Инерционная инжекция свободных электронов в металлах
Перегруппировка свободных электронов в теле металлического диска при вращении. Расчет числа свободных электронов в каждом слое. Градиент числа свободных электронов. Схема развертки металлического зубчатого диска. Графики емкостной связи зубчатого диска.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | доклад |
Язык | русский |
Дата добавления | 01.06.2016 |
Размер файла | 600,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
ИНЕРЦИОННАЯ ИНЖЕКЦИЯ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
В МЕТАЛЛАХ
О.Ф. Меньших
При достаточно быстром вращении металлического диска происходит перегруппировка свободных электронов в теле диска - их объёмная плотность увеличивается от оси диска к его краю по линейному закону и прямо пропорционально квадрату угловой скорости вращения диска под действием центростремительных сил, действующих на свободные электроны.
Действительно, на массу свободного электрoна m при вращении металлического диска радиуса R с угловой скоростью щ действует центростремительная сила
f(r) = m щ2 r
в каждом элементе объёма dv, находящемся на расстоянии r от оси вращения диска, где 0 ? r ? R. Если при щ = 0 объёмная плотность свободных электронов составляет с0, где с0 =dn/dv, то среднее расстояние между смежными свободными электронами в таком диске равно
х0 = = (1 / с0)1/3
Следовательно, по радиусу диска R размещается в среднем N слоёв, составленных из свободных электронов, где
N = R / х0 = R с01/3
Если считать, что каждый атом металла диска имеет по одному валентному электрону, который может рассматриваться как свободный электрон, то общее число таких свободных электронов в диске толщиной h, выполненном из металла с атомным весом А и плотностью о, для объёма диска
электрон металл диск
V = 2рR2h
МД = о V
число свободных электронов в объёме диска будет равно
nУ = NA МД / A = 2р* *NA о h R2 / A,
где NA =6,02*10 23 (1/моль) - число Авогадро. Объёмная плотность с0 = nУ /V= = NA о/ A и величина х0 = (1 / с0)1/3 = (A / NA о)1/3.
Число слоёв
N = R / х0 = R (NA о/ A)1/3
Число свободных электронов в каждом iом слое, где i = 1, 2, 3,… N, неодинаково, увеличивается от слоя к слою по линейному закону. Так, в первом слое число свободных электронов равно в среднем числу 2 р h (NA о /A)1/3, во втором 4 р h(NA о /A)1/3, в третьем 6 р h (NA о / /A)1/3 , и т.д. В iом слое число свободных электронов равно 2 р i h (NA о /A)1/3 , а в Nом слое их будет 2 р N h (NA о /A)1/3. Радиус iого слоя определяется как ri = i R / N = i (A / NA о)1/3. Градиент числа свободных электронов
dni /dri = 2р i h (NA о /A)1/3/ i (A / NA о)1/3 = 2р h (NA о / /A)2/3
при щ = 0, то есть определяется сортностью используемого металла в диске и его толщиной. Учитывая, что свободные электроны в объёме диска распределены равномерно, то есть с0 = const(v), разность потенциалов ц0 между осью вращения диска и его краем равна нулю ц0 = 0.
Иначе обстоит дело, если диск привести в достаточно быстрое вращение, например, связав его с осью гироскопа, частота вращения которого может достигать 105 об/мин. и более. В этом случае действие центростремительных сил приведёт к перегруппировке расстояний между смежными слоями свободных электронов (а также между смежными свободными электронами внутри каждого из слоёв), которое будет уменьшаться по мере приближения к краю диска. Это приведёт к тому, что объёмная плотность свободных электронов на краю диска будет существенно больше таковой вблизи оси диска, что приведёт к разности потенциалов ц(ri) > 0 между осью вращения диска и его радиальным слоем ri,, величина которой достигает максимума на краю диска Max ц(ri) = ц(R).
Строгий расчёт объёмной плотности на краю диска с(R) > с(0) достаточно сложен, поскольку должен учитывать коллективное действие на свободные электроны Nго слоя всех других свободных электронов предыдущих слоёв, а также кулоновские силы отталкивания fe = e2 / /4ре0x02 между свободными электронами в Nом слое и свободными электронами других внутренних слоёв диска. Объёмная плотность свободных электронов с(R) определяет их поверхностную плотность у(R) = [с(R)]2/3. По величине поверхностной плотности у(R) можно рассчитать поверхностный заряд на краевом сечении диска S = 2рRh, равный qS = 2р* *у(R) Rh. Зная ёмкость краевой части диска С и её заряд qS, определяем разность потенцииалов ц(R) = 2р [у(R) - у(0)] Rh/С между краем диска и его осью вращения, причём у(0) - поверхностная плотность свободных электронов на оси диска (для радиуса оси диска RОСИ << R). Значение
Ду = у(R) у(0) = g(R щ2)
Для опытного определения величины Ду путём измерения ц(R) при известных параметрах измерительного прибора Rh/С последний может быть выполнен в виде зубчатого диска с осью вращения, механически связанной с осью гироскопа, а электрически диск связан с двумя коаксиально расположенными зубчатыми дискамистаторами через зазоры малой величины (емкостная связь). Зубцы всех указанных дисков распределены со скважностью р = 4 (отношение длины периода l к длине зубца b на соответствующих концентрических окружностях, то есть р = l / b ), причём зубцы распределены по дискам эквидистантно, а зубцы одного из дискастатора смещены от зубцов другого дискастатора на половину длины периода l / 2. Число зубцов во всех дисках Z = 2рR / l. Дискистаторы соединены с индуктивностью L колебательного контура, настроенного на частоту Fрез.
