Концентрационная зависимость параметров интенсивности ионов неодима в кристаллах вольфраматов стронция и свинца
Поиск новых кристаллов с требуемыми характеристиками как одна из фундаментальных проблем физики. Исследование концентрационных рядов монокристаллов вольфраматов стронция и свинца, активированных неодимом. Расчет параметров интенсивности Джадда Офельта.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | статья |
Язык | русский |
Дата добавления | 14.05.2017 |
Размер файла | 355,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Концентрационная зависимость параметров интенсивности ионов неодима в кристаллах вольфраматов стронция и свинца
Введение
монокристалл вольфрамата физика
Одной из фундаментальных проблем физики конденсированного состояния является целенаправленный поиск новых нелинейных и активированных кристаллов с требуемыми характеристиками, основанный на проведении комплексных исследований взаимосвязи структуры и природы химической связи в кристаллах со спецификой процессов поглощения и испускания света, определенным видом энергетической и колебательной структур примесных центров и другими физическими свойствами, которые определяют эффективность работы оптических приборов и устройств на основе кристаллов.
Выращивание активных сред с заданными свойствами требует проведения детальных спектроскопических исследований широкого круга конденсированных систем с редкоземельными ионами. Эти исследования направлены на выявление физической и энергетической структуры центров люминесценции, схем оптических и безызлучательных переходов между уровнями центров, процессов, происходящих в возбуждённом состоянии центров, изучения фазовых диаграмм, разработку способов синтеза и роста, исследования различных свойств, что приводит к значительным финансовым и временным затратам. Поэтому принципиальное значение приобретают работы, направленные на разработку методов прогнозирования материалов с необходимым набором свойств.
Применение кристаллохимического подхода, основанного на установлении связи состав-структура-свойство, позволяет сократить путь от соединения к материалу, пригодному для изготовления оптических элементов приборов и устройств.
В данной работе исследуются монокристаллы сложных оксидов со структурой шеелита, которые известны как перспективные лазерные материалы. Элементарная ячейка - тетрагональная, объемноцентрированная, пространственная группа I41/a [1]. Такая кристаллическая структура допускает введение в свой состав разных редкоземельных активаторов с различной электронной конфигурацией. С целью установления связи состав-структура-свойство в настоящей работе исследуется концентрационные ряды монокристаллов вольфраматов стронция и свинца, активированных ионами неодима Nd3+.
1.Теоретические методы и расчёты
Согласно теории, разработанной Джаддом и Офельтом для сил линий [2_3], которые пропорциональны сумме пар произведений квадратов матричных элементов переходов примесного иона , которые слабо зависят от окружающего кристаллического поля, умноженных на соответствующие им параметры интенсивности . Поэтому интенсивность излучения того или иного электронного перехода определятся как набором матричных элементов , значение которых зависит от природы редкоземельного иона, так и соответствующим набором параметров интенсивности , которые зависят от симметрии и интенсивности окружающего кристаллического поля. С другой стороны силы линий находятся экспериментально из интегральных спектров поглощения электромагнитного излучения.
Измеренные силы линии рассчитывались из следующего выражения:
,(1)
где и _ суммарный угловой момент верхнего и нижнего уровней, N0 - концентрация ионов Nd3+, - длина волны полосы поглощения, соответствующей переходу , множитель учитывает внутрикристаллическое поле, в котором расположены ионы активатора, - скорость света, - заряд электрона, - постоянная Планка, - интегральный коэффициент поглощения для каждой линии спектра.
С другой стороны, величина, характеризующая излучение или поглощение света в результате электрических дипольных переходов между уровнями энергии и , которая называется силой линий электродипольного перехода, рассчитывалась из следующего выражения:
,(2)
где - параметры Джадда - Офельта, - дважды редуцированные матричные элементы ранга между состояниями, характеризуемыми квантовыми числами и [4].
Для вычисления параметров Джадда-Офельта необходимо прировнять правые части выражений (1) и (2) и решить полученную переопределенную систему уравнений (например, методом наименьших квадратов [5]).
