Расчёт деталей на электротранспорте

Размещено на http://www.allbest.ru/

Дипломная работа

по дисциплине «Физические основы электроники»

Расчёт деталей на электротранспорте

(практическая часть с расчётами)



1. Исходные данные для расчёта

Обратный ток насыщения p-n перехода

максимальное обратное напряжение прибора

напряжение питания

сопротивление нагрузки

схема включения транзистора ОК;

максимально допустимая мощность рассеяния транзистора

коэффициент, зависящий от материала (германий, кремний)

угол регулирования тиристора

ток базы



2. Полупроводниковый диод

Вольт - амперная характеристика перехода определяется соотношениями:

;

,

где - обратный ток насыщения при температуре

;

- напряжение на переходе;

- заряд электрона; ;

- постоянная Больцмана;;

(германий);

- температурный коэффициент (кремний).

2.1 Для заданного значения

при

рассчитаем (табл. 1) и построим вольт - амперную характеристику перехода (рис. 1).

Таблица 1

Рис. 1

По таблице 1 строим таблицу 2, увеличивая значение падения напряжения в 3 раза. (Тем самым мы учитываем падение напряжения на дифферециальном сопротивлении перехода диода и его выводах.)

Таблица 2

По данным табл. 2 строим вольт - амперную характеристику кремниевого диода (рис. 2).

Рис. 2

2.2 Определим падение напряжения и ток диода

В соответствии со схемой (рис. 3) по уравнению:

,

построив нагрузочную характеристику (рис. 4) (U_VD - падение напряжения на диоде).

Рис. 3

Рис. 4

По нагрузочной характеристике определяем падение напряжения на диоде:

и ток диода:

Зная U_VD, можно рассчитать I_VD еще одним способом по формуле:

;.

2.3 Рассчитаем дифференциальное сопротивление R_диф= ДU/ДI, пороговые напряжения U_nор и потери ДР в диоде от прямого тока I_VD.пр

,

где I_VDср, I_VDэф - среднее и эффективное значения тока диода.

Построим касательную линию к вольт-амперной характеристике диода таким образом, чтобы она проходила через рабочую точку.

Результат этого действия показан на рисунке 5.

Рис. 5

Из рис. 5 находим:

.

Используя эти данные, рассчитываем дифференциальное сопротивление:

Величина порогового напряжения (рис. 5)

.

Рассчитываем мощность потерь в диоде:

;

где I_VD.cp- среднее значение тока диода;

I_VD.эф - эффективное значение тока диода.

2.4 Изобразить форму напряжения и тока диода в схеме однофазного мостового выпрямителя при работе на активную нагрузку

Рис. 6



Форма напряжений в схеме однофазного мостового выпрямителя при работе на активную нагрузку показана на рисунке 6.

Т.к. нагрузка активная, то ток пропорционален напряжению:

.

Следовательно, форма тока повторяет форму напряжения.

2.5 Привести и пояснить условное обозначение диода общего пользования (до 10 А) и силового диода

Условное графическое обозначение диода общего пользования показано на рисунке 7.

Рис. 7

Условные графические обозначения силовых диодов показаны на рисунке 8.

Силовой выпрямительный диод

Диод Шоттки

Рис. 8

Силовой диод отличается от обычного диода наличием дополнительного слоя между двумя проводящими слоями («n»и «p»). Дополнительный слой значительно толще основных. (Дополнительный слой имеет толщину 0,2 … 1 мм, в то время как толщина основных слоев 20 мкм).

Диоды Шоттки - это полупроводниковый диод, который использует переход металл-полупроводник вместо р-п перехода у обычных диодов.

Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых диодов установлено отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81.

Например: КД211А

К (первый элемент обозначения) - исходный материал: кремний или его соединения;

Д (второй элемент обозначения) - подкласс прибора: диод;

2 - (третий элемент обозначения) - наиболее характерные эксплуатационные признаки: постоянное или среднее значение прямого тока более 0,3 А, но не более 10 А;

11 (четвертый и пятый элемент обозначения) - порядковый номер разработки: номер разработки 11;

А (пятый элемент обозначения) - классификационная литера: группа А.

Условное обозначение (маркировка) силовых полупроводниковых диодов установлена ГОСТ 20859.1-89.

Например: Д 143-630-12ТЗ.

