Атомно-силовая микроскопия

Физические основы работы атомно-силового микроскопа. Силовое взаимодействие между зондом и поверхностью. Вид потенциала Ленарда-Джонса. Технология изготовления зондовых датчиков атомно-силовых микроскопов. Контактная атомно-силовая микроскопия.

Рубрика Физика и энергетика
Вид реферат
Язык русский
Дата добавления 06.09.2015
Размер файла 1,2 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Атомно-силовая микроскопия

1. Физические основы работы атомно-силового микроскопа

Атомно-силовой микроскоп (АСМ) был изобретен в 1986 году Гердом Биннигом, Кэлвином Куэйтом и Кристофером Гербером. В основе работы АСМ лежит силовое взаимодействие между зондом и поверхностью, для регистрации которого используются специальные зондовые датчики, представляющие собой упругую консоль с острым зондом на конце (рис. 1). Сила, действующая на зонд со стороны поверхности, приводит к изгибу консоли. Регистрируя величину изгиба, можно контролировать силу взаимодействия зонда с поверхностью.

Рис.1 Схематическое изображение зондового датчика ACМ

Качественно работу АСМ можно пояснить на примере сил Ван-дер-Ваальса. Наиболее часто энергию ван-дер-ваальсова взаимодействия двух атомов, находящихся на расстоянии друг от друга, аппроксимируют степенной функцией - потенциалом Леннарда-Джонса:

Первое слагаемое в данном выражении описывает дальнодействующее притяжение, обусловленное, в основном, диполь-дипольным взаимодействием атомов. Второе слагаемое учитывает отталкивание атомов на малых расстояниях. Параметр - равновесное состояние между атомами, - значение энергии в минимуме. На рис. 2 представлен качественный вид потенциала Ленарда-Джонса.

Рис. 2. Качественный вид потенциала Ленарда-Джонса

Потенциал Леннарда-Джонса позволяет оценить силу взаимодействия зонда с образцом. Общую энергию системы можно получить, суммируя элементарные взаимодействия для каждого из атомов зонда и образца.

Рис. 3. К расчету энергии взаимодействия зонда и образца

Тогда для энергии взаимодействия получаем (рис. 3):

где и - плотности атомов в материале образца и зонда.

Сила, действующая на зонд со стороны поверхности, может быть вычислена следующим образом

В общем случае данная сила имеет как нормальную к поверхности, так и латеральную (лежащую в плоскости поверхности образца) составляющие. Реальное взаимодействие зонда с образцом имеет более сложный характер, однако основные черты данного взаимодействия сохраняются - зонд АСМ испытывает притяжение со стороны образца на больших расстояниях и отталкивание на малых.

Получение АСМ изображений рельефа поверхности связано с регистрацией малых изгибов упругой консоли зондового датчика. В атомно-силовой микроскопии для этой цели широко используются оптические методы (рис. 4).

Рис. 4. Схема оптической регистрации изгиба консоли зондового датчика АСМ

Оптическая система АСМ юстируется таким образом, чтобы излучение полупроводникового лазера фокусировалось на консоли зондового датчика, а отраженный пучок попадал в центр фоточувствительной области фотоприемника. В качестве позиционно-чувствительных фотоприемников применяются четырехсекционные полупроводниковые фотодиоды.

Рис. 5. Соответствие между типом изгибных деформаций консоли зондового датчика и изменением положения пятна засветки на фотодиоде

Основные регистрируемые оптической системой параметры - это деформации изгиба консоли под действием Z-компонент сил притяжения или отталкивания (FZ) и деформации кручения консоли под действием латеральных компонент сил (FL) взаимодействия зонда с поверхностью. Если обозначить исходные значения фототока в секциях фотодиода через I01, I02, I03, I04, а через I1, I2, I3, I4, - значения токов после изменения положения консоли, то разностные токи с различных секций фотодиода будут однозначно характеризовать величину и направление изгиба консоли зондового датчика АСМ. Действительно, разность токов вида пропорциональна изгибу консоли под действием силы, действующей по нормали к поверхности образца (рис. 5 а), а комбинация разностных токов вида характеризует изгиб консоли под действием латеральных сил (рис. 5 б). Величина используется в качестве входного параметра в петле обратной связи атомно-силового микроскопа (рис. 6). Система обратной связи (ОС) обеспечивает с помощью пьезоэлектрического исполнительного элемента, который поддерживает изгиб консоли ?Z, равным величине ?Z0, задаваемой оператором.