Силы линий можно записать в следующей матричной форме:
где - компоненты матрицы квадратов матричных элементов , , размером NЧ3, - компоненты матрицы 1Ч3 параметров Джадда-Офельта. N представляет собой количество переходов, наблюдаемых в спектре поглощения. Так как количество параметров всего три, то N должно быть больше трех. Далее составляем сумму вида:
и ищем минимум, взяв производные по параметрам и приравнивая их нулю.
Получаем систему из трех уравнений с тремя неизвестными:
Решив данную систему, получаем значения всех трех параметров интенсивности .
2.Результаты вычислений и обсуждение результатов
В настоящей работе проведен расчёт параметров Джадда-Офельта для монокристаллов вольфрамата стронция и свинца, активированных ионами неодима Nd3+, которые необходимы для установления связи в ряду состав-структура-свойство.
Расчёт параметров интенсивности производился на основе спектров поглощения, взятых из статей [6] и [9]. Параметры интенсивности, полученные другими авторами статей [7_10], а так же рассчитанные в рамках данной работы, приведены в таблице 1.
Таблица 1 - Значения параметров интенсивности ионов неодима в кристаллах вольфраматов стронция и свинца
Кристалл |
Концентрация, ат.% |
Ч10-20, см2 |
Ч10-20, см2 |
Ч10-20, см2 |
Источник |
|
SrWO4:Nd3+ |
0.16 |
18.07 |
4.64 |
6.65 |
[6]* |
|
0.40 |
12.12 |
4.10 |
5.98 |
[6]* |
||
1.00 |
14.34 |
2.65 |
5.25 |
[7] |
||
2.00 |
11.48 |
3.20 |
3.45 |
[7] |
||
PbWO4:Nd3+ |
1.1 |
11.29 |
2.18 |
5.11 |
[8] |
|
1.6 |
7.96 |
3.56 |
2.98 |
[9]* |
||
2.0 |
7.53 |
3.15 |
3.06 |
[9] |
||
2.5 |
7.13 |
3.35 |
2.69 |
[10] |
Звездой отмечены литературные источники, на основе которых производился расчёт параметров интенсивности ионов неодима.
Рисунок 1 - Зависимость параметра от концентрации ионов неодима в кристаллах SrWO4
Рисунок 2 - Зависимость параметра от концентрации ионов неодима в кристаллах SrWO4
Рисунок 3 - Зависимость параметра от концентрации ионов неодима в кристаллах SrWO4
Рисунок 4 - Зависимость параметра от концентрации ионов неодима в кристаллах PbWO4
Рисунок 5 - Зависимость параметра от концентрации ионов неодима в кристаллах PbWO4
Рисунок 6 - Зависимость параметра от концентрации ионов неодима в кристаллах PbWO4
Параметры Джадда-Офельта тесно связаны с особенностями окружения иона редкоземельного металла в кристалле [11], поэтому подобные исследования позволяют получить новую информацию о связи спектроскопических свойств редкоземельных ионов и структурных особенностей кристаллических сред. В статье [12] указывается, что увеличивается при уменьшении разности энергий между 4fN и 4fN-15d1 конфигурациями. Большая поляризованность связи дает большее перекрытие между орбиталями примесного иона и лиганда, то есть большую степень ковалентности между ними. Согласно нефелауксетическому эффекту это ведет к расширению частично заполненной 4f оболочки, уменьшая отталкивание между электронными конфигурациями редкоземельных ионов. В результате, разница энергий между 4fN и 4fN-15d1 конфигурациями уменьшается. Соответственно уменьшение 4f-5d разницы энергий указывает на увеличение ковалентности между РЗ и лигандом. Это изменение ковалентности связи редкоземельный ион - лиганд и, как следствие, перераспределение электронной плотности в исследуемом концентрационном ряду связано с одновременно возрастающим числом оптических центров, имеющих симметрию окружения ниже . То есть нарушение регулярной структуры кристаллической решетки, и понижение точечной симметрии ближайшего окружения примесного иона обусловлено существованием оптических центров Nd3+, имеющих симметрию окружения ниже [11]. Однако на рисунках 1 и 4 при превышении концентрации активатора в 1 ат.% наблюдается тенденция плавного уменьшения значения параметра интенсивности , а не увеличения, что может указывать на появление ещё одного процесса - концентрационного тушения. Совокупное влияние обоих этих факторов и обуславливает наблюдаемую тенденцию параметра интенсивности .