Д (первый элемент обозначения) - вид полупроводникового прибора: выпрямительный диод;

1 (второй элемент обозначения) - порядковый номер модификации: номер модификации 1;

4 (третий элемент обозначения) - конструктивные размеры для данного исполнителя: максимальный диаметр корпуса 65 мм;

3 (четвертый элемент обозначения) - конструктивное исполнение прибора: таблеточное конструктивное исполнение;

630 (пятый, шестой и седьмой элементы обозначения) - максимально допустимый средний прямой ток: 630А;

12 (восьмой и девятый элемент обозначения) - класс диода: класс диода 12. Для этого класса диода согласно ГОСТ 20859.1-89 повторяющееся импульсное обратное напряжение не менее 1200 В.

Т (десятый элемент обозначения) - вид климатического исполнения: климатическое исполнение Т по ГОСТ 15150;

3 (одиннадцатый элемент обозначения) - категория размещения: категория размещения 3 по ГОСТ 15150.



3. Стабилитрон

На рис. 9 приведена схема параметрического стабилизатора постоянного напряжения.

3.1 Для заданных значений сопротивления нагрузки R_н , напряжения питания Е, величины U_ст , Е_min ,Е_max принимаем равными 2Е, 3Е и 4Е соответственно. По напряжению стабилизации U_ст определяем ток нагрузки I_н, выбираем тип стабилитрона и рассчитываем ток стабилизации I_ст

;

.

Рис. 9

Для нашего случая:

Рассчитываем ток нагрузки:

;

По напряжению стабилизации U_ст и току нагрузки I_н выбираем тип стабилитрона.

Выбираем два стабилитрона типа Д815Г с номинальным напряжением стабилизацииВ (из партии стабилитронов выбираем, необходимый нам, стабилитрон с напряжением стабилизации ) и номинальным током стабилизации мА.

;

или раскрыв скобки:

Отсюда

3.2. Для выбранного типа стабилитрона определяем координаты точек ВАХ в зоне лавинного пробоя по значениям U_cт, I_cт.н, I_cт.min, R_диф и ДU_cт, по которым строится обратная ветвь ВАХ (Рис. 10)

Для наихудшего случая, т.е. когда

.

Рассчитываем ориентировочную (максимально возможную) величину сопротивления балластного резистора:

Выбираем величину сопротивления балластного резистора

Рассчитываем ток стабилизации І_ст для случая, когда

;

3.3. Теперь приступаем к построению вольт-амперной характеристики стабилитрона в зоне лавинного пробоя.

Сначала по номинальным значениямимА строим точку А.

Результаты этого показаны на рис. 10.

Затем рассчитываем напряжение для точки, где

:

?І_ст при этом составит:

?І_ст = 500 - 124= 376 мА.

.

Для нашего стабилитрона Д815Г(2 шт.)R_диф = 2x2,7=5,4 Ом .

Отсюда мы можем рассчитать:

;

Тогда напряжение для этой точки составит:

;

По этим значениямВимА строим точку В.

Через точки А и В проводим прямую линию.

Для тока : строим точку D.

3.4. Строим нагрузочные характеристики для заданных значений напряжений в соответствии с уравнением

;

;

;

Т.к. ,

то

.

Построим нагрузочные характеристики, принимая для крайних точек U_ст = 0 и I_ст = 0 (рис. 10).

Нагрузочная характеристика линейной подсистемы представляет прямую, проходящую через точки, соответствующие режимам холостого хода и короткого замыкания.

Для режима холостого хода (т.е. когда ток через стабилитрон не протекает)

U_xx = · Е,

где

.

.

По этим значениям I_ст = 0 мА истроим точку Е.

Для режима короткого замыкания (т.е. когда стабилитрон замкнут накоротко)

;

.

По этим значениям иU_ст = 0 В строим точку F.

Затем точки Е и F соединяем прямой. Это и есть наша нагрузочная характеристика. Затем рассчитываем аналогичные точки Gи Н для входного напряжения 3Е = 39=27 В.

.

.

Точки Gи Н соединяем прямой.

Рис. 10

3.5. Определяем пределы измерения напряжения на нагрузке при изменении входного напряжения

.

При изменении тока нагрузки на величину ДI_Hотклонение выходного напряжения может быть рассчитано по формуле:

.