При сканировании образца в режиме ?Z = const зонд перемещается вдоль поверхности, при этом напряжение на Z-электроде сканера записывается в память компьютера в качестве рельефа поверхности Z=f(x, y). Пространственное разрешение АСМ определяется радиусом закругления зонда и чувствительностью системы, регистрирующей отклонения консоли. В настоящее время реализованы конструкции АСМ, позволяющие получать атомарное разрешение при исследовании поверхности образцов.

Зондирование поверхности в атомно-силовом микроскопе производится с помощью специальных зондовых датчиков, представляющих собой упругую консоль - кантилевер (cantilever) с острым зондом на конце

Рис.6. Упрощенная схема организации обратной связи в атомно-силовом микроскопе

атомный силовой микроскоп зондовый

(рис. 7). Датчики изготавливаются методами фотолитографии и травления из кремниевых пластин. Упругие консоли формируются, в основном, из тонких слоев легированного кремния, SiO2 или Si3N4.

Один конец кантилевера жестко закреплен на кремниевом основании - держателе. На другом конце консоли располагается собственно зонд в виде острой иглы. Радиус закругления современных АСМ зондов составляет 150 нм в зависимости от типа зондов и технологии их изготовления. Угол при вершине зонда - 1020°. Силу взаимодействия зонда с поверхностью F можно оценить следующим образом:

где - жесткость кантилевера; ?Z - величина, характеризующая его изгиб. Коэффициенты жесткости кантилеверов варьируются в диапазоне 10-310 Н/м в зависимости от используемых при их изготовлении материалов и геометрических размеров. При работе зондовых АСМ датчиков в колебательных режимах важны резонансные свойства кантилеверов.

Si

Рис. 7. Схематическое изображение зондового датчика АСМ

Собственные частоты изгибных колебаний консоли прямоугольного сечения определяются следующей формулой:

,

где - длина консоли, - модуль Юнга, - момент инерции сечения консоли, - плотность материала, - площадь поперечного сечения, - численный коэффициент (в диапазоне 1100), зависящий от моды изгибных колебаний (рис. 8).

Рис.8. Основные моды изгибных колебаний консоли

Как видно из выражения, резонансная частота кантилевера определяется его геометрическими размерами и свойствами материала. Частоты основных мод лежат в диапазоне 101000 кГц. Добротность кантилеверов, в основном, зависит от той среды, в которой они работают. Типичные значения добротности при работе в вакууме составляют 103 - 104. На воздухе добротность снижается до 300 - 500, а в жидкости падает до 10 - 100.

В атомно-силовой микроскопии применяются, в основном, зондовые датчики двух типов - с кантилевером в виде балки прямоугольного сечения и с треугольным кантилевером, образованным двумя балками. Общий вид зондового датчика с кантилевером в виде балки прямоугольного сечения представлен на рис. 9.

Рис. 9. Общий вид зондового АСМ датчика с одиночной консолью прямоугольного сечения

На рис. 10. показаны электронно-микроскопические изображения выпускаемых серийно зондовых датчиков NSG11 с консолью прямоугольного сечения (компания "НТ-МДТ").

Рис. 10. Электронно-микроскопическое изображение АСМ зонда, расположенного на прямоугольной консоли

Иногда зондовые датчики АСМ имеют несколько кантилеверов различной длины (а значит, и различной жесткости) на одном основании. В этом случае выбор рабочей консоли осуществляется соответствующей юстировкой оптической системы атомно-силового микроскопа.