Параметр интенсивности , как указывается в статье [13], более зависит от изменений электронной плотности 4f и 5d орбиталей, ковалентность на него влияет иначе, чем на . Формирующиеся у связи между 2p-орбиталями лиганда и 6s-орбиталями редкоземельного иона ведет к передаче у-электрона между лигандом и примесным ионом. В результате плотность 6s оболочки возрастает, тем самым 6s электроны экранируют 5d орбитали или отталкивают 5d электроны. Таким образом, увеличение передачи у электрона от лиганда дает уменьшение 5d электронной плотности редкоземельного иона и, как следствие уменьшение . Поэтому значение параметра уменьшается в исследуемом концентрационном ряду, вследствие увеличения числа сильных ковалентных связей между лигандом и редкоземельным ионом, образование которых обусловлено возрастающим числом оптических центров, имеющих симметрию окружения ниже , а так же наличием концентрационного тушения. Параметр изменяется в результате одновременного влияния указанных факторов, что часто затрудняет установление причины его изменения.
Кроме теоретической важности, данные зависимости имеют большую практическую важность. По известным зависимостям оценивать значения параметров Джадда-Офельта, из которых уже можно рассчитать интересующие величины. И наоборот, зная, какими свойствами должна обладать лазерная среда, можно по данной цепочке зависимостей примерно определить требуемый состав матрицы.
Заключение
По методу Джадда - Офельта из спектров поглощения кристаллов SrWO4 и PbWO4, активированных ионами Nd3+, с соответствующими атомными концентрациями 0.16, 0.40 ат.% и 1.6 ат.% рассчитаны параметры интенсивности межуровневых электронных переходов в ионах неодима. В кристаллах SrWO4 с концентрациями примеси 0.16, 0.40 ат.% параметры интенсивности неодима имеют значения: , , и , , (Ч10-20 см2) соответственно. В кристалле PbWO4: Nd3+ с концентрацией 1.6 ат. %: , , (Ч10-20 см2).
Сделано предположение, что изменение параметров интенсивности ионов неодима в исследуемых концентрационных рядах кристаллов вольфраматов стронция и свинца вызвано двумя сопутствующими процессами - увеличением силы ковалентности связи редкоземельный ион - лиганд, которое обусловлено увеличением количеством дефектов при увеличении концентрации неодима, а так же появлении концентрационного тушения при превышении концентрации активатора в 1 ат.%.
Список литературы
1. О кристаллохимии изоморфных замещений в молибдатах и вольфраматах двухвалентных металлов / Л. Н. Демьянец, В. В, Илюхин, А. В. Чичагов и др. // Неорганические материалы. - 1967. - Т. 3. _ № 12. - С. 2221-2234.
2. Judd B. R. Optical absorption intensities of rare - earth ions / B. R. Judd // Phys. Rev. - 1961. - Vol. 127. - P. 750-762.
3. Ofelt G. S. Intensities of crystal spectra of rare-earth ions / G. S. Ofelt // J. Chem. Phys. - 1962. - Vol. 37. - P. 511-519.
4. Carnell W.T. Spectral Intensities of the Trivalent Lanthanides and Actinides in Solution. / W. T. Carnall, P. R. Fields, B. G. Wybourne // J. Chem. Phys. - 1965 _ Vol. 42. _ № 11. P. 3797-3806.
5. Walsh B. M. Judd-Ofelt theory: principles and practices / B. M. Walsh // Advances in Spectroscopy for Lasers and Sensing. - 2006. - Vol. 231. - P. 403-433.
