Инерционная инжекция свободных электронов в металлах

Перегруппировка свободных электронов в теле металлического диска при вращении. Расчет числа свободных электронов в каждом слое. Градиент числа свободных электронов. Схема развертки металлического зубчатого диска. Графики емкостной связи зубчатого диска.

Рубрика Физика и энергетика
Вид доклад
Язык русский
Дата добавления 01.06.2016
Размер файла 600,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

ИНЕРЦИОННАЯ ИНЖЕКЦИЯ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

В МЕТАЛЛАХ

О.Ф. Меньших

При достаточно быстром вращении металлического диска происходит перегруппировка свободных электронов в теле диска - их объёмная плотность увеличивается от оси диска к его краю по линейному закону и прямо пропорционально квадрату угловой скорости вращения диска под действием центростремительных сил, действующих на свободные электроны.

Действительно, на массу свободного электрoна m при вращении металлического диска радиуса R с угловой скоростью щ действует центростремительная сила

f(r) = m щ2 r

в каждом элементе объёма dv, находящемся на расстоянии r от оси вращения диска, где 0 ? r ? R. Если при щ = 0 объёмная плотность свободных электронов составляет с0, где с0 =dn/dv, то среднее расстояние между смежными свободными электронами в таком диске равно

х0 = = (1 / с0)1/3

Следовательно, по радиусу диска R размещается в среднем N слоёв, составленных из свободных электронов, где

N = R / х0 = R с01/3

Если считать, что каждый атом металла диска имеет по одному валентному электрону, который может рассматриваться как свободный электрон, то общее число таких свободных электронов в диске толщиной h, выполненном из металла с атомным весом А и плотностью о, для объёма диска

электрон металл диск

V = 2рR2h

МД = о V

число свободных электронов в объёме диска будет равно

nУ = NA МД / A = 2р* *NA о h R2 / A,

где NA =6,02*10 23 (1/моль) - число Авогадро. Объёмная плотность с0 = nУ /V= = NA о/ A и величина х0 = (1 / с0)1/3 = (A / NA о)1/3.

Число слоёв

N = R / х0 = R (NA о/ A)1/3

Число свободных электронов в каждом iом слое, где i = 1, 2, 3,… N, неодинаково, увеличивается от слоя к слою по линейному закону. Так, в первом слое число свободных электронов равно в среднем числу 2 р h (NA о /A)1/3, во втором 4 р h(NA о /A)1/3, в третьем 6 р h (NA о / /A)1/3 , и т.д. В iом слое число свободных электронов равно 2 р i h (NA о /A)1/3 , а в Nом слое их будет 2 р N h (NA о /A)1/3. Радиус iого слоя определяется как ri = i R / N = i (A / NA о)1/3. Градиент числа свободных электронов

dni /dri = 2р i h (NA о /A)1/3/ i (A / NA о)1/3 = 2р h (NA о / /A)2/3

при щ = 0, то есть определяется сортностью используемого металла в диске и его толщиной. Учитывая, что свободные электроны в объёме диска распределены равномерно, то есть с0 = const(v), разность потенциалов ц0 между осью вращения диска и его краем равна нулю ц0 = 0.

Иначе обстоит дело, если диск привести в достаточно быстрое вращение, например, связав его с осью гироскопа, частота вращения которого может достигать 105 об/мин. и более. В этом случае действие центростремительных сил приведёт к перегруппировке расстояний между смежными слоями свободных электронов (а также между смежными свободными электронами внутри каждого из слоёв), которое будет уменьшаться по мере приближения к краю диска. Это приведёт к тому, что объёмная плотность свободных электронов на краю диска будет существенно больше таковой вблизи оси диска, что приведёт к разности потенциалов ц(ri) > 0 между осью вращения диска и его радиальным слоем ri,, величина которой достигает максимума на краю диска Max ц(ri) = ц(R).

