Нелинейная проводимость
Материалы с нелинейной проводимостью. Подавление паразитных волн перенапряжений в линиях и на подстанциях. Обусловленость нелинейности характеристик варисторов локальным нагревом соприкасающихся граней кристаллов карбида кремния или иного полупроводника.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 24.12.2016 |
Размер файла | 403,3 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Министерство образования и науки РФ
Филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования
"Национальный исследовательский университет "МЭИ" в г.Волжском
Кафедра "Общая физика"
Реферат по теме:
"Нелинейная проводимость"
Материаловедение и ТКМ
Выполнил: Надюк Кирилл Юрьевич
Преподаватель: Доцент, к. ф-м н.
Поляков Антон Сергеевич
Волжский
2015
Материалы с нелинейной проводимостью очень важны для энергетики. Дело в том, что с их помощью подавляются паразитные волны перенапряжений в линиях и на подстанциях.
Представьте себе такое устройство, которое имеет очень высокое сопротивление, как диэлектрик, при рабочем напряжении, а при повышении напряжения начинает проводить ток, причем по мере превышения становится все более подобным проводнику.
Напряжение на нем, практически невозможно поднять выше некоторого значения. Если такое устройство присоединить параллельно защищаемому аппарату, например трансформатору напряжения, то волна перенапряжений как-бы погасится на этом элементе и защищаемый аппарат не почувствует повышения напряжения. Вкратце, это, идея ограничителя перенапряжений (ОПН).
Для того, чтобы эффект был значимым, нелинейность должна быть как можно выше. Она характеризуется коэффициентом нелинейности : отношением статического сопротивления
к динамическому сопротивлению
:
Если считать, что коэффициент постоянен, можно получить, что ток с напряжением в нелинейном элементе связан простым степенным соотношением
где , ток через и напряжение в какой-либо точке. На рисунке (Приложение 1) показана зависимость тока от напряжения для нелинейного элемента.
На рисунке показано поведение тока через нелинейный элемент где в зависимости от напряжения при различных коэффициентах нелинейности, 1, 7, 50.
Видно, что при токе большим, чем напряжение практически не отличается от при сильной нелинейности, а при коэффициенте нелинейности 7 рост напряжения заметен. Поэтому высоконелинейные элементы хорошо ограничивают перенапряжения, чем больше нелинейность, тем лучше ограничение.
Нелинейные элементы, у которых сопротивление сильно уменьшается с ростом напряжения называются варисторами (приложение 2 и приложение 3). паразитный волна перенапряжение полупроводник
Варимстор (дословно - переменный резистор) -- полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление (проводимость) которого нелинейно зависит от приложенного напряжения, то есть обладающий нелинейной симметричной вольт-амперной характеристикой и имеющий два вывода. Обладает свойством резко уменьшать свое сопротивление с единиц ГОм до десятков Ом при увеличении приложенного к нему напряжения выше пороговой величины. При дальнейшем увеличении напряжения сопротивление уменьшается ещё сильнее. Благодаря отсутствию сопровождающих токов при скачкообразном изменении приложенного напряжения, варисторы являются основным элементом для производства устройств защиты от импульсных перенапряжений (УЗИП).
Из материалов, обладающих нелинейностью, достаточной для применения в ограничителях перенапряжений получили распространение два : карбид кремния и оксид цинка. Он приготавливается при высокотемпературном нагреве смеси диоксида кремния и углерода. В результате их реакции улетает кислород и вырастают кристаллы SiC. Затем их размалывают до размера 40-300 мкм. Электропроводность порошка имеет нелинейный характер, однако она нестабильна, зависит от степени сжатия, крупности помола, меняется при тряске и т.п. Поэтому порошок скрепляют связующим веществом.
Если в качестве связующего используют глину, то полученный материал называют тиритом. Здесь мелкоизмельченного карбида кремния 74%, остальное - глина. Смесь прессуется и обжигается при температуре 1270 °С.