На рис.1 представлена структурнопринципиальная схема измерительного прибора.
Рис. 1
Прибор содержит гироскоп 1 с осью вращения 2, питание которого происходит от источника трёхфазного напряжения 3 с круговой частотой щ. С осью вращения гироскопа связан металлический зубчатый диск 4, расположенный между двумя статорными дисковыми пластинами: первой 5 и второй 6, связанными емкостной связью с зубцами диска 4. Дисковые пластины 5 и 6 соединены электрически с катушкой индуктивности 7 колебательного контура, в состав которого входит подстроечный конденсатор 8, параллельно включённый к катушке индуктивности 7, связанной индуктивно с катушкой связи 9, подключённой к малошумящему резонансному усилителю 10, настроенному как и указанный выше колебательный контур на круговую частоту Fрез = Zщ / 2р, где Z - число зубцов в диске 4. Выход малошумящего резонансного усилителя 10 подключён к измерителю напряжения 11.
Развёртка металлического зубчатого диска 4 и первой 5 и второй 6 статорных дисковых пластин представлена на рис.2.
Рис. 2
В указанном на рис.2 положении металлического зубчатого диска 4, движущегося по стрелке относительно неподвижных первой и второй статорных дисковых пластин 5 и 6, образуется максимально большая емкостная связь металлического зубчатого диска 4 с первой статорной дисковой пластиной 5. При дальнейшем движении эта связь линейно уменьшается до минимальной, после чего возрастает емкостная связь металлического зубчатого диска 4 с второй статорной дисковой пластиной 6, доходя до максимума за половину периода собственных колебаний резонансного контура, настроенного на частоту Fрез.
Графики емкостной связи металлического зубчатого диска 4 с первой и второй статорными дисковыми пластинами 5 и 6, а также график изменения ёмкости контура во времени представлены соответственно на рис.3а, 3б и 3в.
Рис. 3
Таким образом, ёмкость колебательного контура осциллирует во времени с двойной частотой 2Fрез, как в параметрических генераторах.
Рассмотрим динамику работы прибора.
В соответствии с известным эффектом электризации через влияние и с учётом разделения объёмной плотности заряда изза перераспределения плотности свободных электронов в быстро вращающемся металлическом зубчатом диске 4 в соответствующие моменты времени на первой и второй статорных дисковых пластинах 5 и 6 возникают положительные заряды, максимумы которых совпадают во времени с максимумами емкостной связи для эквивалентных конденсаторов С45 (как на рис.3а) и С46 (как на рис..3б). Указанные максимумы отстоят во времени друг от друга на половину периода колебаний в колебательном контуре Т = 1 / Fрез, как это видно из рис.3в. Возбуждение положительных зарядов и их чередование на первой и второй статорных дисковых пластинах 5 и 6 соответствует возбуждению переменного тока с частотой Fрез в колебательном контуре, составленном катушкой индуктивности 7, подстроечным конденсатором 8 с регулируемой ёмкостью СП и полной ёмкостью параллельно включённых конденсаторов С45 и С46 (относительно средней точки катушки индуктивности 7, которая может быть заземлена или электрически связана с осью вращения 2), при этом ёмкость колебательного контура равна СК = = С45 + С46 + СП, среднее значение которой СК СР указано на рис.3в штрихпунктирной линией.
С помощью подстройки конденсатора 8 колебательный контур настраивают на частоту Fрез = 1 / 2р(L СК СР)1/2, а осцилляция во времени ёмкости СК с частотой 2Fрез приводит к усилению амплитуды колебаний в контуре, которые усиливаются дополнительно в малошумящем резонансном усилителе 10 и определяются измерителем напряжения 11. Таким образом, прибор позволяет измерить эффект перегруппировки свободных электронов в быстро вращающемся металлическом зубчатом диске 4 под действием центростремительной силы.
Для существенного уменьшения трения вращающегося металлического зубчатого диска 4 в воздушной среде промежутки между зубцами следует заполнить диэлектрическим заполнителем с малой диэлектрической проницаемостью, либо вращение следует производить в сильно разряженной среде (вакууме). Это может способствовать увеличению угловой скорости щ в используемом гироскопе 1, то есть к усилению эффекта перегруппировки свободных электронов в металлическом зубчатом диске 4 от его оси к периферии.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Статическое электричество, изобретение первого генератора. Взаимодействие заряженных тел. Принцип действия электроскопа. Электрическое поле как одна из составляющих электромагнитного поля. Движение свободных электронов. Элементы электрической цепи.
презентация [3,1 M], добавлен 22.05.2012Строение полупроводников - материалов, которые по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Электронная проводимость, обусловливаемая наличием у полупроводника свободных электронов. Донорные примеси.