Строгий расчёт объёмной плотности на краю диска с(R) > с(0) достаточно сложен, поскольку должен учитывать коллективное действие на свободные электроны Nго слоя всех других свободных электронов предыдущих слоёв, а также кулоновские силы отталкивания fe = e2 / /4ре0x02 между свободными электронами в Nом слое и свободными электронами других внутренних слоёв диска. Объёмная плотность свободных электронов с(R) определяет их поверхностную плотность у(R) = [с(R)]2/3. По величине поверхностной плотности у(R) можно рассчитать поверхностный заряд на краевом сечении диска S = 2рRh, равный qS = 2р* *у(R) Rh. Зная ёмкость краевой части диска С и её заряд qS, определяем разность потенцииалов ц(R) = 2р [у(R) - у(0)] Rh/С между краем диска и его осью вращения, причём у(0) - поверхностная плотность свободных электронов на оси диска (для радиуса оси диска RОСИ << R). Значение

Ду = у(R) у(0) = g(R щ2)

Для опытного определения величины Ду путём измерения ц(R) при известных параметрах измерительного прибора Rh/С последний может быть выполнен в виде зубчатого диска с осью вращения, механически связанной с осью гироскопа, а электрически диск связан с двумя коаксиально расположенными зубчатыми дискамистаторами через зазоры малой величины (емкостная связь). Зубцы всех указанных дисков распределены со скважностью р = 4 (отношение длины периода l к длине зубца b на соответствующих концентрических окружностях, то есть р = l / b ), причём зубцы распределены по дискам эквидистантно, а зубцы одного из дискастатора смещены от зубцов другого дискастатора на половину длины периода l / 2. Число зубцов во всех дисках Z = 2рR / l. Дискистаторы соединены с индуктивностью L колебательного контура, настроенного на частоту Fрез.

На рис.1 представлена структурнопринципиальная схема измерительного прибора.

Рис. 1

Прибор содержит гироскоп 1 с осью вращения 2, питание которого происходит от источника трёхфазного напряжения 3 с круговой частотой щ. С осью вращения гироскопа связан металлический зубчатый диск 4, расположенный между двумя статорными дисковыми пластинами: первой 5 и второй 6, связанными емкостной связью с зубцами диска 4. Дисковые пластины 5 и 6 соединены электрически с катушкой индуктивности 7 колебательного контура, в состав которого входит подстроечный конденсатор 8, параллельно включённый к катушке индуктивности 7, связанной индуктивно с катушкой связи 9, подключённой к малошумящему резонансному усилителю 10, настроенному как и указанный выше колебательный контур на круговую частоту Fрез = Zщ / 2р, где Z - число зубцов в диске 4. Выход малошумящего резонансного усилителя 10 подключён к измерителю напряжения 11.

Развёртка металлического зубчатого диска 4 и первой 5 и второй 6 статорных дисковых пластин представлена на рис.2.

Рис. 2

В указанном на рис.2 положении металлического зубчатого диска 4, движущегося по стрелке относительно неподвижных первой и второй статорных дисковых пластин 5 и 6, образуется максимально большая емкостная связь металлического зубчатого диска 4 с первой статорной дисковой пластиной 5. При дальнейшем движении эта связь линейно уменьшается до минимальной, после чего возрастает емкостная связь металлического зубчатого диска 4 с второй статорной дисковой пластиной 6, доходя до максимума за половину периода собственных колебаний резонансного контура, настроенного на частоту Fрез.

Графики емкостной связи металлического зубчатого диска 4 с первой и второй статорными дисковыми пластинами 5 и 6, а также график изменения ёмкости контура во времени представлены соответственно на рис.3а, 3б и 3в.

Рис. 3

Таким образом, ёмкость колебательного контура осциллирует во времени с двойной частотой 2Fрез, как в параметрических генераторах.

Рассмотрим динамику работы прибора.