Если используют жидкое стекло (75% SiO2 + 24% Na2O + вода), что составляет силикатный клей, то полученный материал называют вилитом. Здесь SiC 84%, связующего 16%. Смесь прессуется и обжигается при температуре 380 °С.
Нелинейность характеристик варисторов обусловлена локальным нагревом соприкасающихся граней многочисленных кристаллов карбида кремния (или иного полупроводника). При локальном повышении температуры на границах кристаллов сопротивление последних существенно снижается, что приводит к уменьшению общего сопротивления варисторов.
Для применения в качестве ограничителей напряжения нелинейность карбида кремния невелика - всего 7, а изготовленные из него материалы имеют еще меньшую нелинейность - от 3 до 5. Поэтому, при включении параллельно защищаемому аппарату такой ОПН либо не будет защищать, если сделать его сопротивление при рабочем напряжении большим, либо будут значительные потери на рабочем напряжении. Для решения этой проблемы последовательно с варистором в цепь устанавливают разрядник.
Вторым, в настоящее время наиболее важным материалом для варисторов, является оксид цинка с добавками оксидов висмута, кобальта, марганца, сурьмы и хрома. Технология его приготовления сложна, она включает раздельный размол компонентов, смешение со связкой, прессование, спекание с выжиганием связки, размол, вторичное спекание, вжигание электродов. В результате получается высококачественная керамика с высокой нелинейностью до 50-70. Такая нелинейность позволяет обходиться без разрядников. ОПН набирают из последовательно-параллельного соединения варисторов, заключают в диэлектрическую рубашку и присоединяют параллельно к защищаемому аппарату.
Кроме варисторов существуют также, термистор (приложение 4) и позистор (приложение 5) это полупроводниковые резисторы, отличающиеся друг от друга температурным коэффициентом. Термистор - терморезистор с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, позистор - терморезистор с положительным коэффициентом сопротивления. Позистор имеет форму керамических дисков, в некоторых случаях установленных последовательно в одном корпусе, а так же в одиночном исполнении с защитным эмалевом покрытием. По областям применения позисторы делятся на группы. Позисторы, работающие в условиях воздействия электрической нагрузки и используемые в качестве предохранителей в схемах защиты от перегрузок по току и напряжению. Например, простая схема защиты первичной обмотки трансформатора. Еще одно применение позисторов в качестве переключателей в схемах пусковых устройств. Позисторы широко применяются в качестве автостабилизирующих нагревательных элементов в схемах размагничивания и задержки. Здесь позисторы размагничивают теневую маску кинескопа посредством уменьшения переменного тока, проходящего через размагничивающуюся катушку в течение короткого времени. Благодаря высокой температурной чувствительности и положительному температурному коэффициенту, позисторы могут одновременно выполнять функции нагревательного элемента и термодатчика. Некоторые виды позисторов нашли применение в светотехнике в схемах пусковых устройств люминесцентных ламп. Пример одной из них. Начиная с некоторой температуры, сопротивление позистора резко возрастает, а вместе с ним растет напряжение на лампе, и при достижении напряжения зажигания лампа светится полным накалом.
Список используемой литературы
· В. Г. Герасимов, О. М. Князьков, А. Е. Краснопольский, В. В. Сухоруков (Под ред. В. Г. Герасимова). Основы промышленной электроники: Учебник для вузов. -- 2-е изд., перераб. и доп. -- М.: Высшая школа, 1978.
· http://www.findpatent.ru/patent/226/2266582.html
· http://www.anod-master.ru/kak-proverit-pozistor-razmagnichivaniya-kineskopa-v-televizore-zamena-pozistora.html
Приложение 1
Приложение 2
Обозначение варисторов на схемах
Приложение 3
Приложение 4
Приложение 5
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014Выбор сечений проводов и определение потерь напряжения в кабельных линиях. Выбор числа и мощности трансформаторов. Расчет токов коротких замыканий. Выбор высоковольтных выключателей и автоматов на подстанциях. Защита от грозовых перенапряжений.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 21.02.2011Классификация перенапряжений в электроустановках. Распространение электромагнитных волн в линиях электропередач. Регулирование электрического поля с помощью конденсаторных обкладок. Меры повышения надежности изоляции в условиях интенсивных загрязнений.