Зондовые датчики с треугольным кантилевером имеют при тех же размерах большую жесткость и, следовательно, более высокие резонансные частоты. Чаще всего они применяются в колебательных АСМ методиках. Общий вид и габариты зондовых датчиков с треугольной консолью представлены на рис. 11 и 12.

Рис. 11. Общий вид зондового датчика с треугольным кантилевером

Рис.12. Электронно-микроскопическое изображение АСМ зонда, расположенного на треугольном кантилевере

1.1.

2. Технология изготовления зондовых датчиков атомно-силовых микроскопов

Изготовление зондовых датчиков для АСМ представляет собой достаточно сложный технологический процесс, включающий в себя операции фотолитографии, ионной имплантации, химического и плазменного травления. Основные этапы одной из возможных технологий изготовления зондовых датчиков представлены на рис. 13.

Рис. 13. Основные этапы процесса изготовления зондовых датчиков

Для изготовления зондовых датчиков используются пластины кристаллического кремния ориентации (110). На поверхность пластины осаждается тонкий слой фоторезиста (рис. 13, этап 2). Затем фоторезист экспонируется через фотошаблон, и часть фоторезиста удаляется посредством химического травления. Далее проводится имплантация ионов бора, так что ионы проникают на глубину порядка 10 мкм в область кремния, не защищенную фоторезистом (этап 3). После этого фоторезист смывается в специальном травителе, и затем проводится термический отжиг пластины, в результате которого атомы бора встраиваются в кристаллическую решетку кремния. Кремний, легированный бором, образует так называемый стоп-слой, который останавливает процесс травления для некоторых селективных травителей. Затем на обратной стороне пластины вновь проводится фотолитография, в результате которой формируется слой фоторезиста точно над областью, имплантированной бором. После этого пластина покрывается тонким слоем Si3N4 (этап 4). Затем проводится селективное травление фоторезиста, причем в процессе растворения фоторезист набухает и срывает расположенную непосредственно над ним тонкую пленку Si3N4 (этап 5). Пластина кремния протравливается насквозь до стоп-слоя с помощью селективного травителя, который взаимодействует с кремнием и не взаимодействует с легированным кремнием и слоем Si3N4 (этап 6). После этого Si3N4 смывается, и на обратной стороне пластины в легированной области методом фотолитографии формируются островки из фоторезиста (этап 7, 8). Затем проводится травление кремния, в результате которого получаются столбики кремния под островками фоторезиста (этап 9). Далее с помощью плазменного травления из столбиков кремния формируются иглы (этап 10, 11). Для улучшения отражательных свойств, кантилеверы с обратной стороны (по отношению к острию) покрываются тонким слоем металла (Al, Аu) методом вакуумного осаждения. В результате данных технологических операций изготавливается целый набор зондовых датчиков на одной кремниевой пластине. Для проведения электрических измерений на зонд наносятся проводящие покрытия из различных материалов (Аu, Pt, Cr, W, Мо, Ti, W2C и др.). В магнитных АСМ датчиках зонды покрываются тонкими слоями ферромагнитных материалов, таких как Cо, Fe, CoCr, FeCr, CoPt и др.

3. Контактная атомно-силовая микроскопия

Условно методы получения информации о рельефе и свойствах поверхности с помощью АСМ можно разбить на две большие группы - контактные квазистатические и бесконтактные колебательные. В контактных квазистатических методиках острие зонда находится в непосредственном соприкосновении с поверхностью, при этом силы притяжения и отталкивания, действующие со стороны образца, уравновешиваются силой упругости консоли. При работе АСМ в таких режимах используются кантилеверы с относительно малыми коэффициентами жесткости, что позволяет обеспечить высокую чувствительность и избежать нежелательного чрезмерного воздействия зонда на образец.