6. Зверев П. Г. ВКР активные кристаллы и разработка ВКР преобразователей на их основе: дис. д-р. физ.-мат. наук: 01.04.21 / П. Г. Зверев; Институт спектроскопии РАН. - Троицк, 2013. - 328 с.
7. Параметры интенсивности ионов неодима в кристаллах вольфраматов стронция / В.А. Исаев, А.В. Скачедуб, В.А. Клименко и др. // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. - 2013. - Т. 1. - С. 32-41.
8. Effect of annealing treatment on spectroscopic properties of a Nd3+-doped PbWO4 single crystal / Y. Chen, Y. Lin, Z. Luo et al // J. Opt. Soc. Am. B. - 2005. - Vol. 22. _№ 4. -P. 898-904.
9. Growth and spectra properties of Nd3+-doped PbWO4 single crystal / Y. Huang, X. Feng, Z. Xu et al // Solid State Communications. - 2003. - Vol. 127. - P. 1-5.
10. Properties of Nd3+-doped and undoped tetragonal PbWO4, NaY(WO4)2, CaWO4, and undoped monoclinic ZnWO4 and CdWO4 as laser-active and stimulated Raman scattering-active crystals / A. A. Kaminskii, H. J. Eichler, K. Ueda et al // Applied Optics. - 1999. - Vol. 38. _ № 21. - P. 4533-4547.
11. Скачедуб А. В. Параметры интенсивности ионов эрбия в кристаллах вольфрамата свинца / А. В. Скачедуб, В. А. Клименко // Научный журнал КубГАУ. - 2013. - Т. 5. _ № 89. - С. 1-18.
12. Ebendorff - HeidepriemH. Tb3+ f-d absorption as indicator of the effect of covalency on the Judd - Ofelt Щ2 parameter in glasses / H. Ebendorff - Heidepriem, D. Ehrt // Journal of Non - Crystalline Solids. - 1999. - Vol. 248. - P. 247-252.
13. Effect of glass composition on Judd - Ofelt parameters and radiative decay rates of Er3+ in fluoride phosphate and phosphate glasses / H. Ebendorff - Heidepriem, D. Ehrt, M. Bettinelli et al // Journal of Non - Crystalline Solids. - 1998. - Vol. 240. - P. 66-78.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Описание структуры и параметров активированных кристаллов. Характеристики полиэдров Вороного-Дирихле. Исследование структуры и расчет параметров Джадда-Офельта для активированных кристаллов. Изучение структуры шеелитов методом пересекающихся сфер.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 20.07.2015Высокая химическая стойкость гексаферрита стронция, его дешевизна и области применения. Общая характеристика магнитотвердых материалов. Структура и свойства постоянных магнитов. Способы получения мелкодисперсных гексаферритов. Анализ проблем производства.
отчет по практике [2,0 M], добавлен 13.10.2015Зависимость стационарной концентрации триплетных молекул акцептора энергии от мощности возбуждения. Зависимость интенсивности СФ от мощности возбуждения. Зависимостью интенсивности обычной фосфоресценции от интенсивности возбуждения.
реферат [33,1 K], добавлен 16.03.2007Основные модели токопереноса и фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. Технология получения и физические свойства тонких пленок PbS. Вольтамперные характеристики пленок сульфида свинца. Температурные зависимости образцов PbS31.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 19.01.2012Изучение микроструктуры гексаферритов стронция, морфологии зерен, характера распределения микродобавок, особенностей их химического и электронного состояния на поверхности кристаллитов спектральными и структурными методами анализа строения веществ.
контрольная работа [29,9 K], добавлен 13.06.2010Локализация слухового восприятия по уровню интенсивности и временной разнице. Экспериментальное исследование выбора лучших параметров расположения динамиков для создания объемного звука или иллюзии источника звука при изменении угла и высоты между ними.