Уменьшенное сопротивление нагрузки (на 4%) приведёт к увеличению тока на

Это вызовет уменьшение выходного напряжения стабилизатора на величину:

3.6. Рассчитаем коэффициент стабилизации напряжения:



4. Транзистор

Сочетания знаков и значений напряжений на р-п переходах определяют режим работы транзистора: активный - напряжение на эмиттерном переходе прямое, на коллекторном - обратное, отсечки - обаперехода смещены в обратном направлении (транзистор заперт): насыщения - на обоих переходах прямое напряжение (транзистор открыт); инверсный - напряжение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном - прямое.

4.1

На рис. 11,12,13,14 изображены схемы включения транзисторов типа р-п-р и п-р-п. Показаны полярность напряжений на электродах транзисторов для заданных выше режимов работы.

Рис. 11

Рис. 12



Рис. 13

Рис. 14

Схема с общим коллектором (ОК). Схема включения с общим коллектором показана на рисунке 15,16. Такая схема чаще называется эмиттерным повторителем.

Особенность этой схемы в том, что очень сильна отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме ОЭ. Коэффициент усиления по напряжению приближается к единице, но всегда меньше ее. В итоге коэффициент усиления по мощности примерно равен k_i, т. е. нескольким десяткам.

В схеме ОК фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным - потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Входное сопротивление схемы ОК довольно высокое (десятки килоом), а выходное - сравнительно небольшое. Это является немаловажным достоинством схемы.

4.2 Расчёт усилительного каскада

На рис. 17 изображена схема усилительного каскада с общим эмиттером со смещением в цепи базы с помощью резистора R_б.

Рис. 17

Напряжение источника питания Е_П усилительного каскада выбирается в пределах 10 … 30 В.

Для расчета каскада необходимо:

- выбрать тип транзистора (по величине Е_Ки Р_к.max);

- построить выходные и входные характеристики транзистора;

- нанести на выходные характеристики ограничения по максимальной мощности Р_к.max, I_к.max, U_кэ.max

.



По уравнению

построить нагрузочную характеристику по двум точкам:

при

I_K = 0; I_K =I_Kmax.

Линия нагрузки должна проходить ниже допустимых значений ограничений.

По выходным характеристикам и нагрузочной прямой строят переходную характеристику

.

Выбирают рабочую точку в середине линейного участка переходной характеристики.

Проецируют линейный участок на нагрузочную и входные характеристики, определяют для точки покоя:

I_бп - значение тока базы;

U_бп - напряжение между базой и эмиттером;

R_б - резистор в цепи базы, обеспечивающий режим покоя.

При заданной величине постоянной составляющей I_бп = І_бо тока базы на переходной характеристике указывается ее значение и аналогично определяются остальные величины токов и напряжений.

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора VT усилительного каскада: ; .

По величинам Р_к.maxи Е_к выбираем тип транзистора: КТ312А.

Транзистор КТ312А имеет такие максимально допустимые параметры:

напряжение U_кэ.max=20В;

ток І_к.max= 30 мА.

Напряжение источника питания усилительного каскада выбираем в пределах 10…30 В: В.

напряжение U_кб.max=20В;

мощность Р_к.max= 225 мВт.

Выходные характеристики транзистора КТ312А показаны на рис. 18.

Рис. 18

Ограничения транзистора КТ312А по максимальной мощности Р_к.max, напряжению U_к.max и току І_к.max показаны на рис.18 красными пунктирными линиями. Данные для расчета ограничительной линии по мощности Р_к.max указаны в табл. 3

Таблица 3

Uкэ, В	Iк, мА	Pк, мВт
5	45	225
10	22,5
15	15
20	11,25

На основании данных таблицы 3 по точкам строится ограничительная линия 90 (синяя) по мощности Р_к.max.

Оранжевыми линиями показано ограничение по мощности мВт, заданное в исходных данных.

Данные для расчета ограничительной линии по мощности указаны в табл. 4

Таблица 4

Uкэ, В	Iк, мА
2,5	52	Pк, мВт
5	26	130
10	13
15	8,7
20	6,5

Для того, чтобы выполнялось условие

,

заданное в условии, необходимо, чтобы нагрузочная прямая проходила ниже синей ограничительной линии. Для этого проводим нагрузочную прямую через точку С (см. рис. 18).

Рассчитываем величину сопротивления R_K:

По выходным характеристикам и нагрузочной прямой строим по точкам переходную характеристику



.

Переходная характеристика показана на рис. 19 в левой верхней части.