В соответствии с известным эффектом электризации через влияние и с учётом разделения объёмной плотности заряда изза перераспределения плотности свободных электронов в быстро вращающемся металлическом зубчатом диске 4 в соответствующие моменты времени на первой и второй статорных дисковых пластинах 5 и 6 возникают положительные заряды, максимумы которых совпадают во времени с максимумами емкостной связи для эквивалентных конденсаторов С45 (как на рис.3а) и С46 (как на рис..3б). Указанные максимумы отстоят во времени друг от друга на половину периода колебаний в колебательном контуре Т = 1 / Fрез, как это видно из рис.3в. Возбуждение положительных зарядов и их чередование на первой и второй статорных дисковых пластинах 5 и 6 соответствует возбуждению переменного тока с частотой Fрез в колебательном контуре, составленном катушкой индуктивности 7, подстроечным конденсатором 8 с регулируемой ёмкостью СП и полной ёмкостью параллельно включённых конденсаторов С45 и С46 (относительно средней точки катушки индуктивности 7, которая может быть заземлена или электрически связана с осью вращения 2), при этом ёмкость колебательного контура равна СК = = С45 + С46 + СП, среднее значение которой СК СР указано на рис.3в штрихпунктирной линией.

С помощью подстройки конденсатора 8 колебательный контур настраивают на частоту Fрез = 1 / 2р(L СК СР)1/2, а осцилляция во времени ёмкости СК с частотой 2Fрез приводит к усилению амплитуды колебаний в контуре, которые усиливаются дополнительно в малошумящем резонансном усилителе 10 и определяются измерителем напряжения 11. Таким образом, прибор позволяет измерить эффект перегруппировки свободных электронов в быстро вращающемся металлическом зубчатом диске 4 под действием центростремительной силы.

Для существенного уменьшения трения вращающегося металлического зубчатого диска 4 в воздушной среде промежутки между зубцами следует заполнить диэлектрическим заполнителем с малой диэлектрической проницаемостью, либо вращение следует производить в сильно разряженной среде (вакууме). Это может способствовать увеличению угловой скорости щ в используемом гироскопе 1, то есть к усилению эффекта перегруппировки свободных электронов в металлическом зубчатом диске 4 от его оси к периферии.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Статическое электричество, изобретение первого генератора. Взаимодействие заряженных тел. Принцип действия электроскопа. Электрическое поле как одна из составляющих электромагнитного поля. Движение свободных электронов. Элементы электрической цепи.

    презентация [3,1 M], добавлен 22.05.2012

  • Строение полупроводников - материалов, которые по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Электронная проводимость, обусловливаемая наличием у полупроводника свободных электронов. Донорные примеси.

    дипломная работа [676,6 K], добавлен 24.09.2015

  • Классификация веществ по электропроводности. Расчёт эффективной массы плотности состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, концентраций свободных носителей заряда. Определение зависимости энергии уровня Ферми от температуры.

    курсовая работа [913,5 K], добавлен 14.02.2013

  • Объединение изолированных атомов в кристалл. Схема локальных энергетических уровней электронов. Основные элементы зонной теории. Особенность состояний электронов в кристаллах. Уменьшение сопротивления металлов. Физические основы квантовой электроники.

    контрольная работа [1,9 M], добавлен 09.01.2012

  • Эффект Холла и магнетосопротивление в модели Друде. Высокочастотная электропроводность металла. Распределение Ферми-Дирака и его применение. Сравнительный анализ статистики Максвелла-Больцмана и Ферми-Дирака. Недостатки теории свободных электронов.

    курсовая работа [723,0 K], добавлен 21.10.2014

  • Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, между плоскопараллельными электродами в однородном электрическом поле. Особенности движения в ускоряющем, тормозящем полях. Применение метода тормозящего поля для анализа энергии электронов.

    курсовая работа [922,1 K], добавлен 28.12.2014

  • Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Электрические свойства кристаллов. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия.