В квазистатическом режиме АСМ изображение рельефа исследуемой поверхности формируется либо при постоянной силе взаимодействия зонда с поверхностью (сила притяжения или отталкивания), либо при постоянном среднем расстоянии между основанием зондового датчика и поверхностью образца. При сканировании образца в режиме FZ = const система обратной связи поддерживает постоянной величину изгиба кантилевера, а следовательно, и силу взаимодействия зонда с образцом (рис. 14.). При этом управляющее напряжение в петле обратной связи, подающееся на Z-электрод сканера, будет пропорционально рельефу поверхности образца.

При исследовании образцов с малыми (порядка единиц ангстрем) перепадами высот рельефа часто применяется режим сканирования при постоянном среднем расстоянии между основанием зондового датчика и поверхностью (Z = const). В этом случае зондовый датчик движется на некоторой средней высоте Zcp над образцом (рис. 14), при этом в каждой точке регистрируется изгиб консоли ?Z, пропорциональный силе, действующей на зонд со стороны поверхности. АСМ изображение в этом случае характеризует пространственное распределение силы взаимодействия зонда с поверхностью.

Рис.14. Формирование АСМ изображения при постоянной силе взаимодействия зонда с образцом

Рис. 15. Формирование АСМ изображения при постоянном расстоянии между зондовым датчиком и образцом

Недостаток контактных АСМ методик - непосредственное механическое взаимодействие зонда с поверхностью. Это часто приводит к поломке зондов и разрушению поверхности образцов в процессе сканирования. Кроме того, контактные методики практически не пригодны для исследования образцов, обладающих малой механической жесткостью, таких как структуры на основе органических материалов и биологические объекты.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Принципы работы сканирующих зондовых микроскопов. Сканирующие элементы, защита зондовых микроскопов от внешних воздействий. Стабилизация термодрейфа положения зонда над поверхностью. Формирование и обработка изображений. Атомно-силовая микроскопия.

    курсовая работа [3,0 M], добавлен 17.12.2014

  • Общие сведения об атомно-силовой микроскопии, принцип работы кантилевера. Режимы работы атомно-силового микроскопа: контактный, бесконтактный и полуконтактный. Использование микроскопа для изучения материалов и процессов с нанометровым разрешением.

    реферат [167,4 K], добавлен 09.04.2018

  • Теоретические основы сканирующей зондовой микроскопии. Схемы сканирующих туннельных микроскопов. Атомно-силовая и ближнепольная оптическая микроскопия. Исследования поверхности кремния с использованием сканирующего зондового микроскопа NanoEducator.

    дипломная работа [2,8 M], добавлен 16.08.2014

  • Решение проблемы увеличения разрешающей способности микроскопов без разрушения или изменения исследуемого образца. История появления зондовой микроскопии. Атомно-силовой микроскоп и его конструктивные составляющие, обработка полученной информации.

    реферат [692,6 K], добавлен 19.12.2015

  • Создание атомного силового микроскопа, принцип действия, преимущества и недостатки. Методы атомно-силовой микроскопии. Технические возможности атомного силового микроскопа. Применение атомно-силовой микроскопии для описания деформаций полимерных пленок.

    курсовая работа [2,5 M], добавлен 14.11.2012

  • Сканирующий туннельный микроскоп, применение. Принцип действия атомного силового микроскопа. Исследование биологических объектов – макромолекул (в том числе и молекул ДНК), вирусов и других биологических структур методом атомно-силовой микроскопии.

    курсовая работа [2,7 M], добавлен 28.04.2014

  • Магнитно-силовая микроскопия как инструмент для исследования микро- и наномагнитных структур. Определение рельефа с использованием контактного или прерывисто-контатного методов. Магнитное взаимодействие, явление парамагнетизма и ферромагнетизма.