Рис. 19

Выбираем рабочую точку в серединелинейного участка переходной характеристики (точка Е на рис. 19).

«Проецируем» линейный участок переходной характеристики на нагрузочную и входную характеристики.

Определяем для точки покоя значение токабазы.

I_Б.п = 250 мкА.

Определяем для точки покоя напряжение между базой и эмиттером (см. точка Н на рис. 19):

В.

Рассчитываем величину сопротивления резистора в цепи базы:

;



Ом = 57кОм.

Рассчитываем коэффициент усиления по току:

;

где I_б.т. - амплитуда тока базы на линейном участке DF;

I_к.т - амплитуда тока коллектора на линейном участке DF.

Рассчитаем амплитуду выходного напряжения:

;

В.

Рассчитаем выходную мощность:

;

Вт = 2,123 мВт.

Рассчитаем мощность, потребляемую усилителем:

,

где I_КП - постоянная составляющая коллекторного тока.

Вт = 160,1 мВт ? 160 мВт.

Рассчитаем КПД каскада:

;

или в процентах:

з= 1,3 %.

Рассчитаем мощность, выделяемую на коллекторе от постоянных составляющих тока и напряжения:

;

Вт = 92,8 мВт ? 93 мВт.

Рассчитываем коэффициент усиления по напряжению:

;

.

Рассчитываем коэффициент усиления по мощности:

;

Рассчитываем входную мощность:

;



Вт = 0,55 мкВт.

Рассчитываем входное сопротивление:

;

Ом.

Рассчитываем емкость входного разделительного конденсатора:

,

где f_min - минимальное значение диапазона рабочих частот.

f_min = 100 Гц.

Ф = 50,7 мкФ ? 51 мкФ.

Выбираем рабочую точку в серединелинейного участка переходной характеристики (точка Е на рис. 19).

«Проецируем» линейный участок переходной характеристики на нагрузочную и входную характеристики.

Определяем для точки покоя значение токабазы.

I_Б.п = 250 мкА.

Определяем для точки покоя напряжение между базой и эмиттером (см. точка Н на рис. 19):

Рассчитываем величину сопротивления резистора в цепи базы:

;

Рассчитываем коэффициент усиления по току:

;

где I_б.т. - амплитуда тока базы на линейном участке DF;

I_к.т - амплитуда тока коллектора на линейном участке DF.

Рассчитаем амплитуду выходного напряжения:

;

Рассчитаем выходную мощность:

;

Рассчитаем мощность, потребляемую усилителем:

,

где I_КП - постоянная составляющая коллекторного тока.

Рассчитаем КПД каскада:

;

или в процентах:

Рассчитаем мощность, выделяемую на коллекторе от постоянных составляющих тока и напряжения:

;

Рассчитываем коэффициент усиления по напряжению:

;

Рассчитываем коэффициент усиления по мощности:

;



Рассчитываем входную мощность:

;

Рассчитываем входное сопротивление:

;

Рассчитываем емкость входного разделительного конденсатора:

,

где f_min - минимальное значение диапазона рабочих частот.

f_min = 100 Гц.



5. Полевой транзистор

5.1 Привести условное обозначение полевых транзисторов (6 видов) и их стоко-затворные характеристики

Условные обозначения и стоко-затворные характеристики полевых транзисторов с управляющим р-п переходом показаны на рис. 20. Вверху - с каналом п-типа, внизу - с каналом р-типа.

Рис. 20

Условные обозначения и стоко-затворные характеристики полевых транзисторов с встроенным каналом показаны на рис. 21, 22.

Рис. 21



Рис.22

На рис. 21показан полевойтранзистор с встроенным каналом п-типа.

На рис. 22показан полевой транзистор с встроенным каналом р-типа.

Условные обозначения и стоко-затворные характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом и изолированным затвором показаны на рис. 23, 24.

Рис.23

Рис. 24

На рис. 23 показан полевой транзистор с индуцированным каналом п-типа и изолированным затвором.

На рис. 24 показан полевой транзистор с индуцированным каналом р-типа и изолированным затвором.

5.2 Изобразить схемы включения (с общим истоком, общим стоком, общим затвором) транзисторов с р-п переходом и изолированным затвором для статического режима и режима нагрузки

На рис. 25 показана схема включения полевого транзистора с управляющим р-п переходом по схеме с общим истоком.