курсовая работа [36,1 K], добавлен 25.01.2012Расчет интенсивности рассеянного света по Эйнштейну. Критическая опалесценция при фазовых переходах. Свойства особой точки раствора. Способы измерения интенсивности рассеяние света в водном растворе неэлектролитов. Спектры тонкой структуры линии Рэлея.
магистерская работа [474,1 K], добавлен 25.06.2015Характеристика кристаллической структуры оксида титана с точки зрения кристаллографических и кристаллофизических свойств. Расчет рентгенограмм для двух материалов: диоксида олова и теллурида свинца. Пиролитический и пьезоэлектрический эффект в кристаллах.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.06.2011Основные процессы и явления, определяющие спектры активированных лазерных сред. Принципы получения спектральных характеристик матриц на основе ионов Er3+. Экспериментальные измерения спектров поглощения и люминесценции, анализ полученных данных.
дипломная работа [634,7 K], добавлен 18.05.2016Структура кристаллов. Роль, предмет и задачи физики твердого тела. Кристаллические и аморфные тела. Типы кристаллических решеток. Типы связей в кристаллах. Кристаллические структуры твердых тел. Жидкие кристаллы. Дефекты кристаллов.
лекция [2,0 M], добавлен 13.03.2007Конструктивные особенности оптических резонаторов для твердотельных лазеров. Перспективы эффективного применения градиентных лазеров. Математические модели, демонстрирующие характер распределения мощности электромагнитного поля в лазерных кристаллах.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 16.07.2013Спектральные измерения интенсивности света. Исследование рассеяния света в магнитных коллоидах феррита кобальта и магнетита в керосине. Кривые уменьшения интенсивности рассеянного света со временем после выключения электрического и магнитного полей.
статья [464,5 K], добавлен 19.03.2007Особенности плазмы и газового разряда. Проведение опытов с источником ионов с полым анодом при разном ускоряющем напряжении и расстоянии до цилиндра Фарадея. Определение оптимальных параметров для расчета коэффициента эффективности ионного тока в пучке.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 24.02.2013Вычисление коэффициента интенсивности напряжения для произвольной формы образца и заданного распределения внешней нагрузки в теории упругости. Критическая сила при растяжении плоскости парой сосредоточенных сил. Условия равновесия для полосы с трещиной.
методичка [132,9 K], добавлен 02.03.2010Определение возможностей Солнца. Расчет интенсивности солнечной радиации методом коэффициентов. Расчет интенсивности солнечной радиации аналитически. Расчёт потребностей в электроэнергии. Интенсивность падающей солнечной радиации для разных углов наклона.
контрольная работа [212,8 K], добавлен 26.11.2014Исследование распределения интенсивности света на экране с целью получения информации о свойствах световой волны - задача изучения дифракции света. Принцип Гюйгенса-Френеля. Метод зон Френеля, увеличение интенсивности света с помощью зонной пластинки.
презентация [146,9 K], добавлен 18.04.2013Теория явления. Дифракция – совокупность явлений при распространении света в среде с резкими неоднородностями. Нахождение и исследование функции распределения интенсивности света при дифракции от круглого отверстия. Математическая модель дифракции.
курсовая работа [75,6 K], добавлен 28.09.2007Обзор дифракции в сходящихся лучах (Френеля). Правила дифракции световых волн на круглом отверстии и диске. Схема дифракции Фраунгофера. Исследование распределения интенсивности света на экране. Определение характерных параметров дифракционной картины.
презентация [135,3 K], добавлен 24.09.2013Понятие и классификация дефектов в кристаллах: энергетические, электронные и атомные. Основные несовершенства кристаллов, образование точечных дефекто, их концентрация и скорость перемещения по кристаллу. Диффузия частиц за счет движений вакансий.
реферат [571,0 K], добавлен 19.01.2011Измерение интенсивности излучения ниобата лития по времени при различных температурах. Основные функции и возможности прибора для нагревания кристаллов, собранного на базе ПИД-регулятора ОВЕН ТРМ101, настройка прибора, инструкция по пользованию им.
дипломная работа [2,4 M], добавлен 31.05.2014