z-70081Z-10.

Effect of absorber layer parameters on charge collection in thin-film CdS/CdTe solar cells: Proc. of the 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (San Diego, CA May 11-16. 2008). - 157 p.

Dependence of efficiency of thin-film CdS/CdTe solar cell on parameters of absorber layer and barrier structure / Kosyachenko L.A., Savchuk A.I., Grushko E.V. // Thin Solid Film. - 2009. - V. 517. - P. 2386-2391.

Влияние толщины поглощающего слоя на эффективность CdS/CdTe солнечного элемента / Косяченко Л.А., Савчук А.И., Грушко Е.В. // ФТП. - 2009. - T. 43, №8. - C. 1060.

Analytical Description of I-V Characteristics and Spectral Response of Thin-Film Au-CdTe Photovoltaic Devices: Abstracts of EMRS Spring Meeting (France, Nice, May 29-June 2, 2006 ). - O PIII 16 p.

Особливості механізму переносу заряду в тонкоплівкових CdS/CdTe сонячних елементах: Матеріали ХІ Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок та наносистем” (Україна, Івано-Франківськ, 7-12 травня 2007). - 179 c.

Електричні й рекомбінаційні втрати в тонкоплівкових CdS/CdTe сонячних елементах: Тези доповідей ІІІ Українській конференції з фізики напівпровідників (Україна, Одеса, 17-22 червня 2007). - 309 c.

Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure: Abstracts of 8-th International Young Scientists Conference “Optics & High Technology material science SPO 2007” (Ukraine, Kyev, 25-28 Octobers. 2007). - 124 p.

Spectral response of thin film CdS/CdTe photovoltaic devices: Abstracts XVI Intern. Materials Research Congress. Symposium 4: Photovoltaics, Solar Energy Materials and Thin Films (Mexico, Cancun, 19-23 August 2007). - 32 p.

Матричные детекторы рентгеновского изображения на основе тонкопленочного CdTe: Материалы IX международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии» (Украина, Одесса, 19-23 мая 2008). - 236 с.

Effect of absorber layer parameters on charge collection in thin-film CdTe solar cells: Abstracts The 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference. (USA, San Diego, May 11-16 2008). - Abstract No. 207.

Dependence of Efficiency of Thin-Film CdS/CdTe Solar Cell on Parameters of Absorber Layer and Barrier Structure: Abstracts E-MRS 2008 Spring Meeting. Symposium L: Thin film chalcogenide photovoltaic materials (France, Strasbourg May 26-30. 2008). - 45 p.

Детектори рентгенівського й гамма випромінювання на основі телуриду кадмію: Тези доповідей на 3-ій Міжнародні науково-технічній конференції “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (Україна, Одеса 2-6 червня 2008). - 26 c.

Effect of Absorber Layer Parameters on Charge Collection Efficiency in Thin-Film CdS/CdTe Solar Cells: Abstracts XXXVII International School-Conference on the Semiconducting Compounds (Poland, Jaszowiec June 17-23, 2007). - 152 p.

Анотація

Євгеній Грушко. Ефективність фотоелектричного перетворення в тонкоплівкових сонячних елементах та Х-променевих детекторах на основі CdTe. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2009.