Рис. 25

На рис. 26 показана схема включения полевого транзистора с индуцированным каналом и изолированным затвором по схеме с общим истоком.

Рис. 26

На рис. 27 показана схема включения полевого транзистора с управляющим р-п переходом по схеме с общим затвором.

Рис. 27.

На рис. 28 показана схема включения полевого транзистора с индуцированным каналом и изолированным затвором по схеме с общим затвором.

Рис. 28

На рис. 29 показана схема включения полевого транзистора с управляющим р-п переходом по схеме с общим стоком.

Рис. 29

На рис. 30 показана схема включения полевого транзистора с индуцированным каналом и изолированным затвором по схеме с общим стоком.

Рис. 30

5.3 Изобразить выходные характеристики полевого транзистора

напряжение диод стабилизатор тиристор

Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим переходом показаны на рис. 31

Рис. 31

5.4 Рассчитать параметры усилительного каскада

Рис. 32

Для нашего случая:

- напряжение питания Е_с = 6 В;

- напряжение отсечки U_отс = -2 В;

- максимальный ток стока I_c.max = 1,5 мА;

- ток стока I_c = 0,8 мА;

модуль коэффициента усиления по напряжению |K_U| = 10.

На основании выражения

рассчитаем напряжение затвор-исток U_ЗИ:

;

Тогда

;

;

В.

Рассчитаем максимальную крутизну характеристики прибора:

;

мА/В.

Рассчитаем крутизну характеристики в рабочей точке.

;

мА/В.

Рассчитаем сопротивление резистора в цепи истока:

;

Ом.

Рассчитаем сопротивление резистора в цепи стока:

;

Ом = 9,126 кОм ? 9,1 кОм

Рассчитаем величину емкости С_И

,

где f - нижняя граничная частота сигнала.

Ф ? 35,4 мкФ.

5.5 Привести пример условного обозначения полевого транзистора

Пример условного обозначения полевого транзистора: КП302А

К (первый элемент обозначения) - исходный материал: кремний или его соединения;

П (второй элемент обозначения) - подкласс прибора: полевой транзистор;

3 (третий элемент обозначения) - наиболее характерные эксплуатационные признаки: полевой транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с рабочей частотой более 30 МГц;

02 (четвертый и пятый элемент обозначения) - порядковый номер разработки: номер разработки 2;

А (шестой элемент обозначения) - классификационная литера: группа А.

Группа А определяет такие электрические параметры:

- начальный ток стока: не менее 3 мА, но не более 24 мА;

- крутизна характеристики: не менее 5 мА/В, но не более 12,5 мА/В;

- напряжение отсечки: не менее 1 В, но не более 5 В;

- коэффициент шума: не более 0,93 дБ;

- входная емкость: не менее 8 пФ, но не более 20 пФ;

- выходная емкость: не менее 4,1 пФ, но не более 7,1 пФ;

- максимально допустимый ток стока: 24 мА;

- прямой ток затвора: не более 6 мА;

- максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В;

- максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 В;

- максимально допустимое напряжение затвор-сток: 20 В;

- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора: 300 мВт.



6. Тиристор

6.1 Привести схематическое изображение структуры операционного тиристора, его условное изображение, схемы замещения и ВАХ с указанным на ней основных параметров

Схематическое изображение структуры однооперационного тиристора показано на рис. 33.

Рис. 33

Условное графическое обозначение тиристора показано на рис. 34.

Рис. 34

Схема замещения тиристора показана на рис. 35.

Рис. 35

Вольт-амперная характеристика тиристора показана на рис. 36.

Рис. 36

Участок характеристики между точками 0 и 1 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. Этот участок характеристики аналогичен обратной ветви ВАХ р-п перехода.

При достижении напряжения U_вкл (ток при этом равен I_вкл) начинается процесс отпирания тиристора (U_вкл зависит от напряжения на управляющем электроде).

Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует переходному участку характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Участок характеристики между точками 2 и 3 соответствует открытому состоянию с низким сопротивлением.

Ток удержания I_уд - это минимальный ток, при котором открытый тиристор остается в этом (открытом) состоянии после снятия напряжения на управляющем электроде.

Участок характеристики между точками 0 и 4 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением (обратная ветвь ВАХ).

Участок характеристики между точками 4 и 5 соответствует режиму пробоя на обратной ветви ВАХ.