    курсовая работа [343,0 K], добавлен 08.12.2010

  • Классификация и типы эмиссии электронов из проводников: термоэлектронная, холодная и взрывная, фотоэлектронная. Контактные явления на границе раздела двух проводников, их характеристика и физическое обоснование, главные влияющие факторы и значение.

    презентация [1,7 M], добавлен 13.02.2016

  • Биографии Г. Герца и Д. Франка. Их совместная работа: исследование взаимодействия электронов с атомами благородных газов низкой плотности. Анализ энергий электронов, претерпевших столкновения с атомами. Характеристика вакуумной и газонаполненной лампы.

    реферат [1,1 M], добавлен 27.12.2008

  • Роль затравочных электронов лавины. Набор энергии электроном в осциллирующем поле. Пороги пробоя и зависимость от давления. Физические представления об оптическом пробое идеальных диэлектриков. Его тепловой механизм. Влияние первичных электронов.

    реферат [547,2 K], добавлен 26.08.2015

  • Порядок и основные этапы взаимодействия электронов с веществом. Процесс рассеяния электронов, отличительные признаки упругих и неупругих столкновений. Метод Монте-Карло в задачах переноса частиц в веществе. Этапы алгоритма решения поставленной задачи.

    реферат [84,4 K], добавлен 23.12.2010

  • Изучение понятия и свойств полупроводников. Квантовый размерный эффект электронов и дырок. Классификация многократно повторяющихся квантовых ям и сверхрешеток. Электрический транспорт: резонансное туннелирование через квантовую яму с двойным барьером.

    реферат [602,0 K], добавлен 06.06.2012

  • Ознакомление с основами движения электрона в однородном электрическом поле, ускоряющем, тормозящем, однородном поперечном, а также в магнитном поле. Анализ энергии электронов методом тормозящего поля. Рассмотрение основных опытов Дж. Франка и Г. Герца.

    лекция [894,8 K], добавлен 19.10.2014

  • Исследование кристаллической структуры поверхности с помощью рентгеновских и электронных пучков. Дифракция электронов низких и медленных энергий (ДЭНЭ, ДМЭ), параметры. Тепловые колебания решетки, фактор Дебая-Валлера. Реализация ДЭНЭ, применение метода.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 08.06.2012

  • Прямоугольный потенциальный барьер. Туннельный эффект как квантовый переход системы через область движения, запрещённую классической механикой. Кажущаяся парадоксальность данного эффекта. Вырывание электронов из металла. Контактная разность потенциалов.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 26.02.2010

  • Основные положения модели Друде - классического описания движения электронов в металлах. Зомерфельдовская теория проводимости в металлах. Поведение и свойства металлов при температурах и давлениях близких к нормальным и давлении, близком к атмосферному.

    курсовая работа [896,0 K], добавлен 24.12.2014

  • Электронная теория проводимости металлов. Опыт американских физиков Толмена и Стюарта и советских Н.Д. Папалекси и Л.И. Мандельштама. Определение удельного заряда частицы и скорости движения электронов в проводнике. Сверхпроводимость и ее применение.

    презентация [2,2 M], добавлен 26.11.2011

  • Понятие фотодинамической терапии, фотосенсибилизаторы. Механизм участия и методы регистрации триплетного кислорода в ФДТ. Спектрально-люминесцентные свойства водорастворимых мезо-пиридил замещенных свободных оснований порфиринов и их цинковых комплексов.

    курсовая работа [974,3 K], добавлен 28.05.2012

  • Понятие электронной микроскопии как совокупности методов исследования с помощью электронных микроскопов микроструктур тел, их локального состава. Содержание телевизионного принципа развертки тонкого пучка электронов или ионов по поверхности образца.

    презентация [3,1 M], добавлен 22.08.2015

  • Расчет и выбор электродвигателя. Определение общего передаточного числа по номограмме числа, зубьев по ступеням, геометрических размеров вала и зубчатого колеса на последнем валу, диаметров делительных окружностей колес. Проверка числа ступеней механизма.

    контрольная работа [84,2 K], добавлен 02.07.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.