    реферат [592,7 K], добавлен 18.10.2013

  • Метрологические характеристики и аналитические возможности атомно-абсорбционного метода. Способы монохроматизации и регистрации спектров. Индикаторные, мембранные и металлические электроды. Рентгеновская, атомно-флуоресцентная, электронная спектроскопия.

    автореферат [3,1 M], добавлен 30.04.2015

  • Теория атомно-абсорбционных измерений: излучение и поглощения света, понятие линии поглощения и коэффициента поглощения, контур линии поглощения. Принцип работы лазера. Описание работы гелий-неонового лазера. Лазеры на органических красителях.

    реферат [392,9 K], добавлен 03.10.2007

  • Взаимодействие зонда и исследуемой поверхности с использованием обратной связи. Методы постоянного туннельного тока и постоянной высоты для получения изображения рельефа поверхности. Принципы атомно-силовой оптической и магнитно-силовой микроскопии.

    реферат [517,5 K], добавлен 18.04.2016

  • Зондові наноскопічні установки з комп'ютерним управлінням і аналізом даних. Метод атомно-силової мікроскопії; принцип і режими роботи, фізичні основи. Зондові датчики АСМ: технологія виготовлення, керування, особливості застосування до нанооб’єктів.

    курсовая работа [4,7 M], добавлен 22.12.2010

  • Проблема зависимости цитотоксических свойств наночастиц от их кристаллической структуры. Изучение степени воздействия наночастиц на клеточную мембрану методом атомно-силовой спектроскопии. Качественное взаимодействие наночастиц TiO2 и эритроцитов.

    курсовая работа [3,0 M], добавлен 13.06.2013

  • История микроскопа - прибора для получения увеличенного изображения объектов, не видимых невооруженным глазом. Методы световой микроскопии. Принцип действия и устройство металлографического микроскопа. Методы микроскопического исследования металлов.

    реферат [3,3 M], добавлен 10.06.2009

  • Трековые мембраны, их свойства, определение, получение, применение. Наноразмерные материалы: наноструктуры, нанопроволоки и нанотрубки. Матричный синтез, микроскопия. Получение наноструктур из ферромагнитных материалов, микроскопия металлических реплик.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.06.2012

  • Основные положения атомно-молекулярного учения. Закономерности броуновского движения. Вещества атомного строения. Основные сведения о строении атома. Тепловое движение молекул. Взаимодействие атомов и молекул. Измерение скорости движения молекул газа.

    презентация [226,2 K], добавлен 18.11.2013

  • Устройство микроскопа, история его разработок и тенденции к совершенствованию. Разрешающая способность микроскопов. Особенности оптических, электронных, сканирующих зондовых, рентгеновских, дифференциальных интерференционно-контрастных микроскопов.

    презентация [393,7 K], добавлен 06.02.2014

  • Виды световых микроскопов, их комплектация. Правила использования и ухода за микроскопом. Классификация применяемых объективов в оптических приборах. Иммерсионные системы и счетные камеры световых микроскопов. Методы контрастирования изображения.

    реферат [607,9 K], добавлен 06.10.2014

  • Визначення поняття спектру електромагнітного випромінювання; його види: радіо- та мікрохвилі, інфрачервоні промені. Лінійчаті, смугасті та безперервні спектри. Структура молекулярних спектрів. Особливості атомно-емісійного та абсорбційного аналізу.

    курсовая работа [46,6 K], добавлен 31.10.2014

  • Понятие и устройство микроскопа, история его разработок и современные тенденции к совершенствованию, функции и задачи. Микроскопия как изучение объектов с использованием микроскопа, ее разновидности и принципы, сферы практического применения на сегодня.

    презентация [8,6 M], добавлен 23.11.2012

  • Управление свойствами полупроводниковых материалов, основанное на формировании в полупроводниковой матрице наноразмерных кластеров. Обработка экспериментальных данных и спектральные характеристики вентильной фотоэдс, структур, содержащих нанокластеры.

    презентация [552,9 K], добавлен 06.12.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.