6.2 Изобразить ВАХ и дать в виде таблицы условные обозначения следующих видов тиристоров: быстродействующих, симметричных, с обратной проводимостью, асимметричных, комбинированно-включаемых, фото- и оптоприборов, двухоперационных, магнитоуправляемых, быстровыключающихся, быстровключающихся, неуправляемых, лавинных

Условные обозначения различных видов тиристоров и соответствующие им вольтамперные характеристики показаны на рис. 37.

Рис.37

6.3 На рис. 35, 39 изображены схемы однофазного симметричного управляемого мостового выпрямителя и тиристорного триггера. Привести диаграммы выходного напряжения и тока при работе выпрямителя на активную нагрузку для заданного угла регулирования б_р. Дать описание принципа действия триггера, изобразить форму напряжения на конденсаторе при переключении триггера с частотой 100 Гц

Рис. 38

Рис. 39

Для нашего случая: угол регулирования б_р = 90⁰.

Рис. 40

В момент времени от 0 до t₁ тиристоры VS1 и VS4 закрыты, как и тиристоры VS2 и VS3 (рис. 40).

В момент времени t₁ тиристоры VS1 и VS4 открываются и через резистор нагрузки R_н начинает протекать ток.

В момент времени t₂ тиристоры VS1 и VS4 закрываются, т.к. напряжение на них равно нулю.

Ток через резистор нагрузки R_н прекращается.В момент времени от t₂ до t₃ все тиристоры закрыты.

В момент времени t₃ тиристоры VS2 и VS3 открываются и через резистор нагрузки R_н начинает протекать ток.

В момент времени t₄ тиристоры VS2 и VS3 закрываются, т.к. напряжение на них равно нулю.

Ток через резистор нагрузки R_н прекращается.

Далее все повторяется.

Напряжение на тиристоры VS1 и VS4 показано на нижнем графике рис. 38, ток через тиристор на среднем графике.

Схема тиристорного триггера показана на рис. 39

Форма напряжения на конденсаторе при переключении триггера с частотой 100 Гц показана на рис. 41.

Рис. 41

Принцип действия триггера, показанного на рис. 39 основан на перезаряде конденсатора С напряжением прямой и обратной полярности, а затем использованием этого напряжения для закрытия тиристора VS1 или VS2.

До наступления момента времени t₀ (см. рис. 41) оба тиристора VS1 и VS2 закрыты. Конденсатор С при этом не заряжен.

В момент времени t₀ тиристор VS1 открывается сигналом со схемы управления. При этом проходит заряд конденсатора С по цепи VS1 - С - R2.

В момент времени t₁ открывается тиристор VS2 сигналом со схемы управления. При этом напряжение на конденсаторе С оказывается приложенным к тиристору VS1 в обратной полярности (через открытый тиристор VS2). Тиристор VS1 закрывается. Происходит заряд конденсатора С по цепи VS2 - C - R1.

В момент времени t₂ опять открывается тиристор VS1 сигналом со схемы управления.

И весь процесс повторяется.



6.4 Привести условное обозначение тиристора и дать его расшифровку

Пример условного обозначения тиристора: ТЛ171-320-10-6Т3:

Т (первый элемент обозначения) - вид полупроводникового прибора: тиристор;

Л (второй элемент обозначения) - подвид полупроводникового прибора: тиристор лавинный;

1 (третий элемент обозначения) - порядковый номер модификации: номер модификации 1;

7 (четвертый элемент обозначения) - конструктивные размеры для данного исполнения: размер шестигранника «под ключ» 41 мм;

1 (пятый элемент обозначения) - конструктивное исполнение прбора: штыревое с гибким катодным выводом;

320 (шестой, седьмой и восьмой элементы обозначения) - максимально допустимый средний прямой ток: 320 А;

10 (девятый и десятый элементы обозначения) - класс тиристора: класс тиристора 10. Для этого класса тиристора согласно ГОСТ 20859.1-89 повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии не менее 1000 В;

6 (одиннадцатый элемент обозначения) - группа цифр, обозначающих сочетание классификационных параметров: критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 500 В/мкс;

Т (двенадцатый элемент обозначения) вид климатического исполнения: климатическое исполнение Т по ГОСТ 15150.

3 (тринадцатый элемент обозначения) - категория размещения: категория размещения 3 по ГОСТ 15150.

Размещено на Allbest.ru

...