дипломная работа [676,6 K], добавлен 24.09.2015Классификация веществ по электропроводности. Расчёт эффективной массы плотности состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, концентраций свободных носителей заряда. Определение зависимости энергии уровня Ферми от температуры.
курсовая работа [913,5 K], добавлен 14.02.2013Объединение изолированных атомов в кристалл. Схема локальных энергетических уровней электронов. Основные элементы зонной теории. Особенность состояний электронов в кристаллах. Уменьшение сопротивления металлов. Физические основы квантовой электроники.
контрольная работа [1,9 M], добавлен 09.01.2012Эффект Холла и магнетосопротивление в модели Друде. Высокочастотная электропроводность металла. Распределение Ферми-Дирака и его применение. Сравнительный анализ статистики Максвелла-Больцмана и Ферми-Дирака. Недостатки теории свободных электронов.
курсовая работа [723,0 K], добавлен 21.10.2014Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, между плоскопараллельными электродами в однородном электрическом поле. Особенности движения в ускоряющем, тормозящем полях. Применение метода тормозящего поля для анализа энергии электронов.
курсовая работа [922,1 K], добавлен 28.12.2014Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Электрические свойства кристаллов. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия.
курсовая работа [343,0 K], добавлен 08.12.2010Классификация и типы эмиссии электронов из проводников: термоэлектронная, холодная и взрывная, фотоэлектронная. Контактные явления на границе раздела двух проводников, их характеристика и физическое обоснование, главные влияющие факторы и значение.
презентация [1,7 M], добавлен 13.02.2016Биографии Г. Герца и Д. Франка. Их совместная работа: исследование взаимодействия электронов с атомами благородных газов низкой плотности. Анализ энергий электронов, претерпевших столкновения с атомами. Характеристика вакуумной и газонаполненной лампы.
реферат [1,1 M], добавлен 27.12.2008Роль затравочных электронов лавины. Набор энергии электроном в осциллирующем поле. Пороги пробоя и зависимость от давления. Физические представления об оптическом пробое идеальных диэлектриков. Его тепловой механизм. Влияние первичных электронов.
реферат [547,2 K], добавлен 26.08.2015Порядок и основные этапы взаимодействия электронов с веществом. Процесс рассеяния электронов, отличительные признаки упругих и неупругих столкновений. Метод Монте-Карло в задачах переноса частиц в веществе. Этапы алгоритма решения поставленной задачи.
реферат [84,4 K], добавлен 23.12.2010Изучение понятия и свойств полупроводников. Квантовый размерный эффект электронов и дырок. Классификация многократно повторяющихся квантовых ям и сверхрешеток. Электрический транспорт: резонансное туннелирование через квантовую яму с двойным барьером.
реферат [602,0 K], добавлен 06.06.2012Ознакомление с основами движения электрона в однородном электрическом поле, ускоряющем, тормозящем, однородном поперечном, а также в магнитном поле. Анализ энергии электронов методом тормозящего поля. Рассмотрение основных опытов Дж. Франка и Г. Герца.
лекция [894,8 K], добавлен 19.10.2014Исследование кристаллической структуры поверхности с помощью рентгеновских и электронных пучков. Дифракция электронов низких и медленных энергий (ДЭНЭ, ДМЭ), параметры. Тепловые колебания решетки, фактор Дебая-Валлера. Реализация ДЭНЭ, применение метода.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 08.06.2012Прямоугольный потенциальный барьер. Туннельный эффект как квантовый переход системы через область движения, запрещённую классической механикой. Кажущаяся парадоксальность данного эффекта. Вырывание электронов из металла. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 26.02.2010Основные положения модели Друде - классического описания движения электронов в металлах. Зомерфельдовская теория проводимости в металлах. Поведение и свойства металлов при температурах и давлениях близких к нормальным и давлении, близком к атмосферному.
курсовая работа [896,0 K], добавлен 24.12.2014Электронная теория проводимости металлов. Опыт американских физиков Толмена и Стюарта и советских Н.Д. Папалекси и Л.И. Мандельштама. Определение удельного заряда частицы и скорости движения электронов в проводнике. Сверхпроводимость и ее применение.
презентация [2,2 M], добавлен 26.11.2011Понятие фотодинамической терапии, фотосенсибилизаторы. Механизм участия и методы регистрации триплетного кислорода в ФДТ. Спектрально-люминесцентные свойства водорастворимых мезо-пиридил замещенных свободных оснований порфиринов и их цинковых комплексов.
курсовая работа [974,3 K], добавлен 28.05.2012Понятие электронной микроскопии как совокупности методов исследования с помощью электронных микроскопов микроструктур тел, их локального состава. Содержание телевизионного принципа развертки тонкого пучка электронов или ионов по поверхности образца.
презентация [3,1 M], добавлен 22.08.2015Расчет и выбор электродвигателя. Определение общего передаточного числа по номограмме числа, зубьев по ступеням, геометрических размеров вала и зубчатого колеса на последнем валу, диаметров делительных окружностей колес. Проверка числа ступеней механизма.
контрольная работа [84,2 K], добавлен 02.07.2014