контрольная работа [799,9 K], добавлен 19.02.2012Строение полупроводников - материалов, которые по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Электронная проводимость, обусловливаемая наличием у полупроводника свободных электронов. Донорные примеси.
дипломная работа [676,6 K], добавлен 24.09.2015Система обозначения граней и направлений. Индексы граней и ребер кристаллов. Символы ребер. Основные кристаллографические соотношения. Углы между двумя направлениями, между направлением и плоскостью. Межплоскостное расстояние и индексы плоскости.
лабораторная работа [29,4 K], добавлен 20.03.2007Понятие электропроводности металлов, ее сущность, особенности. Гипотезы о существовании электронных газов в металлах и опыты, подтверждающие их. Проводники характерные свойства. Материалы, обладающие высокой проводимостью, их обоснование и характеристика.
лекция [300,8 K], добавлен 21.02.2009Физико-химические и механические свойства кристаллов частично стабилизированного диоксида циркония. Конструкционное и триботехническое назначение кристаллов ЧСЦ; технология производства, основное и вспомогательное оборудование, приспособления и материалы.
курсовая работа [2,7 M], добавлен 16.12.2012Полупроводники - вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающие промежуточное положение между металлами и изоляторами. История открытия, распространенность полупроводников в природе и человеческой практике, их применение в наноэлектронике.
реферат [51,6 K], добавлен 10.01.2012Характеристика уровней изоляции сетей 6-35 кВ, классификация и характеристика внутренних перенапряжений. Защита электрических сетей от грозовых и коммутационных перенапряжений. Ограничители перенапряжений нелинейные: типы, достоинства, эффективность.
дипломная работа [4,0 M], добавлен 17.06.2012Метод последовательных приближений. Генерация второй гармоники. Параметрическая генерация и усиление волн. Коэффициент параметрического усиления. Нелинейная поляризация на собственной частоте. Воздействие одной волны на другую. Фазовая скорость волны.
контрольная работа [81,0 K], добавлен 20.08.2015Расчет тока утечки на единицу длины между металлическим цилиндрическим стержнем в среде с заданной проводимостью и металлической поверхностью. Определение показателя проводимости без учета влияния непроводящей стенки, плотности тока в заданных точках.
контрольная работа [573,1 K], добавлен 16.04.2016Устройство и назначение простейшего твердотельного лазера; их изготовление из рубинов, молибдатов, гранатов. Ознакомление с оптическими свойствами кристаллов и особенностями генерации света. Определение энергетических характеристик импульсного лазера.
реферат [1,5 M], добавлен 12.10.2011С ростом температуры кристалла за счет теплового расширения постоянная решетки увеличивается. Поэтому при повышении температуры у полупроводников, как правило, запрещенная зона уменьшается.
реферат [10,8 K], добавлен 22.04.2006Кристаллическая структура и полупроводниковые свойства карбида кремния и нитрида алюминия. Люминесцентные свойства SiC и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Технологическая установка для выращивания растворов. Электронный микроскоп-микроанализатор ЭММА-2.
дипломная работа [175,9 K], добавлен 09.09.2012Квантовая точка как наноразмерная частица проводника или полупроводника. Сканирующая электронная микрофотография наноструктур различного размера из арсенида галлия. Люминисценция кристаллов селенида кадмия. Перспективы применения наноэлектронного лазера.
презентация [864,5 K], добавлен 24.10.2013Типы волн и их отличительные особенности. Понятие и исследование параметров упругих волн: уравнения плоской и сферической волн, эффект Доплера. Сущность и характеристика стоячих волн. Явление и условия наложения волн. Описание звуковых и стоячих волн.
презентация [362,6 K], добавлен 24.09.2013Описание структуры и параметров активированных кристаллов. Характеристики полиэдров Вороного-Дирихле. Исследование структуры и расчет параметров Джадда-Офельта для активированных кристаллов. Изучение структуры шеелитов методом пересекающихся сфер.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 20.07.2015Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.
презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016