Электрофизические свойства пленок металлов, полученных резистивным испарением
Изучение метода резистивного испарения металлов, нахождение скорости осаждения и определение основных электрофизических характеристик получаемых пленок. Рассмотрение электрических свойств пленок и процессов их формирования. Вакуумный универсальный пост.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Предмет | Физика |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | А.В. Щипайло |
| Дата добавления | 19.09.2016 |
| Размер файла | 112,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Тонкопленочные слои; назначение тонких пленок, методы их нанесения. Устройство вакуумного оборудования для получения тонких пленок. Основные стадии осаждения пленок и механизмы их роста. Контроль параметров технологических процессов и осажденных слоев.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 11.09.2014Основные модели токопереноса и фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. Технология получения и физические свойства тонких пленок PbS. Вольтамперные характеристики пленок сульфида свинца. Температурные зависимости образцов PbS31.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 19.01.2012Анализ физических свойств перовскитов, в которых сосуществуют электрическая и магнитная дипольные структуры. Общая характеристика пленок феррита висмута BiFeO3. Особенности взаимодействия электромагнитной волны и спиновой подсистемой магнитного кристалла.
реферат [512,3 K], добавлен 20.06.2010Способы нанесения оксидных пленок. Физические основы работы магнетронных распылительных систем. Особенности нанесения оксидов дуальной магнетронной распылительной системы. Процессы роста и параметры тонких пленок. Ионно-плазменная установка "Яшма".
дипломная работа [2,8 M], добавлен 15.06.2012Исследование методами комбинационного рассеяния света ультрананокристаллических алмазных пленок. Влияние мощности лазерного излучения на информативность спектров. Перспективность UNCD пленок как нового наноматериала для применения в электронике.
курсовая работа [3,9 M], добавлен 30.01.2014Осаждение пленочных покрытий сложного химического состава (оксидов, нитридов, металлов). Проблема магнетронного осаждения. Исследование влияние нестабильности мощности и давления магнетронного разряда на процесс осаждения пленок, результаты экспериментов.
диссертация [1,1 M], добавлен 19.05.2013Процесс нанесения тонких пленок в вакууме. Метод термического испарения. Области давления газов, соответствующие различному вакууму и средняя длина свободного пути молекул. Основные виды насосов, их параметры и характеристика. Средства измерения вакуума.
реферат [18,3 K], добавлен 14.06.2011Сущность полиморфизма, история его открытия. Физические и химические свойства полиморфных модификаций углерода: алмаза и графита, их сравнительный анализ. Полиморфные превращения жидких кристаллов, тонких пленок дийодида олова, металлов и сплавов.
курсовая работа [493,4 K], добавлен 12.04.2012Прохождение тока через электролиты. Физическая природа электропроводности. Влияние примесей, дефектов кристаллической структуры на удельное сопротивление металлов. Cопротивление тонких металлических пленок. Контактные явления и термоэлектродвижущая сила.
реферат [24,0 K], добавлен 29.08.2010Методы получения наноразмерных объектов и контроля их характеристик. Изменение механических, электрических, магнитных, оптических и химических свойств металлов при переходе в наносостояние. Определение характеристик наноразмерных частиц в суспензиях.
реферат [1,2 M], добавлен 26.06.2010Компьютерное исследование поведения ультратонких пленок аргона, сжатых между алмазными поверхностями с периодическим атомарным рельефом. Его сравнение с поведением ультратонких пленок воды и аргона, заключенных между гладкими и шероховатыми пластинами.
дипломная работа [6,5 M], добавлен 27.03.2012Производство солнечных модулей, полученных струйным плазмохимическим методом. Разработка модели разложения силана в плазме высокочастотного газового разряда. Влияние метастабильного состояния атома аргона на кинетику электронного газа алюминиевой плазмы.
презентация [1,4 M], добавлен 02.02.2018Кристаллы в форме нитей и волокон, встречающиеся в природе. Определение инкубационного периода и механизма роста кристаллитов фуллерита в пленках олово – фуллерит. Получение пленок методом термического испарения в вакууме, их гранулированная структура.
реферат [9,6 M], добавлен 25.06.2010Сущность индуктивно-частотного метода измерения магнитной восприимчивости и принцип работы установки "Эталон-1Б". Разработка программного обеспечения для автоматической записи кривых восприимчивости. Калибровка датчика магнитного поля на эффекте Холла.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 18.06.2015Определение твердости металлов методами Бринелля, Роквелла и Виккерса. Составление диаграммы состояния железо - карбид железа. Описание структуры доэвтектоидного сплава при комнатной температуре. Изучение процессов закалки и отпуска хромистой стали.
контрольная работа [908,4 K], добавлен 21.07.2013Коэффициент теплопроводности металлов и его зависимость от параметров состояния вещества. Главные особенности калориметрического метода. Методические рекомендации к выполнению лабораторной работы "Определение коэффициента теплопроводности металлов".
курсовая работа [79,4 K], добавлен 05.07.2012Диэлектрические волноводы как элементы интегральной оптики. Методики их производства и способы улучшения характеристик. Влияние облучения светом на свойства пленок диоксида титана, изготовленных по золь-гель и гель технологии, их спектральный анализ.
реферат [2,4 M], добавлен 17.12.2014Оптические свойства полупроводников. Механизмы поглощения света и его виды. Методы определения коэффициента поглощения. Пример расчета спектральной зависимости коэффициента поглощения селективно поглощающего покрытия в видимой и ИК части спектра.
реферат [1,2 M], добавлен 01.12.2010Электрофизические свойства полупроводников. Значение механических и электрических свойств материалов микропроцессора. Параметры работы микропроцессора. Выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей. Тестирование, изготовление корпуса.
презентация [80,1 K], добавлен 30.04.2015Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.
презентация [2,8 M], добавлен 26.10.2014
